JP2008235814A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部47は、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整ユニット45を制御し、かつ、純水供給源19から処理槽1内へ供給される純水に気体を溶存させるように気体溶存ユニット25を制御するとともに、処理槽1内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波発生部51を制御しているので、処理槽1の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境とすることができ、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を純水に溶存させることができ、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができ、ダメージを低減できるだけでなく、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。
【選択図】図1
【解決手段】制御部47は、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整ユニット45を制御し、かつ、純水供給源19から処理槽1内へ供給される純水に気体を溶存させるように気体溶存ユニット25を制御するとともに、処理槽1内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波発生部51を制御しているので、処理槽1の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境とすることができ、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を純水に溶存させることができ、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができ、ダメージを低減できるだけでなく、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等の基板を薬液、純水等の処理液によって洗浄等の処理を行う基板処理装置において、基板の表面からパーティクルを除去する技術に関する。
従来、この種の装置として、例えば、処理液が貯留されて、この処理液中に基板が浸漬される処理槽と、処理槽の処理液中に窒素ガス(N2)を溶存させるための窒素ガス供給系と、処理槽内の処理液に超音波振動を付与する超音波発生部とを備えたものがある。この装置では、処理槽内に貯留された純水中に窒素ガスを溶存させた状態でこの処理槽内の純水に超音波振動を付与して基板の表面からパーティクルを除去する基板洗浄処理を行う(例えば、特許文献1参照)。
特開2006−179764号公報(第5−7頁、図1)
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理槽内で基板が浸漬される処理液中に窒素ガスを溶存させてその処理液に超音波振動を付与することを大気圧下状態で行うことにより、基板の洗浄処理を行っているが、微細なパターンの形成される基板が超音波振動によってダメージを受けることがあるという問題がある。
すなわち、従来の装置は、処理槽内で基板が浸漬される処理液中に窒素ガスを溶存させてその処理液に超音波振動を付与することを大気圧下状態で行うことにより、基板の洗浄処理を行っているが、微細なパターンの形成される基板が超音波振動によってダメージを受けることがあるという問題がある。
逆に、超音波振動の付与を抑えると、パーティクル除去性能が低下してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、処理液中に気体を溶存させるとともにこの気体溶存処理液に超音波を付与する洗浄処理において、処理液中への気体溶存量の増加に連れてパーティクル除去性能は向上し、ダメージも低減していくが、大気圧下の飽和溶存状態でもダメージが生じるし、気体溶存量が飽和するとそれ以上の改善が見込めないばかりでなく、飽和後は気体がそれ以上溶存できずにマイクロバブルとなって処理液中に生じ、このマイクロバブルが超音波振動を吸収してしまい、パーティクル除去性能が低下していくことになり、折角の超音波付与が無駄に消失されているという因果関係を認識するに至った。
また、発明者は、微細なパターンの形成される基板が超音波振動によってダメージを受けるのは、蒸気性キャビテーションによるものと推認した。つまり、超音波付与により処理液中に生じる超音波の疎の箇所に非常に短い時間に真空ポケット(真空球体)が生まれ、また非常に短時間でその箇所が密になり真空ポケットがつぶれて消滅する現象のことをキャビテーションと呼ぶが、真空ポケットの消滅エネルギーによって基板がダメージを受けることがあると考えたのである。
さらに、発明者は、これらの認識に基づいて、大気圧下の飽和量を超えてさらに気体溶存量を増加できれば、大気圧下の飽和時比して、さらにダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を向上させることができるということを見出したのである。
このような知見に基づくこの発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項1に記載の発明は、
基板を処理液で処理する基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させる気体溶存手段と、前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、前記処理槽内の処理液に浸漬させた状態で基板を保持する保持機構と、少なくとも内部に前記処理槽を収容するチャンバーと、前記チャンバー内の前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とする圧力調整部と、前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように前記圧力調整部を制御し、かつ、前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させるように前記気体溶存手段を制御するとともに、前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように前記超音波振動付与手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、
基板を処理液で処理する基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させる気体溶存手段と、前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、前記処理槽内の処理液に浸漬させた状態で基板を保持する保持機構と、少なくとも内部に前記処理槽を収容するチャンバーと、前記チャンバー内の前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とする圧力調整部と、前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように前記圧力調整部を制御し、かつ、前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させるように前記気体溶存手段を制御するとともに、前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように前記超音波振動付与手段を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、処理槽は、処理液供給手段から供給される処理液を貯留する。気体溶存手段は、処理液供給手段から処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させる。超音波振動付与手段は、処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与する。保持機構は、処理槽内の処理液に浸漬させた状態で基板を保持する。チャンバーは、少なくとも内部に前記処理槽を収容する。圧力調整部は、チャンバー内に備えられた処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とする。制御手段は、処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整部を制御し、かつ、処理液供給手段から処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させるように気体溶存手段を制御するとともに、処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波振動付与手段を制御する。したがって、処理槽の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境としているので、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を処理液に溶存させることができ、大気圧下の飽和時よりも多くの気体が溶存したことで、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができ、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。その結果、大気圧下の飽和時に比して、さらにダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能も向上させることができる。
また、前述したようにキャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができることから、キャビテーションを抑制でき、超音波振動の付与量を増加させることができ、超音波振動の付与量増加によってさらにパーティクル除去性能を向上させることもできる。
また、本発明において、前記処理液供給手段は、前記処理槽内に供給する処理液を冷却する冷却手段を備えていることが好ましい(請求項2)。処理槽内に供給する処理液を冷却することにより、処理液への気体溶存量を増加させることができ、さらにダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能も向上させることができる。
また、本発明において、前記気体溶存手段は、気体供給源と、入力側が前記気体供給源に接続されてこの気体供給源からの気体を第1出力ラインと第2出力ラインとに分岐出力する供給ラインと、前記処理液供給手段からの処理液と前記供給ラインで分岐された前記第1出力ラインからの気体とが入力されて、処理液に気体を溶存させて前記処理槽に出力する気体溶存ユニットとを備え、前記圧力調整部は、前記供給ラインで分岐された前記第2出力ラインからの気体が入力され、前記チャンバー内を大気圧よりも高い加圧環境とすることが好ましい(請求項3)。気体供給源からの気体を供給ラインで気体溶存ユニットと処理槽とに分岐供給することができ、気体溶存ユニット用の気体供給ラインと処理槽用の気体供給ラインとを別個独立に設ける必要が無く、気体供給系の利用効率を高めることができるだけでなく、装置構成が複雑化することがない。
また、本発明において、気体は、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガスまたは空気であり、処理液は、純水、アンモニア水−過酸化水素水からなる液または塩酸−過酸化水素水からなる液であることが好ましい(請求項4)。パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる気体溶存処理液を実現できる。
また、本発明において、前記制御手段は、前記処理槽内の処理液の気体溶存濃度が40ppm以上となる加圧環境とするように前記圧力調整部を制御することが好ましい(請求項5)。パーティクル除去性能を少なくとも低下させることなく、かつ、基板のダメージを低減できる基板処理環境を実現することができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、制御手段は、チャンバー内の処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整部を制御し、かつ、処理液供給手段から処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させるように気体溶存手段を制御するとともに、処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように超音波振動付与手段を制御する。したがって、処理槽の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境としているので、大気圧下での気体溶存量よりも多くの気体を処理液に溶存させることができ、大気圧下の飽和時よりも多くの気体が溶存したことで、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体を増加させることができるし、気体溶存量の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。その結果、大気圧下の飽和時に比して、さらにダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能も向上させることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
実施例1に係る基板処理装置は、処理槽1、処理液供給系15、気体溶存ユニット25、超音波発生部51、チャンバー部63および制御部47を備えている。以下に、これらの構成について説明する。
処理槽1は、内槽3と外槽5を備えている。内槽3は、処理液を貯留し、保持アーム7により保持された基板Wを収容可能となっている。複数枚の基板Wは、起立姿勢で整列され、保持アーム7によって搬入・搬出される。保持アーム7は、板状のアーム9と、このアーム9の下部においてアーム9に対して直交する方向に配設され、基板Wの下縁に当接して基板Wを支持する3本の支持部材11とを備えている。この保持アーム7は、基板Wを保持しつつ内槽3内の処理位置と、内槽3の上方にあたる待機位置とにわたって昇降可能となっている。内槽3は、処理液を貯留し、内槽3から溢れた処理液が内槽3の上部外周を囲うように設けられた外槽5によって回収される。内槽3の底部両側には、内槽3へ処理液を供給する二本の噴出管13が配設されている。外槽5の底部には、排出口15が形成されており、内槽3から溢れて外槽5に回収された処理液が排出口15から排液される。
処理液供給系15は、処理槽1に処理液を供給するものであり、噴出管13に連通接続されている。具体的には、処理液供給系15は、その上流から順に、純水供給源19、制御弁21、冷却ユニット23および気体溶存ユニット25を備えている。つまり、純水供給源19に連通接続された配管27には、流量が調整可能な制御弁21が配設され、この制御弁21の下流側に連通接続された配管29に冷却ユニット23が配設され、この冷却ユニット23の下流側に連通接続された配管31に気体溶存ユニット25の液体入力口25aが連通接続され、冷却ユニット23で冷却された純水が気体溶存ユニット25の液体入力口25aに入力され、気体溶存ユニット25の下流側に連通接続された供給管17が噴出管13に連通接続されている。後述するように気体溶存ユニット25は、液体入力口25aに入力された純水に、気体供給源33からの気体(例えば、窒素ガス)を溶存させた処理液(例えば、窒素ガス溶存純水)を噴出管13に供給する。
また、冷却ユニット23は、この実施例ではインライン型の冷却装置を採用している。
また、気体供給源33は、分岐配管35が連通接続されている。つまり、この分岐配管35の入力側が気体供給源33に連通接続され、気体供給源33からの気体(例えば、窒素ガス)を第1出力配管35aと第2出力配管35bとに分岐出力する。分岐配管35の第1出力配管35aには、流量が調整可能な制御弁37が連通接続され、この制御弁37の下流側に連通接続された配管39には気体溶存ユニット25の気体入力口25bが連通接続されている。また、分岐配管35の第2出力配管35bには、流量が調整可能な制御弁41が連通接続され、この制御弁41の下流側に連通接続された配管43には圧力調整ユニット45が連通接続されている。
つまり、気体溶存ユニット25は、液体入力口25aに入力された純水に、気体入力口25bに入力された気体(例えば、窒素ガス)を溶存させて、この気体溶存処理液を噴出管13に出力するようになっている。
超音波発生部51は、処理槽1の下方に配置された伝搬槽53と、この伝搬槽53の底部の裏面に設けられた超音波振動子55とを備えている。伝搬槽53には、超音波振動を伝搬するための伝搬液が貯留されている。超音波振動子55を動作させると超音波振動が発生し、その超音波振動は、伝搬槽53の底部、伝搬液、処理槽1の底部、処理槽1の内部の処理液(窒素ガス溶存純水)を順に振動させ、基板Wの表面まで伝搬する。
チャンバー部63は、その内部に、処理槽1と超音波発生部51とを備え、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするものである。圧力調整ユニット45は、チャンバー部63内を大気圧よりも高い加圧環境とする。
また、チャンバー部63の内部には圧力計65が配設されており、チャンバー部63の内部圧力値が圧力調整ユニット45に出力されている。
制御部47は、上述した保持アーム7の昇降、制御弁21,37,41、圧力調整ユニット45、冷却ユニット23、気体溶存ユニット25および超音波発生部51を統括的に制御するものである。制御部47は、処理手順を規定したレシピを記憶するメモリ、マイクロプロセッサ、カウンタ・タイマなどを備えている。
また、内槽3内には濃度計67が配設されており、内槽3内の純水の窒素ガス溶存濃度値が制御部47に出力されている。
なお、上記保持アーム7が本発明における保持機構に相当し、上記噴出管13が本発明における処理液供給手段に相当し、上記気体供給源33、分岐配管35および気体溶存ユニット25が本発明の気体溶存手段に相当し、上記超音波発生部51が本発明における超音波振動付与手段に相当し、上記チャンバー部63が本発明におけるチャンバーに相当し、上記圧力調整ユニット45が本発明における圧力調整部に相当し、上記の制御部47が本発明における制御手段に相当する。
次に、上述した構成の基板処理装置でのパーティクル除去処理の動作について、図2も用いて説明する。図2は、パーティクル除去処理を示すフローチャートである。
なお、この実施例1では、基板Wは、処理槽1に貯留された所定の薬液に浸漬されて薬液処理されており、その後のパーティクル除去処理について説明するものとし、基板Wは保持アーム7に保持されたまま内槽3内の処理位置に移動されている状態のままであるとする。
ステップS1では、制御部47は、処理槽1に純水を供給させ、内槽3内の薬液を純水に置換するよう制御する。
具体的には、制御部47は、純水供給源19の制御弁21を開いて、純水を噴出管13から処理槽1内に供給させ、内槽3から薬液を外槽5に溢れ出させて、内槽3内を純水に置換させる(図2のステップS1)。
なお、内槽3の底面の排出孔(図示省略)に連通接続されている排出管(図示省略)の制御弁を開いて内槽3内の薬液を一気に排出した後に、内槽3内に純水を供給するようにしてもよい。
ステップS2では、制御部47は、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするようにチャンバー部63を制御する。例えば、制御部47は、チャンバー部63の内部が所定の加圧環境となるように圧力調整ユニット45を制御する。
具体的には、制御部47は、気体溶存ユニット25の方の制御弁37を閉止したままで、気体供給源33の制御弁41を開いて、圧力調整ユニット45を介してチャンバー部63内に窒素ガスを供給させて、チャンバー部63を加圧していく。チャンバー部63内に設けられた圧力計65が前記の圧力値となるまで加圧し、前記の圧力値となると、制御弁41を閉止する(図2のステップS2)。
ステップS3では、制御部47は、処理液(窒素ガス溶存純水)を処理槽1に供給させてオーバーフローさせて、処理槽1の純水を処理液(窒素ガス溶存純水)に置換させる。なおこのとき、チャンバー部63内は前述したように加圧環境状態が維持されている。
具体的には、制御部47は、純水供給源19からの純水を冷却ユニット23で所定の温度に冷却させ、気体溶存ユニット25の液体入力口25aに供給させるとともに、制御弁37を開いて気体供給源33からの気体(例えば窒素ガス)を気体溶存ユニット25の気体入力口25bに供給させて、処理液(窒素ガス溶存純水)を処理槽1に供給させてオーバーフローさせて、処理槽1の純水を処理液(窒素ガス溶存純水)に置換させる(図2のステップS3)。
内槽3内に配設された濃度計67で計測された濃度値は、制御部47に出力されている。制御部47は、その濃度値が所定の値(例えば、40ppm)以上となることをモニタしている。
ステップS4では、制御部47は、濃度計67の濃度値が前記の所定の値となると、処理槽1内に貯留された処理液(窒素ガス溶存純水)に超音波振動を所定時間にわたって付与するように超音波発生部51を動作させる。なおこのとき、前記の処理液(窒素ガス溶存純水)の処理槽1へのオーバーフロー供給も維持しており、溶存窒素ガスや超音波振動によって基板表面から除去されたパーティクルがオーバーフロー流れに従って外槽5の方に案内されて内槽3内から排除されていく。
ステップS4での処理液(窒素ガス溶存純水)への超音波付与が所定時間行われると、パーティクル除去処理が終了する。なおこの後、基板Wを引き上げて所定の乾燥処理を行うなどしてもよい。
上述したように、制御部47は、処理槽1の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように圧力調整ユニット45を制御し、かつ、純水供給源19から処理槽1内へ供給される純水に気体(例えば、窒素ガス)を溶存させるように気体溶存ユニット25を制御するとともに、処理槽1内に貯留された処理液(窒素ガス溶存純水)に超音波振動を付与するように超音波発生部51を制御しているので、処理槽1の基板処理環境が大気圧よりも高い加圧環境とすることができ、図3(a)に示すように、大気圧下での気体溶存量(窒素ガス溶存量)よりも多くの気体(窒素ガス)を純水に溶存させることができ、大気圧下の飽和時よりも多くの気体(例えば、窒素ガス)が溶存したことで、キャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体(溶存窒素ガス)を増加させることができるし、図3(a)に示すように気体溶存量(窒素ガス溶存量)の増加によってパーティクルの除去性能も上がる。その結果、大気圧下の飽和時に比して、さらにダメージを低減できる(図3(b)参照)だけでなく、パーティクル除去性能も向上させる(図3(a)参照)ことができる。
つまり、大気圧下での基板処理環境では、図3(a)に一点鎖線で示すように低い飽和量であり、その後の過飽和状態では、内槽3の処理液中に窒素ガスのマイクロバブルが発生し、このマイクロバブルによって超音波振動が吸収されてしまいパーティクル除去率が下がっている。これに対して、加圧下での基板処理環境では、図3(a)に実線で示すように、大気圧下よりも高い飽和量であり、パーティクル除去率が大気圧下よりも上回っている。なお、加圧下での基板処理環境であっても、過飽和状態では内槽3の処理液中に窒素ガスのマイクロバブルが発生し、このマイクロバブルによって超音波振動が吸収されてしまいパーティクル除去率が下がっている。
また、大気圧下での基板処理環境では、図3(b)に一点鎖線で示すように、基板Wのダメージ量が高い。これに対して、加圧下での基板処理環境では、図3(b)に実線で示すように、大気圧下よりもダメージ量が低減されている。
また、大気圧下での基板処理環境で、かつ、処理槽1内の純水への窒素ガスが飽和状態で超音波付与した場合には、図4(a)の実線で示すキャビテーションが生じている。そして、この図4(a)の実線で示すキャビテーションのうちで図4(a)に破線で示すダメージ発生境界線を越える部分(上側の部分)が、基板Wへのダメージ原因となっている。また、大気圧下での基板処理環境で、かつ、処理槽1内の純水への窒素ガスが過飽和状態で超音波付与した場合になると、溶存しきれなかった窒素ガスがマイクロバブル(気泡)となって発生し、このマイクロバブルが超音波振動を吸収してしまうことから、図4(a)に一点鎖線で示す小さなキャビテーションとなっており、ダメージの問題はないがパーティクル除去率が低下している(図3(a)の一点鎖線の下がり勾配部分を参照)。
これに対して、加圧下での基板処理環境で、かつ、処理槽1内の純水への窒素ガスが飽和状態で超音波付与した場合には、図4(a)の二点鎖線で示すキャビテーションとすることができ(図4(a)の二点鎖線で示すようにキャビテーションをコントロールすることができ)、図4(a)に破線で示すダメージ発生境界線を越えないので、ダメージが低減できる(図3(b)の実線の加圧下での飽和箇所を参照)。
また、前述したようにキャビテーションを和らげるクッションとして作用する溶存気体(溶存窒素ガス)を増加させることができることから、キャビテーションを抑制でき、図4(b)の二点鎖線で示すように、超音波振動の付与量を増加させることができ、超音波振動の付与量増加によってさらにパーティクル除去性能を向上させることもできる。
また、処理槽1内に供給する処理液(純水)を冷却する冷却ユニット23を備えているので、処理槽1内に供給する処理液を冷却することができ、処理液への気体溶存量を増加させることができ、さらにダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能も向上させることができる。
また、気体供給源33からの気体(窒素ガス)を分岐配管35で気体溶存ユニット25と処理槽1とに分岐供給することができ、気体溶存ユニット用の気体供給ラインと処理槽用の気体供給ラインとを別個独立に設ける必要が無く、気体供給系の利用効率を高めることができるだけでなく、装置構成が複雑化することがない。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、図1に示すように純水供給源19を使用していたが、これに替えて、図5に示すように薬液供給源69を採用してもよい。この薬液としては、アンモニア水−過酸化水素水からなる液(SC−1液)、塩酸−過酸化水素水からなる液(SC−2液)などが挙げられる。また、実施例の基板処理装置に薬液供給系を追加した構成を採用してもよい。
(2)上述した実施例では、気体として窒素ガスを例に挙げて説明しているが、酸素ガス(O2)、アルゴンガス(Ar)または空気などを採用してもよい。
(3)上述した実施例では、内槽3内に濃度計67を配設しているが、内槽3から排除し、気体溶存ユニット25内に設けるようにし、所定量の気体溶存処理液(例えば、窒素ガス溶存純水)を処理槽1に供給することで、処理槽1内の処理液が所定の濃度となっているとしてもよい。
W … 基板
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 保持アーム(保持機構)
9 … アーム
13 … 噴出管(処理液供給手段)
25 … 気体溶存ユニット(気体溶存手段)
33 … 気体供給源(気体溶存手段)
35 … 分岐配管(気体溶存手段)
45 … 圧力調整ユニット(圧力調整部)
47 … 制御部(制御手段)
51 … 超音波発生部(超音波振動付与手段)
63 … チャンバー部(チャンバー)
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 保持アーム(保持機構)
9 … アーム
13 … 噴出管(処理液供給手段)
25 … 気体溶存ユニット(気体溶存手段)
33 … 気体供給源(気体溶存手段)
35 … 分岐配管(気体溶存手段)
45 … 圧力調整ユニット(圧力調整部)
47 … 制御部(制御手段)
51 … 超音波発生部(超音波振動付与手段)
63 … チャンバー部(チャンバー)
Claims (5)
- 基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させる気体溶存手段と、
前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、
前記処理槽内の処理液に浸漬させた状態で基板を保持する保持機構と、
少なくとも内部に前記処理槽を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内の前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とする圧力調整部と、
前記処理槽の基板処理環境を大気圧よりも高い加圧環境とするように前記圧力調整部を制御し、かつ、前記処理液供給手段から前記処理槽内へ供給される処理液に気体を溶存させるように前記気体溶存手段を制御するとともに、前記処理槽内に貯留された処理液に超音波振動を付与するように前記超音波振動付与手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、前記処理槽内に供給する処理液を冷却する冷却手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記気体溶存手段は、気体供給源と、入力側が前記気体供給源に接続されてこの気体供給源からの気体を第1出力ラインと第2出力ラインとに分岐出力する供給ラインと、前記処理液供給手段からの処理液と前記供給ラインで分岐された前記第1出力ラインからの気体とが入力されて、処理液に気体を溶存させて前記処理槽に出力する気体溶存ユニットとを備え、
前記圧力調整部は、前記供給ラインで分岐された前記第2出力ラインからの気体が入力され、前記チャンバー内を大気圧よりも高い加圧環境とする
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記気体は、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガスまたは空気であり、
前記処理液は、純水、アンモニア水−過酸化水素水からなる液または塩酸−過酸化水素水からなる液であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記処理槽内の処理液の気体溶存濃度が40ppm以上となる加圧環境とするように前記圧力調整部を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007077171A JP2008235814A (ja) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007077171A JP2008235814A (ja) | 2007-03-23 | 2007-03-23 | 基板処理装置 |
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Cited By (1)
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CN110918550A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 冷却***及冷却方法 |
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2007
- 2007-03-23 JP JP2007077171A patent/JP2008235814A/ja active Pending
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