JP2008300475A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ストリート23に沿ってレーザー光線を照射し該ストリートに沿って積層体21を除去する工程と、積層体が除去されたストリートに沿って基板を切断する工程とを含み、積層体除去工程は積層体を透過し基板に対して吸収性を有する波長の第1のレーザー光線を該ストリートに所定の間隔をもって照射して基板を加熱しサーマルショックで積層体に該ストリートに沿って2条のクラック211を生じさせる第1のレーザー加工工程と、積層体における2条のクラック間の領域に第1のレーザー光線のエネルギー密度より高いエネルギー密度を有する第2のレーザー光線LB2を照射し2条のクラック間の積層体を除去して基板20を露出させる第2のレーザー加工工程を含んでいる。
【選択図】図7
Description
該ストリートに沿ってレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該積層体を除去する積層体除去工程と、
該積層体が除去された該ストリートに沿って該基板を切断する切断工程と、を含み、
該積層体除去工程は、該積層体を透過し該基板に対して吸収性を有する波長の第1のレーザー光線を該ストリートに所定の間隔をもって照射して該基板を加熱しサーマルショックで該積層体に該ストリートに沿って2条のクラックを生じさせる第1のレーザー加工工程と、該積層体における該2条のクラック間の領域に該第1のレーザー光線のエネルギー密度より高いエネルギー密度を有する第2のレーザー光線を照射し該2条のクラック間の該積層体を除去して該基板を露出させる第2のレーザー加工工程を含んでいる、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
また、上記第1のレーザー光線のエネルギー密度は7〜8J/cm2に設定され、上記第2のレーザー光線のエネルギー密度は14〜16J/cm2に設定されている。
また、上記切断工程は、上記第2のレーザー光線のエネルギー密度より高いエネルギー密度を有する第3のレーザー光線を積層体が除去され露出された基板の露出部にストリートに沿って照射し、基板をストリートに沿って切断する。第3のレーザー光線のエネルギー密度は、24〜26J/cm2に設定されている。
上述した第1のレーザー加工工程と第2のレーザー加工工程を含む積層体除去工程は、図示の実施形態においては図4に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図4において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
第1のレーザー加工工程は、先ず上述した図4に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を載置し、該チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。このとき、半導体ウエーハ2は、ダイシングテープT側をチャックテーブル31上に載置する。従って、半導体ウエーハ2は、表面2aを上側にして保持される。なお、図4においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル31に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
レーザー光線の光源 :YAGレーザー
波長 :355nm
平均出力 :1.5W
1パルス当たりのエネルギー密度:7〜8J/cm2
繰り返し周波数 :100kHz
集光スポット(楕円形) :長軸:20μm、短軸:10μm
加工送り速度 :200mm/秒
レーザー光線の光源 :YAGレーザー
波長 :355nm
平均出力 :3.0W
1パルス当たりのエネルギー密度:14〜16J/cm2
繰り返し周波数 :10kHz
集光スポット(楕円形) :長軸:200μm、短軸:10μm
加工送り速度 :200mm/秒
切削ブレード :外径52mm、厚さ20μm
切削ブレードの回転速度:20000rpm
切削送り速度 :50mm/秒
レーザー光線の光源 :YAGレーザー
波長 :355nm
平均出力 :5.0W
1パルス当たりのエネルギー密度:24〜26J/cm2
繰り返し周波数 :10kHz
集光スポット(楕円形) :長軸:200μm、短軸:10μm
加工送り速度 :200mm/秒
20:基板
21:積層体
22:デバイス
23:ストリート
3:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:切削装置
41:切削装置のチャックテーブル
42:切削手段
422:切削ブレード
F:環状のフレーム
T:ダイシングテープ
Claims (6)
- 基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
該ストリートに沿ってレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該積層体を除去する積層体除去工程と、
該積層体が除去された該ストリートに沿って該基板を切断する切断工程と、を含み、
該積層体除去工程は、該積層体を透過し該基板に対して吸収性を有する波長の第1のレーザー光線を該ストリートに所定の間隔をもって照射して該基板を加熱しサーマルショックで該積層体に該ストリートに沿って2条のクラックを生じさせる第1のレーザー加工工程と、該積層体における該2条のクラック間の領域に該第1のレーザー光線のエネルギー密度より高いエネルギー密度を有する第2のレーザー光線を照射し該2条のクラック間の該積層体を除去して該基板を露出させる第2のレーザー加工工程を含んでいる、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該絶縁膜はSiO2,SiO,SiN等のガラス質材料からなり該基板はSi,GaAsのいずれかを含んでおり、該第1のレーザー光線の波長は355nmに設定されている、請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 該第1のレーザー光線のエネルギー密度は7〜8J/cm2に設定され、該第2のレーザー光線のエネルギー密度は14〜16J/cm2に設定されている、請求項1又は記載のウエーハの分割方法。
- 該切断工程は、該積層体が除去され露出された該基板の露出部の幅より薄い幅の切削ブレードによって該基板を該ストリートに沿って切断する、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの分割方法。
- 該切断工程は、該第2のレーザー光線のエネルギー密度より高いエネルギー密度を有する第3のレーザー光線を該積層体が除去され露出された該基板の露出部に該ストリートに沿って照射し、該基板を該ストリートに沿って切断する、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの分割方法。
- 該第3のレーザー光線のエネルギー密度は、24〜26J/cm2に設定されている、請求項5記載のウエーハの分割方法。
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