JP2008268632A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】反射層の表面の凹凸に起因した電界の乱れを防止し、良好な反射表示を行うことのできる液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置１００は、液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２０を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板２０の前記液晶層５０側に第１電極９と第２電極１９とが設けられ、前記第１電極９と前記第２電極１９との間に発生する電界によって前記液晶層５０が駆動されると共に、前記一対の基板のうちの他方の基板１０の前記液晶層５０側に反射層２９が設けられ、前記反射層２９の表面に凹凸が付与されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。

液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を作用させて液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する。）のものが知られており、前記電界を生じさせる電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。例えば、下記特許文献１には、誘電体膜を介した上下層に櫛歯状の電極を設けた横電界方式（ＦＦＳ方式）の半透過反射型液晶装置が開示されている。
特開２００５−３３８２５６号公報

半透過反射型の液晶装置では、良好な反射表示を得るために、反射層と基板との間に凹凸が形成された樹脂層を設け、かかる樹脂層により反射層に光散乱性を付与することが知られている。しかしながら、反射層の表面に凹凸を形成すると、反射層上に形成された電極に凹凸が形成され、液晶を駆動する電界の方向が乱される場合がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、反射層の表面の凹凸に起因した電界の乱れを防止し、良好な反射表示を行うことのできる液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶層側に第１電極と第２電極とが設けられ、前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界によって前記液晶層が駆動されると共に、前記一対の基板のうちの他方の基板の前記液晶層側に反射層が設けられ、前記反射層の表面に凹凸が付与されていることを特徴とする。この構成によれば、第１電極及び第２電極と反射層とが別々の基板に形成されているため、電極間に生ずる電界が反射層の表面の凹凸によって乱されることはない。そのため、良好な反射表示を実現することができる。

本発明においては、１つのサブ画素領域内に前記反射層が形成された反射表示領域と前記反射層が形成されない透過表示領域とが設けられ、前記反射層の前記液晶層側に位相差層が設けられ、前記反射表示領域と前記透過表示領域との前記液晶層の層厚が等しく、前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界の主方向が、前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界の主方向と異なり、前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に電界を発生させない初期配向状態の前記液晶層の配向方向が、前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に電界を発生させない初期配向状態の前記液晶層の配向方向と異なることが望ましい。この構成によれば、透過表示領域の電界の主方向と反射表示領域の電界の主方向とが異なるため、透過表示領域における電圧印加時の液晶の配向状態と反射表示領域における電圧印加時の液晶の配向状態とを異ならせることができる。この場合、液晶層が自身を透過する光に対して付与する位相差を、透過表示領域と反射表示領域とで異ならせることができるので、液晶層の層厚を変更することなく表示光の偏光状態の差異を解消することができる。したがって本発明によれば、マルチギャップ構造を用いることなく透過表示と反射表示の双方で良好な表示を得ることができる。

本発明においては、前記反射層と前記位相差層との間に平坦化樹脂層が設けられていることが望ましい。この構成によれば、反射層の表面の凹凸を平坦化できるので、層厚の均一な位相差層を形成することができる。

本発明においては、前記反射表示領域の前記液晶層の位相差が１／２波長であり、前記位相差層の位相差が１／４波長であることが望ましい。この構成によれば、液晶層と位相差層との積層体を広帯域の１／４位相差板として機能させることができる。また、位相差層の位相差が１／４波長であるため、位相差層の層厚を小さくすることができ、位相差層全体の光学特性が精密に制御可能となる。すなわち、位相差層の層厚が大きい場合、一回の塗布工程で形成しようとすると、位相差層の層厚が不均一になる場合がある。また、位相差層は、液晶材料を配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成されるため、位相差層の層厚が大きいと、配向膜から遠い部分の液晶材料が十分に配向されなくなり、精密な光学設計ができなくなる。しかしながら、本発明の液晶装置では、位相差層の層厚が小さいため、層厚が不均一になったり、位相差層全体の配向が不十分になる等の問題が発生しにくく、位相差層全体で良好な光学特性が得られるようになる。

本発明の電子機器は、前述した本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではない。下記の実施形態において、各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１実施形態の液晶装置１００を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素の回路構成図である。本実施形態の液晶装置１００は、液晶に対して基板面方向の電界（横電界）を作用させ、配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。また、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出射する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものとなっている。したがって、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称し、一組（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素領域」と称する。

図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と、画素電極９と電気的に接続されてサブ画素をスイッチング制御するＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路１０１から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。

画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、液晶を介して画素電極９と対向する共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０はＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

図２は、液晶装置１００の任意の１サブ画素における平面構成図である。液晶装置１００のサブ画素領域には、平面視略梯子状を成すＹ軸方向に長手の画素電極（第１電極）９と、画素電極９と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の共通電極（第２電極）１９とが設けられている。サブ画素領域の図示左上の端部の角部（或いは各サブ画素領域の間隙）には、第１基板１０と第２基板２０とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。

画素電極９は、複数の開口スリット２０９ｓによって形成された複数本（図示では１４本）の帯状電極２２８，２２９と、これらの帯状電極２２８，２２９の図示左右方向の両端部と接続された平面視略矩形枠状の枠体部９ａとを備えて構成されている。画素電極９のうち反射表示領域Ｒに位置する部分では、開口スリット２０９ｓにより形成された複数本（図示では７本）の帯状電極２２８が、図示右上の方向（Ｘ軸に対して５°の方向）に延びており、複数の帯状電極２２８は、互いに平行に均等な間隔で配列されている。また、画素電極９のうち透過表示領域Ｔに位置する部分では、開口スリット２０９ｓにより形成された複数本（図示では７本）の帯状電極２２９が、帯状電極２２８の延在方向に対して４５°をなす方向（Ｘ軸に対して−４０°の方向）に延びており、複数の帯状電極２２９は、互いに平行に均等な間隔で配列されている。

共通電極１９は、サブ画素領域内に部分的に設けられた反射層２９を覆うように形成されている。本実施形態の場合、共通電極１９はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる導電膜であり、反射層２９は、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜や、屈折率の異なる誘電体膜（ＳｉＯ_２とＴｉＯ_２等）を積層した誘電体積層膜（誘電体ミラー）からなるものである。液晶装置１００は、上記反射層２９での反射光を散乱させる機能を具備していることが好ましく、かかる構成により反射表示の視認性を向上させることができる。

なお、共通電極１９は、本実施形態のように反射層２９を覆うように形成されている構成のほか、透明導電材料からなる透明電極と、光反射性の金属材料からなる反射電極とが平面的に区画されている構成、即ち、反射表示領域に対応して配置された透明電極と、反射表示領域に対応して配置された反射電極とを備え、両電極が透過表示領域と反射表示領域との間（境界部）で互いに電気的に接続されているものも採用することができる。この場合、透明電極と反射電極とが画素電極９との間に電界を生じさせる共通電極を構成する一方、反射電極は当該サブ画素領域の反射層としても機能する。

サブ画素領域には、Ｘ軸方向に延びるデータ線６ａと、Ｙ軸方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。データ線６ａと走査線３ａとの交差部に対応してその近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース電極６ｂ、及びドレイン電極３２とを備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。

ＴＦＴ３０のソース電極６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形を成しており、ドレイン電極３２は、半導体層３５上から−Ｙ側に延びて平面視略矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１上には、画素電極９のコンタクト部が配置されており、両者が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また容量電極３１は容量線３ｂの平面領域内に配置されており、当該位置に厚さ方向で対向する容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量７０が形成されている。

図３は、図２のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向して配置された第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層５０を挟持した構成を備えており、液晶層５０は第１基板１０と第２基板２０とが対向する領域の縁端に沿って設けられたシール材（図示略）によって両基板１０，２０間に封止されている。第１基板１０の外面側（液晶層と反対側）には、偏光板１４が設けられ、第２基板２０の外面側には偏光板２４が設けられている。第１基板１０の背面側（図示下面側）には、光源と導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。

第１基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体１０Ａを基体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、アクリル樹脂等の層間絶縁膜６０が形成されている。層間絶縁膜６０の一部には凹凸６０ａが形成されており、該凹凸６０ａを覆って反射層２９が形成されている。反射層２９の表面には凹凸６０ａに倣う凹凸形状が付与されており、該凹凸形状により反射層２９が光散乱性の反射手段を構成するようになっている。

このようにサブ画素領域に部分的に反射層２９が形成された本実施形態の液晶装置１００では、図２に示した１サブ画素領域内のうち、反射層２９の形成領域が、第２基板２０の外側から入射して液晶層５０を透過する光を反射、変調して表示を行う反射表示領域Ｒとなっている。また、反射層２９の形成領域の外側の光透過領域が、バックライト９０から入射して液晶層５０を透過する光を変調して表示を行う透過表示領域Ｔとなっている。

反射層２９上にはアクリル樹脂等の第１平坦化樹脂層６１が形成されている。第１平坦化樹脂層６１は、反射層２９の表面に付与された凹凸を平坦化するためのものである。第１平坦化樹脂層６１上には位相差層６２が形成されている。第１平坦化樹脂層６１及び位相差層６２は透過表示領域Ｔを除く領域に形成されている。第１平坦化樹脂層６１及び位相差層６２の周囲にはアクリル樹脂等の第２平坦化樹脂層６３が形成され、第１平坦化樹脂層６１及び位相差層６２によって形成された基板上の段差が平坦化されている。そして、位相差層６２及び第２平坦化樹脂層６３を覆ってポリイミド等からなる配向膜１８が形成されている。

本実施形態の場合、位相差層６２は、その光学軸方向に平行な振動方向を有する光に対して略１／４波長（λ／４）の位相差を付与するものであり、基板本体１０Ａの内面側に設けられたいわゆる内面位相差層である。位相差層６２は、液晶材料（液晶モノマーあるいは液晶オリゴマー）を含む溶液を図示略の配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成されている。また、液晶層５０は誘電異方性が正の液晶からなり、電圧を印加しない初期配向状態において、反射表示領域Ｒの液晶層５０のリタデーションΔｎｄは、略１／２波長（λ／２）の位相差を付与するものとなっている。このため、液晶層５０と位相差層６２との積層体が広帯域の１／４位相差板として機能し、可視光領域全域にわたって反射率が低下し、低反射率且つ無彩色の反射表示が得られるようになっている。

第１平坦化樹脂層６１及び位相差層６２の形成領域に生じた段差は第２平坦化樹脂層６３により平坦化されているため、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの液晶層５０の層厚は等しくなっている。このため、マルチギャップ構造を備えないシングルギャップ構造となっており、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界部で配向不良が生じにくいものとなっている。

一方、第２基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる基板本体２０Ａを基体としてなり、基板本体２０Ａの内面側（液晶層５０側）には、サブ画素毎に異なる色光を透過するカラーフィルタを備えたＣＦ層２２が形成されている。上記カラーフィルタは、サブ画素内で色度の異なる２種類の色材領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体的には、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。なお、ＣＦ層２２は、第１基板１０側に形成することもできる。

ＣＦ層２２の液晶層５０側には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上に、アモルファスシリコンの半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース電極６ｂと、ドレイン電極３２とが形成されている。ドレイン電極３２の図示右側には容量電極３１が一体に形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１１を介して走査線３ａと対向配置されており、当該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極を構成するようになっている。容量電極３１はゲート絶縁膜１１を介して容量線３ｂと対向配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１１を誘電体膜とする蓄積容量７０が形成されている。

半導体層３５、ソース電極６ｂ、ドレイン電極３２、及び容量電極３１を覆って、第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２を覆って、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１９が形成されている。共通電極１９を覆ってシリコン酸化物等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３の液晶層側の表面にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。また、画素電極９、第２層間絶縁膜１３を覆ってポリイミド等からなる配向膜２８が形成されている。

第１層間絶縁膜１２及び第２層間絶縁膜１３を貫通して容量電極３１に達する画素コンタクトホール４５が形成されており、この画素コンタクトホール４５内に画素電極９の一部（コンタクト部）が埋め込まれて、画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されている。上記画素コンタクトホール４５の形成領域に対応して共通電極１９にも開口部が設けられており、この開口部を介して画素電極９と容量電極３１とが電気的に接続されるとともに、共通電極１９と画素電極９とが短絡しないような構成になっている。

図４は、液晶装置１００の各光学部材の光学軸の配置の説明図である。偏光板１４の透過軸１５３と偏光板２４の透過軸１５５とは直交している。偏光板２４の透過軸１５５は、反射表示領域Ｒにおいて画素電極９と共通電極１９との間に生じる電界の主方向１５６（図２に示す帯状電極２２９の延在方向と直交する方向）と平行である。位相差層６２の光学軸１６０（遅相軸）は偏光板２４の透過軸１５５と直交している。反射表示領域Ｒの配向膜１８，２８のラビング方向１６１は偏光板２４の透過軸１５５と２２．５°をなす方向に配置されている。透過表示領域Ｔの配向膜１８，２８のラビング方向１６２は偏光板２４の透過軸１５５と平行である。配向膜１８，２８のラビング方向はこれに限定されないが、画素電極９と共通電極１９との間に生じる電界の主方向と交差する方向とする。そして、初期状態ではラビング方向に沿って平行配向している液晶が、画素電極９と共通電極１９との間への電圧印加によって上記電界の主方向側へ回転して配向する。この初期配向状態と電圧印加時の配向状態との差異に基づいて明暗表示が成されるようになっている。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極９及び共通電極１９と反射層２９とが別々の基板に形成されているため、電極間に生ずる電界が反射層２９の表面の凹凸によって乱されることはない。そのため、良好な反射表示を実現することができる。また、透過表示領域Ｔの電界の主方向と反射表示領域Ｒの電界の主方向とが異なるため、透過表示領域Ｔにおける電圧印加時の液晶の配向状態と反射表示領域Ｒにおける電圧印加時の液晶の配向状態とを異ならせることができる。この場合、液晶層５０が自身を透過する光に対して付与する位相差を、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで異ならせることができるので、液晶層５０の層厚を変更することなく表示光の偏光状態の差異を解消することができる。したがって、マルチギャップ構造を用いることなく透過表示と反射表示の双方で良好な表示を得ることができる。さらに、反射層２９と位相差層６２との間に第１平坦化樹脂層６１が設けられているため、層厚の均一な位相差層６２を形成することができる。

また、反射表示領域Ｒの液晶層５０の位相差が１／２波長であり、位相差層６４の位相差が１／４波長であるため、液晶層５０と位相差層６２との積層体を広帯域の１／４位相差板として機能させることができる。また、位相差層６２の位相差が１／４波長であるため、位相差層６２の層厚を小さくすることができ、位相差層全体の光学特性を精密に制御することが可能となる。すなわち、位相差層６２の層厚が大きい場合、一回の塗布工程で形成しようとすると、位相差層６２の層厚が不均一になる場合がある。また、位相差層６２は、液晶材料を配向膜上に塗布し、乾燥固化させる際に所定方向に配向させる方法により形成されるため、位相差層６２の層厚が大きいと、配向膜から遠い部分の液晶材料が十分に配向されなくなり、精密な光学設計ができなくなる。しかしながら、本実施形態の液晶装置１００では、位相差層６２の層厚が小さいため、層厚が不均一になったり、位相差層全体の配向が不十分になる等の問題が発生しにくく、位相差層全体で良好な光学特性が得られるようになる。

なお、本実施形態ではＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用したが、同様に基板面方向の電界で液晶を動作するＩＰＳ（In Plane Switching）方式等にも上記構成を適用できる。また、本発明の技術範囲は、ＦＦＳ方式やＩＰＳ方式に代表される横電界駆動型の液晶装置に限定されず、ＴＮモードやＶＡＮモードの液晶を具備し、一方の基板の液晶層側に位相差層が設けられている液晶装置にも適用することができる。

また、本実施形態では第２平坦化樹脂層６３と層間絶縁膜６０とを別々の部材として形成したが、これらは一体に形成することも可能である。図５は、層間絶縁膜６４の反射表示領域Ｒに凹部を形成し、該凹部に、反射層２９、平坦化樹脂層６１、位相差層６２を形成した例を示している。この層間絶縁膜６４は、例えば、基板上に感光性樹脂を塗布し、階調マスクを用いて反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの露光量を異ならせることにより形成することができる。階調マスクを用いて露光する際に反射表示領域Ｒ内で露光量をばらつかせることで凹凸６４ａを形成することができる。

［電子機器］
図６は、本発明に係る電子機器の一例である携帯電話の概略奢侈図である。携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された表示品質に優れる表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。

上記各実施の形態の液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高コントラスト、広視野角の表示が可能になっている。

第１実施形態の液晶装置の等価回路図である。 同液晶装置の１サブ画素の平面構成図である。 図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。 同液晶装置の光学部材の光学軸の配置の説明図である。 同液晶装置の他の構成例の断面構成図である。 電子機器の一例である携帯電話の概略構成図である。

符号の説明

９…画素電極（第１電極）、１０…第１基板、１９…共通電極（第２電極）、２０…第２基板、２９…反射層、５０…液晶層、６１…第１平坦化樹脂層、６２…位相差層、６３…第２平坦化樹脂層、１００…液晶装置、１５６…反射表示領域の横電界の主方向、１５７…透過表示領域の横電界の主方向、１６１…反射表示領域のラビング方向（反射表示領域の初期配向状態における液晶層の配向方向）、１６２…透過表示領域のラビング方向（透過表示領域の初期配向状態における液晶層の配向方向）、１３００…携帯電話（電子機器）、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域

Claims (5)

1. 液晶層を挟持する一対の基板を備え、前記一対の基板のうちの一方の基板の前記液晶層側に第１電極と第２電極とが設けられ、前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界によって前記液晶層が駆動されると共に、
   前記一対の基板のうちの他方の基板の前記液晶層側に反射層が設けられ、前記反射層の表面に凹凸が付与されていることを特徴とする液晶装置。
2. １つのサブ画素領域内に前記反射層が形成された反射表示領域と前記反射層が形成されない透過表示領域とが設けられ、
   前記反射層の前記液晶層側に位相差層が設けられ、
   前記反射表示領域と前記透過表示領域との前記液晶層の層厚が等しく、
   前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界の主方向が、前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界の主方向と異なり、
   前記反射表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に電界を発生させない初期配向状態の前記液晶層の配向方向が、前記透過表示領域において前記第１電極と前記第２電極との間に電界を発生させない初期配向状態の前記液晶層の配向方向と異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記反射層と前記位相差層との間に平坦化樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記反射表示領域の前記液晶層の位相差が１／２波長であり、前記位相差層の位相差が１／４波長であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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