JP2003253447A - マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置Info
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- JP2003253447A JP2003253447A JP2002060315A JP2002060315A JP2003253447A JP 2003253447 A JP2003253447 A JP 2003253447A JP 2002060315 A JP2002060315 A JP 2002060315A JP 2002060315 A JP2002060315 A JP 2002060315A JP 2003253447 A JP2003253447 A JP 2003253447A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚染度に拘わらず適切なプラズマクリーニン
グ終点を検出すること。 【解決手段】 処理室１０の内壁１０ａを透過させてマ
イクロ波を導いて、処理室１０内にてマイクロ波により
誘起されたプラズマにより処理室１０をクリーニングす
る。クリーニング中に、マイクロ波帯自動負荷整合器３
０の整合ポジションをモニタすることとにより、プラズ
マクリーニングの終点を検出する。
グ終点を検出すること。 【解決手段】 処理室１０の内壁１０ａを透過させてマ
イクロ波を導いて、処理室１０内にてマイクロ波により
誘起されたプラズマにより処理室１０をクリーニングす
る。クリーニング中に、マイクロ波帯自動負荷整合器３
０の整合ポジションをモニタすることとにより、プラズ
マクリーニングの終点を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波プラズ
マ処理装置のクリーニング終点検出方法及びその装置に
関する。
マ処理装置のクリーニング終点検出方法及びその装置に
関する。
【０００２】
【背景技術及び発明が解決しようとする課題】半導体製
造装置としてマイクロ波プラズマ装置が知られており、
高品質で高精度な半導体装置を製造するためには処理室
のクリーニングが必須である。処理室をクリーニングす
るには、マイクロ波プラズマ装置に導入されるガスをク
リーニング用ガスに変更し、クリーニングガスによりプ
ラズマを生成したプラズマクリーニング法が採用され
る。
造装置としてマイクロ波プラズマ装置が知られており、
高品質で高精度な半導体装置を製造するためには処理室
のクリーニングが必須である。処理室をクリーニングす
るには、マイクロ波プラズマ装置に導入されるガスをク
リーニング用ガスに変更し、クリーニングガスによりプ
ラズマを生成したプラズマクリーニング法が採用され
る。
【０００３】このプラズマクリーニングの終了時期は、
予め設定されたクリーニング時間に従って決定されるの
が通常であった。
予め設定されたクリーニング時間に従って決定されるの
が通常であった。
【０００４】しかし、処理室の汚れの度合いはプロセス
条件等によって区々であり、各種のプロセスに合ったク
リーニング時間の設定が困難であった。
条件等によって区々であり、各種のプロセスに合ったク
リーニング時間の設定が困難であった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、マイクロ波プラ
ズマ処理装置において常に一定のクリーニング効果を確
保することができるクリーニング終点検出方法及びその
装置を提供することにある。
ズマ処理装置において常に一定のクリーニング効果を確
保することができるクリーニング終点検出方法及びその
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様に係るマ
イクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びそれ
に用いる装置は、処理室の一部の壁を透過させてマイク
ロ波を導いて、前記処理室内にてマイクロ波により誘起
されたプラズマにより前記処理室をクリーニングし、マ
イクロ波帯自動負荷整合器の整合ポジションをモニタす
ることにより、プラズマクリーニングの終点を検出する
ことを特徴とする。
イクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びそれ
に用いる装置は、処理室の一部の壁を透過させてマイク
ロ波を導いて、前記処理室内にてマイクロ波により誘起
されたプラズマにより前記処理室をクリーニングし、マ
イクロ波帯自動負荷整合器の整合ポジションをモニタす
ることにより、プラズマクリーニングの終点を検出する
ことを特徴とする。
【０００７】本発明の一態様では、マイクロ波帯自動負
荷整合器の整合ポジションと処理室内壁の汚染度との間
の相関に基づいて、マイクロ波帯自動負荷整合器の整合
ポジションをモニタすることによりプラズマクリーニン
グの終点を検出できる。
荷整合器の整合ポジションと処理室内壁の汚染度との間
の相関に基づいて、マイクロ波帯自動負荷整合器の整合
ポジションをモニタすることによりプラズマクリーニン
グの終点を検出できる。
【０００８】この検出工程としては例えば、クリーニン
グ中に変動する前記整合ポジションが、所定時間以上実
質的に変動しなくなった時に、クリーニング終点を検出
するようにすればよい。
グ中に変動する前記整合ポジションが、所定時間以上実
質的に変動しなくなった時に、クリーニング終点を検出
するようにすればよい。
【０００９】モニタ対象としては、マイクロ波を前記処
理室に導入する導波管内に挿入されるスタブの整合ポジ
ション（導波管への挿入長さ）、そのスタブを駆動する
モータの回転位置、あるいはそのモータを駆動制御する
ための信号等を挙げることができる。
理室に導入する導波管内に挿入されるスタブの整合ポジ
ション（導波管への挿入長さ）、そのスタブを駆動する
モータの回転位置、あるいはそのモータを駆動制御する
ための信号等を挙げることができる。
【００１０】本発明の他の態様に係るマイクロ波プラズ
マクリーニングの終点検出方法及びそれに用いる装置
は、処理室の一部の壁を透過させてマイクロ波を導い
て、前記処理室内にてマイクロ波により誘起されたプラ
ズマにより前記処理室をクリーニングし、前記処理室か
らの反射波をモニタすることにより、プラズマクリーニ
ングの終点を検出することを特徴とする。
マクリーニングの終点検出方法及びそれに用いる装置
は、処理室の一部の壁を透過させてマイクロ波を導い
て、前記処理室内にてマイクロ波により誘起されたプラ
ズマにより前記処理室をクリーニングし、前記処理室か
らの反射波をモニタすることにより、プラズマクリーニ
ングの終点を検出することを特徴とする。
【００１１】本発明の他の態様では、処理室内壁の汚染
度とその内壁にて反射される反射波との間の相関に基づ
いて、マイクロ波帯自動負荷整合器の整合ポジションを
モニタすることによりプラズマクリーニングの終点を検
出できる。つまり、処理室内壁の汚染度が高いと反射波
は多くなり、汚染度が低いと反射波が少なくなることを
クリーニング終点の検出原理としている。
度とその内壁にて反射される反射波との間の相関に基づ
いて、マイクロ波帯自動負荷整合器の整合ポジションを
モニタすることによりプラズマクリーニングの終点を検
出できる。つまり、処理室内壁の汚染度が高いと反射波
は多くなり、汚染度が低いと反射波が少なくなることを
クリーニング終点の検出原理としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して具体的に説明する。 （マイクロ波プラズマ処理装置の説明）図１は、本発明
方法の一実施形態が適用されるＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置（Electron coupling resonance plasma enhanced ch
emical vapor deposition system）の一例を示してい
る。
て図面を参照して具体的に説明する。 （マイクロ波プラズマ処理装置の説明）図１は、本発明
方法の一実施形態が適用されるＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置（Electron coupling resonance plasma enhanced ch
emical vapor deposition system）の一例を示してい
る。
【００１３】図１において、基板載置電極１２が収容さ
れかつガス導入管１４が接続された処理室（石英放電
管）１０が設けられている。その周囲には励磁コイル２
０が配置されている。この処理室１０の上部の密閉空間
には、断面が例えば矩形の導波管２４が連結されてい
る。この導波管２４は、マイクロ波発生器２６にて発生
したマイクロ波を、処理室１０の一部の壁部１０ａをマ
イクロ波導入窓として、処理室１０内に導入するための
ものである。
れかつガス導入管１４が接続された処理室（石英放電
管）１０が設けられている。その周囲には励磁コイル２
０が配置されている。この処理室１０の上部の密閉空間
には、断面が例えば矩形の導波管２４が連結されてい
る。この導波管２４は、マイクロ波発生器２６にて発生
したマイクロ波を、処理室１０の一部の壁部１０ａをマ
イクロ波導入窓として、処理室１０内に導入するための
ものである。
【００１４】導波管２４の途中には、マイクロ波帯自動
負荷整合器３０とマイクロ波モニタ部４０とが設けられ
ている。
負荷整合器３０とマイクロ波モニタ部４０とが設けられ
ている。
【００１５】また、基板載置電極１２にはＲＦ電源５０
が接続され、プラズマ中のイオン等の荷電粒子を基板載
置電極１２上の基板（図示せず）に引き込むようにして
いる。
が接続され、プラズマ中のイオン等の荷電粒子を基板載
置電極１２上の基板（図示せず）に引き込むようにして
いる。
【００１６】マイクロ波モニタ部４０からの出力信号は
制御部６０に入力される。制御部６０は、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の制御を司るもので、励磁コイル２０、マ
イクロ波発生器２６、マイクロ波帯自動負荷整合器３０
及びＲＦ電源５０を制御することに加え、ガス導入管１
４に導入されるガスの供給源（図示せず）を制御してい
る。
制御部６０に入力される。制御部６０は、ＥＣＲプラズ
マＣＶＤ装置の制御を司るもので、励磁コイル２０、マ
イクロ波発生器２６、マイクロ波帯自動負荷整合器３０
及びＲＦ電源５０を制御することに加え、ガス導入管１
４に導入されるガスの供給源（図示せず）を制御してい
る。
【００１７】このような構成のＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置では、マイクロ波発生器２６にて発生されたマイクロ
波が、導波管２４及びマイクロ波導入窓１０ａを介して
処理室１０に導入される。この処理室１０にはさらに、
励磁コイル２０により静磁界が生成されると共に、ガス
導入管１４を介してプロセスガスが導入されている。
置では、マイクロ波発生器２６にて発生されたマイクロ
波が、導波管２４及びマイクロ波導入窓１０ａを介して
処理室１０に導入される。この処理室１０にはさらに、
励磁コイル２０により静磁界が生成されると共に、ガス
導入管１４を介してプロセスガスが導入されている。
【００１８】処理室１０では、マイクロ波により励振さ
れて磁力線まわりを円運動する電子の遠心力と、この円
運動する電子が磁力線から受けるローレンツ力とが平衡
する条件下でプラズマが生成される。このプラズマによ
り成膜原料ガスの分子が活性化され、自己バイアスがか
かった基板載置電極１２上の基板に膜が化学的に気相成
長される。
れて磁力線まわりを円運動する電子の遠心力と、この円
運動する電子が磁力線から受けるローレンツ力とが平衡
する条件下でプラズマが生成される。このプラズマによ
り成膜原料ガスの分子が活性化され、自己バイアスがか
かった基板載置電極１２上の基板に膜が化学的に気相成
長される。
【００１９】このプロセス中に、マイクロ波モニタ部４
０にて、マイクロ波の反射電力が計測される。そして、
制御部６０は、計測された反射電力が最小となるよう
に、マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジショ
ンを調節している。
０にて、マイクロ波の反射電力が計測される。そして、
制御部６０は、計測された反射電力が最小となるよう
に、マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジショ
ンを調節している。
【００２０】マイクロ波帯自動負荷整合器３０は、特公
平３−７５０８２または特開平１−９９２１９などに開
示されたものを使用することができる。例えば図２に示
す例（特公平３−７５０８２の図６）を簡便に説明する
と、マイクロ波帯自動負荷整合器３０は、４本の金属ス
タブ３２ａ〜３２ｄを、２つのモータＭ１，Ｍ２によっ
て駆動することで、導波管２４内に挿入される各スタブ
３２ａ〜３２ｄの挿入長Ｌを変化させて、整合ポジショ
ンを調節している。
平３−７５０８２または特開平１−９９２１９などに開
示されたものを使用することができる。例えば図２に示
す例（特公平３−７５０８２の図６）を簡便に説明する
と、マイクロ波帯自動負荷整合器３０は、４本の金属ス
タブ３２ａ〜３２ｄを、２つのモータＭ１，Ｍ２によっ
て駆動することで、導波管２４内に挿入される各スタブ
３２ａ〜３２ｄの挿入長Ｌを変化させて、整合ポジショ
ンを調節している。
【００２１】図２には、マイクロ波モニタ部４０と、そ
の出力に基づきモータＭ１，Ｍ２を制御する制御部６０
の部分回路がさらに示されている。図１に示すマイクロ
波モニタ部４０は、負荷の非整合の程度をモニタするも
ので、負荷からの反射波電力と、負荷への進行波電力を
検出する種々の方法を採用できる。図２に示すマイクロ
波モニタ部４０では、周知の五探針法の通り、検波器付
探針４２ａ〜４２ｅが平均管内波長の１／８の距離を隔
てて配置されている。任意の検波器付探針４２ｉでの検
出電圧振幅をＶｉとしたとき、ＶＡ＝Ｖ４−Ｖ２，ＶＢ
＝（Ｖ１＋Ｖ５）／２−Ｖ３と定義する。電圧ＶＡは第
１の差動増幅器６２ａにて生成され、電圧ＶＢは第２の
差動増幅器６２ｂにて生成される。これら電圧ＶＡ，Ｖ
Ｂを電力増幅器６４ａ，６４ｂにてそれぞれ増幅させ
て、モータＭ１，Ｍ２を駆動する。電圧ＶＡ，ＶＢは直
交しており、それらの電圧で制御される整合特性が直交
することから容易に整合がとれ、電圧ＶＡ，ＶＢがとも
に零となったところで、負荷が自動的に整合されること
が知られている。（処理室のクリーニング方法）この種
のプラズマＣＶＤ装置では、処理枚数の積算に応じて、
マイクロ波導入窓１０ａを含む処理室１０の内壁にも反
応生成物が付着して汚染されるので、処理室１０のクリ
ーニングが必要となる。
の出力に基づきモータＭ１，Ｍ２を制御する制御部６０
の部分回路がさらに示されている。図１に示すマイクロ
波モニタ部４０は、負荷の非整合の程度をモニタするも
ので、負荷からの反射波電力と、負荷への進行波電力を
検出する種々の方法を採用できる。図２に示すマイクロ
波モニタ部４０では、周知の五探針法の通り、検波器付
探針４２ａ〜４２ｅが平均管内波長の１／８の距離を隔
てて配置されている。任意の検波器付探針４２ｉでの検
出電圧振幅をＶｉとしたとき、ＶＡ＝Ｖ４−Ｖ２，ＶＢ
＝（Ｖ１＋Ｖ５）／２−Ｖ３と定義する。電圧ＶＡは第
１の差動増幅器６２ａにて生成され、電圧ＶＢは第２の
差動増幅器６２ｂにて生成される。これら電圧ＶＡ，Ｖ
Ｂを電力増幅器６４ａ，６４ｂにてそれぞれ増幅させ
て、モータＭ１，Ｍ２を駆動する。電圧ＶＡ，ＶＢは直
交しており、それらの電圧で制御される整合特性が直交
することから容易に整合がとれ、電圧ＶＡ，ＶＢがとも
に零となったところで、負荷が自動的に整合されること
が知られている。（処理室のクリーニング方法）この種
のプラズマＣＶＤ装置では、処理枚数の積算に応じて、
マイクロ波導入窓１０ａを含む処理室１０の内壁にも反
応生成物が付着して汚染されるので、処理室１０のクリ
ーニングが必要となる。
【００２２】処理室１０のクリーニングは、上述したＣ
ＶＤプロセスと同様にして実施され、異なる点は、基板
を搬入しないこと、クリーニングガスを用いること、及
び基板載置電極１２へのＲＦ印加が不要であること（電
極ダメージ防止のため）等である。すなわち、クリーニ
ングガスのプラズマを生成して、処理室１０を例えばフ
ッ素ラジカル等によりプラズマクリーニングしている。 (クリーニング終点検出方法)本実施形態では、マイクロ
波帯自動負荷整合器３０での整合ポジションをモニタす
ることで、クリーニング終点を検出している。
ＶＤプロセスと同様にして実施され、異なる点は、基板
を搬入しないこと、クリーニングガスを用いること、及
び基板載置電極１２へのＲＦ印加が不要であること（電
極ダメージ防止のため）等である。すなわち、クリーニ
ングガスのプラズマを生成して、処理室１０を例えばフ
ッ素ラジカル等によりプラズマクリーニングしている。 (クリーニング終点検出方法)本実施形態では、マイクロ
波帯自動負荷整合器３０での整合ポジションをモニタす
ることで、クリーニング終点を検出している。
【００２３】この検出原理は、処理室１０の内壁の汚れ
と、マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジショ
ンとの相関が下記の表１の通りであることに基づいてい
る。
と、マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジショ
ンとの相関が下記の表１の通りであることに基づいてい
る。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示す通り、処理室１０の内壁の汚染
度が高いと、そこでのマイクロ波の透過率が低下する。
よって、汚染された処理室１０の内壁（マイクロ波導入
窓１０ａ）にてマイクロ波が反射され、反射波電力が大
きくなる。一方、処理室１０の内壁の汚染度が低いと、
マイクロ波の透過率は高くなる。よって、処理室１０の
内壁でのマイクロ波の反射は少なく、反射波電力は小さ
くなる。
度が高いと、そこでのマイクロ波の透過率が低下する。
よって、汚染された処理室１０の内壁（マイクロ波導入
窓１０ａ）にてマイクロ波が反射され、反射波電力が大
きくなる。一方、処理室１０の内壁の汚染度が低いと、
マイクロ波の透過率は高くなる。よって、処理室１０の
内壁でのマイクロ波の反射は少なく、反射波電力は小さ
くなる。
【００２６】また、上述した通り、反射波電力が大きい
時と小さい時とでは、その反射波電力を零にするための
マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジション
（図２に示すスタブ３２の挿入長さＬ）は明らかに相違
する。
時と小さい時とでは、その反射波電力を零にするための
マイクロ波帯自動負荷整合器３０での整合ポジション
（図２に示すスタブ３２の挿入長さＬ）は明らかに相違
する。
【００２７】従って、マイクロ波帯自動負荷整合器３０
での整合ポジションをモニタすれば、処理室１０の内壁
の汚染度を知ることができ、クリーニング中にモニタす
れば、そのクリーニング終点を検出できる。
での整合ポジションをモニタすれば、処理室１０の内壁
の汚染度を知ることができ、クリーニング中にモニタす
れば、そのクリーニング終点を検出できる。
【００２８】図３は、縦軸を図２に示すスタブ３２ａの
整合ポジション（挿入長さＬ）とし、横軸をクリーニン
グ時間とした特性図である。図３の実線の例では、クリ
ーニング期間中はスタブ３２ａの挿入長さＬが減少し、
クリーニング時間が時刻Ｔ１を越えると、整合ポジショ
ンはほとんど変化せずに飽和している。換言すれば、時
刻Ｔ１経過後は、クリーニング効果は少なく、クリーニ
ングを停止して良いほどに汚染度が低下している。よっ
て、図３の例では、時刻Ｔ１に到達した後の所定の時刻
Ｔ２をクリーニング終点とすれば良い。図３の破線の例
では、クリーニング期間中はスタブ３２ａの挿入長さＬ
が増大しているが、クリーニング時間の経過と共にその
整合ポジションが飽和位置に到達することには変わりが
ない。
整合ポジション（挿入長さＬ）とし、横軸をクリーニン
グ時間とした特性図である。図３の実線の例では、クリ
ーニング期間中はスタブ３２ａの挿入長さＬが減少し、
クリーニング時間が時刻Ｔ１を越えると、整合ポジショ
ンはほとんど変化せずに飽和している。換言すれば、時
刻Ｔ１経過後は、クリーニング効果は少なく、クリーニ
ングを停止して良いほどに汚染度が低下している。よっ
て、図３の例では、時刻Ｔ１に到達した後の所定の時刻
Ｔ２をクリーニング終点とすれば良い。図３の破線の例
では、クリーニング期間中はスタブ３２ａの挿入長さＬ
が増大しているが、クリーニング時間の経過と共にその
整合ポジションが飽和位置に到達することには変わりが
ない。
【００２９】このクリーニング終点Ｔ２は、クリーニン
グ中に変動する整合ポジションが所定時間（図３の時間
ｔ）以上、実質的に変動しなくなった時に検出すればよ
い。この検出は、スタブの整合ポジションを直接モニタ
することでも実施できるが、モータＭ１（及び／又はＭ
２）の回転位置（回転角を含む）をモニタするものでも
良い。
グ中に変動する整合ポジションが所定時間（図３の時間
ｔ）以上、実質的に変動しなくなった時に検出すればよ
い。この検出は、スタブの整合ポジションを直接モニタ
することでも実施できるが、モータＭ１（及び／又はＭ
２）の回転位置（回転角を含む）をモニタするものでも
良い。
【００３０】あるいは、マイクロ波モニタ部４０からの
出力が入力される制御部６０にて、クリーニング終点を
検出することもできる。例えば、モータＭ１（及び／ま
たはＭ２）を駆動制御する信号をモニタすることでも良
い。図２の例では、差動増幅器６２ａ及び／又は差動増
幅器６２ｂの出力信号か、電力増幅器６４ａ及び／又は
電力増幅器６４ｂの出力信号をモニタすればよい。これ
らの信号は整合ポジションと相関を有するからである。
出力が入力される制御部６０にて、クリーニング終点を
検出することもできる。例えば、モータＭ１（及び／ま
たはＭ２）を駆動制御する信号をモニタすることでも良
い。図２の例では、差動増幅器６２ａ及び／又は差動増
幅器６２ｂの出力信号か、電力増幅器６４ａ及び／又は
電力増幅器６４ｂの出力信号をモニタすればよい。これ
らの信号は整合ポジションと相関を有するからである。
【００３１】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。例えば、本発明の他の態様として、
マイクロ波プラズマによりクリーニングされる処理室１
０からの反射波をモニタすることにより、マイクロ波プ
ラズマによりクリーニングされるプラズマ処理装置のク
リーニング終点を検出しても良い。表１の通り、処理室
１０の内壁の汚染度と反射波電力との相関に基づいて、
上述の例と同様にしてクリーニング終点を検出できるか
らである。
れるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形
実施が可能である。例えば、本発明の他の態様として、
マイクロ波プラズマによりクリーニングされる処理室１
０からの反射波をモニタすることにより、マイクロ波プ
ラズマによりクリーニングされるプラズマ処理装置のク
リーニング終点を検出しても良い。表１の通り、処理室
１０の内壁の汚染度と反射波電力との相関に基づいて、
上述の例と同様にしてクリーニング終点を検出できるか
らである。
【００３２】反射波をモニタするには、図２の例では、
検波器付探針４２ａ〜４２ｅのいずれか一つはまたは複
数の出力信号か、あるいは差動増幅器６２ａ及び／又は
差動増幅器６２ｂの出力信号をモニタすればよい。これ
らの出力信号は、反射波電力と相関を有するからであ
る。
検波器付探針４２ａ〜４２ｅのいずれか一つはまたは複
数の出力信号か、あるいは差動増幅器６２ａ及び／又は
差動増幅器６２ｂの出力信号をモニタすればよい。これ
らの出力信号は、反射波電力と相関を有するからであ
る。
【００３３】また、本発明は、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置に適用されるものに限らず、マイクロ波によって
プラズマを励起して処理する各種のマイクロ波プラズマ
処理装置に適用することができる。
Ｄ装置に適用されるものに限らず、マイクロ波によって
プラズマを励起して処理する各種のマイクロ波プラズマ
処理装置に適用することができる。
【図１】本発明方法の一実施形態が適用されるマイクロ
波プラズマＣＶＤ装置を示す概略説明図である。
波プラズマＣＶＤ装置を示す概略説明図である。
【図２】図１に示すマイクロ波帯自動負荷整合器、マイ
クロ波モニタ部及びそれらに関係する制御部の部分回路
の一例を示す概略説明図である。
クロ波モニタ部及びそれらに関係する制御部の部分回路
の一例を示す概略説明図である。
【図３】クリーニング時の整合ポジションとクリーニン
グ時間との相関の一例を示す特性図である。
グ時間との相関の一例を示す特性図である。
１０ 処理室
１０ａ マイクロ波導入窓
１２ 基板載置電極
１４ ガス導入管
１２ 処理室
２０ 励磁コイル
２４ 導波管
２６ マイクロ波発生器
３０ マイクロ波帯自動負荷整合器
３２ａ〜３２ｄ スタブ
４０ マイクロ波モニタ部
４２ａ〜４２ｅ 検出器付探針
５０ ＲＦ電源
６０ 制御部
６２ａ，６２ｂ 差動増幅器
６４ａ，６４ｂ 電力増幅器
Ｍ１，Ｍ２ モータ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 １０１Ｈ
Claims (8)
- 【請求項１】 処理室の一部の壁を透過させてマイクロ
波を導いて、前記処理室内にてマイクロ波により誘起さ
れたプラズマにより前記処理室をクリーニングし、マイ
クロ波帯自動負荷整合器の整合ポジションをモニタする
ことにより、プラズマクリーニングの終点を検出するこ
とを特徴とするマイクロ波プラズマクリーニングの終点
検出方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 クリーニング中に変動する前記整合ポジションが、所定
時間以上実質的に変動しなくなった時に、クリーニング
終点を検出することを特徴とするマイクロ波プラズマク
リーニングの終点検出方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 マイクロ波を前記処理室に導入する導波管内に挿入され
るスタブの整合ポジションをモニタすることを特徴とす
るマイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、 マイクロ波を前記処理室に導入する導波管内に挿入され
るスタブの整合ポジションがモータにより調節され、前
記モータの回転位置をモニタすることを特徴とするマイ
クロ波プラズマクリーニングの終点検出方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、 マイクロ波を前記処理室に導入する導波管内に挿入され
るスタブの整合ポジションがモータにより調節され、前
記モータを駆動制御するための信号をモニタすることを
特徴とするマイクロ波プラズマクリーニングの終点検出
方法。 - 【請求項６】 処理室の一部の壁を透過させてマイクロ
波を導いて、前記処理室内にてマイクロ波により誘起さ
れたプラズマにより前記処理室をクリーニングし、前記
処理室からの反射波をモニタすることにより、プラズマ
クリーニングの終点を検出することを特徴とするマイク
ロ波プラズマクリーニングの終点検出方法。 - 【請求項７】 処理室と、 前記処理室内にクリーニングガスを導入するガス導入部
と、 前記処理室の一部の壁を透過させて前記処理室内に導く
ように、マイクロ波を導波案内する導波管と、 前記導波管途中に設けられた負荷整合器と、 前記処理室のプラズマクリーニング中に、前記動負荷整
合器の整合ポジションをモニタすることにより、プラズ
マクリーニングの終点を検出する検出部と、 を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
置。 - 【請求項８】 処理室と、 前記処理室内にクリーニングガスを導入するガス導入部
と、 前記処理室の一部の壁を透過させて前記処理室内に導く
ように、マイクロ波を導波案内する導波管と、 前記導波管途中に設けられた負荷整合器と、 前記処理室のプラズマクリーニング中に、前記処理室か
らの反射波をモニタすることにより、プラズマクリーニ
ングの終点を検出する検出部と、 を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060315A JP2003253447A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002060315A JP2003253447A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003253447A true JP2003253447A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28669720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002060315A Withdrawn JP2003253447A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | マイクロ波プラズマクリーニングの終点検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003253447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008305736A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002060315A patent/JP2003253447A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008305736A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびプラズマ処理装置のクリーニング方法 |
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