JP2008250258A - 光制御素子 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 152
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 26
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 16
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 19
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/212—Mach-Zehnder type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
- G02F1/2255—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/07—Materials and properties poled
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/20—LiNbO3, LiTaO3
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、少なくとも前記第1の電極の、前記信号電極の下方には電極を有しないように構成する。
【選択図】図6
Description
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、少なくとも前記第1の電極の、前記信号電極の下方には電極を有しないように構成したことを特徴とする、光制御素子に関する。
前記薄板は、支持基板上に低誘電率層を介して支持され、前記信号入出力部において、前記第2電極から支持基板の方向に向けて離隔した位置に前記低誘電率層を介して追加の接地電極を有するようにしている。この結果、前記第2電極は接地電極として機能させることができ、インピーダンス調整を容易に行うことができるようになる。また、このような接地電極は、外部からの電気信号をシールドする効果があるので、外部との接続(チップの設置状況など)の影響を受けにくい。
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、前記薄板から前記支持基板の方向に向けて離隔した位置に低誘電率層を介して配置されていることを特徴とする、光制御素子に関する。
前記薄板は、支持基板上に低誘電率層を介して支持され、前記信号入出力部において、前記第2電極から支持基板の方向に向けて離隔した位置に前記低誘電率層を介して追加の接地電極を有するようにしている。この結果、前記第2電極は接地電極として機能させることができ、インピーダンス調整を容易に行うことができるようになる。また、このような接地電極は、外部からの電気信号をシールドする効果があるので、外部との接続(チップの設置状況など)の影響を受けにくい。
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、前記薄板から前記支持基板の方向に向けて離隔した位置に低誘電率層を介して配置されている。このため、マイクロ波と光波との速度整合やマイクロ波のインピーダンス整合が実現でき、高速動作が可能な光制御素子を提供することができる。
図10〜12は、図4〜6に示す光制御素子に係わる応用例であり、光導波路をリッジ型導波路で形成した例を示す。光導波路をリッジ型光導波路で形成することにより、光波の閉じ込め効率が高くなり、また、制御電極が形成する電界を光導波路に集中させることが可能となるため、より低駆動電圧の光制御素子を実現することができる。
図13は、図4〜6に示す光制御素子に係わる他の応用例であり、リッジ型導波路を形成する溝や、第1電極を構成する信号電極4と接地電極5との間に低誘電率膜を配置した例を示す。このような低誘電率膜の配置により、制御電極におけるマイクロ波屈折率やインピーダンスの調整が可能となり、また、制御電極の配線の自由度を増加させることが可能となる。
図14及び15は、図4〜6に示す光制御素子に係わるその他の応用例であり、光導波路2(リッジ型導波路20)を薄板1の裏面(図の下側)に形成した例を示す。
厚みが10μm以下の薄板を使用する場合には、図14のように、光導波路2を薄板1の裏面に形成し、第1電極である信号電極4及び接地電極5を薄板の表面に、また、第2電極である接地電極54を薄板1の裏面に形成しても、特に信号電極4と接地電極54とが形成する電界により、リッジ部20に電界を印加させることが可能となる。
図16〜19は、図4〜6に示す光制御素子に係わるさらにその他の応用例であり、透明電極(9及び91至96)を電極に使用した例を示す。信号電極又は接地電極に、透明電極又は薄板側に透明電極を配置した電極のいずれかを用いることにより、バッファ層が無い場合でも、光導波路を伝搬する光波の伝搬損失を抑制しながら、制御電極を光導波路のより近傍に配置することが可能となり、駆動電圧を低減させることができる。
図20は、図4〜6に示す光制御素子に係わる他の応用例であり、第2電極を形成する接地電極をパターン状電極で構成した例を示す。第2電極を、光導波路の形状に対応した形状を有するパターン状電極とすることにより、光導波路に印加される電界を、より適切な形状に調整でき、駆動電圧をより一層低減させることが可能なる。
図22及び23は、図4〜6に示す光制御素子に係わるその他の応用例であり、薄板1を分極反転した例を示す。光導波路の少なくとも一部を含む薄板1の自発分極を反転させることにより、光制御素子の差動駆動が、簡便な制御電極や駆動回路で容易に実現でき、駆動電圧の低減も可能となる。
2 光導波路
3 バッファ層
4,41,42,43,44,140 信号電極
5,51,52,53,54,55,56,59,150 接地電極
6 接着層
7 支持基板
8,81 低誘電率膜
9,91,92,93,94,95,96 透明電極
11 Xカット型結晶基板
20 リッジ型導波路(リッジ部)
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1
電極の信号電極と前記第2電極の接地電極とによって前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、少なくとも前記第1の電極の、前記信号電極の下方には前記第2電極を有しないように構成したことを特徴とする、光制御素子に関する。
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と前記第2電極の接地電極とによって前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、前記薄板から前記支持基板の方向に向けて離隔した位置に低誘電率層を介して配置されていることを特徴とする、光制御素子に関する。
極を配置した電極のいずれかで構成されているため、バッファ層が無い場合でも、光導波
路を伝搬する光波の伝搬損失を抑制しながら、制御電極を光導波路のより近傍に配置する
ことが可能となる。
前記光導波路は複数の光導波路であり、これら光導波路の少なくとも一つが属する前記薄板の領域において、自発分極が反転されているため、光制御素子の差動駆動が簡便な制御電極や駆動回路で容易に実現できる上、駆動電圧を低減することも可能となる。
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1
電極の信号電極と前記第2電極の接地電極とによって前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、少なくとも前記第1の電極の、前記信号電極の下方には前記第2電極を有しないように構成したことを特徴とする、光制御素子に関する。
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と前記第2電極の接地電極とによって前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、前記薄板から前記支持基板の方向に向けて離隔した位置に低誘電率層を介して配置されていることを特徴とする、光制御素子に関する。
極を配置した電極のいずれかで構成されているため、バッファ層が無い場合でも、光導波
路を伝搬する光波の伝搬損失を抑制しながら、制御電極を光導波路のより近傍に配置する
ことが可能となる。
前記光導波路は2つの光導波路であり、一方の光導波路が属する前記薄板の光導波路領域において、自発分極が反転されているため、光制御素子の差動駆動が簡便な制御電極や駆動回路で容易に実現できる上、駆動電圧を低減することも可能となる。
Claims (9)
- 電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、少なくとも前記第1の電極の、前記信号電極の下方には前記第2電極を有しないように構成したことを特徴とする、光制御素子。 - 前記薄板は、支持基板上に低誘電率層を介して支持され、
前記信号入出力部において、前記第2電極から支持基板の方向に向けて離隔した位置に前記低誘電率層を介して追加の接地電極を有することを特徴とする、請求項1記載の光制御素子。 - 前記第2電極と前記追加の接地電極とは、50μm以上離隔して位置することを特徴とする、請求項2に記載の光制御素子。
- 電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、
前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第1電極と第2電極とからなり、
前記第1電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、
前記第2電極は、変調領域部において、少なくとも接地電極を有すると共に、前記第1電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するように構成されており、信号入出力部において、前記薄板から前記支持基板の方向に向けて離隔した位置に低誘電率層を介して配置されていることを特徴とする、光制御素子。 - 前記光導波路は、リッジ型光導波路であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載の光制御素子。
- 少なくとも前記薄板と前記第1電極との間には、バッファ層が形成されていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載の光制御素子。
- 前記第1の電極及び前記第2の電極において、前記信号電極及び前記接地電極は、透明電極又は薄板側に透明電極を配置した電極のいずれかで構成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載の光制御素子。
- 少なくとも前記リッジ型導波路の両側に配置された溝には、低誘電率膜が充填されていることを特徴とする、請求項5〜7のいずれか一に記載の光制御素子。
- 前記光導波路の少なくとも一部を含む薄板の自発分極が反転されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一に記載の光制御素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095118A JP4589354B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 光変調素子 |
US12/450,464 US7912326B2 (en) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Optical control device |
EP08739205.6A EP2136241B1 (en) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Optical modulator device based on the electro-optic effect |
PCT/JP2008/056087 WO2008120719A1 (ja) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | 光制御素子 |
CN2008800109079A CN101652703B (zh) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | 光控制元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007095118A JP4589354B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 光変調素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008250258A true JP2008250258A (ja) | 2008-10-16 |
JP4589354B2 JP4589354B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=39808299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007095118A Expired - Fee Related JP4589354B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 光変調素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7912326B2 (ja) |
EP (1) | EP2136241B1 (ja) |
JP (1) | JP4589354B2 (ja) |
CN (1) | CN101652703B (ja) |
WO (1) | WO2008120719A1 (ja) |
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- 2007-03-30 JP JP2007095118A patent/JP4589354B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-28 US US12/450,464 patent/US7912326B2/en active Active
- 2008-03-28 CN CN2008800109079A patent/CN101652703B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-28 EP EP08739205.6A patent/EP2136241B1/en not_active Not-in-force
- 2008-03-28 WO PCT/JP2008/056087 patent/WO2008120719A1/ja active Application Filing
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WO2008120719A1 (ja) | 2008-10-09 |
EP2136241B1 (en) | 2017-10-04 |
JP4589354B2 (ja) | 2010-12-01 |
US7912326B2 (en) | 2011-03-22 |
CN101652703B (zh) | 2012-08-29 |
EP2136241A4 (en) | 2012-06-27 |
EP2136241A1 (en) | 2009-12-23 |
CN101652703A (zh) | 2010-02-17 |
US20100046881A1 (en) | 2010-02-25 |
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JP2006276519A (ja) | 導波路型光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090710 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100303 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4589354 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140917 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |