JP2008244478A - フォトマスク及びそれを用いるイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、ピクセル領域310とロジック回路領域320との境界部分330において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチバックするステップとを含む。
【選択図】図3
Description
320 ピクセル領域とロジック回路領域との境界部分に対応するフォトマスクの第2領域
330 ロジック回路領域に対応するフォトマスクの第3領域
Claims (24)
- ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと、
前記フォトレジストをパターニングすることによって、ピクセル領域を露出させ、前記ロジック回路領域を覆って、前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、徐々に小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンと前記絶縁膜とのエッチング率を実質的に同一にして、前記絶縁膜をエッチバックするステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストを塗布するステップの前に、前記絶縁膜上に反射防止膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記境界部分におけるフォトレジストパターンの前記傾斜が、
0.4゜〜15゜の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記境界部分におけるフォトレジストパターンの前記傾斜が、
0.4゜〜15゜の範囲であることを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記絶縁膜が、
酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックが、
50mT〜1500mT(6,666Pa〜199,980Pa)の範囲の圧力、300W〜1000Wの範囲のパワー、10sccm〜50sccmの範囲のCHF3、10sccm〜50sccmの範囲のO2、300sccm〜1500sccmの範囲のArで行われることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記絶縁膜の厚さが、
約40,000Å〜70,000Åの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記絶縁膜の厚さが、
好ましくは46,000Åであることを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックが、
前記絶縁膜の全体厚さから約15,000Åを除去するように行われることを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記ピクセル領域で前記エッチバックされた絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記ピクセル領域で前記エッチバックされた絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサの製造方法。
- イメージセンサのピクセル領域上の絶縁膜を選択的にエッチングするためのフォトリソグラフィ工程用フォトマスクにおいて、
ピクセル領域に対応する領域であって、基板上のフォトレジストが全て除去される第1領域と、
ロジック回路領域に対応する領域であって、前記基板上にフォトレジストが残留する第3領域と、
前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分に対応する領域であって、前記第1領域から前記第3領域へ進むにしたがって、前記基板に伝達される露光量が徐々に減少するパターンを有する第2領域と
を備えることを特徴とするフォトマスク。 - 前記第1領域が、透光領域であり、
前記第3領域が、遮光領域であることを特徴とする請求項12に記載のフォトマスク。 - 前記第2領域の前記パターンが、
基板上にその形状が転写されないピッチを有するこのぎり歯状のパターンであることを特徴とする請求項12に記載のフォトマスク。 - 前記第2領域の角部が、
辺部と同じ構造になるように45゜で面取り接合したパターンを有することを特徴とする請求項14に記載のフォトマスク。 - 前記第2領域が、基板上に転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有し、
前記第2領域内で前記透光パターンの数が一定する場合、そのサイズによって透光量を調整することを特徴とする請求項12に記載のフォトマスク。 - 前記第2領域が、基板上に転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有し、
前記第2領域内で前記透光パターンのサイズが一定する場合、配置される透光パターンの数によって透光量を調整することを特徴とする請求項12に記載のフォトマスク。 - 前記第2領域が、基板上に転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有し、
前記第2領域内で前記透光パターンのサイズ又は数によって透光量を調整することを特徴とする請求項12に記載のフォトマスク。 - ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと、
前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分に対応するパターンであって、前記ピクセル領域から前記ロジック回路領域へ進むにしたがって、基板に伝達される露光量が徐々に減少する前記パターンを有するフォトマスクを用意するステップと、
前記フォトマスクを用いる露光処理によって前記フォトレジストをパターニングすることによって、前記ピクセル領域を露出させ、前記ロジック回路領域を覆って、前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記絶縁膜をエッチバックするステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストを塗布するステップの前に、前記絶縁膜上に反射防止膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項19に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトレジストが、
ポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項19に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストが、
ポジ型フォトレジストであることを特徴とする請求項20に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記ピクセル領域で、前記エッチバックされた絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項19に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記ピクセル領域で、前記エッチバックされた絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項20に記載のイメージセンサの製造方法。
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