JP2008310922A - 情報記録媒体及びこの媒体を用いたディスク装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 特に450nm以下の短波長レーザで記録再生を行う、多層記録層を有する情報記録媒体においても、内周から外周まで良好な信号特性を得ることが可能な情報記録媒体及びこの媒体を用いたディスク装置を提供する
【解決手段】 複数の記録層を有し、450nm以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体において、前記情報記録媒体に記録された前記情報を再生するときに前記情報の最短マーク長と最短スペース長の繰り返しパターンの周波数をxとすると、x/3240〜x/190の周波数範囲において、和信号を所定の測定器を用いて検出したときに、この測定器によって検出された最も高いレベルの値とx/190におけるレベルの値との比が32dBよりも小さいことを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば青色レーザ光等のような短波長レーザ光による情報の記録再生を可能とした情報記録媒体、特に追記型情報記録媒体に関する。
本発明は、多層で情報の記録を可能とした情報記録媒体及びこの媒体を用いたディスク装置に関する。
光ディスクには、大きく分けて再生専用のROMディスク、追記型のRディスク、書き換え型のRWまたはRAMディスクの3種類がある。情報の大容量化に伴い、光ディスクにも大容量化と高転送レート化が求められている。大容量化という市場の要求に応えるべく、DVD−Rでは同じレーザ波長の記録システムを用いた場合でも大容量化が可能となるように、通常の単層記録層から2層記録層を設けたディスクの開発が進められてきた。
ここで、更なる光ディスクの大容量化を行うために、HD DVDという種類の光ディスクが開発されている。データ容量は、HD DVD−ROMやRでは片面15GBと、今までのDVDの4.7GBと比較して3倍以上の大容量化を実現している。このようなHD DVD−Rの記録層には、有機色素材料が使用されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
しかしながら、このHD DVD‐Rの記録層2層化を行うのは、DVD−Rの記録層2層化を行うよりも高密度であるためにはるかに難しく、特に、外周での信号特性劣化が深刻であった。
特開2006−205683 特開2005−271587
本発明の目的は、特に450nm以下の短波長レーザで記録再生を行う、多層記録層を有する情報記録媒体においても、内周から外周まで良好な信号特性を得ることが可能な情報記録媒体及びこの媒体を用いたディスク装置を提供することにある。
上記した課題を解決するために、この発明は、複数の記録層を有し、450nm以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体において、前記情報記録媒体に記録された前記情報を再生するときに前記情報の最短マーク長と最短スペース長の繰り返しパターンの周波数をxとすると、x/3240〜x/190の周波数範囲において、和信号を所定の測定器を用いて検出したときに、この測定器によって検出された最も高いレベルの値とx/190におけるレベルの値との比が32dBよりも小さいことを特徴とする。
本発明によれば、450nm以下の波長を用いて記録再生を行う多層の記録層を有する情報記録媒体において、内周から外周まで良好な記録再生を行うことが可能となる。
本発明者らは、上記した課題を解決するため種々検討したところ、特に外周において、低周波数でのノイズが記録特性に大きく影響を及ぼしていることがわかった。例えば最短マーク長を0.204μmとし、ディスクの回転線速度を6.61m/sとした場合、最短マーク最短スペースの繰り返しパターンの周波数は16.2MHzとなる。この周波数をxとし、
x/3240〜x/190
の式に代入すると、
5kHz〜85kHzの間となる。この周波数帯でスペクトルアナライザを用いて測定を行う。スペクトルアナライザの設定は、RBW(Resolution Band Width)を1kHz、VBW(Video Band Width)を1kHzとし、64回波形を取り込んで平均化した。このとき、85kHzの値をノイズレベルとし、5kHz〜85kHzの間のピーク値をキャリアレベルとし、C/Nは(キャリアレベル-ノイズレベル)とした。
このC/Nの値が32dBより大きいと、外周での特性が悪化していることが判明した。C/Nは32dBよりも小さければ小さいほど好ましい。
図1に、本実施例における情報記録媒体の5kHz〜85kHzにおけるL1のC/Nと、r=57mmでのPRSNRとの関係を示す。PRSNRはPartial Response Signal to Noise Ratioの略で、値が大きいほど良好な信号特性を示す。本実施例では12以上でドライブによるデータの読み取りが可能となり、15以上が好ましい値となる。
以下、図面を参照してこの発明の種々な実施の形態を説明する。図2は、この発明の一実施の形態に係る光ディスク(具体例として追記型の片面2層光ディスク)100の構成例を説明する図である。図2(a)(b)に例示されるように、この光ディスク100は、例えばポリカーボネート(PC)等の合成樹脂材料で円盤状に形成された透明樹脂基板101を備えている。この透明樹脂基板101には、同心円状またはらせん状に溝(グルーブ)が形成されている。この透明樹脂基板101は、スタンパを用いて射出成形により製造することができる。
ここで、ポリカーボネート等の0.59mm厚透明樹脂基板101上に第1層目(L0)の有機色素記録層105および光半透過反射層106を順に積層し、その上にフォトポリマー(2P樹脂)104をスピンコートする。そして、その上に第2層目(L1)の溝(グルーブ)形状を転写して第2層目の有機色素記録層107および銀または銀合金等の反射膜108を順に積層する。こうしてL0およびL1の記録層が積層されたものに、他の0.59mm厚の透明樹脂基板(あるいはダミー基板)102が、UV硬化樹脂(接着層)103を介して貼り合わされる。上記有機色素の記録膜(記録層105および107)は、半透過反射層106及び中間層104を挟む2層構造となっている。こうして出来上がった貼り合わせ光ディスクの合計厚は、ほぼ1.2mmとなる。
ここで、透明樹脂基板101上あるいはフォトポリマー104上には、例えばトラックピッチ0.4μm、深さ60nmのらせん状グルーブが(L0とL1の各層に)形成されている。このグルーブはウォブルしており、アドレス情報はこのウォブル上に記録されている。そして、この透明樹脂基板101あるいはフォトポリマー104上に、そのグルーブを充填するように、有機色素を含む記録層105、107が形成される。
この記録層105、107を形成する有機色素としては、その最大吸収波長領域が記録波長(例えば405nm)よりも長波長側にシフトしているものを用いることができる。また、記録波長領域において吸収が消滅しているのではなく、その長波長領域(例えば450nm〜600nm)でも相当の光吸収を有するように設計される。
上記有機色素(具体例は後述)は、溶媒に溶かすことで液体とし、スピンコート法により透明樹脂基板面に容易に塗布することができる。この場合、溶媒による希釈率、スピン塗布時の回転数を制御することにより、膜厚を高精度に管理することができる。
なお、情報記録前のトラック上を記録用レーザ光によりフォーカシングまたはトラッキングした場合は、低光反射率である。その後、レーザ光により色素の分解反応が生じ、光吸収率が低下することにより、記録マーク部分の光反射率が上昇する。このため、レーザ光を照射して形成した記録マーク部分の光反射率が、レーザ光照射前の光反射率よりも高くなるという、いわゆるLow−to−High(またはL to H)の特性を実現している。
この発明の一実施の形態において、透明樹脂基板101およびフォトポリマー(2P樹脂)104上に存在するL0層およびL1層に適用される物理フォーマットとしては、例えば以下のものがある。すなわち、追記型片面2層ディスクの一般パラメータは1層ディスクの一般パラメータとほとんど同じであるが、以下の点で異なる。ユーザが使用可能な記録容量は30GBであり、データ領域の内半径がレイヤー0(L0層)では24.6mmであり、レイヤー1(L1層)では24.7mmであり、データ領域の外半径が58.1mm(レイヤー0、レイヤー1共通)である。
図2(a)の光ディスク100において、システムリードイン領域SLAは、図2(c)に例示されるようにコントロールデータセクションを含み、このコントロールデータセクションは、物理フォーマット情報等の一部として、記録パワー(ピークパワー)、バイアスパワー等の記録に関するパラメータを、L0およびL1それぞれに対して含んでいる。
また、光ディスク100のデータ領域DA内のトラックには、図2(d)に例示されるように、所定の記録パワー(ピークパワー)およびバイアスパワーを伴うレーザにより、マーク/スペース記録が行われる。このマーク/スペース記録により、図2(e)に例示されるように、例えば高精細TV放送番組等のオブジェクトデータ(VOB等)とその管理情報(VMG)が、データ領域DA内の(L0および/またはL1の)トラック上に記録される。
本発明の一実施形態において使用できるL to H型の有機色素として、色素部と対イオン(アニオン)部とからなるもの、有機金属錯体を使用することができる。色素部としては、シアニン色素、スチリル色素、ポルフィリン系色素、アゾ色素等を使用することができる。特に、シアニン色素、スチリル色素、アゾ色素は、記録波長に対する吸収率の制御がしやすく好適である。
L to H型の有機色素の中でも、モノメチン鎖を有するモノメチンシアニン色素は、透明樹脂基板に塗布される記録膜を薄膜化することにより、極大吸収と記録波長域(400nm〜405nm)での吸光度を0.3〜0.5付近、好ましくは0.4付近に容易に調整することができる。このため、記録再生特性を良くすることが可能で、かつ、光反射率、記録感度を共に良好に設計することができる。
有機色素のアニオン部としては、有機金属錯体とするのが光安定性の観点からも良好である。有機金属錯体は、コバルトまたはニッケルを中心金属とするものが、特に光安定性に優れている。
有機金属錯体としては、例えばアゾ金属錯体を使用することができ、2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール(TFP)を溶媒とした場合の溶解性も良好であって、スピンコート用の溶液を容易に作ることができる。また、スピンコート後のリサイクルが可能なので、情報記録媒体製造のコストダウンを図ることができる。
なお、有機金属錯体は、TFP液に溶解させ、スピン塗布することができる。特に、アゾ金属錯体が記録後に変形を生じにくいので、記録層を2層とする情報記録媒体に使用する場合、Ag合金層の薄いL0用記録層には良好である。中心金属はCu,Ni、Co、Zn、Fe、Al、Ti、V、Cr、Yが使えるが、特に再生光耐性が良好なのはCu、Ni、Coであり、Cuは遺伝毒性が無く、記録再生信号の品質が優良である。
中心金属を取り巻くリガンド(配位子)は様々なものが使用できる。たとえば下記構造式(D1)ないし(D6)で表される色素のようなものが使用される。ここに出てきたリガンドを組み合わせて他の構造にしてもよい。
Figure 2008310922
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Figure 2008310922
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Figure 2008310922
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また、図3は、本発明に使用できるL to H型有機色素層として使用し得る有機色素材料として、色素A〜Dの4つの例を示している。色素Aは、色素部(カチオン部)をスチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体1としたものである。色素Cは、色素部(カチオン部)をスチリル色素、アニオン部をアゾ金属錯体2としたものである。色素Dは、色素部(カチオン部)をモノメチンシアニン色素、アニオン部をアゾ金属錯体1としたものである。なお、有機金属錯体の単体も使用可能である。例えば、色素Bは、ニッケル錯体色素である。
ここで、下記一般式(E1)は、上記色素A,Cの色素部となるスチリル色素の一般式を示し、下記一般式(E2)は、色素A,Cのアニオン部となるアゾ金属錯体の一般式を示している。また、下記一般式(E3)は、上記色素Dの色素部となるモノメチンシアニン色素の一般式を示し、下記一般式(E4)は、色素Dのアニオン部となるアゾ金属錯体の一般式を示している。
Figure 2008310922
Figure 2008310922
Figure 2008310922
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上記スチリル色素の一般式において、Z3は芳香環を表わし、その芳香環は置換基を有していてもよい。Y31は炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。R31,R32,R33は互いに同じか異なる脂肪族炭化水素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。R34,R35はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし、Y31がヘテロ原子である場合、R34,R35のいずれか一方または両方が存在しない。
また、上記モノメチンシアニン色素の一般式において、Z1,Z2は互いに同じか異なる芳香環を表わし、それらの芳香環は置換基を有していてもよい。Y11,Y12はそれぞれ独立に、炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。R11,R12は脂肪族炭化水素基を表わし、それらの脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。R13,R14,R15,R16はそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わし、Y11,Y12がヘテロ原子である場合、R13,R14,R15,R16の一部または全部が存在しない。
この実施の形態で用いるモノメチンシアニン色素としては、置換基を1または複数有することのあるモノメチン鎖の両端に、置換基を1または複数有することのある、互いに同じか異なるイミダゾリン環、イミダゾール環、ベンゾイミダソール環、α−ナフトイミダゾール環、β−ナフトイミダゾール環、インドール環、イソインドール環、インドレニン環、イソインドレニン環、ベンゾインドレニン環、ピリジノインドレニン環、オキサゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジノオキサゾール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフトオキサゾール環、セレナゾリン環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール環、α−ナフトセレナゾール環、β−ナフトセレナゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、イソチアゾール環、ベンゾチアゾール環、α−ナフトチアゾール環、β−ナフトチアゾール環、テルラゾリン環、テルラゾール環、ベンゾテルラゾール環、α−ナフトテルラゾール環、β−ナフトテルラゾール環、さらには、アクリジン環、アントラセン環、イソキノリン環、イソピロール環、イミダノキサリン環、インダンジオン環、インダゾール環、インダリン環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、キサンテン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、クロマン環、シクロヘキサンジオン環、シクロペンタンジオン環、シンノリン環、チオジアゾール環、チオオキサゾリドン環、チオフェン環、チオナフテン環、チオバルビツール酸環、チオヒダントイン環、テトラゾール環、トリアジン環、ナフタレン環、ナフチリジン環、ピペラジン環、ピラジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾロン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピリリウム環、ピロリジン環、ピロリン環、ピロール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントレン環、フェナントロリン環、フタラジン環、プテリジン環、フラザン環、フラン環、プリン環、ベンゼン環、ベンゾオキサジン環、ベンゾピラン環、モルホリン環、ロダニン環等の環状核が結合してなる色素を挙げることができる。
また、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式を通じて、Z1〜Z3は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環等の芳香環を表わし、それらの芳香環は置換基を1または複数有していてもよい。置換基としては、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基、フェニル基、ビフェニリル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、キシリル基、メシチル基、o−クメニル基、m−クメニル基、p−クメニル基等の芳香族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲン基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、フェニルチオ基等のチオ基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、プロピルスルファモイル基、ジプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモイル基、ジブチルスルファモイル基等のスルファモイル基、第一級アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピペリジノ基等のアミノ基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ジプロピルカルバモイル基等のカルバモイル基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルフィノ基、スルホ基、メシル基等が挙げられる。なお、一般式において、Z1及びZ2は互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるY11,Y12,Y31は炭素原子またはヘテロ原子を表わしている。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子等の周期律表における第15族及び第16族の原子が挙げられる。なお、Y11,Y12,Y31における炭素原子は、例えば、エチレン基、ビニレン基等の2個の炭素原子を主体とする原子団であってもよい。また、モノメチンシアニン色素の一般式におけるY11,Y12は互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるR11,R12,R13,R32,R33は脂肪族炭化水素基を表わしている。脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソプロペニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、2−ブテニル基、1,3−ブタジエニル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、2−ペンテニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。この脂肪族炭化水素基は、Z1〜Z3におけるものと同様の置換基を1または複数有していてもよい。
なお、モノメチンシアニン色素の一般式におけるR11,R12と、スチリル色素の一般式におけるR13,R32,R33とは、それぞれ、互いに同じものであっても異なるものであってもよい。
モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式におけるR13〜R16,R34,R35は、個々の一般式においてそれぞれ独立に、水素原子または適宜の置換基を表わしている。置換基としては、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5−メチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、フェノキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエーテル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等のハロゲン基、さらには、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。なお、モノメチンシアニン色素及びスチリル色素の一般式において、Y11,Y12,Y31がヘテロ原子である場合には、Z1及びZ2におけるR13〜R16の一部または全部、また、Z3におけるR34,R35の一方もしくは両方が存在しないこととなる。
また、上記アゾ金属錯体の一般式において、A及びA´は窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を1または複数含んでなる、互いに同じか異なる、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、ピペリジル基、キノリル基、イソオキサゾリル基等の五員環〜十員環の複素環基を表わしている。この複素環基は、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5−メチルヘキシル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フェニル基、ビフェニリル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、o−クメニル基、m−クメニル基、p−クメニル基、キシリル基、メシチル基、スチリル基、シンナモイル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、さらには、カルボキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を1または複数有していてもよい。
また、上記アゾ金属錯体の一般式において、A及びA´は窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子から選ばれるヘテロ原子を1または複数含んでなる、互いに同じか異なる、例えば、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、ピペリジル基、キノリル基、イソオキサゾリル基等の五員環〜十員環の複素環基を表わしている。この複素環基は、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5−メチルヘキシル基等の脂肪族炭化水素基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のエステル基、フェニル基、ビフェニリル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、o−クメニル基、m−クメニル基、p−クメニル基、キシリル基、メシチル基、スチリル基、シンナモイル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、さらには、カルボキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基等の置換基を1または複数有していてもよい。
なお、一般式で表わされるアゾ系有機金属錯体を構成するアゾ化合物は、常法にしたがって、一般式に対応するR21,R22か、または、R23,R24を有するジアゾニウム塩と、分子内に、カルボニル基に隣接する活性メチレン基を有する、例えば、イソオキサゾロン化合物、オキサゾロン化合物、チオナフテン化合物、ピラゾロン化合物、バルビツル酸化合物、ヒダントイン化合物、ロダニン化合物等の複素環式化合物とを反応させることによって得ることができる。Y21,Y22は、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子等の、周期律表における第16族の元素から選ばれる互いに同じか異なるヘテロ原子を表わしている。
一般式で表されるアゾ金属錯体は、通常、その1または複数が金属(中心原子)に配位してなる金属錯体の形態で用いられる。中心原子となる金属元素の例としては、例えば、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀等が挙げられ、特にコバルトが好ましい。
図4(a)は、上記色素Aにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図4(b)は、上記色素Bにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図4(c)は、上記色素Cにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。
また、図5(a)は、上記色素Dにおいて、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。図5(b)は、上記色素Dのアニオン部において、照射されたレーザ光の波長に対する吸光度の変化を示している。
図4及び図5に示す特性から明らかなように、各色素A〜Dは、その最大吸収波長領域が記録波長(405nm)よりも長波長側にシフトしている。この実施の形態で説明する追記型光ディスクは、上記のような特性を有する有機色素を記録膜に含ませ、かつ、レーザ光照射前の光反射率よりもレーザ光照射後の光反射率が高くなる、いわゆるL to Hの特性を持たせるように構成することにより、青色レーザ光等のような短波長レーザ光を使用しても、保存耐久性、再生信号SN比、ビット誤り率等の点で優れ、高密度で十分に実用に適するレベルの性能をもって情報の記録再生を行なうことを可能としている。
すなわち、この追記型光ディスクは、有機色素を含む記録膜の極大吸収波長が記録用レーザ光の波長よりも長波長側にあるため、紫外線等の短波長の光の吸収を小さく抑えることができるので、光安定性に優れ、情報記録再生の信頼性が高くなる。
また、情報の記録時点では、光反射率が低いことから、反射拡散によるクロスライトが生じないため、隣接トラックに情報が記録されている状態であっても、再生信号SN比、ビット誤り率の劣化を少なくすることができる。さらに、熱に対しても、記録マークのコントラスト、解像度を高い品質で保持することができ、記録感度設計を容易に行なうことができる。
また、最大吸収波長領域が記録波長(405nm)よりも短波長側にシフトしているような色素を記録膜に用いた場合、この実施の形態で説明する追記型光ディスクは、レーザ光照射前の光反射率よりもレーザ光照射後の光反射率が低くなる、いわゆるH to Lの特性を持たせるように構成することにより、青色レーザ光等のような短波長レーザ光を使用しても、高反射率であり、再生信号SN比、ビット誤り率等の点で優れ、高密度で十分に実用に適するレベルの性能をもって情報の記録再生を行なうことを可能としている。
すなわち、この追記型光ディスクは、有機色素を含む記録膜の極大吸収波長が記録用レーザ光の波長よりも短波長側にあるため、紫外線等の短波長の光を吸収、あるいは多少反射させることができるので、光安定性に優れ、情報記録再生の信頼性が高くなる。
さらに、熱に対しても、記録マークのコントラスト、解像度を高い品質で保持することができ、記録感度設計を容易に行なうことができる。
アゾ化合物は芳香環を持っており、その芳香環の構造はもちろんのこと、芳香環に様々な置換基を持たせることで、記録特性や保存特性、再生安定性などを最適化することが可能となる。この置換基は、嵩高いほど再生光耐久性が向上する傾向にあるが、記録時の感度も悪くなる傾向にあるため、どちらの特性も良好となるような置換基の選択が重要となる。また、この置換基は、溶剤への溶解度にも関与している。
これまで(記録レーザ波長が620nmより長いもの)の色素系情報記録媒体の記録メカニズムと異なり、本願発明が関係する短波長レーザ記録(記録波長が例えば405nm)ではその記録メカニズムが基板や色素膜体積の物理的変化でない。レーザ記録波長での光の吸収が存在するため、再生時、色素に記録時よりも弱いレーザを照射することによって、熱または光により記録層内の色素分子の配向変化、あるいは、色素分子内の立体配座の変化が徐々に生じてしまうが、色素分子内に嵩高い置換基が存在することにより、これらの変化を生じにくくする効果があると考えられる。これが、嵩高い置換基が再生光耐久性向上に寄与する理由である。
このときの嵩高い置換基とは、色素分子内芳香環に置換している炭素3つ以上からなる置換基を指し、例えば、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、n−ペンチル基、1−エチルプロピル基、1−フェニルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1,1−ジフェニルメチル基、1,2−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、1,1−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、などがある。ここで、置換基の中には、酸素、硫黄、窒素、珪素、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素など炭素以外の原子を含んでも良い。
本実施例で用いるアゾ色素の一般式2種を下記式(1)、式(2)に示す。
Figure 2008310922
Figure 2008310922
ここで、Z1〜Z4の少なくともいずれかひとつには芳香環が入り、その芳香環はZ1からZ4でそれぞれ異なってもよい。この芳香環はイミダゾリン環、イミダゾール環、ベンゾイミダソール環、α−ナフトイミダゾール環、β−ナフトイミダゾール環、インドール環、イソインドール環、インドレニン環、イソインドレニン環、ベンゾインドレニン環、ピリジノインドレニン環、オキサゾリン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジノオキサゾール環、α−ナフトオキサゾール環、β−ナフトオキサゾール環、セレナゾリン環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール環、α−ナフトセレナゾール環、β−ナフトセレナゾール環、チアゾリン環、チアゾール環、イソチアゾール環、ベンゾチアゾール環、α−ナフトチアゾール環、β−ナフトチアゾール環、テルラゾリン環、テルラゾール環、ベンゾテルラゾール環、α−ナフトテルラゾール環、β−ナフトテルラゾール環、さらには、アクリジン環、アントラセン環、イソキノリン環、イソピロール環、イミダノキサリン環、インダンジオン環、インダゾール環、インダリン環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、キサンテン環、キナゾリン環、キノキサリン環、キノリン環、クロマン環、シクロヘキサンジオン環、シクロペンタンジオン環、シンノリン環、チオジアゾール環、チオオキサゾリドン環、チオフェン環、チオナフテン環、チオバルビツール酸環、チオヒダントイン環、テトラゾール環、トリアジン環、ナフタレン環、ナフチリジン環、バルビツール酸環、ピペラジン和、ピラジン環、ピラゾール環、ピラゾリン環、ピラゾリジン環、ピラゾロン環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリドン環、ピリミジン環、ピリリウム環、ピロリジン環、ピロリン環、ピロール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントレン環、フェナントロリン環、フタラジン環、プテリジン環、フラザン環、フラン環、プリン環、ベンゼン環、ベンゾオキサジン環、ベンゾピラン環、モルホリン環、ロダニン環等の環状核が結合してなる。
また、色素部(カチオン部)とアニオン部を有する有機色素の場合、色素材料部分としては図示しないがシアニン色素、スチリル色素、モノメチンシアニン色素、アゾ色素を用いることができる。
<実施例>
表面に同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された、120mmの直径、0.6mmの厚さを有する例えばポリカーボネート等の透明樹脂基板を用意した。
そして、上記式(D1)で表される有機色素の1.2wt% 2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール (TFP)溶液を調製した。
続いて、上記透明樹脂基板上に、スピンコートによりTFP溶液を塗布し、有機色素層を形成した。塗布後の有機色素層のグルーブ底からの厚みは60nmとした。得られた有機色素層上にAg合金の光反射層をスパッタリングにより100nm積層し、有機色素層と光反射層とが積層された記録層を得た。
さらに、光反射層上に、UV硬化樹脂をスピンコートし、0.60mmの厚さを有するもう1枚の透明樹脂基板102を貼り合わせて、片面2層追記型情報記録媒体を得た。
上記式(D1)の色素は有機金属錯体であった。
以上のようにして作製した情報記録媒体(片面 2層Rの評価ディスク)を用いて再生信号の評価実験を行った。
評価に用いた装置は、パルステック社製の光ディスク評価装置ODU−1000であり、この装置のレーザの波長は405nm、NAは0.65である。記録再生時の線速度は6.61m/sとした。記録信号は8−12変調されたランダムデータであり、図6に示すような、記録パワー(ピークパワー)と2種類のバイアスパワー1,2を含むレーザ波形を用いて情報の記録を行った。その際の記録条件を、以下に述べる。
・記録条件(ライトストラテジ:Write Strategyの情報)の説明
標準速について、最適な記録パワーを調べる時に使用する記録波形(記録時の露光条件)について図6を用いて説明する。記録時の露光レベルとして記録パワー(ピークパワー:Peak power)、バイアスパワー1(Bias power 1)、バイアスパワー2(Bias power 2)、バイアスパワー3(Bias power 3)の4レベルを持ち、長さの長い(4T以上の)記録マーク9形成時には記録パワー(ピークパワー:Peak power)とバイアスパワー3(Bias power 3)の間でマルチパルスの形で変調される。この実施の形態ではチャネルビット長Tに対する最小マーク長は2Tとなっている。この2Tの最小マークを記録する場合には、図7に示すように、バイアスパワー1(Bias power 1)の後で記録パワー(ピークパワー:Peak power)レベルの1個のライトパルスを使用し、ライトパルスの直後は一度バイアスパワー2(Bias power 2)になる。3Tの長さの記録マーク9を記録する場合には、バイアスパワー1(Bias power 1)の後に来る記録パワー(ピークパワー:Peak power)レベルのファーストパルスとラストパルスの2個のライトパルスを露光した後、一旦バイアスパワー2(Bias power 2)になる。4T以上の長さの記録マーク9を記録する場合には、マルチパルスとラストパルスで露光した後、バイアスパワー2(Bias power 2)になる。
図6における縦の破線はチャネルクロック周期(T)を示す。2Tの最小マークを記録する場合にはクロックエッジからTSFP遅れた位置から立ち上がり、その1クロック後のエッジからTELP後ろの位置で立ち下がる。その直後のバイアスパワー2(Bias power 2)になる期間をTLCと定義する。TSFPとTELP及びTLCの値は、制御データゾーンCDZ内の物理フォーマット情報PFI内に記録されている。
3T以上の長い記録マーク形成時の場合には、クロックエッジからTSFP遅れた位置から立ち上がり、最後にラストパルスで終わる。ラストパルスの直後はTLCの期間バイアスパワー2(Bias power 2)になるが、ラストパルスの立ち上がり/立ち下がりタイミングのクロックエッジからのずれ時間をTSLP,TELPで定義する。また、先頭パルスの立ち下がりタイミングのクロックエッジから測った時間をTEFPで、さらに1個のマルチパルスの間隔をTMPで定義する。
TELP−TSFP、TMP、TELP−TSLP、TLCの各間隔は、最大値に対する半値幅で定義する。また、この実施の形態では、上記パラメーターの設定範囲を
0.25T≦TSFP≦1.50T (eq.01)
0.00T≦TELP≦1.00T (eq.02)
1.00T≦TEFP≦1.75T (eq.03)
−0.10T≦TSLP≦1.00T (eq.04)
0.00T≦TLC ≦1.00T (eq.05)
0.15T≦TMP ≦0.75T (eq.06)
とする。
さらに、この実施の形態では、記録マークの長さ(Mark length)とその直前/直後のスペース長(Leading/Trailing space length)に応じて、上記各パラメーターの値を変化できるようにしている。
本実施例では最短マーク長を0.204μmとし、ディスクの回転線速度を6.61m/sとしたので、最短マーク最短スペースの繰り返しパターンの周波数は16.2MHzとなる。この周波数をxとし、
x/3240〜x/190
の式に代入すると、
スペクトラムアナライザで測定する範囲は5kHz〜85kHzとなる。ここで、Nレベルは85kHzで−89.8dBm、最も高いレベル(Cレベル)は−66.7dBmとなっていた。この結果より、C/Nは23.1dB(=Cレベルの値−Nレベルの値)であった。記録したときのPRSNRは、L0の内周で18.7、外周で17.6、L1の内周で23.1、外周で17.0と内周から外周まで良好な記録特性を得ることができた。この最適記録パワー(最も良好なSbER、PRSNRが得られる記録パワー)で最短マークである2Tの繰り返し記録を行い、キャリアレベル(Cst)をスペクトラムアナライザで測定すると、−43.5dBであった。Cst/C=23.2dBとなった。
キャリアレベル(Cst)とは、最適記録パワーで2Tの繰り返し記録を行ったあと再生し、この再生信号の振幅の大きさの平均値を示すものである。
<比較例>
実施例と同様に情報記録媒体を作製し、記録を行った。ここで、5kHz〜85kHzの範囲でのNレベルは85kHzで−89.0dBm、Cレベルは−49.7dBmとなっていた。この結果より、C/Nは39.3dBであった。記録したときのPRSNRは、L0の内周で20.9、外周で19.8、L1の内周で21.2、外周で11.4とL0とL1の内周では良好な記録特性を得ることができたが、外周では特性が悪かった。このときの最適記録パワー(最も良好なSbER、PRSNRが得られる記録パワー)で最短マークである2Tの繰り返し記録を行い、Cstをスペクトラムアナライザで測定すると、−45.0dBであった。C/Cst=4.7dBとなった。
この比較例では、上記実施例と同様に情報記録媒体を作製したにも関わらず、外周では特性が悪いのが分かる。これは、2層で高密度であるために外周での信号特性が劣化してしまうからである。
本発明は、このような特性劣化する媒体を上述したような方法で簡単に評価でき、内周から外周まで良好な信号特性を得ることが可能な媒体のみを選定することができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、現在または将来の実施段階では、その時点で利用可能な技術に基づき、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。例えば、本発明は2層ディスクだけでなく将来実用化されるであろう3層以上の記録層を持つ光ディスクにおいても実施可能である。
次に、上述した光ディスクに記録された情報を再生する光ディスク装置について説明する。図7は、光ディスクを再生するための光ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。図7に示すように、光ディスクは例えば図2に示した片面2層タイプの光ディスクである。光源には短波長の半導体レーザ光源120が用いられる。その出射光の波長は、例えば400nm〜410nmの範囲の紫色波長帯のものである。半導体レーザ光源120からの出射光110は、コリメートレンズ121により平行光となり偏光ビームスプリッタ122、λ/4板123を透過して、対物レンズ124に入射される。その後、光ディスクDの基板を透過し、各情報記録層に集光されるようになっている。光ディスクDの情報記録層による反射光111は、再び光ディスクDの基板を透過し、対物レンズ124、λ/4板123を透過し、偏光ビームスプリッタ122で反射された後、集光レンズ125を透過して光検出器126に入射される。
光検出器127の受光部は、通常複数に分割されておりそれぞれの受光部から光強度に応じた電流を出力する。出力された電流は、図示しないI/Vアンプ(電流電圧変換)により電圧に変換された後、演算回路140に入力される。入力された電圧信号は、演算回路140によりチルト誤差信号及びHF信号及びフォーカス誤差信号及びトラック誤差信号などに演算処理される。チルト誤差信号はチルト制御を行うためのものであり、HF信号は光ディスクDに記録された情報を再生するためのものであり、フォーカス誤差信号はフォーカス制御を行うためのものであり、またトラック誤差信号はトラッキング制御を行うためのものである。
対物レンズ124はアクチュエータ128にて上下方向、ディスクラジアル方向、およびチルト方向(ラジアル方向または/およびタンジェンシャル方向)に駆動可能であり、サーボドライバ150によって光ディスクD上の情報トラックに追従するように制御される。なお、チルト方向には2種類ある。光ディスクの中心に向かってディスク面が傾くことで生じる「ラジアルチルト」と、トラックの接線方向に生じる「タンジェンシャルチルト」とがある。このうちディスクの反りで一般に生じるのはラジアルチルトである。単にディスク製造時に生じるチルトだけではなく、経年変化や使用環境の急変で生じるチルトも考慮する必要がある。 このような光ディスク装置を用いて、本発明の光ディスクを再生することができる。
また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
L1層の5kHz〜85kHzでのC/Nと、r=57mmでのL1のPRSNRとの関係を示す図。 本発明の一実施形態に係る光ディスクの構成例を説明する図。 L to H型有機色素層として使用し得る有機色素材料の例を表す図。 色素毎のレーザー光波長と吸光度との関係を表す図。 色素毎のレーザー光波長と吸光度との関係を表す図。 追記型形情報記憶媒体上に記録される書替え可能データのデータ記録方法を表す波形図。 光ディスクを再生するための光ディスク装置の概略構成を示すブロック図。
符号の説明
100…光ディスク(具体例として片面2層の追記型光ディスク)、101…L0層側のポリカーボネート基板、102…L1層側のポリカーボネート基板(ダミー基板)、103…紫外線硬化樹脂(接着層)、104…中間層、105…L0記録層、106…L0反射層(レーザ光に対して半透過性)、107…L1記録層、108…L1反射層(片面3層ならレーザ光に対して半透過性、片面2層ならレーザ光を完全反射)

Claims (4)

  1. 複数の記録層を有し、450nm以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体において、
    前記情報記録媒体に記録された前記情報を再生するときに前記情報の最短マーク長と最短スペース長の繰り返しパターンの周波数をxとすると、
    x/3240〜x/190の周波数範囲において、和信号を所定の測定器を用いて検出したときに、この測定器によって検出された最も高いレベルの値とx/190におけるレベルの値との比が32dBよりも小さいことを特徴とする情報記録媒体。
  2. 前記記録層における記録膜材料は少なくとも1つの層において有機色素を用いることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
  3. 複数の記録層を有し、450nm以下の半導体レーザーを用いて情報を記録再生することが可能な情報記録媒体において、
    前記情報記録媒体に記録された前記情報を再生するときに前記情報の最短マーク長と最短スペース長の繰り返しパターンの周波数をxとすると、
    x/3240〜x/190の周波数範囲において、和信号を所定の測定器を用いて検出したときに、この測定器によって検出された最も高いレベルの値と比較して、前記最短マーク長と前記最短スペース長の繰り返しパターンにおける振幅の平均値が10dBよりも大きいことを特徴とする情報記録媒体。
  4. 前記請求項1または請求項3記載の情報記録媒体にレーザ光を照射する照射手段と、
    前記照射手段によって照射された前記レーザ光からの反射光を受光する受光手段と、
    前記受光手段によって受光された前記反射光に基づいて、前記両面光ディスクを再生する再生手段とを有することを特徴とするディスク装置。
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