JP2008184666A - Film deposition system - Google Patents

Film deposition system Download PDF

Info

Publication number
JP2008184666A
JP2008184666A JP2007020200A JP2007020200A JP2008184666A JP 2008184666 A JP2008184666 A JP 2008184666A JP 2007020200 A JP2007020200 A JP 2007020200A JP 2007020200 A JP2007020200 A JP 2007020200A JP 2008184666 A JP2008184666 A JP 2008184666A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
forming apparatus
unit
holding
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007020200A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Yoshimura
俊秋 吉村
Hisashi Wada
久志 和田
Yoshiaki Ogawa
好明 小川
Hiroyuki Minowa
裕之 箕輪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Phyzchemix Corp
Original Assignee
Phyzchemix Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Phyzchemix Corp filed Critical Phyzchemix Corp
Priority to JP2007020200A priority Critical patent/JP2008184666A/en
Publication of JP2008184666A publication Critical patent/JP2008184666A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition system with which the tact time required for a film deposition treatment can be shortened. <P>SOLUTION: In the film deposition system 1, a material gas supply device 4 includes a first supply unit 4L and a second supply unit 4R for supplying a material gas toward mutually contradictory directions from a nearly central part of a vacuum chamber 2, a material gas diffusion device 6 includes a first diffusion unit 6L and a second diffusion unit 6R for diffusing the material gas supplied from the first supply unit 4L and the material gas supplied from the second supply unit 4R, respectively, in a planar form, and a substrate holding device 5 includes a first holding unit 5L for holding one substrate 9L of a couple of substrates 9L, 9R and a second holding unit 5R for holding other substrate 9R. The first holding unit 5L and the second holding unit 5R are provided opposite to each other in such a state that the surfaces to be treated of the substrates held by the units 5L, 5R are directed to the first diffusion unit 6L and the second diffusion unit 6R, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板に材料を成膜する成膜装置に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus for forming a material on a substrate.

従来より、太陽電池、液晶ディスプレイ、及び、有機ＥＬ等のフラットパネルの製造では、ガラスあるいはフィルム等の板状の基板の表面に、半導体膜を形成する成膜処理が行われている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of flat panels such as solar cells, liquid crystal displays, and organic EL, a film forming process for forming a semiconductor film on the surface of a plate-like substrate such as glass or film has been performed.

このような、基板に材料を成膜する成膜装置として、例えば、特許文献１に示されるような成膜装置が提案されている。この成膜装置は、成膜処理を行う成膜室と、この成膜室に材料となるガスを供給する分散ノズルと、基板を搭載する支持台と、を備え、いわゆるプラズマＣＶＤ法により、基板の表面に成膜処理を行うことが可能となっている。
特開平１０−１５８８４２号公報 As such a film forming apparatus for forming a material on a substrate, for example, a film forming apparatus as disclosed in Patent Document 1 has been proposed. The film forming apparatus includes a film forming chamber for performing a film forming process, a dispersion nozzle for supplying a gas serving as a material to the film forming chamber, and a support base on which the substrate is mounted. It is possible to perform a film forming process on the surface.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-158842

しかしながら、特許文献１に記載された成膜装置では、例えば、連続して複数の基板を成膜処理する場合には、１枚の基板に成膜処理をする毎に、成膜室を開放し、処理を行う基板を交換する必要がある。つまり、大量の基板を成膜処理する際には、実際に装置を稼動する時間に加えて、基板を交換する時間が必要であった。特に、このような基板の交換には、基板の表面に傷が付くのを防止するために、時間が掛かるおそれがあった。   However, in the film forming apparatus described in Patent Document 1, for example, when a plurality of substrates are continuously formed, the film forming chamber is opened each time a film is formed on one substrate. It is necessary to replace the substrate to be processed. That is, when film-forming a large number of substrates, it takes time to replace the substrate in addition to the time for actually operating the apparatus. In particular, such replacement of the substrate may take time to prevent the surface of the substrate from being damaged.

また、太陽電池については、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換するものであり、資源的な制約が無いため、近年では需要が増加している。このため、大量の基板に成膜を行うにあたり、１枚の基板の成膜に掛かるタクトタイムの短縮が望まれていた。   In addition, for solar cells, since light energy is directly converted into electric energy and there are no resource restrictions, demand has increased in recent years. For this reason, when forming a film on a large number of substrates, it has been desired to reduce the tact time required for forming a single substrate.

本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、成膜処理に掛かるタクトタイムを短縮できる成膜装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of shortening the tact time required for the film forming process.

本発明では、以下のようなものを提供する。   The present invention provides the following.

（１） 基板（例えば、後述の基板９Ｌ，９Ｒ）を収容しかつ真空引き可能な処理容器（例えば、後述の真空チャンバ２）と、前記処理容器内にプラズマを発生させるための電圧が印加される給電用電極（例えば、後述の材料導入管４１１）と、前記処理容器内に材料ガスを供給する材料供給手段（例えば、後述の材料ガス供給装置４）と、前記処理容器内で一組の基板（例えば、後述の一組の基板９Ｌ，９Ｒ）を保持する基板保持手段（例えば、後述の基板保持装置５）と、前記材料供給手段により供給された材料ガスを、前記基板保持手段に保持された基板へ向けて拡散する材料拡散手段（例えば、後述の材料ガス拡散装置６）と、を備え、前記材料供給手段は、前記処理容器の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段（例えば、後述の第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒ）を有し、前記材料拡散手段は、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段（例えば、後述の第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒ）を有し、前記基板保持手段は、前記一組の基板のうち一方の基板（例えば、後述の基板９Ｌ）を保持する第１保持手段（例えば、後述の第１保持装置５Ｌ）と、他方の基板（例えば、後述の基板９Ｒ）を保持する第２保持手段（例えば、後述の第２保持装置５Ｒ）とを含んで構成され、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板の処理面を、前記第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けられることを特徴とする成膜装置（例えば、後述の成膜装置１）。   (1) A processing container (for example, a vacuum chamber 2 to be described later) that accommodates a substrate (for example, substrates 9L and 9R described later) and can be evacuated, and a voltage for generating plasma in the processing container are applied. A power supply electrode (for example, a material introduction tube 411 described later), a material supply means (for example, a material gas supply device 4 described later) for supplying a material gas into the processing container, and a set of the processing container. A substrate holding means (for example, a substrate holding apparatus 5 described later) for holding a substrate (for example, a set of substrates 9L and 9R described later) and a material gas supplied by the material supply means are held by the substrate holding means. Material diffusion means (for example, a material gas diffusion device 6 to be described later) that diffuses toward the formed substrate, and the material supply means supplies the material gas in directions opposite to each other from substantially the center of the processing container. First The supply means and the second supply means (for example, a first supply device 4L and a second supply device 4R described later), and the material diffusion means is a material gas supplied from the first supply means and the second supply means. Each having a first diffusion means and a second diffusion means (for example, a first diffusion device 6L and a second diffusion device 6R described later), and the substrate holding means Among them, a first holding means (for example, a first holding device 5L described later) that holds one substrate (for example, a substrate 9L described later) and a second holding means for holding the other substrate (for example, a substrate 9R described later). (For example, a second holding device 5R to be described later), and the first holding means and the second holding means respectively treat the processing surface of the substrate to be held with the first diffusion means and the second diffusion means. Facing each other, facing each other A film forming apparatus (for example, a film forming apparatus 1 described later).

（１）に記載の成膜装置によれば、真空引き可能な処理容器中に、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段を設けると共に、これら第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段を設けた。さらに、一組の基板のうち一方の基板を保持する第１保持手段と、他方の基板を保持する第２保持手段とを、それぞれ、保持する基板の処理面を、これら第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けた。   According to the film forming apparatus described in (1), the first supply means and the second supply means for supplying the material gas in directions opposite to each other are provided in the evacuable processing container, and these first supply means The first diffusion means and the second diffusion means for diffusing the material gas supplied from the second supply means in a planar shape are provided. Furthermore, the first holding means for holding one substrate of the set of substrates and the second holding means for holding the other substrate are respectively treated with the processing surface of the substrate to be held, the first diffusion means and the first holding means. Two facing each other in a state of facing the diffusion means.

これにより、一組の基板を、一の処理容器内で、同時に成膜処理することができる。つまり、一組の基板を、例えば、２枚で一組のものとすることにより、一の処理容器内で、２枚の基板を同時に成膜処理することができる。これにより、１枚ずつ基板の成膜処理を行う従来の成膜装置を用いた場合と比較して、大量の基板に成膜処理した場合に掛かるタクトタイムを大幅に短縮することができる。   Thereby, a set of substrates can be simultaneously formed in one processing container. That is, for example, by forming a set of two substrates as one set, two substrates can be simultaneously formed in one processing container. Thereby, compared with the case where the conventional film-forming apparatus which performs the film-forming process of a board | substrate one by one is used, the tact time required when the film-forming process is performed on a large number of substrates can be significantly shortened.

また、（１）に記載の成膜装置によれば、一の処理容器内で、同時に、複数の基板の成膜処理を行うことができる。つまり、略同一の条件下で複数の基板の成膜処理を行うことができるので、成膜品の品質を安定させることができる。   In addition, according to the film forming apparatus described in (1), a plurality of substrates can be simultaneously formed in one processing container. That is, since the film forming process for a plurality of substrates can be performed under substantially the same conditions, the quality of the film-formed product can be stabilized.

（２） （１）に記載の成膜装置において、前記処理容器内には、当該処理容器内を第１処理室及び第２処理室（例えば、後述の第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒ）に略２等分する仕切り板（例えば、後述の仕切り板３）が設けられ、前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、前記第１処理室及び第２処理室に材料ガスを供給し、前記第１拡散手段及び前記第１保持手段は、前記第１処理室に設けられ、前記第２拡散手段及び前記第２保持手段は、前記第２処理室に設けられることを特徴とする成膜装置。   (2) In the film forming apparatus described in (1), the processing container includes a first processing chamber and a second processing chamber (for example, a first processing chamber 2L and a second processing chamber described later). 2R) is provided with a partition plate (for example, a partition plate 3 to be described later) that is substantially equally divided into two, and the first supply means and the second supply means are provided with a material gas in the first process chamber and the second process chamber, respectively. The first diffusion means and the first holding means are provided in the first processing chamber, and the second diffusion means and the second holding means are provided in the second processing chamber. A film forming apparatus.

（２）に記載の成膜装置によれば、処理容器内は、仕切り板により、第１処理室と第２処理室との２つの室に分けられる。これにより、例えば、第１拡散手段及び第２拡散手段によって拡散された材料ガスが、処理容器内で混じり合うことにより、処理容器内で偏って分布することを防止できる。したがって、この成膜装置で一組の基板を成膜処理した場合に、これら複数の成膜品の間で、品質にばらつきが生じるのを防止できる。   According to the film forming apparatus described in (2), the inside of the processing container is divided into two chambers, a first processing chamber and a second processing chamber, by the partition plate. Thereby, for example, the material gas diffused by the first diffusing unit and the second diffusing unit can be prevented from being unevenly distributed in the processing container by being mixed in the processing container. Therefore, when a film is formed on a set of substrates by this film forming apparatus, it is possible to prevent the quality from being varied among the plurality of film formed products.

（３） （２）に記載の成膜装置において、前記仕切り板は、鉛直面内に設けられ、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板を前記仕切り板と略平行にして設けられ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面へ材料ガスを拡散することを特徴とする成膜装置。   (3) In the film forming apparatus according to (2), the partition plate is provided in a vertical plane, and each of the first holding unit and the second holding unit has a substrate to be held substantially parallel to the partition plate. The film forming apparatus is characterized in that the first diffusion means and the second diffusion means diffuse the material gas to the processing surface of the substrate held by the first holding means and the second holding means, respectively. .

ここで、例えば、基板を水平にして成膜処理を行う場合には、基板の非処理面を、処理容器内の台の表面に合わせる必要がある。特に、大型の基板を成膜処理する場合には、この基板が撓んだり、破損したりするのを防止するため、基板の非処理面を台の表面に合わせた状態で成膜処理を行う必要がある。このようにして、基板の非処理面を台の表面に合わせた状態で成膜処理を行う場合には、基板の非処理面に傷が付くおそれがある。   Here, for example, when the film formation process is performed with the substrate horizontal, it is necessary to match the non-processed surface of the substrate with the surface of the table in the processing container. In particular, when a film is formed on a large substrate, the film is formed with the non-processed surface of the substrate aligned with the surface of the table in order to prevent the substrate from being bent or damaged. There is a need. In this way, when the film forming process is performed in a state where the non-processed surface of the substrate is aligned with the surface of the table, the non-processed surface of the substrate may be damaged.

しかしながら、（３）に記載の成膜装置によれば、一組の基板は、第１保持手段及び第２保持手段により、鉛直面内に設けられた仕切り板と略平行、つまり、縦にして保持されることとなる。したがって、大型の基板であったとしても、基板の表面を、他の部材と接触させることなく成膜処理を行うことができるので、基板の表面に傷が付くのを防止できる。   However, according to the film forming apparatus described in (3), the pair of substrates is substantially parallel to the partition plate provided in the vertical plane by the first holding means and the second holding means, that is, vertically. Will be held. Therefore, even if the substrate is a large substrate, film formation can be performed without bringing the surface of the substrate into contact with other members, so that the surface of the substrate can be prevented from being damaged.

（４） （１）から（３）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、複数の孔（例えば、後述の噴出孔６５１）が形成され材料ガスを面状に略均一に拡散する平板状のシャワー板（例えば、後述のシャワー板６５）を備え、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面と対向して設けられると共に、前記給電用電極と電気的に導通されていることを特徴とする成膜装置。   (4) In the film forming apparatus according to any one of (1) to (3), each of the first diffusing unit and the second diffusing unit has a plurality of holes (for example, ejection holes 651 described later). A flat shower plate (for example, a shower plate 65 to be described later) that diffuses the material gas substantially uniformly in a plane is provided, and the shower plates of the first diffusion means and the second diffusion means are respectively the first holding means. The film forming apparatus is provided opposite to the processing surface of the substrate held by the second holding means and is electrically connected to the power supply electrode.

（４）に記載の成膜装置によれば、材料ガスを拡散するシャワー板と、高周波の電場を発生させる電極板とを兼用することにより、プラズマの生成を容易にし、成膜品の品質を向上させることができる。   According to the film forming apparatus described in (4), by combining the shower plate that diffuses the material gas and the electrode plate that generates a high-frequency electric field, plasma generation is facilitated and the quality of the film-formed product is improved. Can be improved.

（５） （４）に記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられ前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを前記シャワー板の裏面に略均一に分散させる分散部（例えば、後述の分散部６７）を、さらに備えることを特徴とする成膜装置。   (5) In the film forming apparatus described in (4), the first diffusing unit and the second diffusing unit are provided between the material supplying unit and the shower plate, respectively. A film forming apparatus, further comprising: a dispersion unit (for example, a later-described dispersion unit 67 described later) that disperses the material gas supplied from the supply unit substantially uniformly on the back surface of the shower plate.

（５）に記載の成膜装置によれば、材料供給手段から供給された材料ガスは、シャワー板により拡散される前に、分散部によりシャワー板の裏面で略均一に分散される。これにより、材料ガスを基板の処理面へ略均一に拡散させることができ、したがって、基板の処理面に材料をむら無く成膜することができる。つまり、成膜品の品質を向上させることができる。   According to the film forming apparatus described in (5), the material gas supplied from the material supply unit is dispersed substantially uniformly on the back surface of the shower plate by the dispersing unit before being diffused by the shower plate. As a result, the material gas can be diffused substantially uniformly to the processing surface of the substrate, and therefore the material can be deposited evenly on the processing surface of the substrate. That is, the quality of the film-formed product can be improved.

（６） （５）に記載の成膜装置において、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部は、それぞれ、複数の孔（例えば、後述の噴出孔６１１）が形成され、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられた第１分散板（例えば、後述の第１分散板６１）と、前記第１分散板よりも多い数の孔（例えば、後述の噴出孔６３１）が形成され、前記第１分散板と前記シャワーとの間に設けられた第２分散板（例えば、後述の第２分散板６３）と、を含んで構成されることを特徴とする成膜装置。   (6) In the film forming apparatus according to (5), each of the first diffusion unit and the second diffusion unit has a plurality of holes (for example, ejection holes 611 described later) formed therein, and the material supply A first dispersion plate (for example, first dispersion plate 61 described later) provided between the means and the shower plate, and a larger number of holes (for example, ejection holes 631 described later) than the first dispersion plate. A film forming apparatus comprising: a second dispersion plate (for example, a second dispersion plate 63 described later) provided between the first dispersion plate and the shower.

（６）に記載の成膜装置によれば、材料供給手段から、材料拡散手段に供給された材料ガスは、先ず、第１分散板と第２分散板との間で一時的に滞留し、次に、第２分散板とシャワー板との間で一時的に滞留した後に、シャワー板により基板の処理面へ拡散されることとなる。ここで、材料ガスを、第１分散板と第２分散板との間、及び、第２分散板とシャワー板との間で一時的に滞留させることにより、材料ガスをシャワー板の裏面に略均一に分散させることができる。したがって、基板の処理面に材料をむら無く成膜することができ、成膜品の品質を向上させることができる。   According to the film forming apparatus described in (6), the material gas supplied from the material supplying unit to the material diffusing unit first temporarily stays between the first dispersion plate and the second dispersion plate, Next, after temporarily staying between the second dispersion plate and the shower plate, it is diffused to the processing surface of the substrate by the shower plate. Here, the material gas is temporarily retained between the first dispersion plate and the second dispersion plate and between the second dispersion plate and the shower plate, so that the material gas is substantially reduced on the back surface of the shower plate. It can be uniformly dispersed. Therefore, a film can be deposited evenly on the processing surface of the substrate, and the quality of the film-formed product can be improved.

（７） （６）に記載の成膜装置において、前記シャワー板に形成された孔の径は、前記第１分散板及び第２分散板に形成された孔の径よりも小さいことを特徴とする成膜装置。   (7) In the film forming apparatus described in (6), the diameter of the hole formed in the shower plate is smaller than the diameter of the hole formed in the first dispersion plate and the second dispersion plate. A film forming apparatus.

（７）に記載の成膜装置によれば、（６）と同様の効果がある。   According to the film-forming apparatus as described in (7), there exists an effect similar to (6).

（８） （４）から（７）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１保持手段及び第２保持手段の各々が保持する基板と、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板との間隔を調整可能な、間隔調整機構をさらに備えることを特徴とする成膜装置。   (8) In the film forming apparatus according to any one of (4) to (7), the substrate held by each of the first holding means and the second holding means, and the first diffusion means and the second diffusion means. A film forming apparatus, further comprising an interval adjusting mechanism capable of adjusting an interval between the shower plate and the shower plate.

（８）に記載の成膜装置によれば、基板保持手段が保持する基板の処理面と、材料ガスを拡散するシャワー板の表面との間隔を調整することができる。これにより、基板の処理面とシャワー板の表面との間から吹き抜ける材料ガスの量を調整することができる。言い換えれば、基板の処理面とシャワー板の表面との間に封じ込められる材料ガスの量を調整することができる。このようにして、材料ガスの封じ込める量を調整することにより、基板の処理面の全面に亘って、略均一に成膜することができる。   According to the film forming apparatus described in (8), the distance between the processing surface of the substrate held by the substrate holding means and the surface of the shower plate that diffuses the material gas can be adjusted. Thereby, the amount of the material gas blown through between the processing surface of the substrate and the surface of the shower plate can be adjusted. In other words, the amount of material gas confined between the processing surface of the substrate and the surface of the shower plate can be adjusted. In this way, by adjusting the amount of the material gas that is confined, the film can be formed substantially uniformly over the entire processing surface of the substrate.

（９） （５）から（８）に記載の成膜装置において、前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、材料ガスを前記処理容器の外部から内部へ導入する材料導入部を備え、前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部は、それぞれ、前記給電用電極として低抵抗性の導電材料で形成され材料ガスが流れる導入管（例えば、後述の材料導入管４１１）と、絶縁材料で形成され前記導入管の外周を覆う絶縁被覆（例えば、後述の被覆部４１９）と、を含んで構成され、前記導入管は、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板に導通することを特徴とする成膜装置。   (9) In the film forming apparatus described in (5) to (8), each of the first supply unit and the second supply unit includes a material introduction unit that introduces a material gas from the outside to the inside of the processing container. The material introduction portions of the first supply means and the second supply means are each formed of an introduction pipe (for example, a material introduction pipe 411 described later) formed of a low-resistance conductive material as the power feeding electrode and through which a material gas flows. And an insulating coating (for example, a coating portion 419 described later) that is formed of an insulating material and covers the outer periphery of the introduction pipe, and the introduction pipe is a shower plate of the first diffusion means and the second diffusion means A film forming apparatus characterized in that it is electrically connected to the film.

（９）に記載の成膜装置によれば、材料ガスが流れる導入管を、高周波電源が接続される給電用電極として用いることにより、成膜装置の製造に必要な部品の点数を削減できる。したがって、成膜装置の製造に掛かるコストを削減できる。   According to the film-forming apparatus described in (9), the number of parts required for manufacturing the film-forming apparatus can be reduced by using the introduction tube through which the material gas flows as a power supply electrode to which a high-frequency power source is connected. Therefore, the cost for manufacturing the film forming apparatus can be reduced.

（１０） （９）に記載の成膜装置において、前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部には、それぞれ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部の複数の箇所へ材料ガスを噴出する噴出部（例えば、後述の噴出孔４１４ａ，４１５ａ，４１６ａ，４１７ａ）が形成されていることを特徴とする成膜装置。   (10) In the film forming apparatus described in (9), the material introduction portions of the first supply unit and the second supply unit include a plurality of locations of the dispersion unit of the first diffusion unit and the second diffusion unit, respectively. A film forming apparatus in which a jet part (for example, jet holes 414a, 415a, 416a, and 417a described later) for jetting a material gas is formed.

（１０）に記載の成膜装置によれば、第１拡散手段及び第２拡散手段の複数の箇所へ材料ガスを噴出させることにより、第１拡散手段及び第２拡散手段により材料ガスを拡散させる効果を促進させることができる。   According to the film forming apparatus described in (10), the material gas is diffused by the first diffusion means and the second diffusion means by ejecting the material gas to a plurality of locations of the first diffusion means and the second diffusion means. The effect can be promoted.

（１１） （９）または（１０）に記載の成膜装置において、前記シャワー板の外縁部を支持する枠部材（例えば、後述の枠部材８）をさらに備え、前記枠部材は、絶縁材料で形成されていることを特徴とする成膜装置。   (11) The film forming apparatus according to (9) or (10), further including a frame member (for example, a frame member 8 described later) that supports an outer edge portion of the shower plate, and the frame member is made of an insulating material. A film forming apparatus, which is formed.

（１１）に記載の成膜装置によれば、材料ガスを拡散させるシャワー板を電極板として兼用すると共に、このシャワー板を絶縁材料で形成された枠部材により、その外縁部を支持することにより、シャワー板と、処理容器内の他の装置との間を、電気的に絶縁させることができる。   According to the film forming apparatus described in (11), the shower plate for diffusing the material gas is also used as the electrode plate, and the shower plate is supported by the frame member formed of an insulating material. The shower plate can be electrically insulated from other devices in the processing container.

（１２） （１）から（１１）のいずれかに記載の成膜装置において、前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、基板の外縁部の一部を保持する基板保持部（例えば、後述の基板保持部５２Ｕ，５２Ｄ）と、前記基板保持部に保持された基板を、処理面の裏側から加熱する基板加熱部（例えば、後述の基板加熱部５４）と、前記基板保持部に保持された基板と前記基板加熱部との間隔を調整可能な調整機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。   (12) In the film forming apparatus according to any one of (1) to (11), each of the first holding unit and the second holding unit includes a substrate holding unit (for example, a part of an outer edge portion of the substrate). , Substrate holding units 52U and 52D described later, a substrate heating unit (for example, a substrate heating unit 54 described later) for heating the substrate held by the substrate holding unit from the back side of the processing surface, and the substrate holding unit A film forming apparatus comprising: an adjustment mechanism capable of adjusting an interval between a held substrate and the substrate heating unit.

（１２）に記載の成膜装置によれば、基板は、基板保持部によりその外縁部の一部が保持された状態で、成膜処理が行われることとなる。つまり、基板の処理面及び非処理面を、例えば、基板加熱部等の他の装置と接触させること無く、成膜処理を行うことができる。これにより、基板の表面に傷が付くのを防止でき、したがって、成膜品の品質を向上させることができる。   According to the film forming apparatus described in (12), the substrate is subjected to the film forming process in a state where a part of the outer edge portion is held by the substrate holding portion. That is, the film forming process can be performed without bringing the processing surface and non-processing surface of the substrate into contact with another device such as a substrate heating unit. Thereby, it can prevent that the surface of a board | substrate is damaged, Therefore, the quality of the film-forming goods can be improved.

また、（１２）に記載の成膜装置によれば、基板と、基板加熱部との間隔を調整することができる。これにより、例えば、成膜処理を行う場合には、基板と基板加熱部との間隔を狭くし、基板の交換を行う場合には、基板と基板加熱部との間隔を大きくすることができる。特に、基板の交換時に、基板と基板加熱部とを離間させることにより、基板と基板加熱部とが接触して基板に傷が付くのを確実に防止できる。   Moreover, according to the film-forming apparatus as described in (12), the space | interval of a board | substrate and a board | substrate heating part can be adjusted. Thereby, for example, when performing a film-forming process, the space | interval of a board | substrate and a board | substrate heating part can be narrowed, and when replacing | exchanging a board | substrate, the space | interval of a board | substrate and a board | substrate heating part can be enlarged. In particular, when the substrate is replaced, the substrate and the substrate heating unit are separated from each other, so that the substrate and the substrate heating unit can be reliably prevented from coming into contact with each other and being damaged.

（１３） （１２）に記載の成膜装置において、前記基板加熱部は、前記基板保持部に保持された基板に対して略平行な熱板（例えば、後述の熱板５４２）と、前記熱板を裏面から加熱する加熱部（例えば、後述のヒータユニット５４４）と、を備え、前記熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられていることを特徴とする成膜装置。   (13) In the film forming apparatus according to (12), the substrate heating unit includes a heat plate (for example, a heat plate 542 described later) substantially parallel to the substrate held by the substrate holding unit, and the heat. A film forming apparatus comprising: a heating unit (for example, a heater unit 544 described later) for heating the plate from the back side, and a ceramic film is provided on a substrate side surface of the hot plate.

（１３）に記載の成膜装置によれば、基板は、加熱部で加熱された熱板により、間接的に加熱されることとなる。これにより、基板を全面に亘ってむら無く加熱することができる。また、この（１３）に記載の成膜装置によれば、熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられている。このような皮膜を設けることにより、熱板の表面の温度むらを小さくすることができるので、これにより、基板の温度むらをさらに小さくできる。   According to the film forming apparatus described in (13), the substrate is indirectly heated by the hot plate heated by the heating unit. Thereby, a board | substrate can be heated uniformly over the whole surface. Also, according to the film forming apparatus described in (13), the ceramic film is provided on the surface of the hot plate on the substrate side. By providing such a coating, it is possible to reduce the temperature unevenness of the surface of the hot plate, and thus the temperature unevenness of the substrate can be further reduced.

（１４） （１３）に記載の成膜装置において、前記熱板の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍであることを特徴とする成膜装置。   (14) The film forming apparatus according to (13), wherein the thickness of the hot plate is 8 mm to 40 mm.

（１４）に記載の成膜装置によれば、熱板の温度変化を小さくできる。つまり、成膜装置を稼動させる際には、熱板を加熱するのに時間がかかるものの、成膜を行うのに適した温度に達した後は、この適した温度付近で連続して成膜処理を行うことができる。これにより、成膜品の品質にばらつきが生じるのを防止できる。また、熱板の温度を長時間に亘って安定させることができるので、この熱板を再加熱する頻度を少なくでき、したがって、大量の基板を成膜処理する場合に掛かるタクトタイムをさらに短縮できる。   According to the film forming apparatus described in (14), the temperature change of the hot plate can be reduced. In other words, when operating the film forming apparatus, it takes time to heat the hot plate, but after reaching a temperature suitable for film formation, the film is continuously formed in the vicinity of this suitable temperature. Processing can be performed. Thereby, it is possible to prevent variations in the quality of the film-formed product. In addition, since the temperature of the hot plate can be stabilized over a long period of time, the frequency of reheating the hot plate can be reduced, and therefore the tact time required when a large number of substrates are formed can be further reduced. .

本発明の成膜装置によれば、一組の基板を、一の処理容器内で、同時に成膜処理することができる。つまり、一組の基板を、例えば、２枚で一組のものとすることにより、一の処理容器内で、２枚の基板を同時に成膜処理することができる。これにより、１枚ずつ基板の成膜処理を行う従来の成膜装置を用いた場合と比較して、大量の基板に成膜処理した場合に掛かるタクトタイムを大幅に短縮することができる。また、本発明の成膜装置によれば、一の処理容器内で、同時に、複数の基板の成膜処理を行うことができる。つまり、略同一の条件下で複数の基板の成膜処理を行うことができるので、成膜品の品質を安定させることができる。   According to the film forming apparatus of the present invention, a set of substrates can be simultaneously formed in one processing container. That is, for example, by forming a set of two substrates as one set, two substrates can be simultaneously formed in one processing container. Thereby, compared with the case where the conventional film-forming apparatus which performs the film-forming process of a board | substrate one by one is used, the tact time required when the film-forming process is performed on a large number of substrates can be significantly shortened. Further, according to the film forming apparatus of the present invention, it is possible to simultaneously perform film forming processes on a plurality of substrates in one processing container. That is, since the film forming process for a plurality of substrates can be performed under substantially the same conditions, the quality of the film-formed product can be stabilized.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１及び図２は、本発明の実施形態に係る成膜装置１の構成を示す断面図である。具体的には、図１は、略立方体状の成膜装置１を側部から視た側部断面図であり、図２は、成膜装置１を上部から視た上部断面図である。   1 and 2 are cross-sectional views showing a configuration of a film forming apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 1 is a side sectional view of the substantially cubic film-forming apparatus 1 as viewed from the side, and FIG. 2 is an upper sectional view of the film-forming apparatus 1 as viewed from above.

本発明の成膜装置１は、２枚で一組の略正方形状の基板９Ｌ，９Ｒの各々の処理面に、材料を成膜する装置である。より具体的には、真空チャンバ２中に高周波の電場中に材料ガスを噴出してプラズマを生成し、一組の基板９Ｌ，９Ｒに材料を成膜する装置である。以下、この成膜装置１の構成について説明する。なお、本実施形態では、主に太陽電池の生産を目的として基板９Ｌ，９Ｒにガラス基板を用いるが、これに限るものではない。   The film forming apparatus 1 of the present invention is an apparatus for forming a material on each processing surface of a pair of substantially square substrates 9L and 9R. More specifically, it is an apparatus for forming a material on a pair of substrates 9L and 9R by generating a plasma by jetting a material gas into a vacuum chamber 2 in a high-frequency electric field. Hereinafter, the configuration of the film forming apparatus 1 will be described. In this embodiment, glass substrates are used for the substrates 9L and 9R mainly for the purpose of producing solar cells, but the present invention is not limited to this.

この成膜装置１は、基板９Ｌ，９Ｒを収容し且つその内部を真空引き可能な処理容器としての真空チャンバ２と、この真空チャンバ２内に材料ガスを供給する材料供給手段としての材料ガス供給装置４と、真空チャンバ２内で一組の基板９Ｌ，９Ｒを保持する基板保持手段としての基板保持装置５と、材料ガス供給装置４により供給された材料ガスを、基板保持装置５に保持された基板９Ｌ，９Ｒへ向けて拡散する材料拡散手段としての材料ガス拡散装置６と、を備える。また、これらに加えて、後に詳述するように、高周波の交流電圧が印加される給電用電極が材料ガス供給装置４に設けられており、これにより、真空チャンバ２内にプラズマを生成させることが可能となっている。   This film forming apparatus 1 contains a substrate 9L, 9R, a vacuum chamber 2 as a processing container capable of evacuating the inside, and a material gas supply as a material supply means for supplying a material gas into the vacuum chamber 2 The substrate holding device 5 as a substrate holding means for holding the pair of substrates 9L and 9R in the vacuum chamber 2 and the material gas supplied by the material gas supply device 4 are held in the substrate holding device 5. And a material gas diffusion device 6 as material diffusion means for diffusing toward the substrates 9L and 9R. In addition to these, as will be described in detail later, a power supply electrode to which a high-frequency AC voltage is applied is provided in the material gas supply device 4, thereby generating plasma in the vacuum chamber 2. Is possible.

真空チャンバ２は、基板９Ｌ，９Ｒを互いに平行にした状態で収容できるように、これら基板９Ｌ，９Ｒの形状に合わせて、略立方体状となっている。
この真空チャンバ２内部のうち中央には、材料ガス供給装置４及び材料ガス拡散装置６が、真空チャンバ２を略２等分する仕切り板３と共に、枠部材８を介して設けられている。また、真空チャンバ２内部のうち図１中左右両側には、基板保持装置５が設けられている。 The vacuum chamber 2 has a substantially cubic shape in accordance with the shapes of the substrates 9L and 9R so that the substrates 9L and 9R can be accommodated in parallel with each other.
In the center of the vacuum chamber 2, a material gas supply device 4 and a material gas diffusion device 6 are provided via a frame member 8 together with a partition plate 3 that divides the vacuum chamber 2 into two equal parts. Further, substrate holding devices 5 are provided on the left and right sides in FIG.

仕切り板３は、真空チャンバ２内部の中央のうち、鉛直面内に延びるように設けられており、これにより、真空チャンバ２内部は、図１中左側に位置する第１処理室２Ｌと、図１中右側に位置する第２処理室２Ｒと、に略２等分される。一組の基板９Ｌ，９Ｒは、それぞれ、第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒに配置され、各々同時に成膜処理が行われる。   The partition plate 3 is provided so as to extend in the vertical plane in the center inside the vacuum chamber 2, whereby the inside of the vacuum chamber 2 includes the first processing chamber 2 </ b> L located on the left side in FIG. 1 and the second processing chamber 2R located on the right side. The pair of substrates 9L and 9R are disposed in the first processing chamber 2L and the second processing chamber 2R, respectively, and a film forming process is performed at the same time.

また、このようにして基板９Ｌ，９Ｒを処理室２Ｌ，２Ｒに分けて配置するに伴い、上述の材料ガス供給装置４、基板保持装置５、及び、材料ガス拡散装置６も、処理室２Ｌ，２Ｒに分けて配置される。   Further, as the substrates 9L and 9R are arranged separately in the processing chambers 2L and 2R in this way, the material gas supply device 4, the substrate holding device 5 and the material gas diffusion device 6 described above are also connected to the processing chambers 2L and 2R. It is divided into 2Rs.

具体的には、材料ガス供給装置４は、第１処理室２Ｌ内に設けられ該処理室２Ｌに材料ガスを供給する第１供給装置４Ｌと、第２処理室２Ｒ内に設けられ該処理室２Ｒに材料ガスを供給する第２供給装置４Ｒと、に分けられる。これら第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒは、それぞれ、図１中左右両側へ向けて、すなわち互いに相反する方向へ向けて材料ガスを供給する。   Specifically, the material gas supply device 4 is provided in the first processing chamber 2L and is provided in the second processing chamber 2R and the first supply device 4L that supplies the material gas to the processing chamber 2L. And a second supply device 4R for supplying a material gas to 2R. Each of the first supply device 4L and the second supply device 4R supplies the material gas toward the left and right sides in FIG. 1, that is, in directions opposite to each other.

また、基板保持装置５及び材料ガス拡散装置６も、それぞれ、第１処理室２Ｌ内に設けられる第１保持装置５Ｌ及び第１拡散装置６Ｌと、第２処理室２Ｒ内に設けられる第２保持装置５Ｒ及び第２拡散装置６Ｒと、に分けられる。   In addition, the substrate holding device 5 and the material gas diffusion device 6 are also provided in the first processing chamber 2L, the first holding device 5L and the first diffusion device 6L, and the second holding chamber provided in the second processing chamber 2R, respectively. It is divided into a device 5R and a second diffusion device 6R.

真空チャンバ２のうち図２中上方の壁部２２には、スロット２２１Ｌ，２２１Ｒと、これらスロット２２１Ｌ，２２１Ｒを開閉する蓋体２２３が設けられている。真空チャンバ２内部の基板９Ｌ，９Ｒは、これらスロット２２１Ｌ，２２１Ｒを介して出し入れ可能となっている。   The upper wall portion 22 in FIG. 2 of the vacuum chamber 2 is provided with slots 221L and 221R and a lid 223 that opens and closes the slots 221L and 221R. The substrates 9L and 9R inside the vacuum chamber 2 can be taken in and out through these slots 221L and 221R.

一方、真空チャンバ２のうち図２中下方の壁部２４には、材料ガス供給装置４の第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒが挿通される挿通孔２４１が形成されており、これにより、真空チャンバ２の外部から材料ガスを供給可能となっている。   On the other hand, an insertion hole 241 through which the first supply device 4L and the second supply device 4R of the material gas supply device 4 are inserted is formed in the lower wall portion 24 in FIG. The material gas can be supplied from the outside of the vacuum chamber 2.

また、真空チャンバ２には、この真空チャンバ２内部の気体を外部に排出する排気装置（図示せず）が接続されている。この排気装置は、圧力制御弁及び真空ポンプ等を含んで構成され、これにより、真空チャンバ２内部を排気して、任意の圧力に調整することが可能となっている。なお、以下では詳述しないが、真空チャンバ２内の圧力は、材料ガスの種類及び基板の処理面の面積等の成膜条件を左右する種々の要因に応じて、適した圧力に調整される。   The vacuum chamber 2 is connected to an exhaust device (not shown) that discharges the gas inside the vacuum chamber 2 to the outside. The exhaust device includes a pressure control valve, a vacuum pump, and the like. By this, the inside of the vacuum chamber 2 can be exhausted and adjusted to an arbitrary pressure. Although not described in detail below, the pressure in the vacuum chamber 2 is adjusted to an appropriate pressure in accordance with various factors that influence film forming conditions such as the type of material gas and the area of the processing surface of the substrate. .

以上のように、本発明の成膜装置１は、仕切り板３を中心として、左右が略対称な構成となっている。以下では、これら材料ガス供給装置４、基板保持装置５、及び、材料ガス拡散装置６のうち、主に第１処理室２Ｌ内に配置されるものについて、それぞれ詳しく説明するが、第２処理室２Ｒ内に配置されるものも略同様の構成であるので、その詳細な説明を省略する。   As described above, the film forming apparatus 1 of the present invention has a substantially symmetrical configuration with the partition plate 3 as the center. Hereinafter, the material gas supply device 4, the substrate holding device 5, and the material gas diffusion device 6 that are mainly disposed in the first processing chamber 2L will be described in detail. The second processing chamber Since the components arranged in 2R have substantially the same configuration, detailed description thereof will be omitted.

図３は、材料ガス供給装置４のうち第１供給装置４Ｌの構成を示す側面図である。具体的には、図３は、第１供給装置４Ｌを、図１の仕切り板３側から視た図である。   FIG. 3 is a side view showing the configuration of the first supply device 4 </ b> L in the material gas supply device 4. Specifically, FIG. 3 is a diagram of the first supply device 4L viewed from the partition plate 3 side in FIG.

第１供給装置４Ｌは、基板９Ｌに成膜する材料ガスを生成する材料ガス生成部４３と、この材料ガス生成部４３で生成された材料ガスを真空チャンバ２の内部へ供給する材料導入部４１と、を備える。   The first supply device 4L includes a material gas generation unit 43 that generates a material gas to be deposited on the substrate 9L, and a material introduction unit 41 that supplies the material gas generated by the material gas generation unit 43 to the inside of the vacuum chamber 2. And comprising.

図３に示すように、材料導入部４１は管状であり、その内部を材料ガスが流れる材料導入管４１１と、この材料導入管４１１の外周を覆う被覆部４１９と、を含んで構成される。この材料導入管４１１は、低抵抗性の導電材料で形成されており、上述のようにその内部に材料ガスが導入されると共に、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるために高周波の交流電圧が印加される。また、被覆部４１９は、絶縁性の材料で形成されており、これにより、材料導入管４１１と真空チャンバ２内の他の装置との間は電気的に絶縁される。   As shown in FIG. 3, the material introduction part 41 is tubular, and includes a material introduction pipe 411 through which a material gas flows and a covering part 419 that covers the outer periphery of the material introduction pipe 411. The material introduction tube 411 is made of a low-resistance conductive material. As described above, a material gas is introduced into the material introduction tube 411, and a high-frequency AC voltage is generated in order to generate plasma in the vacuum chamber 2. Applied. Further, the covering portion 419 is formed of an insulating material, so that the material introduction tube 411 and other devices in the vacuum chamber 2 are electrically insulated.

また、この材料導入管４１１は、図３中左右方向に直線状に延びる主導入管４１３と、この主導入管４１３の先端部から４つ又に分岐して接続される第１分岐管４１４、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７で構成される。   Further, the material introduction pipe 411 includes a main introduction pipe 413 extending linearly in the left-right direction in FIG. 3 and a first branch pipe 414 branched and connected from the front end portion of the main introduction pipe 413. The second branch pipe 415, the third branch pipe 416, and the fourth branch pipe 417 are configured.

主導入管４１３は、真空チャンバ２の外部から内部の略中央まで延びており、その基端側から材料ガスを導入可能となっている。主導入管４１３の先端側は、第１分岐管４１４、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７に連結されており、これら分岐管４１４〜４１７の先端側へ材料ガスを供給する。   The main introduction pipe 413 extends from the outside of the vacuum chamber 2 to the substantially center of the inside, and material gas can be introduced from the base end side thereof. The leading end side of the main introduction pipe 413 is connected to the first branch pipe 414, the second branch pipe 415, the third branch pipe 416, and the fourth branch pipe 417, and to the tip side of these branch pipes 414 to 417. Supply material gas.

また、主導入管４１３には、基端側から順に、材料ガス生成部４３が接続される材料ガス導入部４１３ａと、高周波電源７の給電線が接続される電源接続部４１３ｂと、が形成されている。なお、これら材料ガス導入部４１３ａと電源接続部４１３ｂとの間には、例えば、石英やセラミック等で形成された絶縁材４１３ｃが介装されており、材料ガス導入部４１３ａと電源接続部４１３ｂとは電気的に絶縁されている。ここで、本実施形態では、高周波電源７として、例えば、１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ、１０００Ｗ〜５０００Ｗの出力を有するものを用いるが、これに限るものではない。   Further, in the main introduction pipe 413, a material gas introduction part 413a to which the material gas generation part 43 is connected and a power supply connection part 413b to which the feed line of the high frequency power supply 7 is connected are formed in this order from the base end side. ing. An insulating material 413c made of, for example, quartz or ceramic is interposed between the material gas introduction part 413a and the power supply connection part 413b, and the material gas introduction part 413a and the power supply connection part 413b Are electrically insulated. Here, in the present embodiment, as the high-frequency power source 7, for example, a power source having outputs of 10 MHz to 100 MHz and 1000 W to 5000 W is used, but the present invention is not limited to this.

各分岐管４１４〜４１７は、主導入管４１３の先端部から、同一平面内に延びている。また、これら分岐管４１４〜４１７の先端側は、それぞれ、略垂直に折れ曲がり、第１拡散装置６Ｌに接続されている。   Each of the branch pipes 414 to 417 extends from the distal end portion of the main introduction pipe 413 in the same plane. Further, the distal ends of the branch pipes 414 to 417 are bent substantially vertically, and are connected to the first diffusion device 6L.

図４は、図３中の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。具体的には、第１分岐管４１４に沿った断面図である。
図４に示すように、第１分岐管４１４は、第１分散板６１、第２分散板６３、及び、シャワー板６５の３枚で構成される第１拡散装置６Ｌに略垂直にして接続されている。 FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. Specifically, it is a cross-sectional view along the first branch pipe 414.
As shown in FIG. 4, the first branch pipe 414 is connected substantially vertically to the first diffusion device 6 </ b> L composed of the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65. ing.

具体的には、第１分岐管４１４の先端部は、第１拡散装置６Ｌのシャワー板６５に電気的に接続されており、これにより、高周波電源７から供給された電力がシャワー板６５に導通される。また、第１分岐管４１４には、噴出孔４１４ａが第１分散板６１の裏面へ向けて形成されており、これにより、供給された材料ガスは、第１分散板６１へ噴出される。   Specifically, the distal end portion of the first branch pipe 414 is electrically connected to the shower plate 65 of the first diffusion device 6L, so that the power supplied from the high frequency power supply 7 is conducted to the shower plate 65. Is done. Further, the first branch pipe 414 has an ejection hole 414 a formed toward the back surface of the first dispersion plate 61, whereby the supplied material gas is ejected to the first dispersion plate 61.

なお、第２分岐管４１５、第３分岐管４１６、及び、第４分岐管４１７も同様にして、第１拡散装置６Ｌに接続されていると共に、噴出孔４１５ａ〜４１７ａ（図３参照）が形成されており、これにより、第１拡散装置６Ｌの第１分散板６１に複数の箇所から材料ガスを噴出させることが可能となっている。   Similarly, the second branch pipe 415, the third branch pipe 416, and the fourth branch pipe 417 are connected to the first diffusion device 6L, and the ejection holes 415a to 417a (see FIG. 3) are formed. Thus, the material gas can be ejected from a plurality of locations to the first dispersion plate 61 of the first diffusion device 6L.

次に材料ガス拡散装置６の第１拡散装置６Ｌについて説明する。図５は、第１拡散装置６Ｌの構成を示す分解斜視図である。   Next, the first diffusion device 6L of the material gas diffusion device 6 will be described. FIG. 5 is an exploded perspective view showing the configuration of the first diffusion device 6L.

図５に示すように、第１拡散装置６Ｌは、２枚の平板状の第１分散板６１及び第２分散板６３で構成される分散部６７と、シャワー板６５とを合わせて形成される。これら第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５には、それぞれ複数の孔が形成されている。この第１拡散装置６Ｌは、図５の白抜き矢印の方向へ材料ガスを通過させることにより、基板９Ｌの処理面へ材料ガスを略均一に拡散させる。   As shown in FIG. 5, the first diffusion device 6 </ b> L is formed by combining a shower plate 65 with a dispersion portion 67 composed of two flat plate-like first dispersion plates 61 and second dispersion plates 63. . The first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 are each formed with a plurality of holes. The first diffusion device 6L diffuses the material gas substantially uniformly to the processing surface of the substrate 9L by passing the material gas in the direction of the white arrow in FIG.

シャワー板６５は、基板９Ｌの形状に合わせて略正方形状の平板となっている。シャワー板６５には、所定の内径の噴出孔６５１が、全面に亘って略等間隔に形成されている。このシャワー板６５は、第１保持装置５Ｌが保持する基板９Ｌの処理面と対向する位置に設けられ、第１分散板６１及び第２分散板６３を通過した材料ガスを、基板９Ｌの処理面へ向けて面状に略均一に拡散する。   The shower plate 65 is a substantially square flat plate according to the shape of the substrate 9L. In the shower plate 65, ejection holes 651 having a predetermined inner diameter are formed at substantially equal intervals over the entire surface. The shower plate 65 is provided at a position facing the processing surface of the substrate 9L held by the first holding device 5L, and the material gas that has passed through the first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63 is transferred to the processing surface of the substrate 9L. It spreads almost uniformly in a plane toward the surface.

また、このシャワー板６５は、導電性の材料で形成されていると共に、上述の給電用電極としての材料導入管４１１と電気的に導通される。より具体的には、シャワー板６５は、導電性のアルミ合金板で形成されており、これにより、このシャワー板６５は、プラズマを発生させるための電極板としても作用する。   The shower plate 65 is made of a conductive material and is electrically connected to the material introduction tube 411 as the power feeding electrode. More specifically, the shower plate 65 is formed of a conductive aluminum alloy plate, so that the shower plate 65 also functions as an electrode plate for generating plasma.

第１分散板６１及び第２分散板６３は、それぞれ、上述のシャワー板６５と略同形の平板である。これら第１分散板６１及び第２分散板６３には、それぞれ、所定の内径の噴出孔６１１，６３１が、全面に亘って略等間隔に形成されている。   Each of the first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63 is a flat plate having substantially the same shape as the shower plate 65 described above. In the first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63, ejection holes 611 and 631 having predetermined inner diameters are formed at substantially equal intervals over the entire surface.

具体的には、第１分散板６１には、上述のシャワー板６５に形成された噴出孔６５１よりも大きな内径を有する噴出孔６１１が、所定の間隔で形成されている。   Specifically, the first dispersion plate 61 is formed with ejection holes 611 having an inner diameter larger than the ejection holes 651 formed in the shower plate 65 described above at a predetermined interval.

ここで、第１分散板６１において噴出孔６１１が形成される間隔は、シャワー板６５に形成された噴出孔６５１の間隔よりも大きい。つまり、第１分散板６１に形成される噴出孔６１１の数は、シャワー板６５に形成される噴出孔６５１の数よりも少ない。さらに言い換えれば、シャワー板６５には、噴出孔６５１が、第１分散板６１よりも密に形成されている。   Here, the interval at which the ejection holes 611 are formed in the first dispersion plate 61 is larger than the interval between the ejection holes 651 formed in the shower plate 65. That is, the number of ejection holes 611 formed in the first dispersion plate 61 is smaller than the number of ejection holes 651 formed in the shower plate 65. Furthermore, in other words, the ejection holes 651 are formed in the shower plate 65 more densely than the first dispersion plate 61.

また、第２分散板６３には、上述の第１分散板６１に形成された噴出孔６１１と略等しい内径を有する噴出孔６３１が、所定の間隔で形成されている。   In addition, the second dispersion plate 63 is formed with ejection holes 631 having an inner diameter substantially equal to the ejection holes 611 formed in the first dispersion plate 61 described above at a predetermined interval.

ここで、第２分散板６３において噴出孔６３１が形成される間隔は、シャワー板６５に形成された噴出孔６５１の間隔と略等しい。つまり、第２分散板６３に形成される噴出孔６３１の数は、第１分散板６１に形成される噴出孔６１１の数よりも多い。さらに言い換えれば、第２分散板６３には、噴出孔６３１が、第１分散板６１よりも密に形成されている。   Here, the interval at which the ejection holes 631 are formed in the second dispersion plate 63 is substantially equal to the interval between the ejection holes 651 formed in the shower plate 65. That is, the number of ejection holes 631 formed in the second dispersion plate 63 is larger than the number of ejection holes 611 formed in the first dispersion plate 61. In other words, the second dispersion plate 63 has the ejection holes 631 formed more densely than the first dispersion plate 61.

これら第１分散板６１及び第２分散板６３は、それぞれ、絶縁性の材料で形成されている。具体的には、ステンレス鋼板で形成される。また、第１分散板６１及び第２分散板６３には、それぞれ、第１供給装置４Ｌの材料導入管４１１を挿通させる孔が形成されている（図４参照）。   The first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63 are each formed of an insulating material. Specifically, it is formed of a stainless steel plate. The first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63 are each formed with a hole through which the material introduction tube 411 of the first supply device 4L is inserted (see FIG. 4).

なお、以上のような第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面には、ＧＢＢ処理（ガラスビーズドブラスト処理）が施されている。一般に、工作機械によって切削された切削面は一見滑らかに見えるが、その切削面には鋸の歯のようなミクロレベルのギザギザの山が形成されている。そこで、その切削面に上述のＧＢＢ処理をすることにより、このギザギザの山は潰され、切削面の表面積が減少し滑らかになる。つまり、ＧＢＢ処理を施すことにより、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面を流れる気体の摩擦抵抗が減少するので、真空チャンバ２内の真空度を向上させることができる。   The surface of the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 as described above is subjected to GBB treatment (glass bead blast treatment). In general, a cutting surface cut by a machine tool looks smooth at first glance, but a micro level jagged pile like a saw tooth is formed on the cutting surface. Therefore, by performing the above GBB treatment on the cut surface, the jagged pile is crushed, and the surface area of the cut surface is reduced and smoothed. That is, the GBB treatment reduces the frictional resistance of the gas flowing on the surfaces of the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65, so that the degree of vacuum in the vacuum chamber 2 can be improved. it can.

また、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の表面にＧＢＢ処理を施しておくことにより、成膜した時に、基板９Ｌ，９Ｒ以外の真空チャンバ２内及び真空チャンバ２の内蔵物（例えば、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５等）にも膜が付着することがある。この付着した膜の剥離は付着したものの表面粗さに関係し、この表面が滑らか過ぎると膜がこれから剥がれてパーテイクルになることがある。ＧＢＢ処理に用いるビーズの大きさを適切なものに選択して、ほどよい表面粗さを形成することにより、膜の剥がれを防止し、また、セルフクリーニング時のクリーニングが容易になる。良好な表面粗さを得るためには、１００番〜１２０番のＧＢＢ処理を切削面に施すことが好ましい。   Further, by performing GBB treatment on the surfaces of the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65, the inside of the vacuum chamber 2 and the vacuum chamber 2 other than the substrates 9L and 9R are formed at the time of film formation. A film may also adhere to built-in objects (for example, the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, the shower plate 65, etc.). The peeling of the adhered film is related to the surface roughness of the adhered film. If the surface is too smooth, the film may be peeled from the particle and become a particle. By selecting an appropriate size of beads for use in the GBB process and forming an appropriate surface roughness, peeling of the film can be prevented, and cleaning during self-cleaning can be facilitated. In order to obtain a good surface roughness, it is preferable to perform 100 to 120 GBB treatment on the cutting surface.

図１に戻って、以上のように構成された第１拡散装置６Ｌは、第１供給装置４Ｌ側から基板９Ｌ側へ向かって、第１分散板６１、第２分散板６３、シャワー板６５の順で、枠部材８で固定することにより形成される。   Returning to FIG. 1, the first diffusion device 6L configured as described above includes the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 from the first supply device 4L side to the substrate 9L side. In order, it is formed by fixing with the frame member 8.

枠部材８は、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５の各々の外縁部が嵌合する嵌合枠８１と、これら第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５を嵌合枠８１に固定する固定部８２と、を含んで構成される。これにより、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５は、それぞれ、仕切り板３に対し平行にした状態で真空チャンバ２内に設けられる。   The frame member 8 includes a fitting frame 81 into which the outer edge portions of the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 are fitted, the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and And a fixing portion 82 that fixes the shower plate 65 to the fitting frame 81. Accordingly, the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 are provided in the vacuum chamber 2 in a state of being parallel to the partition plate 3, respectively.

また、これら嵌合枠８１及び固定部８２は、それぞれ、絶縁性の材料で形成されている。具体的には、これら嵌合枠８１及び固定部８２は、それぞれ、石英で形成されており、これにより、シャワー板６５は真空チャンバ２内で電気的に絶縁される。   The fitting frame 81 and the fixing portion 82 are each formed of an insulating material. Specifically, each of the fitting frame 81 and the fixing portion 82 is made of quartz, whereby the shower plate 65 is electrically insulated in the vacuum chamber 2.

またここで、第１分散板６１、第２分散板６３、及びシャワー板６５は、各々の間にインシュレータが介装されており、互いに所定の距離だけ離間させた状態で固定される。これにより、第１分散板６１と第２分散板６３との間、及び、第２分散板６３とシャワー板６５との間には、それぞれ、材料ガスが一時的に滞留する第１滞留室６８及び第２滞留室６９が形成される。   In addition, here, the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 have insulators interposed therebetween, and are fixed in a state of being separated from each other by a predetermined distance. Thereby, between the 1st dispersion | distribution board 61 and the 2nd dispersion | distribution board 63, and between the 2nd dispersion | distribution board 63 and the shower board 65, the 1st residence chamber 68 in which material gas stagnates temporarily, respectively. And the 2nd residence chamber 69 is formed.

次に、図４を参照して、以上のように構成された第１分散板６１、第２分散板６３、及び、シャワー板６５を通過する材料ガスの流れについて説明する。   Next, the flow of the material gas passing through the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65 configured as described above will be described with reference to FIG.

先ず、第１供給装置４Ｌの材料導入管４１１から供給された材料ガスは、噴出孔４１４ａから第１分散板６１の裏面へ向けて噴出される。第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスは、第１分散板６１の噴出孔６１１、第２分散板６３の噴出孔６３１、及び、シャワー板６５の噴出孔６５１、を順に通過して、基板９Ｌの処理面に拡散される。   First, the material gas supplied from the material introduction tube 411 of the first supply device 4L is ejected from the ejection holes 414a toward the back surface of the first dispersion plate 61. The material gas supplied from the first supply device 4L sequentially passes through the ejection holes 611 of the first dispersion plate 61, the ejection holes 631 of the second dispersion plate 63, and the ejection holes 651 of the shower plate 65, and the substrate. It is diffused to the 9L processing surface.

ここで、上述のように、第１供給装置４Ｌには、材料ガスを噴出する孔として４つの噴出孔４１４ａ，４１５ａ，４１６ａ，４１７ａが形成されている。また、第１分散板６１、第２分散板６３、シャワー板６５には、噴出孔６１１，６３１，６５１が、基板９Ｌ側に向かうに従い密に形成されている。換言すると、シャワー板６５の噴出孔６５１と分散板６３の噴出孔６３１とは互いに千鳥配列に配置されており、分散板６３の噴出孔６３１と分散板６１の噴出孔６１１とも互いに千鳥配列に配置されている。また、噴出孔６５１，６３１，６１１のうち、シャワー板６５の噴出孔６５１の孔径が最も小さく、次いで、分散板６３の噴出孔６３１の孔径が大きく、分散板６１の噴出孔６１１の孔径が最も大きい。このように、材料ガスを噴出する孔を段階的に増やすことにより、材料ガスを基板９Ｌの処理面に全面に亘って拡散することができる。   Here, as described above, the four supply holes 414a, 415a, 416a, and 417a are formed in the first supply device 4L as holes for discharging the material gas. In addition, in the first dispersion plate 61, the second dispersion plate 63, and the shower plate 65, the ejection holes 611, 631, and 651 are formed densely toward the substrate 9L side. In other words, the ejection holes 651 of the shower plate 65 and the ejection holes 631 of the dispersion plate 63 are arranged in a staggered manner, and the ejection holes 631 of the dispersion plate 63 and the ejection holes 611 of the dispersion plate 61 are also arranged in a staggered manner. Has been. Of the ejection holes 651, 631, and 611, the diameter of the ejection hole 651 of the shower plate 65 is the smallest, and then the diameter of the ejection hole 631 of the dispersion plate 63 is large, and the diameter of the ejection hole 611 of the dispersion plate 61 is the largest. large. In this manner, by increasing the number of holes for ejecting the material gas in stages, the material gas can be diffused over the entire processing surface of the substrate 9L.

また、特に、シャワー板６５の裏面側には、第１分散板６１及び第２分散板６３を互いに離間して設けることにより、第１滞留室６８及び第２滞留室６９が形成されている。これにより、第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスは、これら第１滞留室６８及び第２滞留室６９において、一時的に滞留した後に、シャワー板６５から基板９Ｌの処理面へ噴出される。ここで、第１滞留室６８及び第２滞留室６９で、材料ガスを一次的に滞留させることにより、第１供給装置４Ｌから供給された材料ガスを、シャワー板６５の裏面に略均一に分散させることができる。   In particular, on the back surface side of the shower plate 65, a first staying chamber 68 and a second staying chamber 69 are formed by providing the first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63 apart from each other. As a result, the material gas supplied from the first supply device 4L is temporarily retained in the first retention chamber 68 and the second retention chamber 69, and then ejected from the shower plate 65 to the processing surface of the substrate 9L. . Here, the material gas is temporarily retained in the first retention chamber 68 and the second retention chamber 69, whereby the material gas supplied from the first supply device 4L is substantially uniformly distributed on the back surface of the shower plate 65. Can be made.

以上のようにして、第１拡散装置６Ｌは、第１保持装置５Ｌが保持する基板９Ｌの処理面へ向けて、面状に材料ガスを拡散する。   As described above, the first diffusion device 6L diffuses the material gas in a planar shape toward the processing surface of the substrate 9L held by the first holding device 5L.

次に、図１に戻って、基板保持装置５の第１保持装置５Ｌについて説明する。
第１保持装置５Ｌは、基板９Ｌを保持する基板保持部５２Ｕ，５２Ｄと、これら基板保持部５２Ｕ，５２Ｄにより保持された基板９Ｌを処理面の裏側から加熱する基板加熱部５４と、これら基板保持部５２Ｕ，５２Ｄ及び基板加熱部５４の縁部を上下で支持する支持部５６Ｕ，５６Ｄと、を備え、全体の形状が略立方体状となっている。 Next, returning to FIG. 1, the first holding device 5L of the substrate holding device 5 will be described.
The first holding device 5L includes substrate holding units 52U and 52D that hold the substrate 9L, a substrate heating unit 54 that heats the substrate 9L held by the substrate holding units 52U and 52D from the back side of the processing surface, and these substrate holdings Support portions 56U and 56D for supporting the edges of the portions 52U and 52D and the substrate heating portion 54 in the vertical direction, and the overall shape is substantially cubic.

図１及び図２に示すように、第１保持装置５Ｌの上側に設けられる基板保持部５２Ｕは、複数のガイドローラ５２１Ｕ及びシャフト５２３Ｕを含んで構成され、下側に設けられる基板保持部５２Ｄも同様に、複数のガイドローラ５２１Ｄ及びシャフト５２３Ｄを含んで構成される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate holding portion 52U provided on the upper side of the first holding device 5L includes a plurality of guide rollers 521U and a shaft 523U, and the substrate holding portion 52D provided on the lower side is also configured. Similarly, a plurality of guide rollers 521D and a shaft 523D are included.

ガイドローラ５２１Ｕ，５２１Ｄの外周部には、基板９Ｌの厚みに合わせた溝部が形成されており、基板９Ｌの端部がこの溝部に嵌合可能となっている。
シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄは、水平方向に延びる棒状の部材である。シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄの先端側には、ガイドローラ５２１Ｕ，５２１Ｄが回転可能に取り付けられている。一方、シャフト５２３Ｕ，５２３Ｄの基端側は、基板加熱部５４の後述の熱板５４２を貫通し、支持部５６により支持されている。 A groove portion corresponding to the thickness of the substrate 9L is formed on the outer peripheral portion of the guide rollers 521U and 521D, and an end portion of the substrate 9L can be fitted into the groove portion.
The shafts 523U and 523D are bar-shaped members extending in the horizontal direction. Guide rollers 521U and 521D are rotatably attached to the distal ends of the shafts 523U and 523D. On the other hand, the base end sides of the shafts 523U and 523D pass through a later-described hot plate 542 of the substrate heating unit 54 and are supported by the support unit 56.

以上のように構成された基板保持部５２Ｕ，５２Ｄは、複数のガイドローラ５２１Ｕの溝部に基板９Ｌの上端部を嵌合させると共に、複数のガイドローラ５２１Ｄの溝部に基板９Ｌの下端部を嵌合させることにより、基板９Ｌを保持する。   The substrate holding portions 52U and 52D configured as described above fit the upper end portion of the substrate 9L into the groove portions of the plurality of guide rollers 521U and fit the lower end portion of the substrate 9L into the groove portions of the plurality of guide rollers 521D. By doing so, the substrate 9L is held.

基板加熱部５４は、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄに保持された基板９Ｌに対して略平行に延びる熱板５４２と、この熱板５４２を裏面から加熱する加熱部としてのヒータユニット５４４と、を備える。   The substrate heating unit 54 includes a hot plate 542 extending substantially parallel to the substrate 9L held by the substrate holding units 52U and 52D, and a heater unit 544 as a heating unit that heats the hot plate 542 from the back surface. .

熱板５４２は、基板９Ｌを全面に亘りむら無く加熱するために、基板９Ｌとヒータユニット５４４との間に介装される板である。この熱板５４２は、熱伝導性の高いアルミ合金で形成される。また、この熱板５４２は、接地されており、上記シャワー板６５に対向する電極板としても作用する。ヒータユニット５４４は、この熱板５４２を介して間接的に基板９Ｌを加熱し、所定の温度にする。   The heat plate 542 is a plate interposed between the substrate 9L and the heater unit 544 in order to heat the substrate 9L uniformly over the entire surface. The hot plate 542 is made of an aluminum alloy having high thermal conductivity. The heat plate 542 is grounded and acts as an electrode plate facing the shower plate 65. The heater unit 544 indirectly heats the substrate 9L through the hot plate 542 to a predetermined temperature.

また、熱板５４２の基板９Ｌ側の面には、石英で形成された枠状のシールド５４６が、基板９Ｌの外周に沿って設けられている。   Further, a frame-shaped shield 546 made of quartz is provided on the surface of the hot plate 542 on the substrate 9L side along the outer periphery of the substrate 9L.

また、この熱板５４２の表面は、ＧＢＢ処理が施されると共に、その基板９Ｌ側の面には、セラミックコーティング処理を施すことにより、セラミックの皮膜が設けられている。これにより、熱板５４２の表面の温度むらを小さくすることができる。すなわち、このようなセラミック皮膜を設けることにより、基板９Ｌの温度むらを小さくすることができ、したがって、基板９Ｌの処理面に材料を略均一に成膜できる。   Further, the surface of the hot plate 542 is subjected to GBB treatment, and a ceramic coating is provided on the surface on the substrate 9L side by performing ceramic coating treatment. Thereby, the temperature unevenness of the surface of the hot plate 542 can be reduced. That is, by providing such a ceramic film, the temperature unevenness of the substrate 9L can be reduced, and therefore the material can be formed substantially uniformly on the processing surface of the substrate 9L.

また、本実施形態では、熱板５４２として、板厚が１２ｍｍのステンレス板と２０ｍｍのアルミ合金板を組み合わせて用いるが、これに限るものではない。この熱板５４２の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍの範囲内であることが好ましい。このような熱板５４２を用いることにより、熱板５４２の温度変化を小さくすることができる。
熱板の材質としては、カーボン（Ｃ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、ステンレス（ＳＵＳ）及びアルミ（Ａｌ）等を用いることができる。 In the present embodiment, a stainless steel plate having a thickness of 12 mm and an aluminum alloy plate having a thickness of 20 mm are used in combination as the hot plate 542, but the present invention is not limited to this. The thickness of the hot plate 542 is preferably in the range of 8 mm to 40 mm. By using such a hot plate 542, the temperature change of the hot plate 542 can be reduced.
As a material of the hot plate, carbon (C), silicon carbide (SiC), stainless steel (SUS), aluminum (Al), or the like can be used.

熱板の厚みは、成膜しようとする基板の面積に応じて決めることが好ましい。具体的には、基板の面積が３００ｃｍ２以下の場合、熱板の厚みを８ｍｍ〜１２ｍｍ程度に、基板の面積が３００ｃｍ２〜２０００ｃｍ２の場合、熱板の厚みを１５ｍｍ〜２０ｍｍ程度に、基板の面積が２０００ｃｍ２〜１００００ｃｍ２の場合、熱板の厚みを２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度に、基板の面積が１００００ｃｍ２以上の場合、熱板の厚みを３０ｍｍ以上にすることが好ましい。ただし、カーボン（Ｃ）及び炭化珪素（ＳｉＣ）等の黒体材料を熱板とする場合は、この限りではない。また、ステンレスとアルミとの組合せ、ステンレスと炭化珪素（ＳｉＣ）との組合せ、ステンレスとカーボンとの組合せ、または、アルミと炭化珪素（ＳｉＣ）アルミとカーボンとの組合せた材質を熱板とする場合も、この限りでない。 The thickness of the hot plate is preferably determined according to the area of the substrate to be formed. Specifically, when the area of the substrate is 300 cm 2 or less, the thickness of the hot plate to about 8 mm to 12 mm, when the area of the substrate is 300cm 2 ~2000cm 2, the thickness of the hot plate to approximately 15 mm to 20 mm, the substrate If the area is 2000cm 2 ~10000cm 2 of the thickness of the hot plate to approximately 20 mm to 40 mm, when the area of the substrate is 10000 cm 2 or more, it is preferable that the thickness of the hot plate more than 30 mm. However, this is not the case when a black body material such as carbon (C) and silicon carbide (SiC) is used as the hot plate. In addition, a combination of stainless steel and aluminum, a combination of stainless steel and silicon carbide (SiC), a combination of stainless steel and carbon, or a combination of aluminum, silicon carbide (SiC) aluminum and carbon is used as a hot plate. But this is not the case.

支持部５６Ｕ，５６Ｄは、それぞれ、第１保持装置５Ｌのうち上部及び下部に、熱板５４２の上下端部に沿って延びる。支持部５６Ｕ，５６Ｄは、それぞれ、熱板５４２の上下端部と、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄを支持する。また、この支持部５６Ｕ，５６Ｄは、保持する基板９Ｌの処理面を、シャワー板６５に向けた状態で、真空チャンバ２内に設けられる。   The support portions 56U and 56D extend along the upper and lower ends of the heat plate 542 to the upper and lower portions of the first holding device 5L, respectively. The support portions 56U and 56D support the upper and lower end portions of the heat plate 542 and the substrate holding portions 52U and 52D, respectively. The support portions 56U and 56D are provided in the vacuum chamber 2 with the processing surface of the substrate 9L to be held facing the shower plate 65.

図６及び図７は、第１保持装置５Ｌの構成を示す拡大図である。
図６に示すように、支持部５６は、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄのシャフト５２３Ｕ，５２３Ｄを摺動可能に支持すると共に、図示しないアクチュエータを備えており、これらシャフト５２３Ｕ，５２３Ｄを図６中の左右方向に沿って駆動可能となっている。これにより、成膜装置１では、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄに保持された基板９Ｌと、熱板５４２との間隔を調整できる。 6 and 7 are enlarged views showing the configuration of the first holding device 5L.
As shown in FIG. 6, the support portion 56 slidably supports the shafts 523U and 523D of the substrate holding portions 52U and 52D, and includes an actuator (not shown). The shafts 523U and 523D are shown in FIG. It can be driven along the left-right direction. Thereby, in the film-forming apparatus 1, the space | interval of the board | substrate 9L hold | maintained at the board | substrate holding | maintenance part 52U and 52D and the hot platen 542 can be adjusted.

ここで、例えば、基板９Ｌを交換する場合には、図６に示すように、シャフト５２３Ｕを押し出して、基板９Ｌと、熱板５４２及びシールド５４６とを離間させた状態で、ガイドローラ５２１Ｕを回転させながら、基板９Ｌをスロット２２１Ｌから出し入れする。このように、基板９Ｌと熱板５４２とを離間させた状態で基板９Ｌを交換することにより、この基板９Ｌの表面が傷付くのを防止できる。   Here, for example, when replacing the substrate 9L, as shown in FIG. 6, the guide roller 521U is rotated while the shaft 523U is pushed out and the substrate 9L is separated from the heat plate 542 and the shield 546. The substrate 9L is taken in and out of the slot 221L. Thus, by replacing the substrate 9L with the substrate 9L and the hot plate 542 spaced apart, the surface of the substrate 9L can be prevented from being damaged.

図７に示すように、この支持部５６は、基板加熱部５４及び基板保持部５２Ｕと共に、シャワー板６５に対して略垂直な方向に摺動可能に設けられていると共に、図示しない駆動手段が接続されている。これにより、基板保持部５２Ｕ，５２Ｄが保持する基板９Ｌと、シャワー板６５との間隔を調整できる。   As shown in FIG. 7, the support part 56 is provided so as to be slidable in a direction substantially perpendicular to the shower plate 65 together with the substrate heating part 54 and the substrate holding part 52U, and a driving means (not shown) is provided. It is connected. Thereby, the space | interval of the board | substrate 9L which the board | substrate holding | maintenance parts 52U and 52D hold | maintain and the shower board 65 can be adjusted.

このようにして基板９Ｌとシャワー板６５との間隔を調整することにより、シャワー板６５から拡散して噴出された材料ガスの吹き抜け量が調整可能となっている。ここで、材料ガスの吹き抜け量とは、図７の白抜き矢印に示すように、基板９Ｌの処理面とシャワー板６５との間から、シールド５４６と枠部材８の固定部８２との間を介して排出される材料ガスの量を示す。   By adjusting the distance between the substrate 9L and the shower plate 65 in this way, the amount of blown material gas diffused and ejected from the shower plate 65 can be adjusted. Here, the amount of material gas blown out is between the shield 546 and the fixing portion 82 of the frame member 8 from between the processing surface of the substrate 9L and the shower plate 65, as shown by the white arrow in FIG. The amount of the material gas discharged through is shown.

本発明の成膜装置１では、このような材料ガスの吹き抜け量を調整可能にすることにより、基板９Ｌの処理面とシャワー板６５との間に滞留する材料ガスの量を適切に調整することができる。   In the film forming apparatus 1 of the present invention, the amount of the material gas staying between the processing surface of the substrate 9L and the shower plate 65 can be appropriately adjusted by making it possible to adjust the amount of the material gas blown out. Can do.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this.

実施形態の成膜装置１は、いわゆるプラズマＣＶＤ法により基板の処理面に材料を成膜するものとしたが、これに限るものではない。   In the film forming apparatus 1 of the embodiment, the material is formed on the processing surface of the substrate by a so-called plasma CVD method, but the present invention is not limited to this.

例えば、実施形態の成膜装置１は、アニール装置、拡散装置、常圧ＣＶＤ、減圧熱ＣＶＤ等にも応用できる。   For example, the film forming apparatus 1 of the embodiment can be applied to an annealing apparatus, a diffusion apparatus, atmospheric pressure CVD, reduced pressure thermal CVD, and the like.

また、実施形態では、成膜装置１で成膜処理を行う一組の基板として２枚の基板９Ｌ，９Ｒを用い、各々を第１処理室２Ｌ及び第２処理室２Ｒに配置したが、これに限るものではない。例えば、一組の基板として４枚の基板を用い、第１処理室に２枚の基板を配置し、第２処理室に２枚の基板を配置するようにしてもよい。   In the embodiment, the two substrates 9L and 9R are used as a pair of substrates for performing the film forming process in the film forming apparatus 1, and each of the substrates is disposed in the first processing chamber 2L and the second processing chamber 2R. It is not limited to. For example, four substrates may be used as a set of substrates, two substrates may be disposed in the first processing chamber, and two substrates may be disposed in the second processing chamber.

また、実施形態では、シャワー板６５の裏面側へ材料ガスを分散させる分散部６７を、第１分散板６１及び第２分散板６３の２枚の分散板で構成したが、これに限るものではない。分散部は、例えば、１枚の分散板で構成してもよいし、あるいは、より多くの分散板で構成してもよい。   In the embodiment, the dispersion portion 67 that disperses the material gas to the back surface side of the shower plate 65 is configured by the two dispersion plates of the first dispersion plate 61 and the second dispersion plate 63. However, the present invention is not limited to this. Absent. For example, the dispersion unit may be constituted by one dispersion plate, or may be constituted by more dispersion plates.

本発明の実施形態に係る成膜装置の構成を示す側部断面図である。It is side part sectional drawing which shows the structure of the film-forming apparatus which concerns on embodiment of this invention. 成膜装置の構成を示す上部断面図である。It is an upper section showing the composition of the film deposition system. 第１供給装置の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of a 1st supply apparatus. 図３中の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3. 第１拡散装置の構成を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the structure of a 1st diffuser. 第１保持装置の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of a 1st holding | maintenance apparatus. 第１保持装置の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of a 1st holding | maintenance apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１…成膜装置
２…真空チャンバ（処理容器）、２Ｌ…第１処理室（第１処理室）、２Ｒ…第２処理室（第２処理室）、２２，２４…壁部、２２１Ｌ，２２１Ｒ…スロット、２２３…蓋体、２４１…挿通孔
３…仕切り板（仕切り板）
４…材料ガス供給装置（材料供給手段）、４Ｌ…第１供給装置（第１供給手段）、４Ｒ…第２供給装置（第２供給手段）、４１…材料導入部（材料導入部）、４１１…材料導入管（導入管、給電用電極）、４１３…主導入管、４１３ａ…材料ガス導入部、４１３ｂ…電源接続部、４１３ｃ…絶縁材、４１４…第１分岐管、４１４ａ…噴出孔、４１５…第２分岐管、４１５ａ…噴出孔、４１６…第３分岐管、４１６ａ…噴出孔、４１７…第４分岐管、４１７ａ…噴出孔、４１９…被覆部（絶縁被覆）、４３…材料ガス生成部
５…基板保持装置（基板保持手段）、５Ｌ…第１保持装置（第１保持手段）、５Ｒ…第２保持装置（第２保持手段）、５２Ｕ，５２Ｄ…基板保持部（基板保持部）、５２１Ｕ，５２１Ｄ…ガイドローラ、５２３Ｕ，５２３Ｄ…シャフト、５４…基板加熱部（基板加熱部）、５４２…熱板（熱板）、５４４…ヒータユニット（加熱部）、５４６…シールド、５６Ｕ，５６Ｄ…支持部
６…材料ガス拡散装置（材料拡散手段）、６Ｌ…第１拡散装置（第１拡散手段）、６Ｒ…第２拡散装置（第２拡散手段）、６７…分散部（分散部）、６１…第１分散板（第１分散板）、６１１…噴出孔、６３…第２分散板（第２分散板）、６３１…噴出孔、６５…シャワー板（シャワー板）、６５１…噴出孔、６８…第１滞留室、６９…第２滞留室
７…高周波電源
８…枠部材（枠部材）、８１…嵌合枠、８２…固定部
９Ｌ，９Ｒ…基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus 2 ... Vacuum chamber (processing container), 2L ... 1st processing chamber (1st processing chamber), 2R ... 2nd processing chamber (2nd processing chamber), 22, 24 ... Wall part, 221L, 221R ... Slot, 223 ... Lid, 241 ... Insertion hole 3 ... Partition plate (partition plate)
4 ... Material gas supply device (material supply means), 4L ... First supply device (first supply means), 4R ... Second supply device (second supply means), 41 ... Material introduction section (material introduction section), 411 ... Material introduction pipe (introduction pipe, power supply electrode), 413 ... Main introduction pipe, 413a ... Material gas introduction part, 413b ... Power supply connection part, 413c ... Insulating material, 414 ... First branch pipe, 414a ... Injection hole, 415 2nd branch pipe, 415a ... ejection hole, 416 ... 3rd branch pipe, 416a ... ejection hole, 417 ... 4th branch pipe, 417a ... ejection hole, 419 ... coating part (insulation coating), 43 ... material gas generation part 5 ... Substrate holding device (substrate holding means), 5L ... First holding device (first holding means), 5R ... Second holding device (second holding means), 52U, 52D ... Substrate holding portion (substrate holding portion), 521U, 521D ... guide rollers, 523U, 523 D ... Shaft 54 ... Substrate heating part (Substrate heating part), 542 ... Hot plate (hot plate), 544 ... Heater unit (heating part), 546 ... Shield, 56U, 56D ... Supporting part 6 ... Material gas diffusion device ( Material diffusion means), 6L ... first diffusion device (first diffusion means), 6R ... second diffusion device (second diffusion means), 67 ... dispersion part (dispersion part), 61 ... first dispersion plate (first dispersion plate) Plate), 611 ... ejection hole, 63 ... second dispersion plate (second dispersion plate), 631 ... ejection hole, 65 ... shower plate (shower plate), 651 ... ejection hole, 68 ... first retention chamber, 69 ... first 2 staying chamber 7 ... high frequency power supply 8 ... frame member (frame member), 81 ... fitting frame, 82 ... fixing part 9L, 9R ... substrate

Claims (14)

基板を収容しかつ真空引き可能な処理容器と、
前記処理容器内にプラズマを発生させるための電圧が印加される給電用電極と、
前記処理容器内に材料ガスを供給する材料供給手段と、
前記処理容器内で一組の基板を保持する基板保持手段と、
前記材料供給手段により供給された材料ガスを、前記基板保持手段に保持された基板へ向けて拡散する材料拡散手段と、を備え、
前記材料供給手段は、前記処理容器の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給手段及び第２供給手段を有し、
前記材料拡散手段は、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散手段及び第２拡散手段を有し、
前記基板保持手段は、前記一組の基板のうち一方の基板を保持する第１保持手段と、他方の基板を保持する第２保持手段とを含んで構成され、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板の処理面を、前記第１拡散手段及び第２拡散手段に向けた状態で、互いに対向して設けられることを特徴とする成膜装置。 A processing container that contains a substrate and can be evacuated;
A power supply electrode to which a voltage for generating plasma in the processing container is applied;
Material supply means for supplying a material gas into the processing container;
Substrate holding means for holding a set of substrates in the processing vessel;
Material diffusion means for diffusing the material gas supplied by the material supply means toward the substrate held by the substrate holding means,
The material supply means has a first supply means and a second supply means for supplying a material gas in a direction opposite to each other from substantially the center of the processing container,
The material diffusion means includes first diffusion means and second diffusion means for diffusing the material gas supplied from the first supply means and the second supply means in a plane shape, respectively.
The substrate holding means includes a first holding means for holding one substrate of the set of substrates and a second holding means for holding the other substrate,
The first holding unit and the second holding unit are provided to face each other with the processing surfaces of the substrates to be held facing the first diffusion unit and the second diffusion unit, respectively. Membrane device. 請求項１に記載の成膜装置において、
前記処理容器内には、当該処理容器内を第１処理室及び第２処理室に略２等分する仕切り板が設けられ、
前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、前記第１処理室及び第２処理室に材料ガスを供給し、
前記第１拡散手段及び前記第１保持手段は、前記第１処理室に設けられ、
前記第２拡散手段及び前記第２保持手段は、前記第２処理室に設けられることを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1,
A partition plate is provided in the processing container to divide the processing container into a first processing chamber and a second processing chamber in approximately two equal parts,
The first supply unit and the second supply unit supply a material gas to the first processing chamber and the second processing chamber, respectively.
The first diffusion means and the first holding means are provided in the first processing chamber,
The film forming apparatus, wherein the second diffusing unit and the second holding unit are provided in the second processing chamber. 請求項２に記載の成膜装置において、
前記仕切り板は、鉛直面内に設けられ、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、保持する基板を前記仕切り板と略平行にして設けられ、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面へ材料ガスを拡散することを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 2,
The partition plate is provided in a vertical plane,
The first holding means and the second holding means are each provided with a substrate to be held substantially parallel to the partition plate,
The film forming apparatus, wherein the first diffusing unit and the second diffusing unit diffuse the material gas to the processing surface of the substrate held by the first holding unit and the second holding unit, respectively. 請求項１から３のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、複数の孔が形成され材料ガスを面状に略均一に拡散する平板状のシャワー板を備え、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板は、それぞれ、前記第１保持手段及び第２保持手段が保持する基板の処理面と対向して設けられると共に、前記給電用電極と電気的に導通されていることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus in any one of Claim 1 to 3,
Each of the first diffusing means and the second diffusing means includes a flat shower plate that has a plurality of holes formed therein and diffuses the material gas substantially uniformly in a planar shape,
The shower plates of the first diffusing unit and the second diffusing unit are provided to face the processing surface of the substrate held by the first holding unit and the second holding unit, respectively, and are electrically connected to the feeding electrode. A film forming apparatus which is electrically connected. 請求項４に記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段は、それぞれ、
前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられ、前記第１供給手段及び第２供給手段から供給された材料ガスを前記シャワー板の裏面に略均一に分散させる分散部を、さらに備えることを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 4,
The first diffusion means and the second diffusion means are respectively
A dispersion unit provided between the material supply unit and the shower plate, and which disperses the material gas supplied from the first supply unit and the second supply unit substantially uniformly on the back surface of the shower plate; A film forming apparatus characterized by the above. 請求項５に記載の成膜装置において、
前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部は、それぞれ、
複数の孔が形成され、前記材料供給手段と前記シャワー板との間に設けられた第１分散板と、
前記第１分散板よりも多い数の孔が形成され、前記第１分散板と前記シャワー板との間に設けられた第２分散板と、を含んで構成されることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 5,
The dispersion parts of the first diffusion means and the second diffusion means are respectively
A plurality of holes are formed, a first dispersion plate provided between the material supply means and the shower plate,
A film having a number of holes larger than that of the first dispersion plate, and includes a second dispersion plate provided between the first dispersion plate and the shower plate. apparatus. 請求項６に記載の成膜装置において、
前記シャワー板に形成された孔の径は、前記第１分散板及び第２分散板に形成された孔の径よりも小さいことを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 6,
The film forming apparatus, wherein the diameter of the hole formed in the shower plate is smaller than the diameter of the hole formed in the first dispersion plate and the second dispersion plate. 請求項４から７のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１保持手段及び第２保持手段の各々が保持する基板と、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板との間隔を調整可能な、間隔調整機構をさらに備えることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus in any one of Claim 4 to 7,
It further comprises an interval adjusting mechanism capable of adjusting an interval between the substrate held by each of the first holding means and the second holding means and the shower plate of the first diffusion means and the second diffusion means. Deposition device. 請求項５から８に記載の成膜装置において、
前記第１供給手段及び第２供給手段は、それぞれ、材料ガスを前記処理容器の外部から内部へ導入する材料導入部を備え、
前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部は、それぞれ、前記給電用電極として低抵抗性の導電材料で形成され材料ガスが流れる導入管と、絶縁材料で形成され前記導入管の外周を覆う絶縁被覆と、を含んで構成され、
前記導入管は、前記第１拡散手段及び第２拡散手段のシャワー板に導通することを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 5 to 8,
Each of the first supply unit and the second supply unit includes a material introduction unit that introduces a material gas from the outside to the inside of the processing container,
The material introduction portions of the first supply means and the second supply means are respectively an introduction pipe formed of a low-resistance conductive material as the power feeding electrode and through which a material gas flows, and an outer periphery of the introduction pipe formed of an insulating material. And an insulating coating covering the
The film forming apparatus, wherein the introduction pipe is electrically connected to a shower plate of the first diffusion means and the second diffusion means. 請求項９に記載の成膜装置において、
前記第１供給手段及び第２供給手段の材料導入部には、それぞれ、前記第１拡散手段及び第２拡散手段の分散部の複数の箇所へ材料ガスを噴出する噴出部が形成されていることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 9,
The material introduction portions of the first supply means and the second supply means are formed with ejection portions for ejecting material gas to a plurality of locations of the dispersion portions of the first diffusion means and the second diffusion means, respectively. A film forming apparatus characterized by the above. 請求項９または１０に記載の成膜装置において、
前記シャワー板の外縁部を支持する枠部材をさらに備え、
前記枠部材は、絶縁材料で形成されていることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 9 or 10,
A frame member for supporting the outer edge of the shower plate;
The film forming apparatus, wherein the frame member is formed of an insulating material. 請求項１から１１のいずれかに記載の成膜装置において、
前記第１保持手段及び第２保持手段は、それぞれ、
基板の外縁部の一部を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板を、処理面の裏側から加熱する基板加熱部と、
前記基板保持部に保持された基板と前記基板加熱部との間隔を調整可能な調整機構と、を備えることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus in any one of Claim 1 to 11,
The first holding means and the second holding means are respectively
A substrate holding part for holding a part of the outer edge of the substrate;
A substrate heating unit for heating the substrate held by the substrate holding unit from the back side of the processing surface;
A film forming apparatus comprising: an adjustment mechanism capable of adjusting an interval between the substrate held by the substrate holding unit and the substrate heating unit. 請求項１２に記載の成膜装置において、
前記基板加熱部は、前記基板保持部に保持された基板に対して略平行な熱板と、前記熱板を裏面から加熱する加熱部と、を備え、
前記熱板の基板側の面には、セラミック皮膜が設けられていることを特徴とする成膜装置。 In the film-forming apparatus of Claim 12,
The substrate heating unit includes a hot plate that is substantially parallel to the substrate held by the substrate holding unit, and a heating unit that heats the hot plate from the back surface.
A film forming apparatus, wherein a ceramic film is provided on a substrate side surface of the hot plate. 請求項１３に記載の成膜装置において、
前記熱板の板厚は、８ｍｍ〜４０ｍｍであることを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 13.
The thickness of the hot plate is from 8 mm to 40 mm.
JP2007020200A 2007-01-30 2007-01-30 Film deposition system Withdrawn JP2008184666A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007020200A JP2008184666A (en) 2007-01-30 2007-01-30 Film deposition system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007020200A JP2008184666A (en) 2007-01-30 2007-01-30 Film deposition system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008184666A true JP2008184666A (en) 2008-08-14

Family

ID=39727904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007020200A Withdrawn JP2008184666A (en) 2007-01-30 2007-01-30 Film deposition system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008184666A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2234143A1 (en) * 2008-01-01 2010-09-29 Dongguan Anwell Digital Machinery Co., Ltd. A system and process for processing the substrate in the chamber
JP2012021209A (en) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP2012031490A (en) * 2010-08-02 2012-02-16 Ulvac Japan Ltd Plasma treatment apparatus, and pre-treatment method
CN102575347A (en) * 2009-10-05 2012-07-11 东京毅力科创株式会社 Film-forming device, film-forming head, and film-forming method
US8712059B2 (en) 2008-08-13 2014-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Apparatus for merging spatial audio streams

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2234143A1 (en) * 2008-01-01 2010-09-29 Dongguan Anwell Digital Machinery Co., Ltd. A system and process for processing the substrate in the chamber
EP2234143A4 (en) * 2008-01-01 2013-04-03 Dongguan Anwell Digital Mach A system and process for processing the substrate in the chamber
US8712059B2 (en) 2008-08-13 2014-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Apparatus for merging spatial audio streams
CN102575347A (en) * 2009-10-05 2012-07-11 东京毅力科创株式会社 Film-forming device, film-forming head, and film-forming method
JP2012021209A (en) * 2010-07-16 2012-02-02 Ulvac Japan Ltd Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP2012031490A (en) * 2010-08-02 2012-02-16 Ulvac Japan Ltd Plasma treatment apparatus, and pre-treatment method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980011808A (en) Plasma processing equipment
JP2009527921A5 (en)
JP2008184666A (en) Film deposition system
JP4625397B2 (en) Discharge electrode, thin film manufacturing apparatus and solar cell manufacturing method
JP2006196677A (en) Plasma processing device, and semiconductor element manufactured by the same
CN103649368B (en) Gas injection device, apparatus for atomic layer deposition and use the Atomic layer deposition method of this apparatus for atomic layer deposition
TW201126018A (en) Plasma CVD apparatus and method for producing silicon film
KR101224669B1 (en) Plasma processing apparatus
WO2009142138A1 (en) Plasma processing apparatus
TWI414628B (en) Plasma treatment apparatus and plasma cvd method for forming film
JP5119830B2 (en) Plasma device
KR102376255B1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2007327097A (en) Plasma treatment apparatus
JP2000054145A (en) Surface treating device
US20090205570A1 (en) Gas supply unit and chemical vapor deposition apparatus
KR101284084B1 (en) Apparatus for processing substrate
JPH11121381A (en) Plasma chemical vapor depositing device
JP2005086208A (en) Plasma etching apparatus
JP2008262970A (en) Film-formation treatment system
JP2008231574A (en) Suction device for plasma coating chamber
JP2015015382A (en) Film deposition device and film deposition method
JPH04259210A (en) Semiconductor production device
JP2006040743A (en) Plasma processing method and plasma processing device
TW201534747A (en) Extended precursor gas injection method
JP2008244389A (en) Vacuum treatment apparatus, vacuum treatment method, and plasma cvd method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080515

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20091020

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091214

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100112

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100203