JP2008251825A - 半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
半導体記憶装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251825A JP2008251825A JP2007091125A JP2007091125A JP2008251825A JP 2008251825 A JP2008251825 A JP 2008251825A JP 2007091125 A JP2007091125 A JP 2007091125A JP 2007091125 A JP2007091125 A JP 2007091125A JP 2008251825 A JP2008251825 A JP 2008251825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- film
- memory device
- semiconductor memory
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 126
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
- H01L29/7884—Programmable transistors with only two possible levels of programmation charging by hot carrier injection
- H01L29/7886—Hot carrier produced by avalanche breakdown of a PN junction, e.g. FAMOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42324—Gate electrodes for transistors with a floating gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板1に形成したPウエル4上にゲート絶縁膜2を介してフローティングゲート用の導電体層16を形成する工程と、導電体層16上にTEOS−NSG等の第1のシリコン酸化膜から構成される第1のスペーサ10と、第1のスペーサ10と隣接し第1のシリコン酸化膜10よりもエッチングレートが遅い第2の高温シリコン酸化膜から構成される第2のスペーサ11と、を形成する工程と、第1及び第2のスペーサ10,11をマスクにして導電体層16を選択的に除去する工程と、第1のスペーサ10を除去して導電体層16の一部を露出させる工程と、を含む。
【選択図】図7
Description
図1(a)は、本発明の実施の形態に係るスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の構造を示す断面図を、図1(b)は、上方向から見たときの平面図(平面レイアウト)をそれぞれ示したものである。図1(a)の断面は、図1(b)のA−A’における断面に相当する。また、図1(a)及び図1(b)は、2個のメモリセルを示したものであり、共通のプラグ14に対してメモリセルトランジスタが、対称に配置されている。点線で囲われた部分が、1個のメモリセル(1Cell)に相当し、1ビットデータの記憶が可能である。
次に、本実施の形態に係るスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の動作(書き込み、消去、読み出し)について説明する。書き込みは、ソースサイドチャネルホットエレクトロン(CHE:Channel Hot Electron)注入よって行われる。この場合、第1のソース/ドレイン拡散領域13はドレインとして、第2のソース/ドレイン拡散領域22はソースとして、それぞれ機能する。例えば、CG19には、+1.6Vの電圧が印加され、第1のソース/ドレイン拡散領域13には、+7.6Vの電圧が印加され、第2のソース/ドレイン拡散領域22には、+0.3Vの電圧が印加される。第2のソース/ドレイン拡散領域22から放出された電子は、チャネル領域の強電界により加速され、CHEとなる。特に、第1のソース/ドレイン拡散領域13とFG16との容量カップリングによってFG16の電位も高くなっており、CG19とFG16との間の狭いギャップには、強電界が発生する。その強電界により生成された高エネルギーのCHEが、ゲート絶縁膜2を通じてFG16に注入される。このような注入は、ソースサイドインジェクション(SSI:Source Side Injection)と呼ばれ、SSIによれば、電子注入効率が向上し、印加電圧を低く設定することが可能となる。FG16に電子が注入されることにより、メモリセルの閾値電圧が上昇する。
図2乃至図9は、本実施の形態に係るスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の製造方法を示す断面図である。これらの図面は、図1(b)におけるA−A’に沿った断面を示すものである。
2、34 ゲート酸化膜
3 FG薄膜
4 Pウエル
5 シリコン窒化膜
6 フォトレジスト膜
7 P型不純物拡散領域
8 TEOS−NSG膜
9 高温酸化膜
10 第1のスペーサ
11 第2のスペーサ
12 第1のプラグ絶縁膜
13 第1のソース/ドレイン拡散領域
14 プラグ
15 第2のプラグ絶縁膜
16、35 フローティングゲート(FG)
16a、35a Tip部
17 トンネル絶縁膜
18 CG膜
19、36 コントロールゲート(CG)
20 LDD領域
21 側壁絶縁膜
22 第2のソース/ドレイン拡散領域
23 第1のシリサイド層
24 第2のシリサイド層
25 第3のシリサイド層
32 ソース拡散領域
33 ドレイン拡散領域
37 トンネル酸化膜
38 ポリシリコン膜
39 第1のNSGスペーサ
40 第2のNSGスペーサ
41 ポリシリコンプラグ
Claims (8)
- 半導体層上にゲート絶縁膜を介してフローティングゲート用の導電体層を形成する工程と、
前記導電体層上に第1のシリコン酸化膜から構成される第1のスペーサと、該第1のスペーサと隣接し前記第1のシリコン酸化膜よりもエッチングレートが遅い第2のシリコン酸化膜から構成される第2のスペーサと、を形成する工程と、
前記第1及び前記第2のスペーサをマスクにして前記導電体層を選択的に除去する工程と、
前記第1のスペーサを除去して前記導電体層の一部を露出させる工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第2のスペーサは、前記第1のスペーサよりも緻密な膜で構成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1のスペーサは、NSG膜から構成され、
前記第2のスペーサは、高温酸化膜から構成される、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第1及び前記第2のスペーサを形成する工程は、
開口を有するシリコン窒化膜で前記導電体層を覆う工程と、
前記第1のシリコン酸化膜で全面を覆う工程と、
前記第2のシリコン酸化膜で前記第1のシリコン酸化膜を覆う工程と、
前記第1及び前記第2のシリコン酸化膜をエッチングして、前記開口の前記シリコン窒化膜の側壁に前記第1及び前記第2のスペーサを形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - トンネル絶縁膜を介して前記露出した導電体層の一部に対向するようにコントロールゲートを形成する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記コントロールゲートの側壁に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記コントロールゲート及び前記側壁絶縁膜をマスクとした不純物の注入により、前記半導体層に第1の拡散層を形成する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記コントロールゲートの上部及び前記第1の拡散層の表面をシリサイド化する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口に対応する位置の前記半導体層に第2の拡散層を形成する工程と、
前記第2の拡散層上にプラグを形成する工程と、
前記プラグの上部をシリサイド化する工程と、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007091125A JP2008251825A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US12/078,296 US8617951B2 (en) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Method of manufacturing a semiconductor memory device having a floating gate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007091125A JP2008251825A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251825A true JP2008251825A (ja) | 2008-10-16 |
Family
ID=39795142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007091125A Pending JP2008251825A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 半導体記憶装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8617951B2 (ja) |
JP (1) | JP2008251825A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9735166B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-08-15 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US10032785B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-07-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
US10868152B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-12-15 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2022531992A (ja) * | 2019-07-02 | 2022-07-12 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251825A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
KR101024336B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2011-03-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 비휘발성 메모리 셀 및 그의 제조방법 |
US8575683B1 (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-05 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US8835265B1 (en) * | 2012-06-18 | 2014-09-16 | Altera Corporation | High-k dielectric device and process |
US9876086B2 (en) | 2013-12-13 | 2018-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Non-volatile memory device with floating gate having a tip corner |
JP6416595B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2018-10-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9859291B2 (en) * | 2015-08-03 | 2018-01-02 | Iotmemory Technology Inc. | Non-volatile memory and manufacturing method thereof |
CN105206580B (zh) * | 2015-08-11 | 2018-05-01 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 增加分栅快闪存储器控制栅高度的方法 |
CN105845593B (zh) * | 2016-03-22 | 2018-08-10 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 刻蚀监测方法 |
CN106206598B (zh) * | 2016-07-27 | 2019-06-28 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 分栅式闪存器件制造方法 |
JP6649216B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-02-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10991704B2 (en) * | 2018-12-27 | 2021-04-27 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Memory device and a method for forming the memory device |
CN110085592B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-10-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 闪存制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214411A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nec Electronics Corp | 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの製造方法 |
JP2005294337A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5029130A (en) * | 1990-01-22 | 1991-07-02 | Silicon Storage Technology, Inc. | Single transistor non-valatile electrically alterable semiconductor memory device |
US5414286A (en) * | 1992-03-19 | 1995-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonvolatile memory, method of fabricating the same, and method of reading information from the same |
US6369420B1 (en) * | 1998-07-02 | 2002-04-09 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby |
US6284596B1 (en) * | 1998-12-17 | 2001-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming split-gate flash cell for salicide and self-align contact |
US6329685B1 (en) * | 1999-09-22 | 2001-12-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells and a memory array made thereby |
US6563167B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-05-13 | Silicon Storage Technology, Inc. | Semiconductor memory array of floating gate memory cells with floating gates having multiple sharp edges |
US6621115B2 (en) * | 2001-11-06 | 2003-09-16 | Integrated Memory Technologies, Inc. | Scalable flash EEPROM memory cell with floating gate spacer wrapped by control gate |
JP3481934B1 (ja) | 2002-06-21 | 2003-12-22 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
JP2008251825A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007091125A patent/JP2008251825A/ja active Pending
-
2008
- 2008-03-28 US US12/078,296 patent/US8617951B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004214411A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nec Electronics Corp | 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの製造方法 |
JP2005294337A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9735166B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-08-15 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US10056396B2 (en) | 2015-08-26 | 2018-08-21 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US10032785B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-07-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
US10868152B2 (en) | 2017-10-12 | 2020-12-15 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
JP2022531992A (ja) * | 2019-07-02 | 2022-07-12 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 |
JP7322199B2 (ja) | 2019-07-02 | 2023-08-07 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | スプリットゲート型メモリセルを形成する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080242026A1 (en) | 2008-10-02 |
US8617951B2 (en) | 2013-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008251825A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JP5191633B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US9159843B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US7834390B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same | |
JP5289748B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2008251826A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9368354B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2009088060A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US9761596B2 (en) | Non-volatile memory and manufacturing method thereof | |
JP5190985B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JPH0864697A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP4445353B2 (ja) | 直接トンネル型半導体記憶装置の製造方法 | |
JP5106022B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP5998512B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006024604A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2017045835A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
TWI605572B (zh) | 非揮發性記憶體及其製造方法 | |
TWI700819B (zh) | 非揮發性記憶體及其製造方法 | |
US20060006453A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same | |
KR100654359B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 | |
JP4629982B2 (ja) | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 | |
TW201537688A (zh) | Nor型快閃記憶體及其製造方法 | |
WO2007000808A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005101599A (ja) | スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 | |
JP5190986B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100115 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120723 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120814 |