JP2008294329A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スループットおよび歩留りが高く、パーティクルの少ない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1を載置するサセプタ電極50を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極50に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極50に載置したウエハ1をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、ウエハ1を搬送するツィーザ25に中央が長く両脇が短い3本の支持バー26、27、28を設け、3本の支持バーはウエハ1の外周縁部下面の3点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極50には3本の支持バーが挿入する3本の逃げ溝52、53、54を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。
【選択図】図4
【解決手段】ウエハ1を載置するサセプタ電極50を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極50に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極50に載置したウエハ1をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、ウエハ1を搬送するツィーザ25に中央が長く両脇が短い3本の支持バー26、27、28を設け、3本の支持バーはウエハ1の外周縁部下面の3点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極50には3本の支持バーが挿入する3本の逃げ溝52、53、54を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。
【選択図】図4
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にプラズマ処理を施すのに利用して有効なものに関する。
ICの製造方法においてウエハにプラズマ処理を施す場合には、枚葉式プラズマ処理装置を使用するのが、一般的である。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
しかしながら、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを一枚ずつ処理するために、スループットが小さくなるという問題点がある。
また、枚葉式プラズマ処理装置はウエハを保持したサセプタだけが処理温度に加熱されるコールドウオール形が一般的であるために、ウエハ面内を均一に加熱することが困難であるという問題点がある。
そこで、複数枚のウエハが搬入される処理室を備え、かつ、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの処理室に一対の電極が縦長に配置されたバッチ式リモートプラズマ処理装置が提案されている。例えば、特許文献1参照。
特開2004−289166号公報
しかしながら、前記したバッチ式リモートプラズマ処理装置においては、プラズマが各ウエハに遠隔的にそれぞれ供給されるために、被処理基板内の処理状況やバッチ内のウエハ相互間の処理状況が不均一になる可能性が有ると、考えられる。
そこで、処理室内にウエハを一枚ずつ載置するサセプタ電極を所定の間隔を置いて複数段配置し、各段のサセプタ電極に載置したウエハ毎にプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置が、提案され得る。
しかしながら、このようなバッチ式プラズマ処理装置において、複数段のサセプタ電極にウエハを移載するのに枚葉式プラズマ処理装置の突き上げピン式のウエハ移載装置を採用すると、複数段のサセプタ電極にウエハを一枚ずつ移載するために、スループットが低下するという問題点があるばかりでなく、突き上げピンとサセプタ電極との接触によってパーティクルが発生するために、歩留りが低下するという問題点がある。
そこで、処理室内にウエハを一枚ずつ載置するサセプタ電極を所定の間隔を置いて複数段配置し、各段のサセプタ電極に載置したウエハ毎にプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置が、提案され得る。
しかしながら、このようなバッチ式プラズマ処理装置において、複数段のサセプタ電極にウエハを移載するのに枚葉式プラズマ処理装置の突き上げピン式のウエハ移載装置を採用すると、複数段のサセプタ電極にウエハを一枚ずつ移載するために、スループットが低下するという問題点があるばかりでなく、突き上げピンとサセプタ電極との接触によってパーティクルが発生するために、歩留りが低下するという問題点がある。
本発明の目的は、このような問題点を回避することができるとともに、被処理基板内の処理状況や被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上することができる基板処理装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板を搬送するツィーザを挿入可能な逃げ溝がそれぞれ没設されていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記逃げ溝は前記各段のサセプタ電極に複数個ずつ設けられていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記各段のサセプタ電極の強度が、前記逃げ溝の隣り合う同士間部分の熱垂れを防止可能に設定されていることを特徴とする前記(2)に記載の基板処理装置。
(4)前記逃げ溝の深さが、前記逃げ溝の隣り合う同士間部分の熱垂れを防止可能な深さに設定されていることを特徴とする前記(2)に記載の基板処理装置。
(1)被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板を搬送するツィーザを挿入可能な逃げ溝がそれぞれ没設されていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記逃げ溝は前記各段のサセプタ電極に複数個ずつ設けられていることを特徴とする前記(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記各段のサセプタ電極の強度が、前記逃げ溝の隣り合う同士間部分の熱垂れを防止可能に設定されていることを特徴とする前記(2)に記載の基板処理装置。
(4)前記逃げ溝の深さが、前記逃げ溝の隣り合う同士間部分の熱垂れを防止可能な深さに設定されていることを特徴とする前記(2)に記載の基板処理装置。
前記(1)によれば、複数段のサセプタ電極のそれぞれにツィーザが挿入可能な逃げ溝が没設されていることにより、複数段のサセプタ電極に複数枚の被処理基板を同時に移載することができるので、スループットを向上させることができる。
また、複数段のサセプタ電極のそれぞれにツィーザが挿入可能な逃げ溝が没設されていることにより、ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することができるので、パーティクルが発生するのを防止することができ、その結果、歩留りを向上させることができる。
逃げ溝の底面を形成する底壁によってサセプタ電極下面の平面を確保することにより、均一なプラズマを生成することができるので、被処理基板内の処理状況や被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上することができる。
また、複数段のサセプタ電極のそれぞれにツィーザが挿入可能な逃げ溝が没設されていることにより、ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することができるので、パーティクルが発生するのを防止することができ、その結果、歩留りを向上させることができる。
逃げ溝の底面を形成する底壁によってサセプタ電極下面の平面を確保することにより、均一なプラズマを生成することができるので、被処理基板内の処理状況や被処理基板相互間の処理状況の均一性を向上することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ICの製造方法において、ウエハに各種のプラズマ処理を施すバッチ式縦形ホットウオール形プラズマ処理装置(以下、バッチ式プラズマ処理装置という。)として構成されている。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が10枚の場合について説明しているが、実際上は5枚〜150枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
なお、本実施の形態においては、便宜上、一回のバッチ処理のウエハの枚数が10枚の場合について説明しているが、実際上は5枚〜150枚程度のバッチを取り扱うことができるものとする。
図1および図2に示されているように、本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置10においては、被処理基板であるウエハ1を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、FOUP(以下、ポッドという。)2が使用されている。
本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置10は筐体11を備えている。
筐体11の正面壁11aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口12が開設され、この正面メンテナンス口12を開閉する正面メンテナンス扉13、13がそれぞれ建て付けられている。
筐体11の正面壁11aにはポッド搬入搬出口14が筐体11の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口14はフロントシャッタ15によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口14の正面前方側にはロードポート16が設置されており、ロードポート16はポッド2を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド2はロードポート16上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート16上から搬出されるようになっている。
本実施の形態に係るバッチ式プラズマ処理装置10は筐体11を備えている。
筐体11の正面壁11aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口12が開設され、この正面メンテナンス口12を開閉する正面メンテナンス扉13、13がそれぞれ建て付けられている。
筐体11の正面壁11aにはポッド搬入搬出口14が筐体11の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口14はフロントシャッタ15によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口14の正面前方側にはロードポート16が設置されており、ロードポート16はポッド2を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド2はロードポート16上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート16上から搬出されるようになっている。
筐体11内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚17が設置されており、回転式ポッド棚17は複数個のポッド2を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚17は垂直に立設され水平面内で間欠回転される支柱17aと、支柱17aに上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板17bとを備えており、複数枚の棚板17bはポッド2を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体11内におけるロードポート16と回転式ポッド棚17との間には、ポッド搬送装置18が設置されている。ポッド搬送装置18はポッド2を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ18aとポッド搬送機構18bとで構成されている。
ポッド搬送装置18はポッドエレベータ18aとポッド搬送機構18bとの連続動作により、ロードポート16と回転式ポッド棚17とポッドオープナ19との間でポッド2を搬送するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚17は垂直に立設され水平面内で間欠回転される支柱17aと、支柱17aに上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板17bとを備えており、複数枚の棚板17bはポッド2を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体11内におけるロードポート16と回転式ポッド棚17との間には、ポッド搬送装置18が設置されている。ポッド搬送装置18はポッド2を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ18aとポッド搬送機構18bとで構成されている。
ポッド搬送装置18はポッドエレベータ18aとポッド搬送機構18bとの連続動作により、ロードポート16と回転式ポッド棚17とポッドオープナ19との間でポッド2を搬送するように構成されている。
ポッドオープナ19はポッド2を載置する載置台19aと、ポッド2のキャップを着脱するキャップ着脱機構19bとを備えている。ポッドオープナ19は載置台19aに載置されたポッド2のキャップをキャップ着脱機構19bによって着脱することにより、ポッド2のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
筐体11内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体20が後端にわたって構築されている。サブ筐体20の正面壁20aにはウエハ1をサブ筐体20内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口21が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口21、21には一対のポッドオープナ19、19がそれぞれ設置されている。
筐体11内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体20が後端にわたって構築されている。サブ筐体20の正面壁20aにはウエハ1をサブ筐体20内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口21が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口21、21には一対のポッドオープナ19、19がそれぞれ設置されている。
サブ筐体20はポッド搬送装置18や回転式ポッド棚17の設置空間から流体的に隔絶された移載室22を構成している。移載室22の前側領域にはウエハ移載機構23が設置されている。
ウエハ移載機構23はウエハ1を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置23aと、ウエハ移載装置23aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ23bとで構成されている。
図1に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ23bは筐体11の右側端部とサブ筐体20の移載室22の前方領域右端部との間に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ23bおよびウエハ移載装置23aの連続動作により、ウエハ移載装置23aのツィーザホルダ24に保持されたツィーザ25をウエハ1の載置部として後記するボートに対してウエハ1を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
ウエハ移載機構23はウエハ1を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置23aと、ウエハ移載装置23aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ23bとで構成されている。
図1に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ23bは筐体11の右側端部とサブ筐体20の移載室22の前方領域右端部との間に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ23bおよびウエハ移載装置23aの連続動作により、ウエハ移載装置23aのツィーザホルダ24に保持されたツィーザ25をウエハ1の載置部として後記するボートに対してウエハ1を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
ウエハ移載装置23aはツィーザホルダ24を二次元方向に移動させるように構成されており、ツィーザホルダ24には複数枚(本実施の形態においては5枚)のツィーザ25が、垂直方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。
但し、5枚のツィーザ25のうち最上段のツィーザ25は独立して進退し得るように構成されている。これにより、ウエハ移載装置23aはウエハを1枚ずつ取り扱えるようになっている。
また、5枚のツィーザ25は上下方向の間隔(ピッチ)を変更調整することができるように、ツィーザホルダ24にそれぞれ保持されている。これにより、後記する複数枚のサセプタ電極の上下方向の間隔(ピッチ)が変更された場合に対応することができる。
特に、5枚のツィーザ25の上下方向の間隔が中央のツィーザ25を中心にして上方向および下方向にそれぞれ変更調整することができるように、5枚のツィーザ25をツィーザホルダ24によってそれぞれ保持することにより、5枚のツィーザ25の位置変更時における移動距離を減少させることができる。
但し、5枚のツィーザ25のうち最上段のツィーザ25は独立して進退し得るように構成されている。これにより、ウエハ移載装置23aはウエハを1枚ずつ取り扱えるようになっている。
また、5枚のツィーザ25は上下方向の間隔(ピッチ)を変更調整することができるように、ツィーザホルダ24にそれぞれ保持されている。これにより、後記する複数枚のサセプタ電極の上下方向の間隔(ピッチ)が変更された場合に対応することができる。
特に、5枚のツィーザ25の上下方向の間隔が中央のツィーザ25を中心にして上方向および下方向にそれぞれ変更調整することができるように、5枚のツィーザ25をツィーザホルダ24によってそれぞれ保持することにより、5枚のツィーザ25の位置変更時における移動距離を減少させることができる。
図4に示されているように、ツィーザ25は3本の支持バー26、27、28を有する大略櫛形状に形成されている。これら3本の支持バー26、27、28のうち中央の支持バー26が細長く形成されているとともに、両脇の2本の支持バー27、28がそれぞれ短く形成されている。
3本の支持バー26、27、28の水平方向の幅は、可及的に狭くなるように設定されている。また、3本の支持バー26、27、28の垂直方向の厚みは、ウエハ1の荷重を確実に支えることができる範囲で可及的に薄くなるように設定されている。
これら3本の支持バー26、27、28の先端部には受け部26a、27a、28aが、それぞれウエハ1の厚さ分だけ下がった段差によって形成されており、各受け部26a、27a、28aの内側には逃げ凹部26b、27b、28bがそれぞれ適当な深さの段差によって形成されている。
すなわち、ツィーザ25は3本の支持バー26、27、28の受け部26a、27a、28aによってウエハ1の外周縁辺部の下面における3点を受けるとともに、水平面内での移動を規制するように構成されている。
このように、ツィーザ25はウエハ1を下から3点で位置規制しつつ水平に支持することにより、ウエハ1との接触面積を最小限としてウエハ1に対する接触による汚染を可及的に抑制しているとともに、搬送中のガタツキの発生を防止している。
3本の支持バー26、27、28の水平方向の幅は、可及的に狭くなるように設定されている。また、3本の支持バー26、27、28の垂直方向の厚みは、ウエハ1の荷重を確実に支えることができる範囲で可及的に薄くなるように設定されている。
これら3本の支持バー26、27、28の先端部には受け部26a、27a、28aが、それぞれウエハ1の厚さ分だけ下がった段差によって形成されており、各受け部26a、27a、28aの内側には逃げ凹部26b、27b、28bがそれぞれ適当な深さの段差によって形成されている。
すなわち、ツィーザ25は3本の支持バー26、27、28の受け部26a、27a、28aによってウエハ1の外周縁辺部の下面における3点を受けるとともに、水平面内での移動を規制するように構成されている。
このように、ツィーザ25はウエハ1を下から3点で位置規制しつつ水平に支持することにより、ウエハ1との接触面積を最小限としてウエハ1に対する接触による汚染を可及的に抑制しているとともに、搬送中のガタツキの発生を防止している。
なお、図1に示されているように、移載室22の後側領域にはボートを収容して待機させる待機部81が構成されている。
移載室22のウエハ移載装置エレベータ23b側と反対側である左側端部には、供給フアンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット83が設置されている。クリーンユニット83は清浄化した雰囲気(空気)もしくは不活性ガスであるクリーンエア(清浄気体)84を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置23aとクリーンユニット83との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット83から吹き出されたクリーンエア84は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置23a、待機部81にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体11の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット83の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再び、クリーンユニット83によって、移載室22内に吹き出される。
移載室22のウエハ移載装置エレベータ23b側と反対側である左側端部には、供給フアンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット83が設置されている。クリーンユニット83は清浄化した雰囲気(空気)もしくは不活性ガスであるクリーンエア(清浄気体)84を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置23aとクリーンユニット83との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット83から吹き出されたクリーンエア84は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置23a、待機部81にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体11の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット83の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再び、クリーンユニット83によって、移載室22内に吹き出される。
筐体11の後側上部には処理炉30が垂直に設置されている。
図3に示されているように、処理炉30は処理室32を形成するプロセスチューブ31を備えている。プロセスチューブ31は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ31は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ31の筒中空部は複数枚のウエハ1が収容される処理室32を形成しており、プロセスチューブ31の内径は取り扱うウエハ1の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
図3に示されているように、処理炉30は処理室32を形成するプロセスチューブ31を備えている。プロセスチューブ31は石英等の誘電体が使用されて一端開口で他端閉塞の円筒形状に形成されており、プロセスチューブ31は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持されている。
プロセスチューブ31の筒中空部は複数枚のウエハ1が収容される処理室32を形成しており、プロセスチューブ31の内径は取り扱うウエハ1の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
プロセスチューブ31の下端面にはマニホールド33が当接されており、マニホールド33は誘電体が使用されて上下両端部に径方向外向きに突出したフランジを有する円筒形状に形成されている。プロセスチューブ31についての保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド33はプロセスチューブ31に着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド33が筐体11に支持されることにより、プロセスチューブ31は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド33の下端開口はウエハ1を出し入れするための炉口34を形成している。炉口34は通常時には炉口シャッタ35によって閉塞されるようになっている。
そして、マニホールド33が筐体11に支持されることにより、プロセスチューブ31は垂直に据え付けられた状態になっている。
マニホールド33の下端開口はウエハ1を出し入れするための炉口34を形成している。炉口34は通常時には炉口シャッタ35によって閉塞されるようになっている。
マニホールド33の側壁には排気管36の一端が接続されており、排気管36は他端が排気装置(図示せず)に接続されて処理室32を排気し得るように構成されている。
マニホールド33の排気管36と異なる位置(図示例では180度反対側の位置)には、処理ガスを供給するためのガス供給管37が垂直に立脚されており、ガス供給管37は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管37には複数個の吹出口38が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口38の個数は処理すべきウエハ1の枚数に一致されており、各吹出口38の高さの位置は上下で隣合うウエハ1、1間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
マニホールド33の排気管36と異なる位置(図示例では180度反対側の位置)には、処理ガスを供給するためのガス供給管37が垂直に立脚されており、ガス供給管37は誘電体が使用されて細長い円形のパイプ形状に形成されている。
ガス供給管37には複数個の吹出口38が垂直方向に並べられて開設されている。吹出口38の個数は処理すべきウエハ1の枚数に一致されており、各吹出口38の高さの位置は上下で隣合うウエハ1、1間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
プロセスチューブ31の外部には処理室32を全体にわたって均一に加熱するためのヒータ39が、プロセスチューブ31の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータ39は筐体11の上に垂直に据え付けられた状態になっている。
図1に示されているように、筐体11内における処理炉30の真下近傍にはボートエレベータ40が設置されており、図2および図3に示されているように、ボートエレベータ40のアーム41には、処理に際して炉口34を閉塞するシールキャップ42が水平に支持されている。
シールキャップ42はマニホールド33の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ40によって上昇されることにより、炉口34を気密シールして閉塞するように構成されている。
シールキャップ42はマニホールド33の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ40によって上昇されることにより、炉口34を気密シールして閉塞するように構成されている。
シールキャップ42の上には複数枚のウエハ1を保持して処理室32に搬入搬出するボート(搬送治具)43が、垂直に立脚されて支持されている。
ボート43は上下で一対の端板44、45と、両端板44、45間に架設されて垂直に配設された4本の保持柱46とを備えている。
4本の保持柱46は2本ずつが左右に分けられて配置されており、左右の保持柱46、46の間隔はウエハ1の直径より大きく設定されている。
保持柱46は後記するサセプタ電極に電力を供給するフィーダを兼用するように構成されている。各保持柱(以下、電極支柱という。)46は、ウエハ1の金属汚染源とならない導電性を有する材料としての炭化シリコン(SiC)が使用されて形成されている。
ボート43は上下で一対の端板44、45と、両端板44、45間に架設されて垂直に配設された4本の保持柱46とを備えている。
4本の保持柱46は2本ずつが左右に分けられて配置されており、左右の保持柱46、46の間隔はウエハ1の直径より大きく設定されている。
保持柱46は後記するサセプタ電極に電力を供給するフィーダを兼用するように構成されている。各保持柱(以下、電極支柱という。)46は、ウエハ1の金属汚染源とならない導電性を有する材料としての炭化シリコン(SiC)が使用されて形成されている。
各電極支柱46にはサセプタ電極50が複数段(本実施の形態では11段)、上下方向に等間隔に配置されて水平に保持されている。
上下で隣り合うサセプタ電極50、50の間隔(ピッチ)は、ウエハ移載装置23aのツィーザ25によるウエハ1の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。
上下で隣り合うサセプタ電極50、50の間隔(ピッチ)は、ウエハ移載装置23aのツィーザ25によるウエハ1の受け渡しに必要な寸法と、後述するプラズマ処理の作用とを考慮して定められている。
図4に示されているように、サセプタ電極50はウエハ1を金属汚染させない導電性を有する材料としての炭化シリコンが使用されて円形の平板形状に形成されており、外径はウエハ1の外径よりも大きめに設定されている。
サセプタ電極50の厚さは、サセプタ電極50の強度が後記する逃げ溝の隣り合う同士間の部分の熱垂れを防止可能になるように設定されている。
サセプタ電極50の外周におけるウエハ移載装置23aと反対側になる位置には、略正方形平板形状の接続部51が径方向外向きに突設されている。
サセプタ電極50の厚さは、サセプタ電極50の強度が後記する逃げ溝の隣り合う同士間の部分の熱垂れを防止可能になるように設定されている。
サセプタ電極50の外周におけるウエハ移載装置23aと反対側になる位置には、略正方形平板形状の接続部51が径方向外向きに突設されている。
サセプタ電極50におけるツィーザ25の3本の支持バー26、27、28に対向する位置には、3本の逃げ溝52、53、54が3本の支持バー26、27、28をそれぞれ挿入可能に没設されている。
3本の逃げ溝52、53、54はサセプタ電極50を上下方向には貫通していない。
すなわち、3本の逃げ溝52、53、54の底面(図6の52aを参照)を形成する底壁(図6の52bを参照)によってサセプタ電極50の下面の平面は確保されている。
また、3本の逃げ溝52、53、54の深さは、溝の底壁(図6の52bを参照)の機械的強度が逃げ溝52と53との間の部分および逃げ溝52と54との間の部分に発生する危惧のある熱垂れを防止可能な強度を発揮し得る深さ(浅さ)に設定されている。
これら3本の逃げ溝52、53、54のうち中央の逃げ溝52は、接続部51の法線上に配置されているとともに、ウエハ1の直径よりも長く形成されている。両脇の2本の逃げ溝53、54は左右の電極支柱46、46にそれぞれ可及的に接近させて配置されている。これにより、両脇の2本の逃げ溝53、54の剛性を高めることができる。
かつまた、両脇の2本の逃げ溝53、54は2本の支持バー27、28に対向する位置に配されている。
両脇の2本の逃げ溝53、54は2本の支持バー27、28に対応するようにそれぞれ短く形成されている。これにより、両脇の2本の逃げ溝53、54が自重によって熱垂れを防止することができる。
3本の逃げ溝52、53、54の水平方向の幅は、3本の支持バー26、27、28の幅よりも大きめに設定されている。すなわち、3本の逃げ溝52、53、54の水平方向の幅は、3本の支持バー26、27、28を挿入可能な範囲内で可及的に狭くなるように設定されている。
なお、本実施の形態と異なり、底壁52bが無い上下に貫通したサセプタ電極も考えられる。
この場合、この貫通した箇所でプラズマが発生してしまい、ウエハ裏面からパーティクルが発生することがある。
さらに、貫通した箇所のウエハ表面上でも、膜が盛り上がってしまうという現象も起こってしまうことがあることがわかっている。
本実施の形態のように、底壁52bを設けることで、溝部にプラズマが発生しないようにすることができ、パーティクルの発生および膜の均一化を図ることができる。
3本の逃げ溝52、53、54はサセプタ電極50を上下方向には貫通していない。
すなわち、3本の逃げ溝52、53、54の底面(図6の52aを参照)を形成する底壁(図6の52bを参照)によってサセプタ電極50の下面の平面は確保されている。
また、3本の逃げ溝52、53、54の深さは、溝の底壁(図6の52bを参照)の機械的強度が逃げ溝52と53との間の部分および逃げ溝52と54との間の部分に発生する危惧のある熱垂れを防止可能な強度を発揮し得る深さ(浅さ)に設定されている。
これら3本の逃げ溝52、53、54のうち中央の逃げ溝52は、接続部51の法線上に配置されているとともに、ウエハ1の直径よりも長く形成されている。両脇の2本の逃げ溝53、54は左右の電極支柱46、46にそれぞれ可及的に接近させて配置されている。これにより、両脇の2本の逃げ溝53、54の剛性を高めることができる。
かつまた、両脇の2本の逃げ溝53、54は2本の支持バー27、28に対向する位置に配されている。
両脇の2本の逃げ溝53、54は2本の支持バー27、28に対応するようにそれぞれ短く形成されている。これにより、両脇の2本の逃げ溝53、54が自重によって熱垂れを防止することができる。
3本の逃げ溝52、53、54の水平方向の幅は、3本の支持バー26、27、28の幅よりも大きめに設定されている。すなわち、3本の逃げ溝52、53、54の水平方向の幅は、3本の支持バー26、27、28を挿入可能な範囲内で可及的に狭くなるように設定されている。
なお、本実施の形態と異なり、底壁52bが無い上下に貫通したサセプタ電極も考えられる。
この場合、この貫通した箇所でプラズマが発生してしまい、ウエハ裏面からパーティクルが発生することがある。
さらに、貫通した箇所のウエハ表面上でも、膜が盛り上がってしまうという現象も起こってしまうことがあることがわかっている。
本実施の形態のように、底壁52bを設けることで、溝部にプラズマが発生しないようにすることができ、パーティクルの発生および膜の均一化を図ることができる。
図5に示されているように、上下で隣り合うサセプタ電極50、50間には、交流電力を印加する交流電源61が整合器62を介して電気的に接続されており、各サセプタ電極50、50はそれぞれ並列に接続されている。
交流電力としては、数kHzの低周波数から13.56MHz等の高周波数の交流電源が使用される。
交流電力としては、数kHzの低周波数から13.56MHz等の高周波数の交流電源が使用される。
次に、前記構成に係るバッチ式プラズマ処理装置10の作用を説明する。
ポッド2がロードポート16に供給されると、ポッド搬入搬出口14がフロントシャッタ15によって開放される。
ポッド2は回転式ポッド棚17の指定された棚位置へ、ポッド搬送装置18によって自動的に搬送されて受け渡される。
ポッド2がロードポート16に供給されると、ポッド搬入搬出口14がフロントシャッタ15によって開放される。
ポッド2は回転式ポッド棚17の指定された棚位置へ、ポッド搬送装置18によって自動的に搬送されて受け渡される。
一時的に保管された後、ポッド2は回転式ポッド棚17からポッド搬送装置18によってポッドオープナ19の載置台19aに搬送される。
載置台19aに載置されたポッド2はキャップ着脱機構19bによってキャップを外され開放される。
ポッド2が開放されると、ウエハ移載装置23aは5枚のツィーザ25によってポッド2内の5枚のウエハ1をポッド2のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ1をポッド2内からボート43に搬送し、5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25からボート43の5段のサセプタ電極50の上に一度に移載する。
この5枚のツィーザ25から5段のサセプタ電極50への5枚のウエハ1の受け渡しに際しては、図6に示されているように、5枚のウエハ1をそれぞれ保持した5枚のツィーザ25が各段のサセプタ電極50の上方に一度に搬入される。
この際、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28がサセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54の真上にそれぞれ整合される。
続いて、図7に示されているように、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して垂直に一度に下降されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54に上方から挿入されるので、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上に一度に移載される。
次いで、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して水平に後退されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54から側方に抜き出されるので、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上に移載されたままの状態となる。
なお、図6においては、一段目のサセプタ電極50は切断面が中央の逃げ溝52を通る側面断面図とし、二段目のサセプタ電極50は切断面が左側の逃げ溝53を通る側面断面図とし、三段目のサセプタ電極50は切断面が右側の逃げ溝54を通る側面断面図とし、四段目および五段目のサセプタ電極は側面図としている。
また、図6においては、一段目のサセプタ電極50は切断面が中央の逃げ溝52を通る側面断面図とし、二段目〜五段目のサセプタ電極50は側面図としている。
載置台19aに載置されたポッド2はキャップ着脱機構19bによってキャップを外され開放される。
ポッド2が開放されると、ウエハ移載装置23aは5枚のツィーザ25によってポッド2内の5枚のウエハ1をポッド2のウエハ出し入れ口を通じて、一度にピックアップし、ウエハ1をポッド2内からボート43に搬送し、5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25からボート43の5段のサセプタ電極50の上に一度に移載する。
この5枚のツィーザ25から5段のサセプタ電極50への5枚のウエハ1の受け渡しに際しては、図6に示されているように、5枚のウエハ1をそれぞれ保持した5枚のツィーザ25が各段のサセプタ電極50の上方に一度に搬入される。
この際、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28がサセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54の真上にそれぞれ整合される。
続いて、図7に示されているように、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して垂直に一度に下降されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54に上方から挿入されるので、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上に一度に移載される。
次いで、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して水平に後退されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54から側方に抜き出されるので、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上に移載されたままの状態となる。
なお、図6においては、一段目のサセプタ電極50は切断面が中央の逃げ溝52を通る側面断面図とし、二段目のサセプタ電極50は切断面が左側の逃げ溝53を通る側面断面図とし、三段目のサセプタ電極50は切断面が右側の逃げ溝54を通る側面断面図とし、四段目および五段目のサセプタ電極は側面図としている。
また、図6においては、一段目のサセプタ電極50は切断面が中央の逃げ溝52を通る側面断面図とし、二段目〜五段目のサセプタ電極50は側面図としている。
以上のようにして、5枚のウエハ1を5段のサセプタ電極50の上に一度に移載すると、ウエハ移載装置23aはツィーザ25をポッド2に戻し、次回の5枚のウエハ1を5枚のツィーザ25によって一度にピックアップする。
ウエハ移載装置23aは以上の作動を繰り返すことによって、最下段(本実施の形態においては、11段目)までのサセプタ電極50群の上にウエハ1を5枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ1が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ25を使用することにより、必要なウエハ1をサセプタ電極50に移載する。
ウエハ移載装置23aは以上の作動を繰り返すことによって、最下段(本実施の形態においては、11段目)までのサセプタ電極50群の上にウエハ1を5枚ずつ順次に移載して行く。
なお、最後に、ウエハ1が残った場合には、独立して移動可能なツィーザ25を使用することにより、必要なウエハ1をサセプタ電極50に移載する。
所定の段のサセプタ電極50の上にウエハ1が移載されたボート43はボートエレベータ40によって上昇されて、図8に示されているように、処理炉30の処理室32に搬入(ボートローディング)される。
ボート43が上限に達すると、シールキャップ42が炉口34をシール状態に閉塞するために、処理室32は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室32は排気管36によって排気され、ヒータ39によって所定の温度(例えば、800℃程度)に加熱される。
この際、ヒータ39がホットウオール形構造であることにより、処理室32の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート43に保持されたウエハ1群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ1の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
ボート43が上限に達すると、シールキャップ42が炉口34をシール状態に閉塞するために、処理室32は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室32は排気管36によって排気され、ヒータ39によって所定の温度(例えば、800℃程度)に加熱される。
この際、ヒータ39がホットウオール形構造であることにより、処理室32の温度は全体にわたって均一に維持された状態になるために、ボート43に保持されたウエハ1群の温度分布は全長にわたって均一になるとともに、各ウエハ1の面内の温度分布も均一かつ同一になる。
処理室32内の温度が予め設定された値に達して安定した後に、処理ガス48が処理室32内にガス供給管37から供給されて、処理室32内の圧力が予め設定された値に達すると、各段のサセプタ電極50には、それぞれ180度位相が異なる交流電力が交流電源61や整合器62によって印加される。
図5に示されているように、サセプタ電極50のウエハ1のアクティブエリア側を向く表面である下面には、全体にわたって均一で平坦なプラズマ60が生成される。この際、サセプタ電極50の下面は平面を確保されているので、サセプタ電極50の下面には全体にわたって均一なプラズマが生成される。
この全体にわたって均一で平坦なプラズマ60は、ウエハ1のアクティブエリア側に生成されているために、ウエハ1のアクティブエリア側の主面にはプラズマ処理が全面にわたって均一に施される。
この全体にわたって均一で平坦なプラズマ60は、ウエハ1のアクティブエリア側に生成されているために、ウエハ1のアクティブエリア側の主面にはプラズマ処理が全面にわたって均一に施される。
ガス供給管37に供給された処理ガス48は各吹出口38から各段のウエハ1の上方空間にそれぞれ吹き出して、各サセプタ電極50の下面に生成されたプラズマ60により、反応が活性な状態になる。
各段のサセプタ電極50で活性化した粒子(以下、活性粒子という。)は、各段のサセプタ電極50の上に載置されたウエハ1のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ1にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ1の温度分布がボート43の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ60による活性粒子のウエハ1との接触分布が各段のウエハ1同士で同等かつ各段のウエハ1のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ1におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ1同士で、かつ、各段のウエハ1のウエハ面内において均一な状態になる。
各段のサセプタ電極50で活性化した粒子(以下、活性粒子という。)は、各段のサセプタ電極50の上に載置されたウエハ1のアクティブエリア側の主面に接触し、ウエハ1にプラズマ処理を施す。
この際、前述した通りに、ウエハ1の温度分布がボート43の全長かつウエハ面内で均一に維持されており、均一で平坦なプラズマ60による活性粒子のウエハ1との接触分布が各段のウエハ1同士で同等かつ各段のウエハ1のウエハ面内で均一の状態になるため、活性粒子のプラズマ反応によるウエハ1におけるプラズマ処理状況は各段のウエハ1同士で、かつ、各段のウエハ1のウエハ面内において均一な状態になる。
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガス48の供給、ヒータ39の加熱、交流電力の印加および排気管36の排気等が停止された後、ボートエレベータ40によってシールキャップ42が下降されることにより、炉口34が開口されるとともに、ボート43が炉口34から処理室32の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
処理室32の外部に搬出されたウエハ1は、前述したウエハ移載装置23aの作動とは逆の手順により、ポッド2内に収納される。
すなわち、ボート43が処理室32の外部に搬出されると、ウエハ移載装置23aは5枚のツィーザ25の3本の支持バー26、27、28を5段のサセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54の真正面に整合させる。
続いて、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して水平に前進されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54内に側方から挿入される(図7参照)。
次いで、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して垂直に一度に上昇されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54から上方へ抜き出されることにより、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上から5枚のツィーザ25に一度に移載される。
すなわち、ボート43が処理室32の外部に搬出されると、ウエハ移載装置23aは5枚のツィーザ25の3本の支持バー26、27、28を5段のサセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54の真正面に整合させる。
続いて、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して水平に前進されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54内に側方から挿入される(図7参照)。
次いで、5枚のツィーザ25が5段のサセプタ電極50に対して垂直に一度に上昇されると、各ツィーザ25における3本の支持バー26、27、28が各サセプタ電極50における3本の逃げ溝52、53、54から上方へ抜き出されることにより、5枚のウエハ1は5段のサセプタ電極50の上から5枚のツィーザ25に一度に移載される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ1がバッチ処理される。
ところで、複数段のサセプタ電極にウエハを移載するのに枚葉式プラズマ処理装置における突き上げピン式のウエハ移載装置を採用すると、図9に示されているように、複数段のサセプタ電極50にウエハ1を一枚ずつ移載することになるために、スループットが低下するという問題点がある。
すなわち、図9(a)に示されているように、突き上げピン70は複数段のサセプタ電極50を全体にわたって最下段から最上段まで貫通している。
まず、突き上げピン70の上端が一段目のサセプタ電極50より上方に突き出された状態で、ウエハ1を保持したツィーザ25が突き上げピン70の上方に搬入される。
続いて、図9(b)に示されているように、突き上げピン70が上昇されることにより、ツィーザ25の上のウエハ1を突き上げピン70が受け取る。
次いで、図9(c)に示されているように、突き上げピン70が二段目のサセプタ電極50の所定の高さまで下降されると、突き上げピン70に保持されたウエハ1は一段目のサセプタ電極50の上に受け渡される。
以後、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ1が一枚ずつサセプタ電極50に移載されて行く。
これに対して、本実施の形態においては、5枚のツィーザ25によって5枚のウエハ1を5段のサセプタ電極50へ一度に移載することができるために、スループットを5倍に向上させることができる。
すなわち、図9(a)に示されているように、突き上げピン70は複数段のサセプタ電極50を全体にわたって最下段から最上段まで貫通している。
まず、突き上げピン70の上端が一段目のサセプタ電極50より上方に突き出された状態で、ウエハ1を保持したツィーザ25が突き上げピン70の上方に搬入される。
続いて、図9(b)に示されているように、突き上げピン70が上昇されることにより、ツィーザ25の上のウエハ1を突き上げピン70が受け取る。
次いで、図9(c)に示されているように、突き上げピン70が二段目のサセプタ電極50の所定の高さまで下降されると、突き上げピン70に保持されたウエハ1は一段目のサセプタ電極50の上に受け渡される。
以後、前述した作動が繰り返されることにより、ウエハ1が一枚ずつサセプタ電極50に移載されて行く。
これに対して、本実施の形態においては、5枚のツィーザ25によって5枚のウエハ1を5段のサセプタ電極50へ一度に移載することができるために、スループットを5倍に向上させることができる。
ところで、サセプタ電極50に突き上げピン70が挿通する挿通孔71が開設されていると、図10に示されているように、異物72が挿通孔71の内周面に堆積する。
他方、突き上げピン70は最下段のサセプタ電極50から最上段のサセプタ電極50まで貫通して細長く形成されているために、所謂先振れが起こり易い。
この先振れによって突き上げピン70の上端部が挿通孔71の内周面に接触すると、堆積した異物72が削り取られるために、パーティクル73が発生する。
他方、突き上げピン70は最下段のサセプタ電極50から最上段のサセプタ電極50まで貫通して細長く形成されているために、所謂先振れが起こり易い。
この先振れによって突き上げピン70の上端部が挿通孔71の内周面に接触すると、堆積した異物72が削り取られるために、パーティクル73が発生する。
しかし、本実施の形態においては、各ツィーザ25はツィーザホルダ24にそれぞれ支持されているために、所謂先振れが発生することはないため、パーティクルが発生することはない。
すなわち、ツィーザ25からサセプタ電極50へのウエハ1の受け渡しに際して、ツィーザ25の3本の支持バー26、27、28がサセプタ電極50の3本の逃げ溝52、53、54に接触しないので、パーティクルが発生することはない。
すなわち、ツィーザ25からサセプタ電極50へのウエハ1の受け渡しに際して、ツィーザ25の3本の支持バー26、27、28がサセプタ電極50の3本の逃げ溝52、53、54に接触しないので、パーティクルが発生することはない。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 複数枚のウエハを複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置してプラズマ処理することにより、プラズマを各段のウエハのそれぞれにおいて専用的に生成することができるために、プラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
2) 複数段のサセプタ電極のそれぞれに載置された複数枚のウエハをホットウオール形のヒータによって一律に加熱することにより、ウエハのボート全長および各ウエハ面内の温度を均一に分布させることができるため、ウエハのプラズマ処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
3) 複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
4) 5枚のツィーザによって5枚のウエハを5段のサセプタ電極へ一度に移載することにより、ウエハを一枚ずつサセプタ電極に移載する場合に比べてスループットを5倍に向上させることができる。
5) ツィーザとサセプタ電極とのウエハの受け渡しに際して、ツィーザの3本の支持バーがサセプタ電極の三つの逃げ溝に接触するのを防止することができるので、パーティクルが発生するのを防止することができ、その結果、歩留りを向上させることができる。
6) 逃げ溝の底面を形成する底壁によってサセプタ電極の下面の平面を確保することにより、サセプタ電極下面の全体にわたって均一なプラズマを生成することができるので、ウエハ面内の成膜状況やウエハ相互間の成膜状況の均一性を向上することができる。
7) 3本の支持バーの受け部によってウエハの外周縁辺部の下面における3点を受けるとともに、水平面内での移動を規制するようにツィーザを構成することにより、ウエハとの接触面積を最小限としてウエハに対する接触による汚染を可及的に抑制することができるとともに、搬送中のガタツキの発生を防止することができるので、歩留りをより一層向上させることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、ウエハ移載装置は5枚のウエハを5段のサセプタ電極に一度に移載することができるように構成するに限らず、2枚以上のウエハを一度に移載することができるように構成してもよい。
サセプタ電極に電力を供給するフィーダは、ボートの保持柱に兼用させるように構成するに限らず、保持柱から独立させて形成してもよい。
本発明に係るバッチ式プラズマ処理装置は、プラズマCVDやドライエッチング等のプラズマ処理全般に使用することができる。
また、被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
1…ウエハ(基板)、2…ポッド、10…バッチ式プラズマ処理装置(基板処理装置)、11…筐体、12…正面メンテナンス口、13…正面メンテナンス扉、14…ポッド搬入搬出口、15…フロントシャッタ、16…ポッドステージ、17…回転式ポッド、18…ポッド搬送装置、18a…ポッドエレベータ、18b…ポッド搬送機構、19…ポッドオープナ、19a…載置台、19b…キャップ着脱機構、20…サブ筐体、21…ウエハ搬入搬出口、22…移載室、23…ウエハ移載機構、23a…ウエハ移載装置、23b…ウエハ移載装置エレベータ、24…ツィーザホルダ、25…ツィーザ、26、27、28…支持バー、26a、27a、28a…受け部、26b、27b、28b…逃げ凹部、29…クリーンユニット、30…処理炉、31…プロセスチューブ、32…処理室、33…マニホールド、34…炉口、35…炉口シャッタ、36…排気管、37…ガス供給管、38…吹出口、39…ヒータ、40…ボートエレベータ、41…アーム、42…シールキャップ、43…ボート(搬送治具)、44、45…端板、46…電極支柱、48…処理ガス、50…サセプタ電極、51…接続部、52、53、54…逃げ溝、52a…底面、52b…底壁、60…プラズマ、61…交流電源、62…整合器、70…突き上げピン、71…挿通孔、72…異物、73…パーティクル。
Claims (1)
- 被処理基板を載置するサセプタ電極を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、前記各段のサセプタ電極に電力をフィーダによってそれぞれ供給してプラズマを生成し、前記各段のサセプタ電極に載置した前記被処理基板をプラズマ処理する基板処理装置であって、
前記各段のサセプタ電極には前記被処理基板を搬送するツィーザを挿入可能な逃げ溝がそれぞれ没設されていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140105A JP2008294329A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007140105A JP2008294329A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
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JP2008294329A true JP2008294329A (ja) | 2008-12-04 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007140105A Pending JP2008294329A (ja) | 2007-05-28 | 2007-05-28 | 基板処理装置 |
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JP (1) | JP2008294329A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010139138A1 (zh) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基片和掩膜的夹持装置及使用该夹持装置的夹持方法 |
JP2014214380A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッド | 大面積基板用水平型原子層蒸着装置 |
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2007
- 2007-05-28 JP JP2007140105A patent/JP2008294329A/ja active Pending
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