JP2008227087A - 半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の加速度センサ素子2は、半導体センサチップ20と、セラミックパッケージ21と、リッド22とから構成されている。セラミックパッケージ21の底部212には、半導体センサチップ20が固定されている。リッド22の中央部には、反半導体センサチップ20側に突出したドーム状の突出部220が形成されている。リッド22は、セラミックパッケージ21の開口部213を覆うように配置され、シールリング214にシーム溶接されている。そのため、リッド22の板厚を厚くすることなく、耐圧性を向上させることができる。従って、モールド成形時の成形圧によるリッド22の変形を抑えることができる。
【選択図】図2
Description
まず、図1を参照して加速度センサ装置の構成について説明する。ここで、図1は、第1実施形態における加速度センサ装置の断面図である。
リードを介して変換回路部201に配線されている。
次に、第2実施形態の加速度センサ装置について説明する。第2実施形態の加速度センサ装置は、第1実施形態の加速度センサ装置に対して、加速度センサ素子のリッドの形状のみを変更したものである。
次に、第3実施形態の加速度センサ装置について説明する。第3実施形態の加速度センサ装置は、第1実施形態の加速度センサ装置に対して、加速度センサ素子のリッドの形状のみを変更したものである。
Claims (5)
- 半導体チップと、前記半導体チップを収容する有底筒状の容器と、前記容器の開口部を密閉する板状の蓋体とを備えた半導体素子において、
前記蓋体は、反容器側に突出する突出部を中央部に有することを特徴とする半導体素子。 - 前記突出部は、ドーム状に成形されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体素子。 - 前記突出部は、反容器側から見た外形の形状が円形、楕円形又は多角形であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記突出部は、高さが板厚以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体素子。
- 前記半導体チップは、加速度を検出することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体素子。
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