JP2008251649A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】n型InPからなる半導体基板11上に、n型InPからなる第1クラッド層12と活性層13とp型InPからなる第2クラッド層14とを有する第1の領域(光増幅領域21)と、第1クラッド層12と第2クラッド層14とを有する第2の領域(位相制御領域22)と、光増幅領域21と位相制御領域22とを電気的に分離する分離領域19とを備え、光増幅領域21および位相制御領域22は、光の導波方向にストライプ状に形成されるメサストライプ部15と、メサストライプ部15の側面に形成される埋め込み層16、17とを有し、分離領域19は、光の導波方向に沿って埋め込み層16、17内に形成され、第1クラッド層12および第2クラッド層14を有する。
【選択図】図1
Description
図9は、上記提案に係る半導体発光素子7の光の導波方向に平行かつ電極分離溝73を含む断面図である。半導体発光素子7は、GaAs基板71上に積層されたp型AlGaAs埋め込み層72を備える。GaAs基板71の下面には電極73が形成され、p型AlGaAs埋め込み層72上には、電極分離溝73を挟んで電極74aおよび電極74bが形成されている。図7の点線の矢印で示すように、電極分離溝73の下部を流れるリーク電流ITは、p型AlGaAs埋め込み層72内を通過する。
本発明に係る半導体発光素子の第1の実施形態を図1に示す。図1(a)は斜視図、図1(b)はA−A断面図、図1(c)はB−B断面図である。
光増幅用電極26aおよび位相制御用電極26bにそれぞれ光増幅用電流および位相制御用電流が印加されると、埋め込み層16、17、18および分離領域19を介して光増幅領域21から位相制御領域22に至るリーク電流IBが生じる。
本発明に係る半導体発光素子の製造方法は、図2および図3に示すように、(1)半導体基板11上に活性層13を含む複数の半導体層を積層してダブルヘテロ構造基板5を製造するダブルヘテロ構造基板製造段階と、(2)ダブルヘテロ構造基板上に、絶縁性のメサストライプ部形成用の耐エッチングマスク30aを形成するとともに、メサストライプ部形成用の耐エッチングマスク30aの側方に絶縁性の分離領域形成用の耐エッチングマスク30bを形成する耐エッチングマスク形成段階と、(3)耐エッチングマスク形成後のダブルヘテロ構造基板5の少なくとも活性層13の下面まで厚さ方向にエッチングするエッチング段階と、(4)エッチング段階で除去された部分に埋め込み層16、17を埋め込む第1の埋め込み段階と、(5)メサストライプ部形成用の耐エッチングマスク30aを除去する耐エッチングマスク除去段階と、(6)第1の埋め込み段階で埋め込んだ埋め込み層16、17の上面およびメサストライプ部形成用の耐エッチングマスク30aが除去された部分の上面に埋め込み層18を形成する第2の埋め込み段階とを含む。
なお、図2および図3においては、簡単のため縦横に2個ずつ素子が連なったウエハを図示している。
本発明に係る半導体発光素子の第2の実施形態を図4に示す。なお、第1の実施形態と同様の構成および製造工程については説明を省略する。第2の実施形態の半導体発光素子2は、図4の斜視図(a)およびB’−B’断面図(b)に示すように、上述の第1の実施形態の構成と比較して、分離領域29が、メサストライプ部15の両側面に接して配置される点が異なる。
本発明に係る半導体発光素子の第3の実施形態を図6に示す。図6(a)は斜視図、図6(b)は光の導波方向に沿った断面(C−C断面)の構造を示す断面図である。第3の実施形態の半導体発光素子3は、第1の実施形態の構成に回折格子311を備える波長制御領域31を加えた構成を有する。
本発明に係る半導体発光素子の第4の実施形態を図7に示す。図7(a)は斜視図、図7(b)は光の導波方向に沿った断面(C’−C’断面)の構造を示す断面図である。
まず、図2(1)に示すダブルヘテロ構造基板5の一部分を、少なくとも活性層13の下面までエッチングにより除去した後、この部分にMOVPE(有機金属気相成長)法などを用いて、第1クラッド層12と同一の導電性を有する再成長第1クラッド層32、再成長導波路層33、第2クラッド層14と同一の導電性を有する再成長第2クラッド層34を順次成長し、位相制御領域42を構成する再成長領域35を形成する。なお、この成長工程においては活性層13と再成長導波路層33が接続し、かつ、再成長第2クラッド層34の上面と第2クラッド層14の上面がほぼ一致するように調整する。
5 ダブルヘテロ構造基板
11 半導体基板
12 第1クラッド層
13 活性層
14 第2クラッド層
15、45 メサストライプ部
16、17、18 埋め込み層
19、29、39 分離領域
21 光増幅領域(第1の領域)
22 位相制御領域(第2の領域)
30a、30b 耐エッチングマスク
Claims (4)
- 半導体基板上に、少なくとも第1クラッド層と活性層と第2クラッド層とを有する第1の領域と、
少なくとも前記第1クラッド層と前記第2クラッド層とを有する第2の領域と、
前記第1の領域と前記第2の領域とを電気的に分離する分離領域とを備え、
前記第1の領域および前記第2の領域は、光の導波方向にストライプ状に形成されるメサストライプ部と、前記メサストライプ部の側面に形成される埋め込み層とを有し、
前記分離領域は、前記光の導波方向に沿って前記埋め込み層内に形成され、少なくとも前記第1クラッド層および前記第2クラッド層を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 前記分離領域が、前記メサストライプ部の両側面に接して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 半導体基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層してダブルヘテロ構造基板を製造するダブルヘテロ構造基板製造段階と、
前記ダブルヘテロ構造基板上に、絶縁性のメサストライプ部形成用の耐エッチングマスクを形成するとともに、前記メサストライプ部形成用の耐エッチングマスクの側方に絶縁性の分離領域形成用の耐エッチングマスクを形成する耐エッチングマスク形成段階と、
前記耐エッチングマスク形成後の前記ダブルヘテロ構造基板の少なくとも前記活性層の下面まで厚さ方向にエッチングするエッチング段階と、
前記エッチング段階で除去された部分を埋め込む第1の埋め込み段階と、
前記メサストライプ部形成用の耐エッチングマスクを除去する耐エッチングマスク除去段階と、
前記第1の埋め込み段階で埋め込んだ埋め込み層の上面および前記メサストライプ部形成用の耐エッチングマスクが除去された部分の上面を埋め込む第2の埋め込み段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記分離領域形成用の耐エッチングマスクが、
前記メサストライプ部形成用の耐エッチングマスクの両側面に接して配置される耐エッチングマスクである請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法。
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