JP2008311469A - 半導体試験装置、半導体試験方法、プログラム、記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】プローブ試験の実施にあたり、プローブ針に切削滓の異物が付着しているか否かを確認し、付着していた場合は異物を除去し、歩留まりを高める技術を提供する。
【解決手段】ウェーハ51に形成された素子5の電気測定を行うプローブ針213を素子5に接触させた状態で、針213に通電して素子5の導通検査を実施する半導体試験装置1である。装置1は、針213に付着して導通の妨げとなる異物除去処理をする研磨シート7と、研磨シート7により、針213からの異物除去の有無を判定する判定部としてのコンピュータ4を備える。コンピュータ4は、異物の除去処理がなされた針213に通電する。そして、通電時における針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するとき、針213から異物が除去されたと判定する。
【選択図】図2
【解決手段】ウェーハ51に形成された素子5の電気測定を行うプローブ針213を素子5に接触させた状態で、針213に通電して素子5の導通検査を実施する半導体試験装置1である。装置1は、針213に付着して導通の妨げとなる異物除去処理をする研磨シート7と、研磨シート7により、針213からの異物除去の有無を判定する判定部としてのコンピュータ4を備える。コンピュータ4は、異物の除去処理がなされた針213に通電する。そして、通電時における針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するとき、針213から異物が除去されたと判定する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の検査技術に関する。
半導体素子は、半導体ウェーハ上に多数形成される。そしてこれら多数の半導体素子は、半導体ウェーハのまま、電気的接触不良の判定試験であるプローブ試験が実施される。
プローブ試験では、前記半導体素子の電気測定を行うための半導体テスタと接続される、プローバという試験装置を使用する。プローバは、プローブ針と呼称され、半導体テスタから電圧が印荷される治具を使用する。
プローブ針は、半導体素子の表面に形成されており、半導体素子の外部と信号の入出力を行うための電極パッド(電気導通部)、いわゆるボンディングパッド上に立てられる。
そして、半導体テスタによってプローブ針に電圧を印加し、そのときの電流が半導体テスタで測定されると、プローブ針を介して半導体素子に導通があった、すなわち、半導体素子には電気的接触不良はないという判断をする。
反対に半導体テスタで電流を測定できなければ、半導体素子に電気的接触不良があるという判断する。
特開平6−66869号公報
特許第3417806号公報
特開2004−304185号公報
ところで、プローブ針とボンディングパッドとを接触させると、接触したときの押圧力で、プローブ針がボンディングパッド上で滑走してしまうことがある。滑走により、ボンディングパッドを形成する材料、例えばアルミニウムが、わずかながらも削られて滓になる。すると、この滓がプローブ針に付着し、その状態で、プローブ試験を実施すると、滓によりプローブ針の接触抵抗が増大し、半導体素子の正確な導通検査ができなくなってしまう虞がある。
そこで、試験装置であるプローバにプローブ針の研磨機構を有するようにし、一定期間ごとにプローブ針を研磨して、前記滓をプローブ針から除去するようにしている。
しかし、これまでは、切削滓等の異物が、研磨されたプローブ針から確実に除去されたか否かについての検査はされていなかった。
したがって、当該異物がプローブ針に付着している状態で、プローブ試験を実施すれば、当該異物に起因して、不良品ではない半導体素子までも不良品として扱われる虞がある。すると製品の歩留まりが悪くなる。
本発明は、上記事情に鑑みて発明されたものである。その解決しようとする課題は、半導体試験装置を用いて半導体素子のプローブ試験を実施するにあたり、プローブ針に切削滓等の異物が付着しているか否かを確認し、付着していた場合は当該異物を除去し、歩留まりを高める技術を提供することにある。
そこで、本発明の半導体試験装置は、次の手段を採用する。
すなわち、本発明の半導体試験装置は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電することにより、前記半導体素子の導通検査を実施する半導体試験装置である。
すなわち、本発明の半導体試験装置は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電することにより、前記半導体素子の導通検査を実施する半導体試験装置である。
そして、前記治具に付着した異物の除去処理を実施する異物除去部と、前記治具に通電し、当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するか否か判定する判定部と、を備える。
判定部は、前記異物除去部によって異物の除去処理が実施された治具に通電する。当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する。ここで所定の条件とは、例えば、抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記治具から異物が除去されたと判断できる所定の範囲内における値である。また治具としては、プローブ針を例示できる。
前記判定がなされた後は、異物が治具に付着していないという高い信頼性のもとに試験(プローブ試験)を実施できる。よって、良品である半導体素子と不良品である半導体素子との識別性を従来よりも向上させることができる。
前記治具の前記半導体素子との接触回数をカウントするカウント手段を有すると好適である。カウント手段によるカウント数が所定の回数に達した場合は、前記治具を前記異物除去部に移動して、前記除去処理を実施する。治具の半導体素子との接触回数が増える程、治具への異物の付着量は増大するからである。
ここで所定の回数とは、前記治具と前記半導体素子との接触回数の多寡により前記治具に付着した異物の量が、半導体素子の接触不良を惹起するに足る量に相当すると判断可能な予め定められた回数をいう。
前記治具は、前記半導体素子の電気測定を行うために、電圧,電流,抵抗の測定に用いられる半導体テスタと接続されるプローブ針を挙げられる。
治具を前記異物除去部に接触させた状態で通電し、当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足しないときは、前記異物除去部によって、前記プローブ針から前記異物を再度除去する。
このため治具から異物が除去される確実性が増し、異物が治具に付着していないという信頼性のもとで安心して導通検査を実施できる。
異物除去部は、導電性を有する研磨シートと、前記治具を当該研磨シートで研磨するために、当該治具を研磨シート上で移動させる駆動部とを有するものを挙げられる。治具の研磨シート上での移動は、例えば往復運動を挙げられる。
また、本発明は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電することにより、前記半導体素子の導通を検査する半導体試験方法でもある。
本発明の半導体試験方法は、前記治具に付着する異物の除去処理を実施する。そして、
除去処理が実施された治具に対して通電し、当該通電時の前記治具における抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する。
除去処理が実施された治具に対して通電し、当該通電時の前記治具における抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する。
本発明の半導体試験方法は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電する半導体試験装置を制御するコンピュータが、前記治具に付着して導通の妨げとなる異物の有無を判断する半導体試験方法でもある。
本発明の半導体試験方法では、次の工程をコンピュータが実行する。
すなわち、(イ)前記治具に通電する工程、(ロ)当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する工程である。
すなわち、(イ)前記治具に通電する工程、(ロ)当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する工程である。
また、本発明は、半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電する半導体試験装置をコンピュータに制御させ、前記治具に付着して導通の妨げとなる異物の有無をコンピュータに判断させるプログラムでもある。
本発明のプログラムは、前記コンピュータを次の各手段として機能させる。
すなわち、(イ)異物の除去処理が実施された前記治具に通電する手段、(ロ)当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する手段である。
すなわち、(イ)異物の除去処理が実施された前記治具に通電する手段、(ロ)当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、前記所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する手段である。
さらに、本発明は、上記課題を達成するため、上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体でもある。
本発明によれば、研磨されたプローブ針に切削滓が付着しているか否かを確認でき、付着していた場合は、当該切削滓を除去する。この結果、信頼性の高いプローブ試験を実現することができ、半導体素子の歩留まりを高めることができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、実施形態)を実施例に基づいて説明する。但し、この実施形態の構成は例示であり、本発明の範囲をそれらに限定する趣旨ではない。したがって、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種種変更を加え得ることは勿論である。
<装置の概要>
<装置の概要>
半導体試験装置は、半導体ウェーハ上に形成されたICやLSIなどの半導体素子の電気測定を行う治具であるプローブ針を、半導体素子に接触させた状態で、当該プローブ針に通電することによって、半導体素子の導通検査を行う装置である。
導通検査によって、半導体素子の電気的接触不良の有無を判定する。
<半導体試験装置の全体説明>
導通検査によって、半導体素子の電気的接触不良の有無を判定する。
<半導体試験装置の全体説明>
図1は、そのような半導体試験装置の概念図である。
半導体試験装置1は、プローブ試験を実施するための検査機であるプローバ2と、プローバ2と接続され、半導体素子の電気測定を行うための半導体テスタ3と、装置全体を制御するためのコンピュータであるワークステーション4とを有する。
半導体試験装置1は、プローブ試験を実施するための検査機であるプローバ2と、プローバ2と接続され、半導体素子の電気測定を行うための半導体テスタ3と、装置全体を制御するためのコンピュータであるワークステーション4とを有する。
以下、半導体試験装置1の各構成機器について説明する。
<プローバ>
<プローバ>
プローバ2は、図2に示すようにプローブ針213を有するプローブカード21と、被験体である半導体素子5が多数形成された半導体ウェーハ51が載置されるウェーハ・ステージ6と、プローブ針213を研磨する研磨シート7と、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7の間でプローブカード21を移動させる移動装置8(図2の両矢印及び図4参照)とを有する。
<プローブカード>
<プローブカード>
プローブカード21は、カード部211と、このカード部211に配列された多数のプローブ針213とを有する。
<カード部>
カード部211は、多数のプローブ針213を支える基板である。
<プローブ針>
<カード部>
カード部211は、多数のプローブ針213を支える基板である。
<プローブ針>
プローブ針213は、タングステンやニッケルでできている。
プローブ針213の数は、ウェーハ・ステージ6に裁置されている半導体ウェーハ51に形成された多数の半導体素子5に合わせて決定され、数百に及ぶ場合もある。
プローブ針213の数は、ウェーハ・ステージ6に裁置されている半導体ウェーハ51に形成された多数の半導体素子5に合わせて決定され、数百に及ぶ場合もある。
プローブ針213は、半導体素子5のボンディングパッド511と接触する(図3,4参照)。当該接触したときの押圧力により、プローブ針213にはボンディングパッド511の形成材料その他の異物511aが付着する。
プローブ針213とボンディングパッド511との一回当たりの接触で、プローブ針に付着する異物511aの量はわずかである。しかし、プローブ針213をボンディングパッド511に当接させる回数が多いほど、付着量は増大する。異物511aの付着量が多いと、異物511aは、プローブ針213の導通の妨げとなる。
<ウェーハ・ステージ>
<ウェーハ・ステージ>
ウェーハ・ステージ6は、この実施例では、半導体ウェーハ51の外形に合わせてその形状は丸形である。ウェーハ・ステージ6から幾分離れた箇所には、研磨シート7が設置されている(図2,4参照)。
<研磨シート>
<研磨シート>
研磨シート7は、プローブ針213に付着する異物511aの除去処理を研磨によって実施するためのものである。よって、研磨シート7は、プローブ針213から異物511aを除去する異物除去部といえる。研磨シート7は、導電性を有する研磨材からなるものであれば何でもよい。この実施例では、シート状をした薄肉のものを例示する。
<移動装置>
<移動装置>
移動装置8は、図2及び4に両矢印で示すように、プローブカード21を、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7の間で移動する。
具体的には、例えば、プローブカード21を把持した状態で、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7の間を自在に動く搬送アームを挙げられる。その他に、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7の間に敷設された搬送レールと、搬送レールに沿って移動するようになっている前記搬送アームとの組み合わせ機構を例示できる。
移動装置8により、プローブカード21は、上下・前後に自在に可動できるものが好ま
しい(図2参照)。なお上とは図面に正対した場合の上方であり、下とは同じく下方である。また前後とは、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7を結ぶ直線方向における前方向及び後ろ方向であり、便宜上、この明細書では、ウェーハ・ステージ6のある側を前方といい、研磨シート7のある側を前方ということにする。
しい(図2参照)。なお上とは図面に正対した場合の上方であり、下とは同じく下方である。また前後とは、ウェーハ・ステージ6及び研磨シート7を結ぶ直線方向における前方向及び後ろ方向であり、便宜上、この明細書では、ウェーハ・ステージ6のある側を前方といい、研磨シート7のある側を前方ということにする。
また、移動装置8によってプローブカード21が研磨シート7上に移動された場合において、移動装置8は、異物511aの付着したプローブ針213を研磨シート7に当接させた状態で、プローブカード21を往復動させる。これにより、プローブ針213に付着した異物を研磨シート7によって除去する。
よって移動装置8は、プローブ針213を研磨シート7で研磨するために、プローブ針213を研磨シート上で移動させるプローブ針駆動部ということもできる。なお、研磨シート7をプローブカード21に対して往復動するようにしてもよい。
<半導体テスタ>
<半導体テスタ>
半導体テスタ3は、被検体と電気的に接続され、被検体に通電する。そして被検体に通電された時の電流値,電圧値,抵抗値の測定を行う。本実施形態で被検体は、半導体素子5又はプローブ針213である。
半導体テスタ3は、被検体である半導体素子5やプローブ針213が、正常に作動できるか否かをテストするために使用される。当該テストの実施にあたり、半導体テスタ3から半導体素子5やプローブ針213に通電される。当該通電は、ワークステーション4が、半導体テスタ3に対し、半導体素子5やプローブ針213に通電するように指令することで実現する。
<ワークステーション>
<ワークステーション>
ワークステーション4は、半導体試験装置1の全体を制御する。
また、ワークステーション4は、プローブ針213と半導体素子5との接触回数をカウントする。よって、ワークステーション4は、カウント手段ということができる。なお、ワークステーション4がカウントした上記接触回数をカウント数という。
また、ワークステーション4は、プローブ針213と半導体素子5との接触回数をカウントする。よって、ワークステーション4は、カウント手段ということができる。なお、ワークステーション4がカウントした上記接触回数をカウント数という。
当該接触回数の増加に連れ、プローブ針213に付着する異物511aの堆積量は増大し、接触抵抗も増大する。そして、堆積量がある臨界点に達すると、半導体素子が接触不良を起こすほどに接触抵抗が増大するため、プローブ試験を実施しても正確な導通検査ができなくなってしまう。
堆積量に起因して正確な導通検査ができなくなってしまうか否かの臨界点は、プローブ針213と半導体素子5との接触回数から推測できる。
接触回数は、次第に増加する。そして、プローブ針213と半導体素子5との接触回数の多寡により、プローブ針213に付着した異物511aの量が、半導体素子5の接触不良を惹起するに足る量に相当すると判断可能な所定のカウント数にやがて達する。接触回数が所定のカウント数以内であるときを、本明細書では、接触回数基準内という。
当該所定のカウント数は、経験値によるところが大きい。また、当該カウント数は、ワークステーション4のメモリに記憶される。
カウント数が当該所定回数に達すると、ワークステーション4は、移動装置8により、プローブ針213を研磨シート7に向けて移動させる。そして、プローブ針213を研磨シート7で研磨できるように、研磨シート7に対するプローブ針213の位置決め制御を
行う。
行う。
そして、既述したように、研磨シート7に異物511aの付着したプローブ針213を当接させた状態で、搬送アームに把持されたプローブカード21を往復動させることにより、プローブ針213に付着し、導通の妨げとなっていた異物511aの除去処理を実施する。
なお接触回数の代わりに、半導体試験装置1の稼働時間でプローブ針213を研磨するようにしてもよい。
また、ワークステーション4は、上記除去処理の実施により、プローブ針213から異物が十分に除去されたか否かを判定する判定部としての機能も有する。
ワークステーション4が判定部として機能するために、ワークステーション4は、異物の除去処理が実施されたプローブ針213に通電する。そして、当該通電時におけるプローブ針213の抵抗値、または前記抵抗値を電流または電圧に換算した値が、所定の条件を満足するか否かを判定する。
ここで所定の条件を満足する場合とは、抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、プローブ針213から異物が除去されたと判断できる所定の範囲内における値であるということである。
例えば抵抗値、またはその抵抗値を電流または電圧に換算した値が、当該所定の範囲内における値であるときは、異物がプローブ針213から除去されたという判定をする。また、抵抗値Rを電流に換算した値とは、例えば定電圧Vをプローブ針に加えたときに、電流値Iが測定され、R=V/Iである電流値である。また、抵抗値Rを電圧に換算した値とは、例えば定電流Iをプローブ針に通電したときに、電圧降下Vが測定され、R=V/Iである電圧降下の値をいう。
反対に、前記通電時における電流値,電圧値及び抵抗値のうちの少なくとも一つの値も、前記所定の範囲内の値でないときは、再度、研磨シート7によって、プローブ針213に付着する異物の除去処理を実施する。
抵抗値、またはその抵抗値を電流または電圧に換算した値が、前記所定の条件を満足するときを異物511aによる接触抵抗が基準値内(以下、接触抵抗基準値内)にあるという。例えば、抵抗値が所定抵抗未満、電流値が所定電流以上、あるいは電圧降下が所定電圧未満の場合である。また、当該抵抗値、電流値及び電圧値を測定することを接触抵抗測定という。
測定された抵抗値、電流値及び電圧値が、接触抵抗基準値内か否かの判断の基準となる抵抗値、電流値及び電圧値の各値は、ワークステーション4の図示しないメモリに記憶される。
なお、ワークステーション4は、半導体素子5が製品としての基準をクリアしているか否かを判定する判定部としての機能も有するのは勿論である。しかし、当該機能は、本発明の本質ではないので、説明を省略する。
<電気回路>
<電気回路>
図4は、半導体試験装置1の電気回路図である。この図4は、ワークステーション4によって制御されるプローバ2に供給される電源Vとプローブ針213とが電気的に接続さ
れ、研磨シート7が抵抗Rを介在させて接地され、移動装置8によって、プローブ針213を研磨シート7に当接させている状態を示す。
れ、研磨シート7が抵抗Rを介在させて接地され、移動装置8によって、プローブ針213を研磨シート7に当接させている状態を示す。
また、移動装置8は、ワークステーション4によってその動きが制御される。
図4に示されている丸記号A,V及びΩは、半導体テスタ3によって電流,電圧及び抵抗が測定されるものであることを意味する。
図4に示されている丸記号A,V及びΩは、半導体テスタ3によって電流,電圧及び抵抗が測定されるものであることを意味する。
次に図5を参照して、本実施例の半導体試験装置1による一連の作業を説明する。
図5の各工程は、符合Sに番号を付して示す。
図5の各工程は、符合Sに番号を付して示す。
S1:半導体素子の導通検査である試験が半導体試験装置1によって開始された後、ワークステーション4は、プローブ針213と半導体素子5との接触回数が、接触回数基準値内か否かを判定する。肯定判定すればS2に進み、否定判定すればS3に進む。
S2:ワークステーション4からの指令により半導体テスタ3は、接触抵抗測定を行い、プローブ針213の抵抗値、電流値または電圧値のうちの少なくとも一つを測定する。
S3:ワークステーション4からの指令により、研磨シート7でプローブ針213を研磨する。そのためプローブ針213を移動装置8で研磨シート7に移動する。研磨シート7に移動したら、研磨シート7にプローブ針213の先端部分を当接し、研磨を開始する。これをプローブ針研磨という。プローブ針研磨をどの程度行うかは研磨を徐々に進めてゆくに従い、その都度、接触抵抗測定を行って判断する。この判断はS4で実施する。
S4:接触抵抗測定の結果、プローブ針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、接触抵抗基準値内にあるか否かを判定する。肯定判定すればS5に進み、否定判定すればS3に戻り、プローブ針研磨を再び実施する。
S5では、S1と同様プローブ針213と半導体素子5との接触回数が接触回数基準値内か否かを判定する。肯定判定すれば、半導体素子5の導通検査のため半導体テスタ3による電気測定を開始し、否定判定すればS3に戻り、プローブ針研磨を再び実施する。
<作用・効果>
次に、半導体試験装置1の作用効果を説明する。
半導体試験装置1にあっては、異物511aの付着したプローブ針213を研磨シート7に接触させた状態で通電する。そして、その際に、プローブ針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が前記接触抵抗基準値内の値でないときは、研磨シート7によって、プローブ針213から異物511aを除去する除去処理を行う。
次に、半導体試験装置1の作用効果を説明する。
半導体試験装置1にあっては、異物511aの付着したプローブ針213を研磨シート7に接触させた状態で通電する。そして、その際に、プローブ針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が前記接触抵抗基準値内の値でないときは、研磨シート7によって、プローブ針213から異物511aを除去する除去処理を行う。
除去処理は、プローブ針213の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、接触抵抗基準値内の値になるまで何回か続けられる。
このため、プローブ針213から異物511aが除去される確実性が増す。したがって、異物511aがプローブ針213に付着していないという信頼性のもとで、安心して導通検査を実施できる。これは延いては、半導体素子の歩留まりを高めることになる。
<コンピュータ読み取り可能な記録媒体>
コンピュータその他の機械、装置(以下、コンピュータ等)に上記いずれかの機能を実現させるプログラムをコンピュータ等が読み取り可能な記録媒体に記録することができる。そして、コンピュータ等に、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実施させること
により、その機能を提供させることができる。
により、その機能を提供させることができる。
ここで、コンピュータ等が読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータ等から読み取ることができる記録媒体をいう。
このような記録媒体のうちコンピュータ等から取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R/W、DVD、DAT、8mmテープ、メモリカード等がある。
また、コンピュータ等に固定された記録媒体としてハードディスクやROM(リードオンリーメモリ)等がある。
1 半導体試験装置
2 プローバ
21 プローブカード
211 カード部
213 プローブ針(治具)
3 半導体テスタ
4 ワークステーション(判定部,カウント手段)
5 半導体素子
51 半導体ウェーハ
511 ボンディングパッド
511a 異物
6 ウェーハ・ステージ
7 研磨シート(異物除去部)
8 移動装置(プローブ針駆動部)
2 プローバ
21 プローブカード
211 カード部
213 プローブ針(治具)
3 半導体テスタ
4 ワークステーション(判定部,カウント手段)
5 半導体素子
51 半導体ウェーハ
511 ボンディングパッド
511a 異物
6 ウェーハ・ステージ
7 研磨シート(異物除去部)
8 移動装置(プローブ針駆動部)
Claims (8)
- 半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電することにより、前記半導体素子の導通検査を実施する半導体試験装置であって、
前記治具に付着した異物の除去処理を実施する異物除去部と、
前記治具に通電し、当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するか否か判定する判定部と、を備えたことを特徴とする半導体試験装置。 - 前記治具の前記半導体素子との接触回数をカウントするカウント手段を有し、
カウント数が、所定の回数に達した場合は、前記治具を前記異物除去部に移動して、前記除去処理を実施することを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。 - 前記所定の条件を満足しないときは、前記異物除去部によって、前記治具から前記異物を再度除去する請求項1又は2に記載の半導体試験装置。
- 前記異物除去部は、
導電性を有する研磨シートと、
前記治具を当該研磨シートで研磨するために、当該治具を研磨シート上で移動させる駆動部と、を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体試験装置。 - 半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電することにより、前記半導体素子の導通を検査する半導体試験方法であって、
前記治具に付着する異物の除去処理を実施し、
除去処理が実施された治具に対して通電し、
当該通電時の前記治具における抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する半導体試験方法。 - 半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電する半導体試験装置を制御するコンピュータが、前記治具に付着して導通の妨げとなる異物の有無を判断する半導体試験方法であって、
前記治具に通電する工程と、
当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する工程と、をコンピュータが実行する半導体試験方法。 - 半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電する半導体試験装置をコンピュータに制御させ、前記治具に付着して導通の妨げとなる異物の有無をコンピュータに判断させるプログラムであり、
前記コンピュータを、
異物の除去処理が実施された前記治具に通電する手段、
当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する手段、として機能させるためのプログラム。 - 半導体ウェーハ上に形成された半導体素子の電気測定を行う治具を前記半導体素子に接触させた状態で、この治具に通電する半導体試験装置をコンピュータに制御させ、
前記治具に付着して導通の妨げとなる異物の有無を、コンピュータに判断させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、
前記コンピュータに、
異物の除去処理が実施された前記治具に通電する手段、
当該通電時における治具の抵抗値、または前記抵抗値の電流または電圧への換算値が、所定の条件を満足するときは、前記異物が前記治具から除去されたと判定する手段、として機能させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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