JP2008209483A - 電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008209483A JP2008209483A JP2007043904A JP2007043904A JP2008209483A JP 2008209483 A JP2008209483 A JP 2008209483A JP 2007043904 A JP2007043904 A JP 2007043904A JP 2007043904 A JP2007043904 A JP 2007043904A JP 2008209483 A JP2008209483 A JP 2008209483A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- manufacturing
- electro
- groove
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】ガラス基板の角部に衝撃を与えることなくガラス基板の角部を分離し、落下時の衝撃耐性を向上させたガラス基板の製造方法、及びこのガラス基板を備えた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】ガラス基板1と、ガラス基板1に対向する対向基板と、ガラス基板1及び対向基板に挟持された電気光学材料とを備えた電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板1の第1主面の角を含む角部2近傍に、角から延びたガラス基板1の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、ガラス基板1の第1主面に支持体を貼着する工程と、ガラス基板1の第2主面にエッチング処理を行って、ガラス基板1を薄くすることで溝を貫通させ、ガラス基板1の角部2を、溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法とした。
【選択図】図3
【解決手段】ガラス基板1と、ガラス基板1に対向する対向基板と、ガラス基板1及び対向基板に挟持された電気光学材料とを備えた電気光学装置の製造方法であって、ガラス基板1の第1主面の角を含む角部2近傍に、角から延びたガラス基板1の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、ガラス基板1の第1主面に支持体を貼着する工程と、ガラス基板1の第2主面にエッチング処理を行って、ガラス基板1を薄くすることで溝を貫通させ、ガラス基板1の角部2を、溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法とした。
【選択図】図3
Description
本発明は、電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法に関する。
液晶表示装置などの電気光学装置は、軽量化されることが求められている。そのため、電気光学装置に用いられるガラス基板の厚さは、より薄くなる傾向にある。
しかし、非常に薄いガラス基板は機械的に脆く、電気光学装置にこのガラス基板を用いると、落下の衝撃に十分耐えることができない。例えば、ガラス基板の稜線部に衝撃を与えると、ガラス基板が割れてしまうことがある。また、割れなくても、小さなクラックなどが発生して、後に与えられる小さな衝撃によって、割れる可能性が残る。
この問題を回避するために、製造工程において、ガラス基板の稜線部に面取り加工を施し、衝撃耐性を向上させることが提案されている。(特許文献1)
特開平9−225665号公報
しかし、ガラス基板の稜線部における衝撃耐性は向上しても、ガラス基板の角部における衝撃耐性は十分ではない。ガラス基板の4隅は尖っており、ガラス基板の角部に集中した衝撃によって、ガラスは割れてしまう。そのため、ガラス基板の角部を分離して、落下時の衝撃が集中する箇所をなくす必要がある。
ところが、非常に薄いガラス基板の角部を機械的な切断によって分離することは、ガラス基板の最も弱い場所に衝撃を与えることになる。その結果、ガラス基板が割れたり、あるいはクラックなどが発生する可能性があり、好ましい方法ではない。
そこで本発明は、ガラス基板の角部に衝撃を与えることなくガラス基板の角部を分離し、落下時の衝撃耐性を向上させたガラス基板の製造方法、及びこのガラス基板を備えた電気光学装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、以下の構成を特徴とするガラス基板の製造方法である。
(1)ガラス基板と、前記ガラス基板に対向する対向基板と、当該ガラス基板及び当該対向基板に挟持された電気光学材料とを備えた電気光学装置の製造方法であって、前記ガラス基板の第1主面の角を含む角部近傍に、当該角から延びた前記ガラス基板の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、前記ガラス基板の第1主面に支持体を貼着する工程と、前記ガラス基板の第2主面にエッチング処理を行って、前記ガラス基板を薄くすることで前記溝を貫通させ、前記ガラス基板の前記角部を、前記溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。この製造方法を用いることによって、薄い前記ガラス基板に対して、機械的な衝撃を与えることなく、前記ガラス基板の前記角部を分離することができる。さらに、前記エッチング処理によって、前記稜線を面取り加工することができる。よって、衝撃に強い前記ガラス基板とすることができる。
(2)前記(1)に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記溝が、前記2本の稜線と交差する位置は、前記角からそれぞれの前記稜線に沿って0.5mm以上5mm以下の位置であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。これによって、電気光学装置の表示部に影響を与えることのない、衝撃に強いガラス基板とすることができる。
(3)前記(1)又は前記(2)に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記エッチング処理が行われる以前における前記溝の深さは、前記ガラス基板の厚さの1/2以上で、かつ、前記ガラス基板の厚さよりも浅いことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。これによって、機械的な切断によって前記ガラス基板を分離するときに、ガラス基板に与える衝撃をなくすことができる。
(4)前記(1)から前記(3)の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法であって、厚さが略500μmの前記ガラス基板に対して、250μm以上500μm未満の溝を形成した後、前記ガラス基板を50μm以上200μm以下に薄くすることを特徴とする電気光学装置の製造方法である。これによって、エッチング処理を行う過程で、前記溝を貫通することができ、ガラス基板に衝撃を与えずに、前記角部を分離することができる。さらに、前記溝を形成した面及び前記稜線に対して面取り加工を並行して行うことができるので、前記ガラス基板に発生したクラックやチッピングを除去することができる。
(5)前記(1)から前記(4)の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記溝の形成に先立って、画素回路を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法である。この方法によって、薄くなった前記ガラス基板に対して行う製造工程が減少し、前記製造工程において前記ガラス基板が割れる可能性を少なくすることができる。よって、製造歩留りが向上し、製造コストの低減につながる。
(6)ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の第1主面の角を含む角部近傍に、当該角から延びた前記ガラス基板の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、前記ガラス基板の第1主面に支持体を貼着する工程と、前記ガラス基板の第2主面にエッチング処理を行って、前記ガラス基板を薄くすることで前記溝を貫通させ、前記ガラス基板の前記角部を、前記溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とするガラス基板の製造方法である。この製造方法を用いることによって、薄い前記ガラス基板に対して、機械的な衝撃を与えることなく、前記ガラス基板の前記角部を分離することができる。さらに、前記エッチング処理によって、前記稜線を面取り加工することができる。よって、衝撃に強い前記ガラス基板とすることができる。
以下、電気泳動表示装置を例にとって、本発明の実施形態について説明する。
図1は、ガラス基板1の斜視図である。ガラス基板1は、大きなガラス板から略矩形状に切断して作成されたもので、ガラス基板1の大きさは、対角線の長さでおよそ2インチ−13インチである。このガラス基板1の厚さはおよそ500μmで、ガラス基板1の表面には駆動用TFT(図示は省略)、画素電極(図示は省略)などの画素回路20がマトリクス状に形成されている。
図2はガラス基板1におけるA−A断面図である。ガラス基板1の表面には、多結晶シリコンからなる島状の半導体膜6が形成されている。この半導体膜6の図示左右側の領域には、ソース領域5sおよびドレイン領域5dが高濃度イオン打ち込みによりそれぞれ形成されている。一方、イオンが打ち込まれない中央部がチャネル領域5cとなっている。そして、半導体膜6を覆うゲート絶縁膜7を介してチャネル領域5cに対向してゲート電極5gが形成されている。駆動用TFT5はソース領域5s、ドレイン領域5d、チャネル領域5c、ゲート絶縁膜7、及びゲート電極5gを備えて構成されている。また、ゲート電極5g、及びゲート絶縁膜7を覆って第1層間絶縁膜8が形成されている。この第1層間絶縁膜8表面と、第1層間絶縁膜8及びゲート絶縁膜7を貫通してソース領域5s、ドレイン領域5dに達するコンタクトホールC1、C2に、それぞれソース電極11、ドレイン電極12が形成され、これらの電極11、12はそれぞれドレイン領域5s、ソース領域5dに導電接続されている。第1層間絶縁膜8上には、第2層間絶縁膜13が形成され平坦化されている。第2層間絶縁膜13には、第2層間絶縁膜13を貫通して、ドレイン電極12に達するコンタクトホールC3が形成され、第2層間絶縁膜13の表面及びコンタクトホールC3に、ドレイン電極12と導電接続された画素電極14が形成されている。
上述した画素回路20が形成されたガラス基板1に対して、衝撃耐性を向上させるためにガラス基板1の角部を分離する工程を行う。
図3は、ガラス基板1の角部を分離する工程を示した図である。図3には、ある1つの角部における断面図及び平面図が示されている。図3(a)の状態は、ガラス基板1が、画素回路20が形成された面を上にして、真空吸着によってダイシング装置(図示しない)に固定されている状態である。このガラス基板1の4隅に、ダイシングブレード50を用いて深さ250μmの溝を形成すると図3(b)の状態となる。
ガラス基板1の厚さが200μm以上あれば、溝を形成する工程でダイシングブレード50を用いても、ガラス基板1を破壊させるほどの衝撃を与えることはない。また、マスクを用いたドライエッチング法でも溝を形成することが可能である。
ダイシングブレード50の幅は、50μm−100μmであることが好ましい。
次に、ガラス基板1の表面にサポートテープ支持体60を貼着する(図3(c))。このサポートテープ支持体60は、この後に行われるウエットエッチング処理において、画素回路20を保護するために用いられるものである。
ガラス基板1を裏返して、ガラス基板1の裏面に対して全面にウエットエッチング処理を行う(図3(d))。このウエットエッチング処理では、ガラス基板1の裏面側から一様にエッチングが進行し、ガラス基板1は全体的に薄くなる。
ウエットエッチング処理が、ガラス基板1の厚さが250μmになるまで進行すると、ガラス基板1の裏面が、ダイシングブレード50によって形成された溝とつながり、ガラス基板1の角部2が分離されて図3(e)の状態となる。
分離された角部2の大きさは、ガラス基板1の稜線に沿って、およそ2mm−3mmであるが、ガラス基板1の大きさによって、0.5mm−5mmとなることもある。
ウエットエッチング処理は、ガラス基板1の厚さが50μm−200μmになるまで行われる。この間に、角部2を分離するための溝を形成した面にもエッチング液が進入し、溝を形成する際にガラス基板1の端面に発生したクラック及びチッピングを除去することができる。それと並行して、ガラス基板1の稜線にもエッチング液が接触するので、ガラス基板1を作製した際に稜線に発生したクラック及びチッピングも除去することができる。その結果、落下した際の衝撃に強いガラス基板1とすることができる。
ウエットエッチング処理を終えたガラス基板1を再び裏返し、サポートテープ支持体60が貼られた面を上にして固定する。
この状態のガラス基板1の上方から紫外線を照射すると、サポートテープ支持体60の粘着性は低下する。これにより、サポートテープ支持体60をガラス基板1から剥離することができ、ガラス基板1の角部2を分離する工程が完了する(図3(f))。
以上の方法によって作製されたガラス基板1は、4隅が分離されて、衝撃が集中する箇所がない。さらに、すべての稜線部は面取りされているので、耐衝撃性が向上したガラス基板1とすることができる。
図4は、本実施形態に係る電気泳動表示装置100の断面図である。4隅が分離されたガラス基板1の画素回路20を形成した面の略全面に、電気泳動粒子を含んだ複数のマイクロカプセル31で構成される電気泳動シートを覆い、電気泳動層30を形成する。さらに、共通電極41を表面に形成した対向基板40を、共通電極41が電気泳動層30と当接するように設置する。これによって、電気泳動層30が、ガラス基板1及び対向基板40で挟持された電気泳動表示装置100を得られる。
以上で説明した製造方法によって得られた電気泳動表示装置100のガラス基板1は、落下した際の衝撃によって割れることがない。そのため、電気泳動表示装置100としても落下に対する耐衝撃性を向上させることができる。さらに、対向基板40においても、ガラス基板1と同様の工程によって角部を分離させたものを用いることができる。これによって、さらに耐衝撃性を向上させた電気泳動表示装置100とすることができる。
本実施形態では、電気光学装置の一例として電気泳動表示装置100を用いて説明したが、画素回路20を有するガラス基板1を使用する有機EL装置、液晶表示装置などの電気光学装置に適用することもできる。
本実施形態におけるガラス基板の製造方法は、画素回路20を持たない薄いガラス基板1を製造する工程に対しても適用することができる。
1…ガラス基板、2…角部、5…駆動用TFT、6…半導体膜、14…画素電極、20…画素回路、30…電気泳動層、40…対向基板、41…共通電極、50…ダイシングブレード、60…サポートテープ支持体
Claims (6)
- ガラス基板と、前記ガラス基板に対向する対向基板と、当該ガラス基板及び当該対向基板に挟持された電気光学材料とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記ガラス基板の第1主面の角を含む角部近傍に、当該角から延びた前記ガラス基板の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、
前記ガラス基板の第1主面に支持体を貼着する工程と、
前記ガラス基板の第2主面にエッチング処理を行って、前記ガラス基板を薄くすることで前記溝を貫通させ、前記ガラス基板の前記角部を、前記溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記溝が、前記2本の稜線と交差する位置は、前記角からそれぞれの前記稜線に沿って0.5mm以上5mm以下の位置であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記エッチング処理が行われる以前における前記溝の深さは、前記ガラス基板の厚さの1/2以上で、かつ、前記ガラス基板の厚さよりも浅いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
厚さが略500μmの前記ガラス基板に対して、250μm以上500μm未満の溝を形成した後、前記ガラス基板を50μm以上200μm以下に薄くすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4の何れか1項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記溝の形成に先立って、画素回路を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の第1主面の角を含む角部近傍に、当該角から延びた前記ガラス基板の2本の稜線と交差する方向に直線状に延びる溝を形成する工程と、前記ガラス基板の第1主面に支持体を貼着する工程と、前記ガラス基板の第2主面にエッチング処理を行って、前記ガラス基板を薄くすることで前記溝を貫通させ、前記ガラス基板の前記角部を、前記溝の形成位置で分離する工程とを含むことを特徴とするガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043904A JP2008209483A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007043904A JP2008209483A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008209483A true JP2008209483A (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=39785864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007043904A Withdrawn JP2008209483A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008209483A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021172562A (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-01 | 株式会社Nsc | 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法 |
-
2007
- 2007-02-23 JP JP2007043904A patent/JP2008209483A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021172562A (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-01 | 株式会社Nsc | 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法 |
WO2021220890A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | 株式会社Nsc | 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法 |
JP7028418B2 (ja) | 2020-04-27 | 2022-03-02 | 株式会社Nsc | 貫通孔を有するガラス基板製造方法および表示装置製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5547901B2 (ja) | 表示装置 | |
KR101971202B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
US8236125B2 (en) | Method for manufacturing thin film multilayer device, method for manufacturing display device, and thin film multilayer device | |
US9023685B2 (en) | Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus | |
KR101971594B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
WO2020237913A1 (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
KR20200037765A (ko) | 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2008311636A5 (ja) | ||
JP5243665B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP4997434B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
US9859440B2 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing same | |
US9257565B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
JP4918985B2 (ja) | 薄膜デバイスの製造方法 | |
US8749747B2 (en) | Method of manufacturing liquid crystal panel, glass substrate for liquid crystal panel, and liquid crystal panel including the same | |
JP2008209483A (ja) | 電気光学装置の製造方法、及びガラス基板の製造方法 | |
US9041001B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
CN109728002B (zh) | 显示基板、显示装置和显示基板的制造方法 | |
CN111668239B (zh) | Oled显示面板及制备方法 | |
US20170148825A1 (en) | Method for manufacturing array substrate, and array substrate, display panel and display device | |
KR102291463B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
TWI470593B (zh) | 可撓式顯示面板的製造方法 | |
US20110309467A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR102067422B1 (ko) | 플렉서블 표시장치의 제조방법 | |
KR102156762B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 | |
JP5329324B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100511 |