JP2008290895A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】坩堝7内で炭化珪素原料8を加熱昇華させ、昇華した原料ガスを炭化珪素単結晶からなる種結晶6上に供給して再結晶化させ、炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶6は、<0001>方向に成長させた炭化珪素単結晶インゴットの一部であって、ウエハとして加工することのできない{0001}面ファセット2を含む部分を有し、単結晶を成長させる側の種結晶表面5には機械加工を加えない。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の炭化珪素単結晶の製造装置を示したものである。図1に示す製造装置は、坩堝7、坩堝蓋4、坩堝蓋4から下方へと突出した円柱形状の種結晶支持部1で構成されており、坩堝7内部の下側には炭化珪素原料8を収納し、種結晶6は接着剤等を用いて種結晶支持部1に接続されている。この装置を、不活性ガス雰囲気、雰囲気圧力5〜100Torr、坩堝下部温度を約2200〜2400℃、坩堝上部温度を約2000〜2300℃に加熱し、炭化珪素原料8を昇華させ、種結晶表面5上で再結晶化させることで、炭化珪素単結晶のインゴットを製造することができる。
また、種結晶支持部1に貼り付けられる側の面である種結晶の接続面3に対しては切断や研磨などの機械加工を加えるが、単結晶成長が開始される種結晶表面5には一切の機械加工が加えられていないため、加工歪み及びダメージ由来の欠陥は発生しえない。種結晶表面5の形状はすでに成長表面と同一形状となっている、すなわち、等過飽和度曲線と一致した形状であるため、局所的に昇華エッチングが優勢となる部分は存在せず、種結晶表面5の面内で均一に単結晶成長が開始されることとなり、成長初期に生じやすい、異種ポリタイプの混入やマイクロパイプや転位などの欠陥発生を抑制することができる。
炭化珪素単結晶の製造において、投入した炭化珪素原料は成長過程で組成変化するため、充填密度は低下するものの、消費済みの炭化珪素原料が坩堝内の空間を占める体積は、消費される前の炭化珪素原料とあまりかわらない。従って、炭化珪素単結晶の成長に応じ、炭化珪素原料と{0001}面ファセットとの距離である(L−H)は徐々に小さくなる。
2 {0001}面ファセット
3 種結晶の接続面
4 坩堝蓋
5 種結晶表面
6 種結晶
7 坩堝
8 原料粉末
9 炭化珪素単結晶インゴット
10 成長途中に{0001}面ファセットを形成していた部分
11 断熱材
12 高周波炉
Claims (7)
- 坩堝内に炭化珪素原料を配置し、前記原料と対向する位置に設けた種結晶支持部に炭化珪素単結晶からなる種結晶を接続した後、前記坩堝を加熱して前記原料を昇華させ前記種結晶表面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記種結晶は、<0001>方向に結晶成長させた際に生じる{0001}面ファセットを含むものとする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記{0001}面ファセットを含んだ種結晶において、前記原料と対向する面を{0001}面ファセットを含む側の表面として前記種結晶支持部に接続し、前記種結晶の成長方向の断面形状は、前記原料に対して凸である請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記種結晶の前記種結晶支持部の接続面から前記原料に対向する面までの距離のうち、前記種結晶の接続面から前記{0001}面ファセットまでの距離が最大である請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記{0001}面ファセットの中心と前記坩堝の中心軸が略一致する請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記{0001}面ファセットの直径をAとし、前記種結晶の前記種結晶支持部に接続する面の直径をDとし、前記種結晶の接続面から前記{0001}面ファセットまでの距離をdとするとき、
下記の式を満足する請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
0≦A/D<0.45かつ0<d/D<0.25 - 前記坩堝内の前記種結晶上での炭化珪素単結晶が成長終了した時、
前記原料と前記種結晶の接続面との距離をLとし、
前記種結晶の接続面と前記{0001}面ファセットとの距離をHとしたとき、
下記の式を満足する請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
(L−H)>10mm - 請求項5または請求項6に記載の炭化珪素単結晶の製造方法にて製造された炭化珪素単結晶から、前記{0001}面ファセットを含む部分を切断した小片を作製し、
前記小片を炭化珪素単結晶の製造における種結晶として用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007136245A JP4830973B2 (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2008290895A true JP2008290895A (ja) | 2008-12-04 |
JP4830973B2 JP4830973B2 (ja) | 2011-12-07 |
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ID=40166024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007136245A Expired - Fee Related JP4830973B2 (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP4830973B2 (ja) |
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