JP2008184679A - Activation composition for electroless palladium plating - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行う際に用いる無電解パラジウムめっき用の活性化組成物、及び該活性化組成物を用いて活性化処理を行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜の形成方法に関する。 The present invention relates to an activation composition for electroless palladium plating used when performing electroless palladium plating on nickel, and plating on a printed wiring board including a step of performing an activation treatment using the activation composition The present invention relates to a method for forming a film.
電子部品、特にプリント配線板において、金ワイヤー、アルミワイヤー等のボンディングやハンダ付けを行う際に、接合箇所の導体部分に対する表面処理として、無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、金めっき皮膜を形成することがある。この処理は、金めっき皮膜によってニッケルめっき皮膜の表面を保護して高いハンダ接合強度を発揮させるとともに、良好なハンダ濡れ性を確保すること等を目的とするものである。 When bonding or soldering gold wires, aluminum wires, etc. on electronic parts, especially printed wiring boards, after forming an electroless nickel plating film as a surface treatment for the conductor part of the joint, form a gold plating film There are things to do. The purpose of this treatment is to protect the surface of the nickel plating film with a gold plating film to exhibit high solder joint strength and to ensure good solder wettability.
この場合、通常、１〜１０μｍ程度の無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、置換析出型の金めっき液を用いて０．０３〜０．１μｍ程度の金めっき皮膜を形成しており、更に、金ワイヤーボンディングにおける優れた耐熱性を付与することなどを目的として、厚さ０．２〜１μｍ程度の厚付け金めっき皮膜を置換めっき法又は還元めっき法によって形成することがある。 In this case, usually, after forming an electroless nickel plating film of about 1 to 10 μm, a gold plating film of about 0.03 to 0.1 μm is formed using a displacement deposition type gold plating solution, For the purpose of imparting excellent heat resistance in gold wire bonding, a thick gold plating film having a thickness of about 0.2 to 1 μm may be formed by a displacement plating method or a reduction plating method.
しかしながら、上記した方法では、置換めっき法で金めっき皮膜を形成する際に、下地のニッケルめっき皮膜との電位差によって金めっきが析出するために、ニッケルめっき皮膜の表面が浸食されるという問題点がある。この様なニッケルめっき皮膜の浸食は、ハンダ付け性やボンディング性の低下の原因となり、更に、液の汚染の原因ともなる。 However, the above-described method has a problem in that when the gold plating film is formed by the displacement plating method, the surface of the nickel plating film is eroded because gold plating is deposited due to a potential difference from the underlying nickel plating film. is there. Such erosion of the nickel plating film causes deterioration of solderability and bonding property, and further causes contamination of the liquid.
このため、ニッケルめっき皮膜の保護等を目的として、無電解ニッケルめっき皮膜と置換金めっき皮膜との間に、中間層として無電解パラジウムめっき皮膜を形成する方法が提案されている（下記特許文献１参照）。この方法は、中間層としてパラジウムめっき皮膜を形成することによって、置換金めっき液によるニッケルめっき皮膜の浸食を抑制しようとするものである。特許文献１は、ギ酸又はその塩を還元剤として含む無電解パラジウムめっき液を用いることによって、ボンディング性やハンダ付け性に優れた皮膜を形成できることを開示している。 For this reason, a method of forming an electroless palladium plating film as an intermediate layer between the electroless nickel plating film and the displacement gold plating film has been proposed for the purpose of protecting the nickel plating film (Patent Document 1 below). reference). This method intends to suppress erosion of the nickel plating film by the displacement gold plating solution by forming a palladium plating film as an intermediate layer. Patent Document 1 discloses that a film excellent in bonding property and solderability can be formed by using an electroless palladium plating solution containing formic acid or a salt thereof as a reducing agent.
また、下記特許文献２には、外部接続端子部に無電解ニッケルめっき皮膜及び無電解パラジウムめっき皮膜、又は無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜及び無電解金めっき皮膜がこの順に形成された回路基板が記載されており、無電解パラジウムめっき皮膜のリン含有量を０．０１〜１ｗｔ％とすることによって、無電解ニッケルめっき皮膜及び無電解パラジウムめっき皮膜の接合性が向上することが記載されている。そして、上記したリン含有量のパラジウムめっき皮膜を形成するために、還元剤として亜リン酸ナトリウムを含む無電解パラジウムめっき液を使用できることが記載されている。 In Patent Document 2 below, an electroless nickel plating film and an electroless palladium plating film, or an electroless nickel plating film, an electroless palladium plating film, and an electroless gold plating film are formed in this order on the external connection terminal portion. The circuit board is described, and it is described that the bonding property of the electroless nickel plating film and the electroless palladium plating film is improved by setting the phosphorus content of the electroless palladium plating film to 0.01 to 1 wt%. ing. And in order to form the palladium plating membrane | film | coat of above-mentioned phosphorus content, it describes that the electroless palladium plating solution containing sodium phosphite as a reducing agent can be used.
以上の様に、プリント配線板など電子部品の分野において、無電解ニッケルめっきを行った後、無電解パラジウムめっきを行う方法が実施されている。しかしながら、無電解パラジウムめっき液は、不純物の影響を受けやすく、例えば、プリント配線板に対して連続的にめっき処理を行うと、配線材料として用いられている銅等がめっき液に混入してくるケースがあり、この場合には、無電解パラジウムめっきの析出性が低下して、パラジウムの析出反応が停止してしまうことがある。 As described above, in the field of electronic components such as printed wiring boards, a method of performing electroless palladium plating after performing electroless nickel plating has been implemented. However, the electroless palladium plating solution is easily affected by impurities. For example, when a plating process is continuously performed on a printed wiring board, copper or the like used as a wiring material is mixed into the plating solution. There is a case, and in this case, the deposition property of the electroless palladium plating is lowered, and the palladium deposition reaction may be stopped.
めっき液に混入した不純物を除去する方法としては、活性炭処理が広く行われている。しかしながら、銅イオンについては、無電解パラジウムめっき液中に０．１ｍｇ／Ｌ程度の微量含まれるだけでもめっき反応が停止する場合があり、このような微量の不純物については、活性炭処理では完全には除去することは困難である。このため、無電解パラジウムめっき液中に不純物が混入して析出性が低下した場合には、めっき液の一部又は全液を更新することが必要となり、コスト的に非常に不利となっている。
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and its main purpose is to use an electroless palladium plating solution containing impurities such as copper on the nickel film. It is to provide a pretreatment composition for electroless palladium plating capable of stably depositing a palladium plating film.
本発明者は、上記した目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、無電解めっき法などの各種の方法で形成されたニッケル皮膜について、パラジウム化合物とヒドラジン類を含む水溶液を用いて活性化処理を行った後、無電解パラジウムめっきを行う場合には、無電解パラジウムの析出性が大きく向上し、無電解パラジウムめっき液中に銅などの不純物が存在する場合であっても、パラジウム皮膜の析出反応が停止することなく、安定して無電解パラジウムめっき皮膜を形成することが可能となることを見出した。 As a result of intensive studies to achieve the above-mentioned object, the present inventor has activated nickel films formed by various methods such as electroless plating using an aqueous solution containing a palladium compound and hydrazines. In the case of performing electroless palladium plating, the deposition property of electroless palladium is greatly improved, and even when impurities such as copper are present in the electroless palladium plating solution, the deposition of the palladium film It has been found that an electroless palladium plating film can be stably formed without stopping the reaction.
即ち、本発明は、下記のニッケル上に無電解パラジウムめっきを行う際に用いる活性化組成物及び該活性化組成物を用いるプリント配線板へのめっき皮膜形成方法を提供するものである。
１． パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物。
２． ヒドラジン類が、ヒドラジン、ヒドラジン塩、ピラゾール類、トリアゾール類及びヒドラジド類からなる群から選ばれた少なくとも一種である請求項１に記載の活性化組成物。
３． プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記項１又は２に記載の活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。
４． 上記項３の方法によって無電解パラジウムめっき皮膜を形成した後、更に、置換金めっき液及び／または還元金めっき液を用いて金めっき皮膜を形成する工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。
That is, this invention provides the activation composition used when performing electroless palladium plating on the following nickel, and the plating film formation method to a printed wiring board using this activation composition.
1. An activation composition on a nickel surface for electroless palladium plating on nickel, comprising an aqueous solution containing a palladium compound and hydrazines.
2. The activated composition according to claim 1, wherein the hydrazine is at least one selected from the group consisting of hydrazine, hydrazine salts, pyrazoles, triazoles and hydrazides.
3. After forming an electroless nickel plating film on the conductor portion of the printed wiring board, activation treatment of the nickel plating film is performed using the activation composition according to Item 1 or 2, and then electroless palladium plating is performed. A method for forming a plating film on a printed wiring board including a process.
4). A method for forming a plating film on a printed wiring board, further comprising a step of forming a gold plating film using a replacement gold plating solution and / or a reduced gold plating solution after forming an electroless palladium plating film by the method of item 3 above .
以下、本発明の活性化組成物について具体的に説明する。 Hereinafter, the activation composition of the present invention will be specifically described.
活性化組成物
本発明の活性化組成物は、パラジウム化合物とヒドラジン類を有効成分として含有する水溶液である。該組成物を用いてニッケル表面の活性化処理を行うことによって、銅などの不純物を含む無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定して良好な無電解パラジウムめっき皮膜を形成することができる。
Activating composition The activating composition of the present invention is an aqueous solution containing a palladium compound and hydrazines as active ingredients. By performing activation treatment on the nickel surface using the composition, even when an electroless palladium plating solution containing impurities such as copper is used, a stable and good electroless palladium plating film is formed on the nickel film. Can be formed.
（１）パラジウム化合物
本発明の活性化組成物では、パラジウム化合物としては、本発明の活性化組成物において溶媒とする水に可溶性であって、所定のパラジウム濃度の水溶液が得られるものであれば特に限定なく使用できる。この様なパラジウム化合物としては、硫酸パラジウム、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロジエチンレジアミンパラジウム、テトラアンミンパラジウムジクロライド等の水溶性パラジウム化合物を例示できる。更に、パラジウムを溶液化したいわゆるパラジウム溶液を使用することもできる。パラジウム溶液としては、例えば、ジクロロジエチレンジアミンパラジウム溶液、テトラアンミンパラジウムジクロライド溶液等を例示できる。これらのパラジウム溶液の濃度については限定はなく、目的とするパラジウム濃度の水溶液を形成するために使用できる溶液であればよい。パラジウム化合物は、１種単独又は２種以上混合して用いることができる。
(1) Palladium compound In the activated composition of the present invention, the palladium compound is soluble in water used as a solvent in the activated composition of the present invention, and an aqueous solution having a predetermined palladium concentration can be obtained. There is no particular limitation. Examples of such a palladium compound include water-soluble palladium compounds such as palladium sulfate, palladium chloride, palladium acetate, dichlorodiethine rediamine palladium, and tetraammine palladium dichloride. Furthermore, a so-called palladium solution in which palladium is made into a solution can also be used. Examples of the palladium solution include a dichlorodiethylenediamine palladium solution and a tetraammine palladium dichloride solution. The concentration of these palladium solutions is not limited, and any solution can be used as long as it can be used to form an aqueous solution having a desired palladium concentration. A palladium compound can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
本発明の活性化組成物において、パラジウム化合物の濃度は、パラジウムとして０．０１〜１０ｇ／Ｌ程度とすることが好ましく、０．０５〜２ｇ／Ｌ程度とすることがより好ましい。パラジウム濃度が低すぎると本発明の効果が十分発揮されず、逆にパラジウム濃度が高すぎる場合は、活性化液が不安定になるため好ましくない。 In the activated composition of the present invention, the concentration of the palladium compound is preferably about 0.01 to 10 g / L as palladium, more preferably about 0.05 to 2 g / L. If the palladium concentration is too low, the effects of the present invention are not sufficiently exhibited. Conversely, if the palladium concentration is too high, the activation liquid becomes unstable, which is not preferable.
（２）ヒドラジン類
本発明の活性化組成物では、ヒドラジン類としては、ヒドラジン；硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン等のヒドラジン塩；ピラゾール類、トリアゾール類、ヒドラジド類等のヒドラジン誘導体等を用いることができる。
(2) Hydrazines In the activated composition of the present invention, hydrazines such as hydrazine; hydrazine salts such as hydrazine sulfate and hydrazine hydrochloride; hydrazine derivatives such as pyrazoles, triazoles and hydrazides can be used.
これらの内で、ピラゾール類としては、ピラゾールの他に、３，５−ジメチルピラゾール、３−メチル−５−ピラゾロン等のピラゾール誘導体を用いることができる。トリアゾール類としては、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール等を用いることができる。ヒドラジド類としては、アジピン酸ヒドラジド、マレイン酸ヒドラジド等を用いることができる。ヒドラジン類としては、特に、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、アジピン酸ヒドラジド、マレイン酸ヒドラジド等が活性化液の安定性が良好である点において好ましい。ヒドラジン類は、１種単独又は２種以上混合して用いることができる。 Among these, as pyrazoles, pyrazole derivatives such as 3,5-dimethylpyrazole and 3-methyl-5-pyrazolone can be used in addition to pyrazole. As triazoles, 4-amino-1,2,4-triazole, 1,2,3-triazole and the like can be used. As the hydrazides, adipic acid hydrazide, maleic acid hydrazide and the like can be used. As the hydrazines, hydrazine sulfate, hydrazine hydrochloride, adipic hydrazide, maleic hydrazide and the like are particularly preferable in that the stability of the activation liquid is good. Hydrazines can be used singly or in combination of two or more.
ヒドラジン類の濃度は、０．０１〜５０ｇ／Ｌ程度とすることが好ましく、０．０５〜２０ｇ／Ｌ程度とすることがより好ましい。ヒドラジン類の濃度が低すぎると本発明の効果が十分発揮されず、逆に濃度が高すぎる場合は、活性化液が不安定になるため好ましくない。 The concentration of hydrazines is preferably about 0.01 to 50 g / L, more preferably about 0.05 to 20 g / L. If the concentration of hydrazines is too low, the effects of the present invention are not sufficiently exhibited. Conversely, if the concentration is too high, the activation liquid becomes unstable, which is not preferable.
（３）その他の成分
本発明の活性化組成物には、更に、必要に応じて、本発明組成物の活性化作用に悪影響のない範囲でその他の成分、例えば、有機酸類、アミン化合物等を配合することができる。これらの成分を添加することによって、例えば、本発明の活性化組成物をｐＨ７以上のアルカリ域で用いる場合に、パラジウムを安定化する効果や、下地のニッケルの溶出があった場合に、活性化液中でニッケルを安定化する効果等が発揮される。有機酸類としては、例えば、酢酸、蟻酸等のモノカルボン酸、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等；マロン酸、コハク酸、アジピン酸、マレイン酸、フマール酸等のジカルボン酸、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等；リンゴ酸、乳酸、グリコール酸、グルコン酸、クエン酸等のヒドロキシカルボン酸、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等；エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等；グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｌ−グルタミン酸２酢酸、Ｌ−アスパラギン酸、タウリン等のアミノ酸類、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等；アミノトリメチレンホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、これらのアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩等を用いることができる。また、アミン化合物としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどを用いることができる。
(3) Other components The activation composition of the present invention may further contain other components, for example, organic acids, amine compounds, etc. within a range that does not adversely affect the activation action of the composition of the present invention. Can be blended. By adding these components, for example, when the activation composition of the present invention is used in an alkaline region having a pH of 7 or more, it is activated when there is an effect of stabilizing palladium or elution of the underlying nickel. The effect of stabilizing nickel in the liquid is exhibited. Examples of organic acids include monocarboxylic acids such as acetic acid and formic acid, ammonium salts, potassium salts, and sodium salts thereof; dicarboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, adipic acid, maleic acid, and fumaric acid; and ammoniums thereof. Salts, potassium salts, sodium salts, etc .; hydroxycarboxylic acids such as malic acid, lactic acid, glycolic acid, gluconic acid, citric acid, their ammonium salts, potassium salts, sodium salts, etc .; ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, diethylenetriaminepenta Aminopolycarboxylic acids such as acetic acid, ammonium salts, potassium salts, sodium salts thereof; amino acids such as glycine, alanine, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, L-glutamic acid, L-glutamic acid diacetic acid, L-aspartic acid, taurine ,these Ammonium salt, potassium salt, sodium salt, etc .; aminotrimethylenephosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, ammonium salts thereof, potassium salts, sodium salts, etc. can be used. . As the amine compound, ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, or the like can be used.
有機酸類とアミン化合物は、一種単独又は二種以上混合して用いることができる。これらの成分の含有量については特に限定はないが、上記したニッケルの沈殿防止や活性化液を安定化させる効果を得るためには、例えば、０．１〜１００ｇ／Ｌ程度の濃度範囲とすることができる。 The organic acids and amine compounds can be used alone or in combination of two or more. Although there is no limitation in particular about content of these components, in order to acquire the effect which stabilizes the precipitation prevention of said nickel and an activation liquid mentioned above, it shall be a concentration range of about 0.1-100 g / L, for example. be able to.
（４）活性化組成物のｐＨ
本発明の活性化組成物のｐＨは、特に限定的ではなく、例えば、１０以下のｐＨ範囲で用いることができる。但し、被めっき物としてプリント配線板を用いる場合には、ソルダーマスク等耐アルカリ性の低い材料が用いられることが多いので、この場合には、活性化組成物のｐＨを７程度以下の酸性とすることが好ましい。特に、ｐＨ１以下の強酸性とする場合には、活性化液の安定性が良好となる。
(4) pH of activated composition
The pH of the activation composition of the present invention is not particularly limited, and can be used in a pH range of 10 or less, for example. However, when a printed wiring board is used as an object to be plated, a material having low alkali resistance such as a solder mask is often used. In this case, the pH of the activation composition is set to an acidity of about 7 or less. It is preferable. In particular, when the acidity of pH 1 or lower is used, the stability of the activation liquid is improved.
活性化処理方法
本発明の活性化組成物は、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行う際に、無電解パラジウムめっきの前処理として、ニッケル表面を活性化するために使用されるものである。
Activation Treatment Method The activation composition of the present invention is used to activate the nickel surface as a pretreatment for electroless palladium plating when electroless palladium plating is performed on nickel.
被めっき物とするニッケルについては特に限定はなく、無電解めっき法、電解めっき法などによって形成されたニッケルめっき皮膜の他に、気相法によって形成されたニッケル皮膜であっても良く、或いは、ニッケル金属自体からなる材料であってもよい。無電解めっき法によって形成されたニッケル皮膜の場合には、リンなどの還元剤に由来する成分が含まれていてもよい。例えば次亜リン酸ナトリウムを還元剤とした無電解ニッケルめっき液を用いる場合には、形成されるニッケルめっき皮膜では、リン含有率は低いもので１％、高いもので１３％程度までの変動があるが、本発明の活性化用組成物は、電解めっき法で形成された不純物の少ないニッケルめっき皮膜や、無電解めっき法で形成された高いリン含有率のニッケルめっき皮膜等にも効果的である。 The nickel to be plated is not particularly limited, and may be a nickel film formed by a vapor phase method in addition to a nickel plating film formed by an electroless plating method or an electrolytic plating method, or The material which consists of nickel metal itself may be sufficient. In the case of a nickel film formed by an electroless plating method, a component derived from a reducing agent such as phosphorus may be included. For example, when an electroless nickel plating solution containing sodium hypophosphite as a reducing agent is used, the formed nickel plating film has a low phosphorus content of 1% and a high content of up to about 13%. However, the activation composition of the present invention is effective for a nickel plating film with a small amount of impurities formed by an electrolytic plating method or a nickel plating film with a high phosphorus content formed by an electroless plating method. is there.
特に、本発明の活性化組成物は、プリント配線板のパッド部分、回路部分、端子部分等の銅金属からなる導体部分を有する材料を被めっき物として、無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する工程を含む方法において、無電解パラジウムめっき前に、ニッケルめっき皮膜の表面を活性化する目的で使用することが好ましい。この場合には、被めっき物の導体部分を形成する銅が溶出して無電解パラジウムめっき液中に含まれる場合であっても、パラジウムの析出反応が停止することなく、無電解ニッケル皮膜上に安定してパラジウム皮膜を形成することが可能となる。 In particular, the activation composition of the present invention, after forming an electroless nickel plating film using a material having a conductor portion made of copper metal such as a pad portion, a circuit portion, and a terminal portion of a printed wiring board, In the method including the step of forming the electroless palladium plating film, it is preferably used for the purpose of activating the surface of the nickel plating film before the electroless palladium plating. In this case, even if the copper forming the conductor part of the object to be plated is eluted and contained in the electroless palladium plating solution, the palladium deposition reaction does not stop, and the electroless nickel coating does not stop. A palladium film can be formed stably.
本発明の活性化組成物による処理方法は特に限定的ではなく、パラジウムめっきを析出させるニッケル部分に、本発明の活性化組成物を接触させればよい。通常は、本発明の活性化組成物中に被めっき物を浸漬すれよい。この方法では、該活性化組成物の液温は、通常、２０〜７０℃程度とすれば良く、２５〜５５℃程度とすることが好ましい。処理時間は、通常、１０秒〜１０分程度とすることが好ましく、３０秒〜３分程度とすることがより好ましい。 The processing method by the activation composition of this invention is not specifically limited, What is necessary is just to make the activation composition of this invention contact the nickel part which deposits palladium plating. Usually, the object to be plated may be immersed in the activation composition of the present invention. In this method, the temperature of the activated composition is usually about 20 to 70 ° C, and preferably about 25 to 55 ° C. The treatment time is usually preferably about 10 seconds to 10 minutes, and more preferably about 30 seconds to 3 minutes.
無電解ニッケルめっきを行った後、無電解パラジウムめっきを行う場合には、ニッケルめっき皮膜を形成した後水洗を行い、その後、本発明の活性化組成物を用いて活性化処理を行い、必要に応じて水洗処理を行った後、無電解パラジウムめっきを行えばよい。 After performing electroless nickel plating, when performing electroless palladium plating, after forming a nickel plating film, wash with water, and then perform an activation treatment using the activation composition of the present invention. Accordingly, after performing a water washing treatment, electroless palladium plating may be performed.
無電解パラジウムめっき液の種類については特に限定はなく、パラジウム化合物、還元剤及び錯化剤を必須成分として含有する水溶液からなる無電解パラジウムめっき液を用いることができる。無電解パラジウムめっき液の一例を挙げると次の通りである。 The type of electroless palladium plating solution is not particularly limited, and an electroless palladium plating solution made of an aqueous solution containing a palladium compound, a reducing agent, and a complexing agent as essential components can be used. An example of the electroless palladium plating solution is as follows.
まず、パラジウム化合物としては、めっき液に可溶性であって、所定の濃度の水溶液が得られるものであれば特に限定なく使用できる。例えば、硫酸パラジウム、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、ジクロロジエチンレジアミンパラジウム、テトラアンミンパラジウムジクロライド等の水溶性パラジウム化合物を用いることができる。また、パラジウム化合物として、パラジウムを溶液化した、いわゆるパラジウム溶液を使用することもできる。パラジウム溶液としては、例えば、ジクロロジエチレンジアミンパラジウム溶液やテトラアンミンパラジウムジクロライド溶液等も使用することができる。パラジウム化合物は、１種単独又は２種以上混合して用いることができる。 First, the palladium compound can be used without particular limitation as long as it is soluble in the plating solution and can obtain an aqueous solution having a predetermined concentration. For example, water-soluble palladium compounds such as palladium sulfate, palladium chloride, palladium acetate, dichlorodiethine rediamine palladium, and tetraammine palladium dichloride can be used. Further, as the palladium compound, a so-called palladium solution in which palladium is made into a solution can also be used. As the palladium solution, for example, a dichlorodiethylenediamine palladium solution or a tetraammine palladium dichloride solution can be used. A palladium compound can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
パラジウム化合物の含有量は、パラジウムとして０．１〜３０ｇ／Ｌ程度とすることが好ましく、０．３〜１０ｇ／Ｌ程度とすることがより好ましい。 The content of the palladium compound is preferably about 0.1 to 30 g / L as palladium, and more preferably about 0.3 to 10 g / L.
無電解パラジウムめっきの還元剤としては、蟻酸、次亜リン酸、亜リン酸、これらの塩（ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等）等を用いることができる。これらの還元剤は、一種単独又は二種以上混合して用いることができる。 As a reducing agent for electroless palladium plating, formic acid, hypophosphorous acid, phosphorous acid, salts thereof (sodium salt, potassium salt, ammonium salt, etc.) and the like can be used. These reducing agents can be used singly or in combination of two or more.
還元剤の含有量は、０．１〜１００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましく、１〜５０ｇ／Ｌとすることがより好ましい。 The content of the reducing agent is preferably about 0.1 to 100 g / L, more preferably 1 to 50 g / L.
錯化剤としては、公知の錯化剤を使用できる。例えばエチレンジアミン、ジエチレントリアミン等のアミン類；エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸、これらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等；グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、Ｌ−グルタミン酸、Ｌ−グルタミン酸２酢酸、Ｌ−アスパラギン酸、タウリン等のアミノ酸類、これらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等；アミノトリメチレンホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、これらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等を配合することができる。錯化剤は１種単独又は２種以上混合して用いることができる。錯化剤の配合量は、０．５〜１００ｇ／Ｌ程度とすることが好ましく、５〜５０ｇ／Ｌ程度とすることがより好ましい。 A known complexing agent can be used as the complexing agent. For example, amines such as ethylenediamine and diethylenetriamine; aminopolycarboxylic acids such as ethylenediaminediacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid and diethylenetriaminepentaacetic acid, sodium salts, potassium salts and ammonium salts thereof; glycine, alanine, iminodiacetic acid, nitrilotriacetic acid, L -Amino acids such as glutamic acid, L-glutamic acid diacetic acid, L-aspartic acid, taurine, sodium salts, potassium salts, ammonium salts thereof; aminotrimethylenephosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, Ethylenediaminetetramethylene phosphonic acid, sodium salts, potassium salts, ammonium salts and the like thereof can be blended. Complexing agents can be used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the complexing agent is preferably about 0.5 to 100 g / L, and more preferably about 5 to 50 g / L.
無電解パラジウムめっき液のｐＨは２〜９程度であることが好ましく、３〜８程度であることがより好ましい。ｐＨ調整には、硫酸、リン酸等の無機酸、水酸化ナトリウム、アンモニア水等を使用することができる。 The pH of the electroless palladium plating solution is preferably about 2 to 9, and more preferably about 3 to 8. For pH adjustment, inorganic acids such as sulfuric acid and phosphoric acid, sodium hydroxide, aqueous ammonia and the like can be used.
無電解パラジウムめっき液の処理温度は、３０℃〜９０℃程度、特に４０℃〜８０℃程度であることが好ましい。 The treatment temperature of the electroless palladium plating solution is preferably about 30 ° C to 90 ° C, particularly about 40 ° C to 80 ° C.
更に、無電解パラジウムめっきを行った後、必要に応じて、常法に従って置換金めっき液を用いて金めっき皮膜を形成してもよく、更に、還元型無電解金めっき液を用いて厚付けの金めっき皮膜を形成してもよい。この様な工程で得られる無電解ニッケルめっき皮膜／無電解パラジウムめっき皮膜／金めっき皮膜からなる多層皮膜を形成したプリント配線板は、従来のプリント配線板に使用されている無電解ニッケル／金めっき皮膜において要求される必要性能を有しており、密着性、はんだ接合強度、はんだ濡れ性、金ワイヤーおよびアルミワイヤーボンディング性等においても良好な性能が得られる。 Furthermore, after performing electroless palladium plating, if necessary, a gold plating film may be formed using a displacement gold plating solution according to a conventional method, and further thickened using a reduced electroless gold plating solution. Alternatively, a gold plating film may be formed. The printed wiring board on which a multilayer film composed of an electroless nickel plating film / electroless palladium plating film / gold plating film obtained in such a process is formed is an electroless nickel / gold plating used in conventional printed wiring boards. It has the required performance required for the film, and good performance can be obtained in adhesion, solder joint strength, solder wettability, gold wire and aluminum wire bondability, and the like.
本発明の無電解パラジウムめっき用活性化組成物を用いてニッケルの活性化処理を行うことによって、無電解パラジウムめっき液中に銅などに不純物が含まれる場合であっても、パラジウムめっきの析出反応が停止することなく、ニッケル上に連続して安定に無電解パラジウムめっき皮膜を形成することができる。 By performing an activation treatment of nickel using the activation composition for electroless palladium plating of the present invention, the palladium plating deposition reaction even when impurities such as copper are contained in the electroless palladium plating solution Without stopping, an electroless palladium plating film can be formed continuously and stably on nickel.
よって、本発明の活性化組成物を用いることによって、無電解パラジウムめっき液に不純物が含まれる場合であっても、その更新期間を延長することが可能となり、非常にコスト的に有利となる。 Therefore, by using the activation composition of the present invention, even if the electroless palladium plating solution contains impurities, the renewal period can be extended, which is very advantageous in terms of cost.
また、本発明の活性化組成物を用いることによって、長期間連続して、良好な性能を有する無電解ニッケル／無電解パラジウムの積層めっき皮膜を形成することが可能となる。 Further, by using the activation composition of the present invention, it is possible to form an electroless nickel / electroless palladium multilayer plating film having good performance continuously for a long period of time.
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
実施例１〜８及び比較例１
以下、本発明の実施例及び比較例において用いためっき液の組成を示す。
（Ｉ）無電解ニッケルめっき液
硫酸ニッケル・６水和物 ２２．５ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム ２０ ｇ／Ｌ
リンゴ酸 １０ ｇ／Ｌ
コハク酸 １０ ｇ／Ｌ
チオ硫酸ナトリウム ０．２ ｍｇ／Ｌ
ｐＨ ４．６（水酸化ナトリウムで調整）
（II）無電解パラジウムめっき液
ジクロロジエチレンジアミンパラジウム溶液 ２ｇ／Ｌ（パラジウムとして）
エチレンジアミン １０ｇ／Ｌ
蟻酸ナトリウム １０ｇ／Ｌ
ｐＨ ６．０
ニッケルめっき皮膜の形成方法
被めっき物として樹脂基板に銅回路およびレジストを形成したプリント基板を用いた。該プリント基板は、６ｃｍ×６ｃｍの樹脂基板上に、厚さ１８μｍの銅箔を用いてパッド径０．５ｍｍφ、パッド径０．４ｍｍφ、及びパッド径０．３５ｍｍφの各種のパッド部を多数形成したものである。
Examples 1-8 and Comparative Example 1
Hereinafter, the composition of the plating solution used in the examples and comparative examples of the present invention is shown.
(I) Electroless nickel plating solution Nickel sulfate hexahydrate 22.5 g / L
Sodium hypophosphite 20 g / L
Malic acid 10 g / L
Succinic acid 10 g / L
Sodium thiosulfate 0.2 mg / L
pH 4.6 (adjusted with sodium hydroxide)
(II) Electroless palladium plating solution Dichlorodiethylenediamine palladium solution 2g / L (as palladium)
Ethylenediamine 10g / L
Sodium formate 10g / L
pH 6.0
Method of forming nickel plating film A printed circuit board in which a copper circuit and a resist were formed on a resin substrate was used as an object to be plated. The printed circuit board was formed on a 6 cm × 6 cm resin substrate using a copper foil having a thickness of 18 μm and a large number of various pad portions having a pad diameter of 0.5 mmφ, a pad diameter of 0.4 mmφ and a pad diameter of 0.35 mmφ. Is.
まず、被めっき物について、脱脂処理を行った後、過硫酸ナトリウム溶液で０．５μｍ程度のエッチングを行い、触媒付与液（商標名：ＩＣＰアクセラ、奥野製薬工業（株）製）２００ｍｌ／Ｌ中に、室温で１分間浸漬して無電解めっき用触媒を付与した。 First, after the degreasing treatment was performed on the object to be plated, etching of about 0.5 μm was performed with a sodium persulfate solution, and a catalyst application solution (trade name: ICP Axela, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) in 200 ml / L And a catalyst for electroless plating was applied by immersion for 1 minute at room temperature.
その後、上記した無電解ニッケルめっき液を用いて、空気攪拌を行いながら、８０℃の浴温で被めっき物を２０分間浸漬して、厚さ約５μｍのニッケルめっき皮膜を形成した。 Thereafter, using the electroless nickel plating solution described above, the object to be plated was immersed for 20 minutes at a bath temperature of 80 ° C. while stirring with air to form a nickel plating film having a thickness of about 5 μm.
予備試験
上記した方法でニッケルめっき皮膜を形成した被めっき物について、水洗を行った後、上記した無電解パラジウムめっき液を用いて、６０℃の浴温のめっき液中に被めっき物を１０分間浸漬した。その結果、各パッド上に約０．２５μｍのパラジウムめっき皮膜が形成された。この結果から、実施例で使用した無電解パラジウムめっき液は、ニッケル皮膜上への析出性が良好であることが確認できた。
Preliminary test The object to be plated on which the nickel plating film was formed by the above-mentioned method was washed with water, and then the object to be plated was placed in a plating solution at a bath temperature of 60 ° C. for 10 minutes using the above electroless palladium plating solution. Soaked. As a result, a palladium plating film of about 0.25 μm was formed on each pad. From this result, it was confirmed that the electroless palladium plating solution used in the examples had good precipitation on the nickel film.
活性化試験
上記した無電解パラジウムめっき液中に硫酸銅を１ｍｇ／Ｌの銅イオン濃度となるように添加して、不純物として銅イオンを含む無電解パラジウムめっき液を作製した。
Activation test Copper sulfate was added to the above-described electroless palladium plating solution so as to have a copper ion concentration of 1 mg / L, thereby producing an electroless palladium plating solution containing copper ions as impurities.
前記した方法でニッケルめっき皮膜を形成した被めっき物について、水洗を行った後、下記表１に示す組成の水溶液からなる各活性化組成物を用いて、浴温３０℃の活性化組成物中に２分間浸漬して活性化処理を行った。 About the to-be-plated object which formed the nickel plating film | membrane with the above-mentioned method, after performing water washing, in each activation composition which consists of aqueous solution of the composition shown in following Table 1, in the activation composition of 30 degreeC of bath temperature Was activated for 2 minutes.
次いで、水洗を行った後、不純物として銅イオンを添加した上記無電解パラジウムめっき液を用いて、６０℃の浴温のめっき液中に被めっき物を１０分間浸漬して、無電解パラジウムめっきを行った。下記表１に、無電解パラジウムめっき皮膜の析出状態を目視で観察した結果と、蛍光Ｘ線膜厚測定装置によって測定したパラジウムめっき皮膜の膜厚を示す。 Next, after washing with water, using the electroless palladium plating solution to which copper ions are added as impurities, the object to be plated is immersed in a plating solution at a bath temperature of 60 ° C. for 10 minutes to perform electroless palladium plating. went. Table 1 below shows the result of visual observation of the deposition state of the electroless palladium plating film and the film thickness of the palladium plating film measured by a fluorescent X-ray film thickness measuring device.
以上の結果から明らかなように、パラジウム化合物とヒドラジン類を含む活性化組成物を用いて活性化処理を行うことによって、不純物として銅イオンを含む無電解パラジウムめっき液を用いた場合であっても、ニッケルめっき皮膜上に良好なパラジウムめっき皮膜を形成できることが判る。 As is clear from the above results, even when an electroless palladium plating solution containing copper ions as impurities is used by performing an activation treatment using an activation composition containing a palladium compound and hydrazines. It can be seen that a good palladium plating film can be formed on the nickel plating film.
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|---|---|
| JP (1) | JP2008184679A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010059479A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Activating liquid for electroless plating |
| JP2011225927A (en) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Okuno Chemical Industries Co Ltd | Activation liquid for pretreatment of electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating |
| EP2656701A1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-10-30 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for obtaining a palladium surface finish for copper wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates |
| CN103981514A (en) * | 2014-06-11 | 2014-08-13 | 深圳市兴经纬科技开发有限公司 | Circuit board chemical nickel plating activation fluid and activation method |
| EP2784180A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| JP2014185398A (en) * | 2014-07-07 | 2014-10-02 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Activation liquid for pretreatment of electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating |
| JP2014528518A (en) * | 2011-10-12 | 2014-10-27 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | Electroless palladium plating bath composition |
| WO2017217125A1 (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 上村工業株式会社 | Film formation method |
| WO2019163665A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 上村工業株式会社 | Electroless palladium plating solution and palladium coating |
| CN110420644A (en) * | 2019-08-16 | 2019-11-08 | 广西氢朝能源科技有限公司 | A kind of production method of palladium membrane component and its application in hydrogen from methyl alcohol reactor |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134178A (en) * | 1989-10-11 | 1991-06-07 | Office Natl Etud Rech Aerospat <Onera> | Hydrazine bath for chemical deposition of platinum and/or palladium and method of manufacturing said bath |
| JPH04365877A (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Ishihara Chem Co Ltd | Catalyst liquid for copper base material-selecting electroless plating |
| JPH0883796A (en) * | 1994-07-14 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroless plating bath used for forming wiring of semiconductor device and wiring forming method for the same |
| JPH11330652A (en) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | Board and manufacture thereof |
| JPH11345896A (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Circuit board |
| WO2004066319A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Toho Titanium Co., Ltd. | Platinum-coated powder, method for producing same, and conductive paste |
| WO2006084064A2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Macdermid Incorporated | Selective catalytic activation of non-conductive substrates |
| WO2007010760A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Plating solution for electroless palladium plating |
| JP2007092092A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | C Uyemura & Co Ltd | Non-electrolyzed palladium plating bath, and electroless paradium plating method |
-
2007
- 2007-01-31 JP JP2007021484A patent/JP2008184679A/en active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134178A (en) * | 1989-10-11 | 1991-06-07 | Office Natl Etud Rech Aerospat <Onera> | Hydrazine bath for chemical deposition of platinum and/or palladium and method of manufacturing said bath |
| JPH04365877A (en) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Ishihara Chem Co Ltd | Catalyst liquid for copper base material-selecting electroless plating |
| JPH0883796A (en) * | 1994-07-14 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroless plating bath used for forming wiring of semiconductor device and wiring forming method for the same |
| JPH11330652A (en) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | Board and manufacture thereof |
| JPH11345896A (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Circuit board |
| WO2004066319A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Toho Titanium Co., Ltd. | Platinum-coated powder, method for producing same, and conductive paste |
| WO2006084064A2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Macdermid Incorporated | Selective catalytic activation of non-conductive substrates |
| WO2007010760A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Plating solution for electroless palladium plating |
| JP2007092092A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | C Uyemura & Co Ltd | Non-electrolyzed palladium plating bath, and electroless paradium plating method |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010059479A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Activating liquid for electroless plating |
| JP2011225927A (en) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Okuno Chemical Industries Co Ltd | Activation liquid for pretreatment of electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating |
| EP2656701A1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-10-30 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for obtaining a palladium surface finish for copper wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates |
| US8987910B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-03-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for obtaining a palladium surface finish for copper wire bonding on printed circuit boards and IC-substrates |
| JP2014528518A (en) * | 2011-10-12 | 2014-10-27 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | Electroless palladium plating bath composition |
| TWI626332B (en) * | 2013-03-25 | 2018-06-11 | 德國艾托特克公司 | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| EP2784180A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-01 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| WO2014154365A1 (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| CN105051254A (en) * | 2013-03-25 | 2015-11-11 | 安美特德国有限公司 | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| US20160040295A1 (en) * | 2013-03-25 | 2016-02-11 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| US9441299B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-09-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for activating a copper surface for electroless plating |
| CN103981514A (en) * | 2014-06-11 | 2014-08-13 | 深圳市兴经纬科技开发有限公司 | Circuit board chemical nickel plating activation fluid and activation method |
| JP2014185398A (en) * | 2014-07-07 | 2014-10-02 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Activation liquid for pretreatment of electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating |
| JP2017222891A (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 上村工業株式会社 | Film formation method |
| WO2017217125A1 (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | 上村工業株式会社 | Film formation method |
| TWI693303B (en) * | 2016-06-13 | 2020-05-11 | 日商上村工業股份有限公司 | Thin film forming method |
| US10941493B2 (en) | 2016-06-13 | 2021-03-09 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Film formation method |
| WO2019163665A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 上村工業株式会社 | Electroless palladium plating solution and palladium coating |
| CN111712589A (en) * | 2018-02-20 | 2020-09-25 | 上村工业株式会社 | Electroless palladium plating solution and palladium plating film |
| EP3757250A4 (en) * | 2018-02-20 | 2021-11-17 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless palladium plating solution and palladium coating |
| US11492706B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-11-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless palladium plating solution and palladium film |
| TWI793263B (en) * | 2018-02-20 | 2023-02-21 | 日商上村工業股份有限公司 | Electroless palladium plating solution, and palladium film |
| CN110420644A (en) * | 2019-08-16 | 2019-11-08 | 广西氢朝能源科技有限公司 | A kind of production method of palladium membrane component and its application in hydrogen from methyl alcohol reactor |
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