JP2008305736A - プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008305736A JP2008305736A JP2007153552A JP2007153552A JP2008305736A JP 2008305736 A JP2008305736 A JP 2008305736A JP 2007153552 A JP2007153552 A JP 2007153552A JP 2007153552 A JP2007153552 A JP 2007153552A JP 2008305736 A JP2008305736 A JP 2008305736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- dielectric
- plasma processing
- conductor rod
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32238—Windows
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器100と、マイクロ波を出力するマイクロ波源700と、マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝搬させる同軸管315と、同軸管315を伝搬したマイクロ波を透過させて処理容器100の内部に放出する複数の誘電体板305と、一端が同軸管315に連結し、他端が誘電体板305の基板側の面に露出した金属電極310とを有する。同軸管315は、誘電体板305および金属電極310を保持した状態にて固定機構500により固定される。さらに、同軸管315は、バネ部材515により処理容器100の外側へ向かう力を与えられ、これにより、複数の誘電体板305を蓋体300の内壁に密着させることができる。
【選択図】図3
Description
まず、本装置の縦断面を模式的に示した図1(図2の断面O−O)および処理容器の天井面を示した図2を参照しながら、本発明の第1実施形態にかかるプラズマ処理装置について説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については、同一符号を付することにより重複説明を省略する。
プラズマ処理装置10は、その内部にてガラス基板(以下、「基板G」という。)をプラズマ処理するための処理容器100を有している。処理容器100は、容器本体200と蓋体300とから構成される。容器本体200は、その上部が開口された有底立方体形状を有していて、その開口は蓋体300により閉塞されている。容器本体200と蓋体300との接触面にはOリング205が設けられていて、これにより容器本体200と蓋体300とが密閉され、処理室Uが形成される。容器本体200および蓋体300は、たとえば、アルミニウム等の金属からなり、電気的に接地されている。
つぎに、誘電体板の固定方法についてさらに詳しく説明する。図3に示したように、誘電体板305を介して金属電極310に連結された内部導体315aは、処理容器100の外部に突出し、固定機構500にて固定される。
短絡部520は、シールドスパイラにより形成されていて、内部導体315aと処理容器100の蓋部300dとを電気的に短絡させるとともに内部導体315aの熱を接地された処理容器100側に逃がす。短絡部520は、金属コイルまたは金属ブラシにて形成されていてもよい。
つぎに、第2実施形態にかかるプラズマ処理装置10について、図4〜図6を参照しながら説明する。第2実施形態にかかるプラズマ処理装置10では、誘電体板305が同軸管の内部導体315aおよび金属電極310に保持された状態にてOリング530により吊り上げられている点で、バネ部材515により吊り上げられていた第1実施形態にかかるプラズマ処理装置10と異なる。よって、この相違点を中心に本実施形態にかかるプラズマ処理装置10について説明する。
内部導体670aの内部には、冷媒を流すための通路655が貫通している。冷媒供給源700から供給された冷媒は、冷媒配管705に連結された通路655を循環する。冷却機構は、内部導体315aの内部に設けられてもよく、これにより、内部導体670aや内部導体315aが過度に加熱されることを防ぐようになっている。また、内部導体315aには、内部導体315aを保持する保持部660が設けられている。保持部660は、保持部はリング状に形成され、テフロン(登録商標)から形成されている。
なお、第2実施形態の変形例としては、つぎの変形例1、2が挙げられる。
図7に示した変形例1にかかるプラズマ処理装置10では、リング状の誘電体410とリング状の誘電体525との間の空間Sに連通する排気管545とガス供給管550とを設けた点にて、排気管545しか設けられていない第2実施形態と異なる。
図8に示した変形例2にかかるプラズマ処理装置10は、リング状の誘電体525、Oリング530、540、クッションリング535の組み合わせが、上下に2組設けられている点で、リング状の誘電体525とOリング530、540、クッションリング535の組み合わせと、リング状の誘電体410とOリング415a、415bとの組み合わせにより、内部導体315aと処理容器100との間を真空シールする第2実施形態と異なる。
上記各実施形態にかかるプラズマ処理装置10を用いて、周波数が1GHz以下のマイクロ波をマイクロ波源900から出力することにより、良好なプラズマ処理を実現できる。その理由を以下に説明する。
nc=ε0meω2/e2・・・(1)
ns=nc(1+εr)・・・・(2)
ここで、ε0は真空の誘電率、meは電子の質量、ωはマイクロ波角周波数、eは電気素量、εrは誘電体板の比誘電率である。
100 処理容器
300 蓋体
305 誘電体板
310 金属電極
315、600、620 同軸管
315a、600a、620a、670a 内部導体
320 誘電体カバー
410 リング状の誘電体
415b、415a Oリング
500 固定機構
505 支持部材
510 連結部
515 バネ部材
520 短絡部
525 リング状の誘電体
530、540 Oリング
535 クッションリング
545 排気管
550 ガス供給管
555 凸状部材
560 係止部
610 分岐板
670 分岐同軸管
700 冷媒供給源
800 ガス供給源
900 マイクロ波源
U 処理室
Claims (31)
- マイクロ波によりガスを励起させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
処理容器と、
マイクロ波を出力するマイクロ波源と、
前記処理容器の内壁に設けられ、マイクロ波を透過させて前記処理容器の内部に放出する誘電体板と、
前記誘電体板に隣接し、前記マイクロ波を前記誘電体板に伝搬させる導体棒と、
前記誘電体板を保持するために前記導体棒に連結する金属電極と、
前記導体棒に対して前記処理容器の外側に向かう力を与える手段と、を備えたプラズマ処理装置。 - 前記導体棒に対して前記処理容器の外側に向かう力を与える手段は、バネ部材である請求項1に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記バネ部材は、前記処理容器の蓋部の外側に設けられた第1のバネ部材を含む請求項2に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1のバネ部材は、コイル状のバネ部材または板状のバネ部材のいずれかである請求項3に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1のバネ部材は、金属バネまたはセラミックバネのいずれかである請求項3または請求項4のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の蓋部と前記導体棒との間に第1の誘電部材を備え、
前記バネ部材は、
前記第1の誘電部材と前記処理容器の蓋部との間であって前記誘電体板に向かう面に設けられた第2のバネ部材を含む請求項2〜5のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記第2のバネ部材は、
Oリング、Cリング、金属バネまたはセラミックバネのいずれかである請求項6に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記第1の誘電部材は、リング状に形成され、前記導体棒が貫通した状態にて一部が前記処理容器の蓋部に埋め込まれている請求項6または請求項7のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の誘電部材と前記導体棒との間であって前記処理容器の外側に向かう面に緩衝部材を備える請求項6〜8のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記緩衝部材は、テフロン(登録商標)により形成されている請求項9に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の誘電部材と前記導体棒との間には、前記第1の誘電部材と前記導体棒との間を封止する第1の封止部材が設けられている請求項6〜10のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第2のバネ部材および前記第1の封止部材は、OリングまたはCリングのいずれかである請求項11に記載されたプラズマ処理装置。
- 内部を前記導体棒が貫通するリング状の第2の誘電部材と、
前記第2の誘電部材と前記処理容器の蓋部との間を封止する第2の封止部材と、
前記導体棒または前記金属電極と前記第2の誘電部材との間を封止する第3の封止部材とを備える請求項1〜12のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記第2の封止部材および第3の封止部材は、OリングまたはCリングのいずれかである請求項13に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の誘電部材と前記第2の誘電部材との間の空間は、所定の真空度に保持されている請求項13または請求項14のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の誘電部材と前記第2の誘電部材との間の空間には、不活性ガスが充填されている請求項13〜15のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記第1の誘電部材および前記第2の誘電部材は、石英またはアルミナから形成されている請求項13〜16のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板には、前記誘電体板と前記処理容器の蓋部との間にて前記誘電体板と前記処理容器の蓋部とを係止する係止部が設けられている請求項1〜17のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記係止部は、前記誘電体板の外周面に隣接して前記処理容器の内壁に固定された凸状部材を含む請求項18に記載されたプラズマ処理装置。
- 前記処理容器および前記導体棒は、金属によりそれぞれ形成され、
前記導体棒が前記処理容器の蓋部を貫通する部分に前記導体棒と前記蓋部とを短絡させる短絡部を備える請求項1〜19に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記蓋部および前記導体棒は、金属によりそれぞれ形成され、
前記導体棒と前記蓋部とを短絡させる短絡部を備え、前記バネ部材は、前記短絡部の外側に設けられた第1のバネ部材を含む請求項2〜19に記載されたプラズマ処理装置。 - 前記導体棒は、前記短絡部にて前記処理容器の蓋部に対して摺動可能に係合している請求項20または21のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記短絡部は、金属コイルまたは金属ブラシである請求項20〜22のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- プロセス中、前記誘電体板の側面は、プラズマに接触する請求項1〜23のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記導体棒の内部には、前記導体棒を冷却する冷却機構が設けられている請求項1〜24のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板、前記導体棒および前記金属電極は、それぞれ複数設けられ、
各導体棒は、各誘電体板の略中央に設けられた前記穴部を介して各金属電極とそれぞれ連結する請求項1〜25のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 - 前記マイクロ波源は、周波数が1GHz以下のマイクロ波を出力する請求項1〜26のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記導体棒は、銅から形成されている請求項1〜27のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- 前記誘電体板は、アルミナから形成されている請求項1〜28のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
- マイクロ波源から周波数が1GHz以下のマイクロ波を出力し、
前記導体棒に対して前記処理容器の外側に向かう力を与える手段により吊り上げられるとともに誘電体板を保持するために金属電極と連結した導体棒に前記マイクロ波を伝搬させ、
前記導体棒を伝搬したマイクロ波を前記導体棒に隣接した前記誘電体板に伝搬させ、
前記誘電体板を透過して前記処理容器に導入されたマイクロ波により処理ガスを励起させて被処理体に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の使用方法。 - マイクロ波源から周波数が1GHz以下のマイクロ波を出力し、
前記導体棒に対して前記処理容器の外側に向かう力を与える手段により吊り上げられるとともに誘電体板を保持するために金属電極と連結した導体棒に前記マイクロ波を伝搬させ、
前記導体棒を伝搬したマイクロ波を前記導体棒に隣接した前記誘電体板に伝搬させ、
前記誘電体板を透過して前記処理容器に導入されたマイクロ波によりクリーニングガスを励起させてプラズマ処理装置をクリーニングするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153552A JP2008305736A (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
US12/137,088 US20080302761A1 (en) | 2007-06-11 | 2008-06-11 | Plasma processing system and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007153552A JP2008305736A (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008305736A true JP2008305736A (ja) | 2008-12-18 |
Family
ID=40094896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007153552A Pending JP2008305736A (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080302761A1 (ja) |
JP (1) | JP2008305736A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010090058A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置 |
JP2010186825A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2010110080A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
WO2013105358A1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面波プラズマ処理装置 |
US9105450B2 (en) | 2009-01-21 | 2015-08-11 | Tohoku University | Plasma processing apparatus |
KR101561944B1 (ko) | 2009-03-03 | 2015-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5243089B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のシール構造、シール方法およびプラズマ処理装置 |
JP5520455B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5478058B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2014-04-23 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置 |
JP5238556B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
US9349621B2 (en) * | 2011-05-23 | 2016-05-24 | Lam Research Corporation | Vacuum seal arrangement useful in plasma processing chamber |
US9144858B2 (en) * | 2011-11-18 | 2015-09-29 | Recarbon Inc. | Plasma generating system having movable electrodes |
CN104081883A (zh) * | 2012-02-24 | 2014-10-01 | 国立大学法人东北大学 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
US9267205B1 (en) * | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
CN104862660B (zh) * | 2014-02-24 | 2017-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置及等离子体加工设备 |
JP6387242B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2018-09-05 | 株式会社Ihi | マイクロ波プラズマ生成装置 |
KR101922507B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2018-11-28 | 주식회사 서린메디케어 | 프락셔널 플라즈마를 이용한 피부 치료장치 |
CN110894595B (zh) * | 2018-09-13 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气相沉积设备及其清洗方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225797A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社東芝 | 核融合装置用高周波加熱装置 |
JPH03118980A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ切断または溶接用トーチ |
JPH09184082A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-07-15 | Univ Michigan State | 選択エッチング方法 |
JPH09289099A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JPH10150306A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Pearl Kogyo Kk | スタブチューナ |
JPH10255998A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | マイクロ波励起プラズマ処理装置 |
JPH1167492A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-03-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH11204296A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2000323458A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2001192840A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-17 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2002203844A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2003234327A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003253447A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 |
JP2004079449A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光出力装置 |
JP2005082849A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2007109670A (ja) * | 2006-12-22 | 2007-04-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970003885B1 (ko) * | 1987-12-25 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 및 그 장치 |
US5501740A (en) * | 1993-06-04 | 1996-03-26 | Applied Science And Technology, Inc. | Microwave plasma reactor |
WO1999049705A1 (fr) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement plasmique |
US6622650B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-09-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP3650025B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
JP4102873B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置 |
JP2006294422A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法 |
-
2007
- 2007-06-11 JP JP2007153552A patent/JP2008305736A/ja active Pending
-
2008
- 2008-06-11 US US12/137,088 patent/US20080302761A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225797A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | 株式会社東芝 | 核融合装置用高周波加熱装置 |
JPH03118980A (ja) * | 1989-09-29 | 1991-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ切断または溶接用トーチ |
JPH09184082A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-07-15 | Univ Michigan State | 選択エッチング方法 |
JPH09289099A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-11-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
JPH10150306A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Pearl Kogyo Kk | スタブチューナ |
JPH10255998A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Toshiba Corp | マイクロ波励起プラズマ処理装置 |
JPH1167492A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-03-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH11204296A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2000323458A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP2001192840A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-17 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2002203844A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2003234327A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2003253447A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-10 | Seiko Epson Corp | マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 |
JP2004079449A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光出力装置 |
JP2005082849A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
JP2007109670A (ja) * | 2006-12-22 | 2007-04-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9105450B2 (en) | 2009-01-21 | 2015-08-11 | Tohoku University | Plasma processing apparatus |
WO2010090058A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置 |
KR101239772B1 (ko) * | 2009-02-06 | 2013-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
JP5202652B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-06-05 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置 |
JP2010186825A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ処理装置 |
KR101561944B1 (ko) | 2009-03-03 | 2015-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리장치 |
WO2010110080A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2010225396A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
CN102362557A (zh) * | 2009-03-23 | 2012-02-22 | 东京毅力科创株式会社 | 微波等离子体处理装置 |
WO2013105358A1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面波プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080302761A1 (en) | 2008-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008305736A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 | |
KR101088876B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 급전 장치 및 플라즈마 처리 장치의 사용 방법 | |
KR101016147B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 안테나, 플라즈마 처리 장치의 사용방법, 및 플라즈마 처리 장치의 클리닝 방법 | |
JP7187500B2 (ja) | 自己共振装置を備えたプラズマ点火装置および方法 | |
KR100270425B1 (ko) | 플라스마처리장치 | |
JP5013393B2 (ja) | プラズマ処理装置と方法 | |
TWI418263B (zh) | Plasma processing device | |
US20080303744A1 (en) | Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system | |
JP5103223B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理装置の使用方法 | |
JP2007048718A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2011521107A5 (ja) | 回転可能なターゲットを備えたマイクロ波を援用したpvd | |
JP5462368B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007149638A (ja) | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 | |
JP2010225296A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
TWI284367B (en) | Inductor-coupled plasma processing device | |
JP3940095B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2010104120A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6468521B2 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2018101463A5 (ja) | ||
JP2008091176A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、一体型スロット形成部材、マイクロ波プラズマ処理装置の製造方法および使用方法 | |
TW201840247A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JPWO2008153052A1 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法 | |
JP2004235434A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2010277971A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の給電方法 | |
JP7398630B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130423 |