JP2008287219A - レーザシステム用の設計作製フッ化物被覆素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基体20;各々が、高屈折率フッ化物材料の少なくとも1つの層40および低屈折率フッ化物材料30の少なくとも1つ層を含む、1つ以上の周期のフッ化物コーティング材料;および非晶質シリカ、非晶質FドープトSiO2、非晶質Al2O3ドープトSiO2、および非晶質NドープトSiO2からなる群より選択される少なくとも1つの層の非晶質SiO2材料50を含む素子。高屈折率フッ化物材料は1.65から1.75の範囲の屈折率を有し、低屈折率フッ化物材料は1.35から1.45の範囲の屈折率を有する。
【選択図】図9
Description
(1) 193nmでは97%を超える反射率を得ることが難しい、
(2) その反射率は環境に敏感である、
(3) フッ化物膜の多孔質構造は汚染を含み、193nmでの吸収をもたらす、
(4) レーザ耐久性が低い。
本発明はこれらの問題を、ミラーブランク(基体)を被覆するために用いられる、高屈折率材料および低屈折率材料の周期またはその積層体の間に非晶質シリカ(SiO2)層を挿入することにより克服する。一般に、本発明は、フッ化物積層体中に周期的に挿入されたPIAD平滑化SiO2層の使用、および最上層、表層または最終層としてのSiO2の使用に関する。本発明は、より詳しくは、
(1) 不均一なフッ化物膜構造体の成長をなくすための非晶質SiO2層の挿入、
(2) 非晶質SiO2層の表面を平滑にするためのPIADの使用、
(3) 平滑化されたSiO2表面上のフッ化物膜の連続的成長、および
(4) 約10-5だけフッ化物曝露表面積を減少させ、それゆえ、設計作製フッ化物ミラーを封止するための、表層としての緻密な平滑化SiO2の使用、
に関する。
標準的なフッ化物ミラーは、多層のフッ化物材料、特に、高屈折率材料および低屈折率材料の交互の層を含む。フッ化物膜成長機構を、例としてGdF3単層を用いて調査した。その結果は、その層が不均一構造であり、粗い表面であることを示している。図1は、CaF2(111)上に成長したGdF3膜の屈折率(193nmでの)深さプロファイルを示している。屈折率は膜の充填密度に比例している。一般に、GdF3膜について、高屈折率は緻密な膜に由来し、一方で、低屈折率は多孔質の膜構造に対応する。図1から分かるように、GdF3膜の形成の始めに、緻密な薄層が基体上に形成されて、1.738の屈折率が生じる。膜厚が増加するにつれ、円柱状の多結晶質微小構造の成長機構により、結晶粒の間に間隙が生じるであろう。その結果、層厚が蓄積するにつれて、膜密度が減少する。膜の成長の終わりに、屈折率はさらに1.62まで低下し、これは、15.8%の平均気孔率に相当する。1.35の屈折率は、図1における3.5nmの表面粗さの層を表す。高屈折率フッ化物材料は1.65から1.75の範囲の屈折率nを有し、低屈折率フッ化物材料は1.35から1.45の範囲の屈折率を有する。
我々の実験結果に基づいて、標準的なフッ化物ミラーの表面粗さRmは、式(1)により表すことができる:
1. 速い増加領域(6周期まで)、
2. 遅い増領域(16周期を超えて)、および
3. 速い増加から遅い増加への移行領域。
本発明によれば、非晶質であるが緻密で滑らかなSiO2膜が、エネルギーを用いた蒸着によりフッ化物積層体中に挿入される。緻密で滑らかなSiO2膜は、PIAD、IADおよびIBSにより蒸着できる。ここで、PIAD蒸着SiO2が例として用いられる。図8Aは、SiO2基体上のPIAD平滑化SiO2膜のAFM画像である。被覆していない基体の表面粗さは0.35nmである。200nmのSiO2膜を蒸着した後、その表面粗さは0.29nmまで減少した。その結果は、平滑化されたSiO2膜は、被覆されていない基体の粗さを減少させることを示している。図8Bは、被覆された基体の表面の平滑性を改善、すなわち、減少させるためにどのようにSiO2膜を使用できるかを示している。本発明によれば、フッ化物膜をプラズマイオン直接衝撃から保護し、フッ化物膜の蓄積した粗い構造を伸ばすために、少なくとも1つのPIAD蒸着SiO2層が標準的なフッ化物ミラー中に挿入された。フッ化物積層体は、平滑化されたSiO2膜層上に連続して蒸着できる。好ましい実施の形態において、最終層はSiO2膜層である。図8Bにおいて、表面粗さは、SiO2膜を施した後に、0.29nmである。SiO2膜を施す前は、表面粗さは0.35nmであった。
表面と界面が設計作製されたフッ化物ミラーは、式(3)により表すことができる:
本発明は、別の実施の形態において、フッ化物強化積層体が、式(4):
本発明は、別の実施の形態において、フッ化物強化積層体が、式(6):
・ Hは、任意の高屈折率フッ化物材料、例えば、GdF3、LaF3、および当該技術分野において公知の他の高屈折率金属フッ化物材料であって差し支えない。
・ Lは、任意の低屈折率フッ化物材料、例えば、AlF3、MgF2、CaF2および当該技術分野において公知の他の低屈折率金属フッ化物材料であって差し支えない。
・ SiO2系層は、SiO2または改質SiO2、例えば、FドープトSiO2、NドープトSiO2、およびAl2O3ドープトSiO2であってよい。
・ 本発明を実施するのに使用できるエネルギーを用いた平滑化技法は、PIAD(プラズマイオン支援蒸着)、IAD(イオン支援蒸着)、IBS(イオンビームスパッタリング)、および酸化物材料の蒸着に有用である当該技術分野において公知の同様のエネルギーを用いた技法であってよい。
・ 式(3)〜(7)におけるHおよびLの層の順序を変えても差し支えない。例えば、式(3)における順序を、
・ 式(4)〜(7)も同様に変えてもよい。
式(3)〜(7)において光学的厚さを変更することにより、本発明を、他の深紫外線レーザ波長、例えば、157nm、198.5nmなどの200nm未満の波長で動作する200nm未満のレーザシステムに適用することができる。
30 高屈折率層
40 低屈折率層
50 半波長SiO2層
Claims (10)
- 200nm未満のレーザシステムに使用するための素子であって、
基体、
各々が、少なくとも一層の高屈折率フッ化物材料および少なくとも一層の低屈折率フッ化物材料を含む、1つまたは複数の周期のフッ化物コーティング材料、および
前記フッ化物コーティング材料の周期の少なくとも1つの最上面に施された、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択される非晶質SiO2系材料の少なくとも1つの層、
を備え、
前記高屈折率フッ化物材料が1.65から1.75の範囲の屈折率を有し、前記低屈折率フッ化物材料が1.35から1.45の範囲の屈折率を有し、
前記フッ化物コーティング材料の各周期の厚さが50nmから90nmの範囲にあり、該コーティング材料の各周期内にある前記高屈折率フッ化物材料の層の厚さが20nmから40nmの範囲にあり、前記コーティング材料の各周期内にある前記低屈折率フッ化物材料の層の厚さが30nmから50nmの範囲にあり、
必要に応じて、前記基体と前記フッ化物コーティング材料の最初の周期との間に非晶質SiO2材料のコーティングを備え、この必要に応じての非晶質SiO2材料が、該基体に施されたときに、前記非晶質SiO2系材料の少なくとも1つの層に加えられていることを特徴とする素子。 - 前記フッ化物コーティング材料の周期の数が1より多く、前記非晶質SiO2系材料の少なくとも1つの層が、1より多い周期の数の少なくとも2つの周期の間に挿入されており、
前記素子に施された最後のコーティング材料が、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択されるSiO2材料の層であることを特徴とする請求項1記載の素子。 - 前記基体と前記フッ化物コーティング材料の最初の周期との間に施された前記必要に応じてのSiO2材料のコーティングの厚さが5nmから75nmの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の素子。
- 前記高屈折率フッ化物材料と前記低屈折率フッ化物材料の周期の間に挿入された前記SiO2系材料の層の厚さが5nmから75nmの範囲にあることを特徴とする請求項2記載の素子。
- 前記素子に施された最後のコーティング材料が、10nmから150nmの範囲の厚さを持つSiO2材料の層であり、該材料が、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択されることを特徴とする請求項2記載の素子。
- 前記素子が、反射ミラー、ビームスプリッタ、プリズム、レンズ、および出力カプラからなる群より選択されることを特徴とする請求項1記載の素子。
- 前記高屈折率フッ化物材料がGdF3およびLaF3からなる群より選択され、
前記低屈折率フッ化物材料がMgF2、CaF2およびAlF3からなる群より選択されることを特徴とする請求項1記載の素子。 - 200nm未満のレーザシステムに使用するための反射ミラー素子であって、
基体、
各々が、少なくとも一層の高屈折率フッ化物材料および少なくとも一層の低屈折率フッ化物材料を含む、複数の周期のフッ化物コーティング材料、および
前記フッ化物コーティング材料の周期の間または前記複数の周期の積層体の間に挿入された、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択される非晶質SiO2系材料の複数の層、
を備え、
必要に応じて、前記基体と前記高屈折率フッ化物材料および前記低屈折率フッ化物材料の最初の周期との間に非晶質SiO2材料のコーティングを備え、
前記基体と前記フッ化物コーティング材料の最初の周期との間のSiO2系材料の層の厚さおよび前記複数の周期の間の厚さが5nmから75nmの範囲にあり、
前記ミラー素子の最後のコーティング材料が、非晶質SiO2材料の層であり、該層が10nmから150nmの範囲の厚さを有することを特徴とする反射ミラー素子。 - 200nm未満のレーザシステムに使用するのに適したフッ化物被覆素子を製造する方法であって、
基体を提供し、
エネルギーを用いた蒸着技法を用いて、前記基体を1つまたは複数の周期のフッ化物コーティング材料で被覆し、
さらに、エネルギーを用いた蒸着技法を用いて、非晶質SiO2材料で被覆し、それによって、200nm未満のレーザシステムに使用するのに適したフッ化物被覆素子を形成する、
各工程を有してなり、
前記基体を1つまたは複数の周期のフッ化物コーティング材料で被覆する工程が、各周期が、一層の高屈折率フッ化物材料および一層の低屈折率フッ化物材料を含むような被覆を意味し、
必要に応じて、前記フッ化物コーティング材料の最初の周期を施す前に、前記基体を一層の非晶質SiO2材料で被覆する工程をさらに含み、該非晶質SiO2材料が、シリカ、FドープトSiO2、NドープトSiO2およびAl2O3ドープトSiO2からなる群より選択されることを特徴とする方法。 - 複数のフッ化物コーティング材料による被覆が完了した後に、前記素子を非晶質シリカの最終層で被覆する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9記載の方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010196168A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Corning Inc | 193nmでの広角高反射ミラー |
JP2013529318A (ja) * | 2010-05-27 | 2013-07-18 | カール ツァイス レーザー オプティクス ゲーエムベーハー | 誘電体コーティングされたミラー |
JP2016541023A (ja) * | 2013-12-05 | 2016-12-28 | イェノプティック オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 偏光系 |
JP2017508180A (ja) * | 2014-02-27 | 2017-03-23 | コーニング インコーポレイテッド | 金属フッ化物光学素子の酸化皮膜のための耐久性コーティング |
JP2017510835A (ja) * | 2014-01-31 | 2017-04-13 | コーニング インコーポレイテッド | Uvおよびduv拡張コールドミラー |
JP2018523161A (ja) * | 2015-06-30 | 2018-08-16 | ジャイスワル、スプリヤ | 遠紫外線および軟x線光学部品用コーティング |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090244507A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Nikon Corporation | Optical member, light routing unit, and exposure apparatus |
DE102008042439A1 (de) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochreflektierender dielektrischer Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung, sowie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
DE102009017095A1 (de) * | 2009-04-15 | 2010-10-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
US8369674B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-02-05 | General Electric Company | Optimizing total internal reflection multilayer optics through material selection |
US8335045B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-12-18 | Corning Incorporated | Extending the stability of UV curable adhesives in 193NM laser systems |
US20120307353A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Horst Schreiber | DURABLE MgO-MgF2 COMPOSITE FILM FOR INFRARED ANTI-REFLECTION COATINGS |
US9482790B2 (en) | 2012-05-31 | 2016-11-01 | Corning Incorporated | Silica-modified-fluoride broad angle anti-reflection coatings |
DE102012018483B4 (de) * | 2012-09-19 | 2018-02-01 | Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg | Nichtpolarisierender Strahlteiler |
US9581742B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-02-28 | Corning Incorporated | Monolithic, linear glass polarizer and attenuator |
WO2015070254A1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | General Plasma, Inc. | Multiple layer anti-reflective coating |
CN104020517A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-03 | 利达光电股份有限公司 | 一种超硬消反光防水防油薄膜 |
DE102015218763A1 (de) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
WO2018013757A2 (en) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Corning Incorporated | Methods of reducing surface roughness of reflectance coatings for duv mirrors |
KR102530873B1 (ko) * | 2019-02-25 | 2023-05-09 | 사이머 엘엘씨 | 심자외 광원용 광학 요소 |
CN110441844A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-11-12 | 东莞理工学院 | 一种10 kW半导体激光器用高反膜及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001194526A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nidek Co Ltd | 多層膜反射ミラー |
JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
JP2004260080A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2004309766A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Canon Inc | 光学素子、及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693933A (en) * | 1983-06-06 | 1987-09-15 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | X-ray dispersive and reflective structures and method of making the structures |
US5850309A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Mirror for high-intensity ultraviolet light beam |
JP3799696B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2006-07-19 | 株式会社ニコン | エキシマレーザー用ミラー |
US6295164B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-09-25 | Nikon Corporation | Multi-layered mirror |
DE10080898T1 (de) * | 1999-03-29 | 2001-06-28 | Nikon Corp | Mehrschicht-Antireflexionsfilm, optisches Element und Reduktionsprojektionsbelichtungsapparat |
JP2001011602A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-16 | Nikon Corp | フッ化物薄膜及びその製造方法及び光学薄膜及び光学素子 |
US7261957B2 (en) * | 2000-03-31 | 2007-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Multilayer system with protecting layer system and production method |
EP1411375A4 (en) * | 2001-07-18 | 2007-03-21 | Nikon Corp | OPTICAL ELEMENT COMPRISING A LANTHANE FLUORIDE FILM |
JP2004085975A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 酸化物多層膜光学素子およびその製造方法 |
DE10309084A1 (de) * | 2003-03-03 | 2004-09-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät |
US8149381B2 (en) * | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7193228B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
JP2005345826A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光学素子、光学装置、成膜方法、成膜装置及びデバイス製造方法 |
US20060262389A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Christoph Zaczek | Reflective optical element for ultraviolet radiation, projection optical system and projection exposure system therewith, and method for forming the same |
US7242843B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-07-10 | Corning Incorporated | Extended lifetime excimer laser optics |
-
2008
- 2008-02-25 EP EP08003333A patent/EP1965229A3/en not_active Ceased
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-
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- 2011-05-04 US US13/100,481 patent/US20110206859A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-08-14 JP JP2015160114A patent/JP2015194789A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001194526A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nidek Co Ltd | 多層膜反射ミラー |
JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
JP2004260080A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー及びそれを用いた投影露光装置 |
JP2004309766A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Canon Inc | 光学素子、及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010196168A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Corning Inc | 193nmでの広角高反射ミラー |
JP2013529318A (ja) * | 2010-05-27 | 2013-07-18 | カール ツァイス レーザー オプティクス ゲーエムベーハー | 誘電体コーティングされたミラー |
JP2016541023A (ja) * | 2013-12-05 | 2016-12-28 | イェノプティック オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 偏光系 |
JP2017510835A (ja) * | 2014-01-31 | 2017-04-13 | コーニング インコーポレイテッド | Uvおよびduv拡張コールドミラー |
JP2017508180A (ja) * | 2014-02-27 | 2017-03-23 | コーニング インコーポレイテッド | 金属フッ化物光学素子の酸化皮膜のための耐久性コーティング |
JP2018523161A (ja) * | 2015-06-30 | 2018-08-16 | ジャイスワル、スプリヤ | 遠紫外線および軟x線光学部品用コーティング |
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