JP2008270115A - 透明導電性ガスバリアフィルム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラスチックフィルム(1)の少なくとも一方の面に、プラズマソースとして希ガス、水素、窒素、アンモニアガスのうち少なくとも一種類のガスを用いたプラズマイオン注入法によって層厚が15nm以上150nm以下であるイオン注入層(2)が形成されており、前記イオン注入層の上にガスバリア層(3)、透明導電層(4)を順次形成してなることを特徴とする透明導電性ガスバリアフィルム。
【選択図】図1
Description
これらの情報機器の携帯性を向上するため、より一層の薄型化・軽量化、耐破損性が求められている。従来、LCD、タッチパネルの透明導電性基板として、重く、厚く、割れやすいガラス基板が用いられて来たが、これに代わる材料として、透明導電性樹脂基板が提案されている。しかし、透明導電性樹脂基板は、耐久性、耐溶剤性、ガスバリア性等の基本特性がガラス基板より劣っている。
よってできるだけ単一プロセスで各層を形成することができる膜構成が望まれている。しかし、ディスプレイ基板として使用に耐えうるガスバリア層を形成するには今のところ真空プロセス以外にない。有機層を真空プロセスで形成可能なものに置換することが望まれている。
請求項2に記載の発明は、前記イオン注入層は、プラズマソースとして希ガス、水素、窒素、アンモニアガスのうち少なくとも一種類のガスを用いて形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性ガスバリアフィルムである。
請求項3に記載の発明は、前記イオン注入層のC=C結合(Bc=c)とC−C結合(Bc−c)との比である、Bc=c/Bc−cが0.2以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性フィルムである。
このように本発明によれば、真空プロセスのみの単一プロセスによって製造可能であるとともに、耐溶剤性に優れた透明導電性フィルムを提供することができる。
図1は、本発明の透明導電性ガスバリアフィルムの一形態の断面図である。図1の形態の透明導電性ガスバリアフィルムは、プラスチックフィルム(1)上に、イオン注入層(2)が形成され、さらにガスバリア層(3)および透明導電層(4)が順次形成されている。このイオン注入層(2)はプラズマイオン注入法によって形成されており、その上に形成されているガスバリア層(3)は例えば、DC及びRFマグネトロンスパッタリング法もしくはCVD法によって形成されており、透明導電層(4)は例えば、DCスパッタリング方式により形成された膜である。
またイオン注入層(2)層の層厚は15nm以上150nm以下が好ましい。15nm未満では充分な耐溶剤性が得られない。また150nmを超えると、良好な透明性を得られない可能性が高い。
さらに好ましいイオン注入層(2)層の層厚は30nm以上70nm以下である。
さらに好ましいBc=c/Bc−cは0.2〜0.5である。
厚さ100μmのPETフィルム(東レ社製、T60)基材にアルゴンイオン注入層を設けた。その際、基材に印加した電圧は20kVでパルス幅は20μ秒であった。40秒間、アルゴンイオン注入を行ったところ、約30nmのイオン注入層を得た。このイオン注入層上に、NMPを数滴垂らし80℃5分間保持後、水洗し外観変化を見たところ、滴下前と変化は見られなかった。この際、イオン注入層のBc=c/Bc−cは0.5であった。その後、ガスバリア層としてDCマグネトロンスパッタ法によって20nmの物理的膜厚を有する酸化珪素薄膜を形成した。この積層体の酸素透過速度をMOCON社製OXTRANにて30℃、70%RHの条件下で測定したところ0.2cc/m2/dayであり、水蒸気透過速度を同じくMOCON社製PERMATRANにて40℃、90%RHの条件下で測定したところ0.2g/m2/dayであり、良好なガスバリア性能を有していた。その後、ガスバリア層上にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法によって150nm成膜した。この際、表面抵抗値は35Ω/□であった。以上の積層体を再び同様にNMP処理を行ったところ外観に変化は見られなかった。
厚さ188μmのポリカーボネートフィルム(帝人社製、パンライト)基材に、窒素イオン注入層を設けた。その際、基材に印加した電圧は5kVでパルス幅は20μ秒であった。40秒間、窒素イオン注入を行ったところ、約15nmのイオン注入層を得た。この積層体上に、NMPを数滴垂らし80℃5分間保持後、水洗し外観変化を見たところ、滴下前と変化は見られなかった。この際、イオン注入層のBc=c/Bc−cは0.2であった。その後、ガスバリア層としてDCマグネトロンスパッタ法によって20nmの物理的膜厚を有する酸化珪素薄膜を形成した。この積層体の酸素透過速度をMOCON社製OXTRANにて30℃、70%RHの条件下で測定したところ0.15cc/m2/dayであり、水蒸気透過速度を同じくMOCON社製PERMATRANにて40℃、90%RHの条件下で測定したところ0.12g/m2/dayであり、良好なガスバリア性能を有していた。その後、同様にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法によって150nm成膜した。この際、表面抵抗値は35Ω/□であった。以上の積層体を再び同様にNMP処理を行ったところ外観に変化は見られなかった。
厚さ188μmのポリカーボネート(帝人社製、パンライト)基材に、水素イオン注入層を設けた。その際、基材に印加した電圧は20kVでパルス幅は20μ秒であった。300秒間、水素イオン注入を行ったところ、約150nmのイオン注入層を得た。この積層体上に、NMPを数滴垂らし80℃5分間保持後、水洗し外観変化を見たところ、滴下前と変化は見られなかった。この際、イオン注入層のBc=c/Bc−cは0.35であった。その後、ガスバリア層としてDCマグネトロンスパッタ法によって20nmの物理的膜厚を有する酸化珪素薄膜を形成した。この積層体の酸素透過速度をMOCON社製OXTRANにて30℃、70%RHの条件下で測定したところ0.15cc/m2/dayであり、水蒸気透過速度を同じくMOCON社製PERMATRANにて40℃、90%RHの条件下で測定したところ0.12g/m2/dayであり、良好なガスバリア性能を有していた。その後、同様にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法によって150nm成膜した。この際、表面抵抗値は35Ω/□であった。以上の積層体を再び同様にNMP処理を行ったところ外観に変化は見られなかった。
厚さ188μmのポリカーボネート(帝人社製、パンライト)基材に、アルゴンイオン注入層を設けた。その際、基材に印加した電圧は1kVでパルス幅は20μ秒であった。40秒間、水素イオン注入を行ったところ、7.5nmのイオン注入層を得た。この積層体上に、NMPを数滴垂らし80℃5分間保持後、水洗し外観変化を見たところ、白濁が見られた。この際、イオン注入層のBc=c/Bc−cは0.1であった。その後、ガスバリア層としてDCマグネトロンスパッタ法によって20nmの物理的膜厚を有する酸化珪素薄膜を形成した。この積層体の酸素透過速度をMOCON社製OXTRANにて30℃、70%RHの条件下で測定したところ0.15cc/m2/dayであり、水蒸気透過速度を同じくMOCON社製PERMATRANにて40℃、90%RHの条件下で測定したところ0.12g/m2/dayであり、良好なガスバリア性能を有していた。その後、同様にITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法によって150nm成膜した。この際、表面抵抗値は35Ω/□であった。以上の積層体を再び同様にNMP処理を行ったところやはり白濁が見られた。
(2) イオン注入層
(3) ガスバリア層
(4) 透明導電層
Claims (3)
- プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、プラズマイオン注入法によって層厚が15nm以上150nm以下であるイオン注入層が形成されており、前記イオン注入層の上にガスバリア層、透明導電層を順次形成してなることを特徴とする透明導電性ガスバリアフィルム。
- 前記イオン注入層は、プラズマソースとして希ガス、水素、窒素、アンモニアガスのうち少なくとも一種類のガスを用いて形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性ガスバリアフィルム。
- 前記イオン注入層のC=C結合(Bc=c)とC−C結合(Bc−c)との比である、Bc=c/Bc−cが0.2以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性フィルム。
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