JP2008270232A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008270232A JP2008270232A JP2005199762A JP2005199762A JP2008270232A JP 2008270232 A JP2008270232 A JP 2008270232A JP 2005199762 A JP2005199762 A JP 2005199762A JP 2005199762 A JP2005199762 A JP 2005199762A JP 2008270232 A JP2008270232 A JP 2008270232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interlayer insulating
- seal ring
- insulating film
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】 シールリングの領域を増やさずに層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる半導体装置を得る。
【解決手段】 低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜と、低誘電率膜を含まない第2の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜中に形成された2本以上の第1のシールリングと、第2の層間絶縁膜中に形成された1本の第2のシールリングとを備える。また、第1のシールリングは、第2のシールリングより幅が狭い。そして、2本以上の第1のシールリングが形成された領域は、第2のシールリングが形成された領域内に収まる。
【選択図】 図1
【解決手段】 低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜と、低誘電率膜を含まない第2の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜中に形成された2本以上の第1のシールリングと、第2の層間絶縁膜中に形成された1本の第2のシールリングとを備える。また、第1のシールリングは、第2のシールリングより幅が狭い。そして、2本以上の第1のシールリングが形成された領域は、第2のシールリングが形成された領域内に収まる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、内部素子領域への水分の侵入を防ぐためにシールリングを用いた半導体装置に関し、特にシールリングの領域を増やさずに層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる半導体装置に関するものである。
近年半導体装置の速度を遅延する要因として、配線による遅延が問題となってきている。その対策として層間絶縁膜の材料としてlow-k材料を導入して、低誘電率化が進められている。90nmノードにおいてはk〜3程度の材料が使われている。65nmノードではさらに低誘電率化が進み誘電率が2.7以下のUltra low-k膜(以下、ULK膜と呼ぶ。)が用いられるようになってきた。
しかし、low-k膜又はULK膜といった低誘電率膜は、これまで層間絶縁膜として用いられていたTEOS酸化膜やFSG膜に比べ機械強度が低い。そして、65nmノードにおいて用いられるULKはさらに機械強度が低い。このため、低誘電率膜を用いた場合、ダイシング・パッケージングなどのアセンブリ工程でチップの剥離が発生しやすいことが分かった。90nmノードでは各社プロセスの改善などにより対策を行ってきたが、ULKを用いる65nmノード以降はパターンレイアウトによる対策も必要となってきている。
また、内部素子領域への水分の侵入を防ぐため、シールリングが用いられる(例えば、特許文献1参照)。シールリングは、チップの外周ににおいてビア及び配線の溝にメタルを埋め込むことで、内部素子領域を覆うように形成される。
従来は、シールリングを1本とした場合、低誘電率膜を含む層間絶縁膜の密着性を十分に確保できず、層間絶縁膜の剥離が発生するという問題があった。剥離が発生すると、シールリングに切断部が生じ、内部素子領域へ水分が進入してしまう。
一方、シールリングを2本以上とした場合、低誘電率膜を含まない層間絶縁膜では配線ピッチが大きいためシールリングも太くなり、シールリング領域が増えてしまうという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、シールリングの領域を増やさずに層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる半導体装置を得るものである。
本発明に係る半導体装置は、低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜と、低誘電率膜を含まない第2の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜中に形成された2本以上の第1のシールリングと、第2の層間絶縁膜中に形成された1本の第2のシールリングとを備える。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明により、シールリングの領域を増やさずに層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる。
実施の形態1.
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体装置について図面を用いて説明する。ここでは、65nmノードのデバイスを例に説明する。
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体装置について図面を用いて説明する。ここでは、65nmノードのデバイスを例に説明する。
図1は、本発明の実施の形態1に係るシールリングを示す断面図である。基板1上に、下から順に、基板コンタクト層の層間絶縁膜2、第1の配線層のライナー膜3、第1の配線層の層間絶縁膜4、第2の配線層のライナー膜5、第2の配線層の層間絶縁膜6、第3の配線層のライナー膜7、第3の配線層の層間絶縁膜8、第4の配線層のライナー膜9、第4の配線層の層間絶縁膜10、第5の配線層のライナー膜11、第5の配線層の層間絶縁膜12、第6の配線層のライナー膜13、第6の配線層の層間絶縁膜14、パッド−配線コンタクト層のライナー膜15、パッド−配線コンタクト層の層間絶縁膜16が形成されている。また、表面には、SiNからなるパッシベーション膜17が形成されている。
ここで、層間絶縁膜4,6,8,10は、low-k膜又はULK膜といった低誘電率膜からなる第1の層間絶縁膜である。一方、層間絶縁膜12,14,16は、TEOS酸化膜又はFSG膜(弗素混入の酸化膜)からなる第2の層間絶縁膜である。なお、ライナー膜3,5,7,9,11,13,15は、SiN又はSiCからなり、エッチングストップや拡散防止などのために設けられる。
そして、基板コンタクト層にはWからなるシールリング18が形成され、第1〜6の配線層にはCuからなるシールリング19〜24が形成され、パッド−配線コンタクト層にはW等からなるシールリング25及びAlパッドで形成されたシールリング26が形成されている。
ここで、第1の層間絶縁膜である層間絶縁膜4,6,8,10中に形成されたシールリング19〜22は第1のシールリングであり、本実施の形態では2本並んで形成されている。一方、第2の層間絶縁膜である層間絶縁膜12,14,16中に形成されたシールリング23〜26は第2のシールリングであり、1本だけ形成されている。
図2は、図1のA−A´の高さにおける本発明の実施の形態1に係る半導体装置の上面図である。図示のように、内部素子領域27とスクライブ領域28の間に、内部素子領域27を囲うように2本のシールリング20が設けられている。また、図3は、図1のB−B´の高さにおける本発明の実施の形態1に係る半導体装置の上面図である。図示のように、内部素子領域27とスクライブ領域28の間に、内部素子領域27を囲うように1本のシールリング24が設けられている。
ここで、層間絶縁膜同士の密着性よりも配線層同士の密着性が高いため、配線層の面積が大きいほど密着性が高く、剥離に対する耐性が大きくなる。従って、第1のシールリング19〜22を2本にすることで、特に密着性が低い低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜4,6,8,10の密着性を向上することができる。また、クラックが発生した場合、外側のシールリングは断線して防水の役目を果たせなくなるが、クラックが外側のシールリングで止まるため、内側のシールリングは防水の役目を果たすことができる。
一方、第2の層間絶縁膜12,14,16で用いられるTEOS酸化膜又はFSG膜は強度が強く、密着性が高いため、第2のシールリング23〜26が1本でも、第2の層間絶縁膜12,14,16の剥離は発生しない。
また、第1〜4の配線層はファインレイヤーであり、ビアの幅は100nm、配線の幅は300nm、このビア及び配線の膜厚は300〜400nmである。そして、第5の配線層はセミグローバルレイヤーであり、ビアの幅は200nm、配線の幅は400nmである。また、第6の配線層はグローバルレイヤーであり、ビアの幅は400nm、配線の幅は800mである。そして、Alパッドの幅は1000nmである。なお、この例に限らず、上層配線としてグローバルレイヤーのみを用いてもよく、グローバル配線の幅をファイン配線の幅の3〜10倍にするなど様々なバリエーションがある。
各配線層のシールリングの幅はビア又は配線の幅によって決まるため、ファインレイヤーに形成された第1のシールリング19〜22は、セミグローバルレイヤー又はグローバルレイヤーに形成された第2のシールリング23〜26より幅が狭い。このため、幅の広い第2のシールリング23〜26を2本以上にすると、シールリング領域が大きくなり、デバイスの微細化の観点にそぐわなくなる。そこで、第2のシールリング23〜26は1本にする。また、第1のシールリングは幅が狭いため、2本の第1のシールリングが形成された領域は、幅が500nmであり、第2のシールリングが形成された領域内に収まる。これにより、第1のシールリングを2本としてもシールリングの領域を増やすことはない。
実施の形態2.
図4は、本発明の実施の形態2に係るシールリングを示す断面図である。図示のように、低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜4,6,8,10中に形成された第1のシールリング19〜22を3本にしている。これにより、実施の形態1よりも更に層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる。
図4は、本発明の実施の形態2に係るシールリングを示す断面図である。図示のように、低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜4,6,8,10中に形成された第1のシールリング19〜22を3本にしている。これにより、実施の形態1よりも更に層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる。
また、第1のシールリング同士の間隔は100nmとしている。従って、3本の第1のシールリングが形成された領域は、幅が800nmであり、第2のシールリングが形成された領域内に収まる。これにより、第1のシールリングを3本としてもシールリングの領域を増やすことはない。
実施の形態3.
図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す上面図である。図6は、図5の点線で囲った領域の拡大図である。
図5は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す上面図である。図6は、図5の点線で囲った領域の拡大図である。
実施の形態3では、低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜4,6,8,10中に、第1のシールリング19〜22を1本だけ形成し、第1のシールリング19〜22に平行して、数μm毎に分離されたダミーパターン29を形成する。その他の構成は実施の形態1と同様である。このようにダミーパターン29を形成したことで、実施の形態1と同様に、低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる。
図7は、図6のパターンを形成するためのフォトレジストを示す上面図であり、図8はその断面図である。フォトレジスト31は、シールリング及びダミーパターンを形成する部分に開口32を有する。そして、このフォトレジスト31をマスクとして、第1の層間絶縁膜4,6,8,10エッチングして溝33を形成する。この溝33にCuを埋め込むことにより、第1のシールリング19〜22を形成する。即ち、シールリング及ぴダミーパターンはデュアルダマシンプロセスにより形成する。
デュアルダマシンプロセスを用いる場合、シールリングとダミーパターンの間の分離が長くなると、この部分のレジストが長くなり、倒れてしまうという問題がある。これを解消するためにシールリングとダミーパターンの間隔を広げて配置すると、シールリング領域が大きくなり、微細化の観点から好ましくない。
そこで、本実施の形態では、ダミーパターンを数μm毎に分離する。これにより、レジストの倒れを防止する部分34が形成され、シールリングとダミーパターンの間隔を狭めることができる。
なお、ダミーパターンを図9に示すように短くするよりも、図6に示すように数μmにした方が、配線の占有率が高くなるため層間絶縁膜の密着性は向上する。ただし、ダミーパターンをシールリングの垂直方向に大きくすると、シールリング領域が大きくなり、微細化の観点から好ましくない。
また、第1のシールリングが1本の場合について説明したが、本発明はこれに限られない。即ち、実施の形態1及び2のように第1のシールリングが2本以上で、かつダミーパターンも配置すれば更なる効果が期待できる。
実施の形態4.
実施の形態3で説明したようにダミーパターンを形成することで第1の層間絶縁膜の密着性を向上することができる。しかし、ダミーパターンに分離を形成するため、クラックがこの分離した部分を通過する可能性がある。そこで、実施の形態4では、図10に示すようにダミーパターンを2列配置し、かつ分離の場所をずらして配置する。これにより、クラックが外側のダミーパターンの分離から進入しても、内側のダミーパターンで止まるため、クラックはシールリングには衝突しない。よって、シールリングの断線を防ぐことができる。
実施の形態3で説明したようにダミーパターンを形成することで第1の層間絶縁膜の密着性を向上することができる。しかし、ダミーパターンに分離を形成するため、クラックがこの分離した部分を通過する可能性がある。そこで、実施の形態4では、図10に示すようにダミーパターンを2列配置し、かつ分離の場所をずらして配置する。これにより、クラックが外側のダミーパターンの分離から進入しても、内側のダミーパターンで止まるため、クラックはシールリングには衝突しない。よって、シールリングの断線を防ぐことができる。
19-22 第1のシールリング
23-26 第2のシールリング
4,6,8,10 第1の層間絶縁膜
12,14,16 第2の層間絶縁膜
29 ダミーパターン
23-26 第2のシールリング
4,6,8,10 第1の層間絶縁膜
12,14,16 第2の層間絶縁膜
29 ダミーパターン
Claims (5)
- 低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜と、
低誘電率膜を含まない第2の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜中に形成された2本以上の第1のシールリングと、
前記第2の層間絶縁膜中に形成された1本の第2のシールリングとを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のシールリングは、前記第2のシールリングより幅が狭いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記2本以上の第1のシールリングが形成された領域は、前記第2のシールリングが形成された領域内に収まることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 低誘電率膜を含む第1の層間絶縁膜と、
低誘電率膜を含まない第2の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜中に形成された第1のシールリングと、
前記第1の層間絶縁膜中に前記第1のシールリングに平行して形成され数μm毎に分離されたダミーパターンと、
前記第2の層間絶縁膜中に形成された第2のシールリングとを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記ダミーパターンを2列配置し、かつ分離の場所をずらして配置することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005199762A JP2008270232A (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 半導体装置 |
PCT/JP2006/313327 WO2007007595A1 (ja) | 2005-07-08 | 2006-07-04 | 半導体装置 |
TW095124792A TW200741866A (en) | 2005-07-08 | 2006-07-07 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005199762A JP2008270232A (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270232A true JP2008270232A (ja) | 2008-11-06 |
Family
ID=37636991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005199762A Pending JP2008270232A (ja) | 2005-07-08 | 2005-07-08 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008270232A (ja) |
TW (1) | TW200741866A (ja) |
WO (1) | WO2007007595A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238877A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2016009645A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2016143195A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-04-27 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の小型化 |
WO2019193896A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
KR20200021273A (ko) * | 2018-08-20 | 2020-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩의 제조 방법 |
US10720396B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip and semiconductor package having the same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009081351A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5334459B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-11-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5468445B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN106898580B (zh) * | 2015-12-18 | 2019-05-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 芯片保护环、半导体芯片、半导体晶圆及封装方法 |
US20200075507A1 (en) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device and method for preparing the same |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100199368B1 (ko) * | 1996-06-21 | 1999-06-15 | 김영환 | 반도체 소자 제조용 콘택 마스크 |
JP3778445B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2006-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-07-08 JP JP2005199762A patent/JP2008270232A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-04 WO PCT/JP2006/313327 patent/WO2007007595A1/ja active Application Filing
- 2006-07-07 TW TW095124792A patent/TW200741866A/zh unknown
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238877A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2016009645A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2016029711A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-03-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2016143195A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-04-27 | オリンパス株式会社 | 撮像装置の小型化 |
US10720396B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip and semiconductor package having the same |
WO2019193896A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-10 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
JPWO2019193896A1 (ja) * | 2018-04-02 | 2021-04-01 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
US11488913B2 (en) | 2018-04-02 | 2022-11-01 | Socionext Inc. | Semiconductor device with guard ring |
JP7367669B2 (ja) | 2018-04-02 | 2023-10-24 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
KR20200021273A (ko) * | 2018-08-20 | 2020-02-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩의 제조 방법 |
KR102599050B1 (ko) | 2018-08-20 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩의 제조 방법 |
US11967529B2 (en) | 2018-08-20 | 2024-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200741866A (en) | 2007-11-01 |
WO2007007595A1 (ja) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008270232A (ja) | 半導体装置 | |
US9536821B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device having protective split at peripheral area of bonding pad and method of manufacturing same | |
US6753608B2 (en) | Semiconductor device with seal ring | |
US7241676B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP4401874B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8039963B2 (en) | Semiconductor device having seal ring structure | |
CN100385627C (zh) | 半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 | |
US7777304B2 (en) | Semiconductor device | |
CN101419948A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP2011134893A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005142262A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006332344A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009081351A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2009206241A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006005011A (ja) | 半導体装置 | |
US7314811B2 (en) | Method to make corner cross-grid structures in copper metallization | |
JP2008130880A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008244383A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008166414A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006318989A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010225763A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009076782A (ja) | 半導体基板、その製造方法、および半導体チップ | |
JP2007073808A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US20080211094A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP5504311B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |