KR101284084B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101284084B1
KR101284084B1 KR1020110106297A KR20110106297A KR101284084B1 KR 101284084 B1 KR101284084 B1 KR 101284084B1 KR 1020110106297 A KR1020110106297 A KR 1020110106297A KR 20110106297 A KR20110106297 A KR 20110106297A KR 101284084 B1 KR101284084 B1 KR 101284084B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
main body
gas
substrate
gas supply
diameter
Prior art date
Application number
KR1020110106297A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130042157A (en
Inventor
박경완
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020110106297A priority Critical patent/KR101284084B1/en
Priority to CN201280051208.5A priority patent/CN103890642A/en
Priority to PCT/KR2012/003339 priority patent/WO2013058454A1/en
Publication of KR20130042157A publication Critical patent/KR20130042157A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101284084B1 publication Critical patent/KR101284084B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 본체의 내부에 설치된 가스공급관의 토출공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부로 균일하게 공급되고, 본체의 내부에 설치된 가스배출관의 흡입공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부 전체 부위를 통하여 외부로 배출된다. 그러면, 본체 내부의 부위별로 분위기 가스가 균일하게 분포되므로, 본체 내부의 온도가 부위별로 균일하다. 따라서, 기판 처리 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. In the substrate processing apparatus according to the present invention, the atmosphere gas is uniformly supplied to the inside of the main body through the discharge hole of the gas supply pipe installed in the main body, and the atmospheric gas is supplied to the inside of the main body through the suction hole of the gas discharge pipe installed in the main body. It is discharged to the outside through the whole area. Then, since the atmosphere gas is uniformly distributed for each part inside the main body, the temperature inside the main body is uniform for each part. Therefore, the reliability of the substrate processing process is improved.

Description

기판 처리 장치 {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 분위기 가스를 균일하게 분포시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of uniformly distributing an atmospheric gas.

기판 처리 장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.The substrate processing apparatus is used for manufacturing a flat panel display, and is roughly divided into a vapor deposition apparatus and an annealing apparatus.

증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로써, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학 기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리 기상 증착 장치가 있다.The deposition apparatus is a device for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer which is a core constituent of a flat panel display, and is a chemical vapor deposition (LPCVD) or a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) Device and a physical vapor deposition apparatus such as sputtering.

그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.The annealing device is a device for improving the properties of the deposited film after depositing a film on the substrate, and is a heat treatment device for crystallizing or phase changing the deposited film.

열처리 장치는 하나의 기판을 열처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 열처리하는 배치식(Batch Type)으로 대별되고, 대량 생산에는 배치식 기판 처리 장치가 많이 사용된다.Heat treatment apparatuses are roughly classified into a single substrate type for heat treating one substrate and a batch type for heat treating a plurality of substrates, and a batch substrate processing apparatus is frequently used for mass production.

기판 처리 장치는 기판이 처리되는 공간인 챔버가 내부에 형성된 본체, 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 복수의 히터, 기판 처리에 필요한 분위기 조성을 위한 Ar, N2, H2 등과 같은 분위기 가스를 공급하는 가스공급관 및 분위기 가스를 외부로 배출하는 가스배출관 등을 포함한다.The substrate processing apparatus includes a main body having a chamber, which is a space in which a substrate is processed, a plurality of heaters installed inside the main body and generating heat required for processing the substrate, Ar, N 2 , And a gas supply pipe for supplying an atmosphere gas such as H 2 , and a gas discharge pipe for discharging the atmosphere gas to the outside.

종래의 기판 처리 장치는 본체의 상호 대향하는 일측면 및 타측면에 분위기 가스가 유입되는 유입관 및 분위기 가스가 배출되는 배출관을 각각 설치하고, 본체의 일측면으로 분위기 가스를 유입한 후 타측면으로 배출시킨다. 즉, 본체의 내부 일측면으로 유입된 분위기 가스는 본체의 내부 타측면으로 흘러가서 본체의 타측면을 통하여 본체의 외부로 배출된다.In the conventional substrate processing apparatus, an inlet pipe through which atmospheric gas is introduced and a discharge pipe through which atmospheric gas are discharged are respectively provided on one side and the other side of the main body which face each other, and the atmosphere gas is introduced into one side of the main body to the other side. Drain it. That is, the atmospheric gas introduced into one inner side of the main body flows to the other inner side of the main body and is discharged to the outside of the main body through the other side of the main body.

이로 인해, 종래의 기판 처리 장치는 본체 내부의 부위별로 분위기 가스의 분포가 불균일하므로, 본체 내부의 온도가 부위별로 상이하게 된다. 따라서, 복수의 기판은 각각 상호 상이하게 처리되고, 하나의 기판은 그 부위별로 상이하게 처리되므로, 기판 처리 공정의 신뢰성이 저하되는 단점이 있었다.For this reason, in the conventional substrate processing apparatus, since the distribution of atmospheric gas is uneven for each part inside the main body, the temperature inside the main body varies for each part. Therefore, since a plurality of substrates are processed differently from each other, and one substrate is processed differently for each part thereof, there is a disadvantage in that the reliability of the substrate processing process is lowered.

기판 처리 장치와 관련한 선행기술은 한국등록특허공보 제10-0833712호 등에 개시되어 있다.Prior art related to a substrate processing apparatus is disclosed in Korea Patent Publication No. 10-0833712.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 본체 내부의 부위별로 분위기 가스가 균일하게 분포되도록 하여, 본체 내부의 온도를 균일하게 함으로써, 기핀 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention is to uniformly distribute the atmosphere gas for each part of the interior of the body, by uniformizing the temperature inside the body, the process of the pin process It is to provide a substrate processing apparatus that can improve the reliability.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성되고 전면에는 상기 기판이 출입하는 출입구가 형성된 본체; 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 복수의 히터; 상기 본체의 내부에 설치되고 복수의 토출공이 각각 형성되며, 상기 본체의 내부로 기판 처리용 분위기 가스를 공급하는 복수의 가스공급관; 상기 본체의 내부에 설치되고 복수의 흡입공이 각각 형성되며, 상기 본체로 유입된 상기 분위기 가스를 흡입하여 배출하는 가스배출관을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a main body having a chamber formed therein and a front door having an entrance through which the substrate enters and exits; A plurality of heaters installed inside the main body and generating heat for processing the substrate; A plurality of gas supply pipes installed inside the main body and having a plurality of discharge holes formed therein, and supplying an atmosphere gas for processing the substrate into the main body; A plurality of suction holes are formed inside the main body, respectively, and include a gas discharge pipe that sucks and discharges the atmospheric gas introduced into the main body.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 본체의 내부에 설치된 가스공급관의 토출공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부로 균일하게 공급되고, 본체의 내부에 설치된 가스배출관의 흡입공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부 전체 부위를 통하여 외부로 배출된다. 그러면, 본체 내부의 부위별로 분위기 가스가 균일하게 분포되므로, 본체 내부의 온도가 부위별로 균일하다. 따라서, 기판 처리 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, the atmosphere gas is uniformly supplied to the inside of the main body through the discharge hole of the gas supply pipe installed in the main body, and the atmospheric gas is supplied to the inside of the main body through the suction hole of the gas discharge pipe installed in the main body. It is discharged to the outside through the whole area. Then, since the atmosphere gas is uniformly distributed for each part inside the main body, the temperature inside the main body is uniform for each part. Therefore, the reliability of the substrate processing process is improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 가스공급관과 가스배출관의 사시도.
도 3은 도 2의 저면 사시도.
도 4는 도 1의 우측면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 우측면도.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of the gas supply pipe and the gas discharge pipe shown in FIG.
3 is a bottom perspective view of FIG. 2;
4 is a right side view of FIG. 1;
5 is a right side view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분하게 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are mutually exclusive, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, specific structures, and features described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled. The length, area, thickness, and shape of the embodiments shown in the drawings may be exaggerated for convenience.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하, 기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판 상에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판 상에 증착된 막을 어닐링, 결정화 또는 상변화하기 위한 모든 열처리 공정을 포함한다. 그리고, 기판의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 또는 스테인레스 스틸 등과 같은 재질로 형성될 수 있다.Hereinafter, the treatment of the substrate includes processes for heating and cooling the substrate, all processes for depositing a predetermined film on the substrate, and all heat treatment processes for annealing, crystallizing, or phase changing the film deposited on the substrate. In addition, the material of the substrate is not particularly limited and may be formed of a material such as glass, plastic, polymer, silicon wafer or stainless steel.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 외관을 이루는 본체(110)를 포함한다. 본체(110)는 대략 직육면체 형상으로 형성되며, 내부에는 기판(50)이 처리되는 밀폐된 공간인 챔버가 형성된다. 본체(110)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a main body 110 forming an appearance. The main body 110 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and a chamber, which is an enclosed space in which the substrate 50 is processed, is formed therein. The main body 110 may be formed in various shapes according to the shape of the substrate 50 as well as the rectangular parallelepiped shape.

본체(110)의 전면에는 기판(50)이 출입하는 출입구(113)가 형성되고, 출입구(113)는 본체(110)의 전면에 설치된 도어(115)에 의하여 개폐된다. 도어(115)를 열어 상기 챔버를 외부와 연통시킨 상태에서 로봇의 아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 기판(50)을 상기 챔버에 로딩한다. 그리고, 도어(115)를 닫아 상기 챔버를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.An entrance 113 through which the substrate 50 enters and exits is formed on a front surface of the main body 110, and the entrance and exit 113 is opened and closed by a door 115 installed on the front surface of the main body 110. In the state in which the door 115 is opened and the chamber is in communication with the outside, the substrate 50 is loaded by the arm (not shown) of the robot and the like to load the substrate 50 into the chamber. The substrate 50 is processed while the door 115 is closed to close the chamber.

본체(110)의 상면에는 개방부(미도시)가 형성될 수 있으며, 상기 개방부는 커버(117)에 의하여 개폐된다. 본체(110)의 내부에는 기판(50)의 처리에 필요한 부품들이 설치되는데, 상기 부품들의 수리 또는 교체시, 커버(117)를 열어 상기 챔버를 외부와 연통시킨다.An open part (not shown) may be formed on an upper surface of the main body 110, and the open part is opened and closed by a cover 117. Parts necessary for the processing of the substrate 50 are installed inside the main body 110. When repairing or replacing the parts, the cover 117 is opened to communicate the chamber with the outside.

기판(50)의 처리에 필요한 상기 부품들에는 히터(120), 가스공급관(130) 및 가스배출관(140) 등이 있다.The components necessary for processing the substrate 50 include a heater 120, a gas supply pipe 130, a gas discharge pipe 140, and the like.

히터(120)는 기판(50)을 처리하기 위한 열을 발생한다. 히터(120)는 바 형상으로 형성되어 본체(110)의 내부에 설치되며, 본체(110)의 좌우방향 및 전후방향과 각각 평행을 이루면서 설치된다.The heater 120 generates heat for processing the substrate 50. The heater 120 is formed in a bar shape and installed inside the main body 110, and is installed while being parallel to the left and right directions and the front and rear directions of the main body 110, respectively.

본체(110)의 좌우방향과 평행을 이루는 히터(121)는 좌단부측 및 우단부측이 본체(110)의 좌측면 및 우측면에 각각 지지되어, 본체(110)의 전면측, 후면측, 상면측 및 하면측에 각각 설치된다. 본체(110)의 전후방향과 평행을 이루는 히터(123)는 전단부측 및 후단부측이 출입구(113) 외측의 본체(110)의 전면 및 본체(110)의 후면에 각각 지지되어 설치된다.The heater 121 which is parallel to the left and right direction of the main body 110, the left end side and the right end side is supported on the left side and the right side of the main body 110, respectively, the front side, the rear side, the upper surface side and It is installed in the lower surface side, respectively. The heater 123 parallel to the front-rear direction of the main body 110, the front end side and the rear end side is installed is supported on the front and rear of the main body 110 of the main body 110 outside the doorway 113, respectively.

기판(50)은 히터(121)에 직접 탑재 지지될 수 있고, 히터(121)에 형성된 지지핀(미도시)에 탑재 지지될 수 있으며, 본체(110)의 내부에 설치된 별도의 지지부재(미도시) 또는 지지바(미도시)에 탑재 지지될 수 있다.The substrate 50 may be mounted and supported directly on the heater 121, may be mounted and supported on a support pin (not shown) formed on the heater 121, and a separate support member (not shown) installed inside the main body 110. C) or a support bar (not shown).

가스공급관(130)은 Ar, N2, H2 등과 같은 분위기 가스를 본체(110)의 내부로 공급하고, 가스배출관(140)은 분위기 가스를 본체(110)의 외부로 배출한다. 분위기 가스는 기판(50)의 처리시 필요한 분위기를 조성함과 동시에 본체(110) 내부의 온도를 조절한다.The gas supply pipe 130 supplies an atmosphere gas such as Ar, N 2 , H 2, and the like into the body 110, and the gas discharge tube 140 discharges the atmosphere gas to the outside of the body 110. Atmospheric gas controls the temperature inside the body 110 while creating an atmosphere necessary for processing the substrate 50.

가스공급관(130) 및 가스배출관(140)에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 가스공급관과 가스배출관의 사시도이고, 도 3은 도 2의 저면 사시도이며, 도 4는 도 1의 우측면도이다.The gas supply pipe 130 and the gas discharge pipe 140 will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 2 is a perspective view of the gas supply pipe and the gas discharge pipe shown in Figure 1, Figure 3 is a bottom perspective view of Figure 2, Figure 4 is a right side view of FIG.

도시된 바와 같이, 가스공급관(130)은 좌단부측은 본체(110)의 좌측면 외측에 위치되고 우단부측은 본체(110)의 좌측면을 통과하여 우측면에 지지되어, 본체(110)의 내부에 설치된다. 가스공급관(130)은 본체(110)의 좌우방향과 평행을 이루는 히터(121)와 평행을 이루면서, 도 4와 같이, 히터(121)에 의하여 형성되는 공간의 내측에 설치된다. 그리고, 가스공급관(130)은 본체(110)의 상하방향으로 등간격을 가지면서 설치됨과 동시에 본체(110)의 전후방향으로 등간격을 가지면서 설치된다.As shown, the gas supply pipe 130 is located on the left side outside the left side of the main body 110 and the right end side passes through the left side of the main body 110 is supported on the right side, the inside of the main body 110 Is installed. The gas supply pipe 130 is installed inside the space formed by the heater 121 in parallel with the heater 121 that is parallel to the left and right directions of the main body 110. In addition, the gas supply pipe 130 is installed with equal intervals in the vertical direction of the main body 110 and at the same time in the front and rear directions of the main body 110.

각 가스공급관(130)에는 분위기 가스를 본체(110)의 내부로 토출하는 복수개의 토출공(131)이 형성되고, 토출공(131)은 하측을 향하는 것이 바람직하다. 또한, 본체(110)의 좌측면 외측으로 노출된 가스공급관(130)의 좌단부측은 각각 연통되어 하나의 관로(133)를 통하여 분위기 가스를 공급받는 것이 바람직하다. 가스공급관(130)의 관로(133)는 분위기 가스가 저장된 압축탱크(미도시) 등과 연통된다.Each of the gas supply pipes 130 is formed with a plurality of discharge holes 131 for discharging the atmosphere gas into the body 110, and the discharge holes 131 are directed downward. In addition, the left end of the gas supply pipe 130 exposed to the outside of the left side of the main body 110 is preferably communicated with each other to receive the atmospheric gas through a single pipe 133. The pipeline 133 of the gas supply pipe 130 communicates with a compression tank (not shown) in which the atmosphere gas is stored.

가스배출관(140)은 우단부측은 본체(110)의 우측면 외측에 위치되고 좌단부측은 본체(110)의 우측면을 통과하여 좌측면에 지지되어, 본체(110)의 내부에 설치된다. 가스배출관(140)은 본체(110)의 좌우방향과 평행을 이루는 히터(121)와 평행을 이루면서, 도 4와 같이, 히터(121)에 의하여 형성되는 공간의 내측에 설치된다. 그리고, 가스배출관(140)은 본체(110)의 상하방향으로 등간격을 가지면서 설치됨과 동시에 본체(110)의 전후방향으로 등간격을 가지면서 설치된다.The gas discharge pipe 140 is located at the right end side outside the right side of the main body 110 and the left end side passes through the right side of the main body 110 and is supported on the left side, and is installed inside the main body 110. The gas discharge pipe 140 is installed inside the space formed by the heater 121 in parallel with the heater 121 that is parallel to the left and right directions of the main body 110. In addition, the gas discharge pipe 140 is installed with equal intervals in the vertical direction of the main body 110 and at the same time with equal intervals in the front and rear directions of the main body 110.

각 가스배출관(140)에는 본체(110) 내부로 유입된 분위기 가스를 흡입하는 복수개의 흡입공(141)이 형성되고, 흡입공(141)은 상측을 향하는 것이 바람직하다. 또한, 본체(110)의 우측면 외측으로 노출된 가스배출관(140)의 우단부측은 각각 연통되어 하나의 관로(143)를 통하여 분위기 가스를 배출하는 것이 바람직하다. 가스배출관(140)의 관로(143)는 진공펌프(미도시) 측과 연통된다.Each gas discharge pipe 140 is formed with a plurality of suction holes 141 for sucking the atmosphere gas introduced into the main body 110, the suction hole 141 is preferably directed upward. In addition, the right end side of the gas discharge pipe 140 exposed to the outside of the right side of the main body 110 is communicated with each other, it is preferable to discharge the atmosphere gas through one pipe 143. The pipeline 143 of the gas discharge pipe 140 is in communication with the vacuum pump (not shown) side.

토출공(131)에서 토출되어 본체(110)로 유입된 분위기 가스를 용이하게 외부로 배출하기 위하여 흡입공(141)의 직경은 토출공(131)의 직경 보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. 흡입공(141)의 직경이 토출공(131)의 직경 보다 크므로, 가스배출관(140)의 직경이 가스공급관(130)의 직경 보다 큰 것이 바람직하다.In order to easily discharge the atmosphere gas discharged from the discharge hole 131 into the main body 110, the diameter of the suction hole 141 may be larger than the diameter of the discharge hole 131. Since the diameter of the suction hole 141 is larger than the diameter of the discharge hole 131, the diameter of the gas discharge pipe 140 is preferably larger than the diameter of the gas supply pipe 130.

그리고, 토출공(131)의 직경 및 흡입공(141)의 직경은 각각 균일할 수도 있고, 기판(50)의 처리 조건 등에 따라서 각각 불균일할 수도 있다.The diameters of the discharge holes 131 and the diameters of the suction holes 141 may be uniform, respectively, or may be nonuniform, respectively, depending on the processing conditions of the substrate 50, and the like.

필요에 따라 가스공급관(130) 사이 또는 가스배출관(140) 사이에는 히터(125)가 더 설치될 수 있다. 히터(125)는 히터(123)와 동일하게 설치되어 본체(110)의 좌우방향과 평행을 이룬다.If necessary, a heater 125 may be further installed between the gas supply pipes 130 or between the gas discharge pipes 140. The heater 125 is installed in the same manner as the heater 123 and forms parallel to the left and right directions of the main body 110.

본체(110)와 히터(120) 사이의 틈, 본체(110)와 가스공급관(130) 사이의 틈 및 본체(110)와 가스배출관(140) 사이의 틈은 실링됨은 당연하다.Naturally, the gap between the main body 110 and the heater 120, the gap between the main body 110 and the gas supply pipe 130, and the gap between the main body 110 and the gas discharge pipe 140 are sealed.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 본체(110)의 내부에 설치된 가스공급관(130)의 토출공(131)을 통하여 분위기 가스가 본체(110)의 내부에 균일하게 공급되고, 본체(110)의 내부에 설치된 가스배출관(140)의 흡입공(141)을 통하여 분위기 가스가 본체(110)의 내부 전체 부위를 통하여 외부로 배출된다. 그러면, 본체(110) 내부의 부위별로 분위기 가스가 균일하게 분포되므로, 본체(110) 내부의 온도가 균일하게 유지된다.In the substrate processing apparatus according to the present exemplary embodiment, the atmospheric gas is uniformly supplied into the main body 110 through the discharge hole 131 of the gas supply pipe 130 installed inside the main body 110, and Atmospheric gas is discharged to the outside through the entire inner portion of the body 110 through the suction hole 141 of the gas discharge pipe 140 installed therein. Then, since the atmosphere gas is uniformly distributed for each part of the main body 110, the temperature inside the main body 110 is maintained uniformly.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 우측면도로서, 도 4와의 차이점만을 설명한다.FIG. 5 is a right side view of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and describes only differences from FIG. 4.

도시된 바와 같이, 가스공급관(230)과 가스배출관(240)은 각각 본체(210)의 전후방향으로 부등간격을 가지면서 설치됨과 동시에 본체(210)의 상하방향으로 부등간격을 가지면서 설치될 수 있다.As shown, each of the gas supply pipe 230 and the gas discharge pipe 240 may be installed with an uneven interval in the front and rear directions of the main body 210 and at the same time with an uneven interval in the vertical direction of the main body 210. have.

상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.The drawings of the embodiments of the present invention described above are schematically illustrated so as to easily understand the parts belonging to the technical idea of the present invention by omitting detailed outline lines. It should be noted that the above-described embodiments are not intended to limit the technical spirit of the present invention and are merely a reference for understanding the technical scope of the present invention.

110: 본체
120: 히터
130: 가스공급관
140: 가스배출관110:
120: heater
130: gas supply pipe
140: gas discharge pipe

Claims (13)

내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성되고 전면에는 상기 기판이 출입하는 출입구가 형성된 본체; 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 복수의 히터; 상기 본체의 일측에 설치되고 복수의 토출공이 각각 형성되며, 상기 본체의 내부로 기판 처리용 분위기 가스를 공급하는 복수의 가스공급관; 상기 본체의 타측에 설치되고 복수의 흡입공이 각각 형성되며, 상기 본체로 유입된 상기 분위기 가스를 흡입하여 배출하는 가스배출관을 포함하는 기판 처리 장치로서,
상기 가스공급관은 좌측 부위는 상기 본체의 좌측면 외측에 위치되어 지지되고 상기 토출공이 형성된 우측 부위는 상기 본체의 좌측면을 통과하여 상기 본체의 우측면에 지지되며,
상기 가스배출관은 우측 부위는 상기 본체의 우측면 외측에 위치되어 지지되고 상기 흡입공이 형성된 좌측 부위는 상기 본체의 우측면을 통과하여 상기 본체의 좌측면에 지지된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A main body in which a chamber is formed, the space in which a substrate is processed, and an entrance through which the substrate enters and exits; A plurality of heaters installed inside the main body and generating heat for processing the substrate; A plurality of gas supply pipes installed at one side of the main body, each of which has a plurality of discharge holes formed therein, and supplies an atmosphere gas for processing the substrate into the main body; A substrate processing apparatus is provided on the other side of the main body, a plurality of suction holes are formed, each comprising a gas discharge pipe for sucking and discharging the atmosphere gas introduced into the main body,
The gas supply pipe is supported on the right side of the main body by passing through the left side of the main body while the left side is supported and positioned outside the left side of the main body, the discharge hole is formed,
The gas discharge pipe is a substrate processing apparatus, characterized in that the right side is located outside the right side of the main body and supported, and the left side where the suction hole is formed is supported on the left side of the main body through the right side of the main body. 제1항에 있어서,
상기 히터는 상기 본체의 좌우방향 및 전후방향으로 각각 평행을 이루면서 설치되고,
상기 본체의 좌우방향과 평행을 이루는 상기 히터는 좌단부측 및 우단부측이 상기 본체의 좌측면 및 우측면에 각각 지지되어 상기 본체의 전면측, 후면측, 상면측 및 하면측에 각각 설치되고,
상기 본체의 전후방향과 평행을 이루는 상기 히터는 전단부측 및 후단부측이 상기 출입구 외측의 상기 본체의 전면 및 상기 본체의 후면에 각각 지지되어 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The heater is installed in parallel in the left and right direction and the front and rear direction of the main body,
The heater parallel to the left and right direction of the main body is the left end side and the right end side are respectively supported on the left side and the right side of the main body is installed on the front side, the rear side, the upper side and the lower side of the main body, respectively,
The heater which is parallel to the front-rear direction of the main body is a substrate processing apparatus, characterized in that the front end side and the rear end side is supported on the front of the main body and the rear of the main body of the outside of the doorway, respectively. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 가스공급관 및 상기 가스배출관은 상기 본체의 좌우방향과 평행을 이루는 상기 히터에 의하여 형성되는 공간의 내측에 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And the gas supply pipe and the gas discharge pipe are installed inside a space formed by the heater parallel to the left and right directions of the main body. 제4항에 있어서,
상기 가스공급관과 상기 가스배출관은 각각 상기 본체의 전후방향으로 등간격을 가지면서 설치됨과 동시에 상기 본체의 상하방향으로 등간격을 가지면서 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
And each of the gas supply pipe and the gas discharge pipe are installed with equal intervals in the front and rear directions of the main body and at equal intervals in the vertical direction of the main body. 제4항에 있어서,
상기 가스공급관과 상기 가스배출관은 각각 상기 본체의 전후방향으로 부등간격을 가지면서 설치됨과 동시에 상기 본체의 상하방향으로 부등간격을 가지면서 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
And the gas supply pipe and the gas discharge pipe are respectively installed with an uneven interval in the front and rear directions of the main body, and have an uneven interval in the vertical direction of the main body. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 가스공급관 사이 또는 상기 가스배출관 사이에는 좌단부측 및 우단부측이 상기 본체의 좌측면 및 우측면에 지지되어 상기 본체의 좌우방향과 평행을 이루는 상기 히터가 더 설치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 5 or 6,
And between the gas supply pipes or between the gas discharge pipes, a left end side and a right end side supported on the left side and the right side of the main body, the heater being parallel to the left and right directions of the main body. 제7항에 있어서,
상기 본체의 좌측면 외측으로 노출된 상기 가스공급관의 좌단부측은 각각 연통되어 하나의 관로를 통하여 분위기 가스를 공급받고,
상기 본체의 우측면 외측으로 노출된 상기 가스배출관의 우단부측은 각각 연통되어 하나의 관로를 통하여 분위기 가스를 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 7, wherein
The left end side of the gas supply pipe exposed to the outside of the left side of the main body is in communication with each other to receive the atmospheric gas through a single pipe,
The right end side of the gas discharge pipe exposed to the outside of the right side of the main body is in communication with each other characterized in that the discharge of the atmosphere gas through a single pipe. 제1항에 있어서,
상기 흡입공의 직경은 상기 토출공의 직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The diameter of the suction hole is larger than the diameter of the discharge hole substrate processing apparatus. 제9항에 있어서,
상기 토출공의 직경 및 상기 흡입공의 직경은 각각 균일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the diameter of the discharge hole and the diameter of the suction hole are respectively uniform. 제9항에 있어서,
상기 토출공의 직경 및 상기 흡입공의 직경은 각각 불균일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
And the diameter of the discharge hole and the diameter of the suction hole are non-uniform, respectively. 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 토출공은 하측을 향하고 상기 흡입공은 상측을 향하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 10 or 11,
And the discharge hole faces downward and the suction hole faces upward. 제12항에 있어서,
상기 가스배출관의 직경은 상기 가스공급관의 직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 12,
The diameter of the gas discharge pipe is substrate processing apparatus, characterized in that larger than the diameter of the gas supply pipe.
KR1020110106297A 2011-10-18 2011-10-18 Apparatus for processing substrate KR101284084B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110106297A KR101284084B1 (en) 2011-10-18 2011-10-18 Apparatus for processing substrate
CN201280051208.5A CN103890642A (en) 2011-10-18 2012-04-30 Substrate processing apparatus
PCT/KR2012/003339 WO2013058454A1 (en) 2011-10-18 2012-04-30 Substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110106297A KR101284084B1 (en) 2011-10-18 2011-10-18 Apparatus for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130042157A KR20130042157A (en) 2013-04-26
KR101284084B1 true KR101284084B1 (en) 2013-07-10

Family

ID=48141077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110106297A KR101284084B1 (en) 2011-10-18 2011-10-18 Apparatus for processing substrate

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101284084B1 (en)
CN (1) CN103890642A (en)
WO (1) WO2013058454A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016080729A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-26 주식회사 테라세미콘 Substrate processing apparatus
KR20200074854A (en) * 2018-12-17 2020-06-25 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing wafer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326447B (en) * 2018-12-17 2023-08-04 圆益Ips股份有限公司 Substrate processing apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100008722A (en) * 2008-07-16 2010-01-26 주식회사 테라세미콘 Batch type heat treatment apparatus
KR20110066864A (en) * 2009-12-11 2011-06-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium storing program for executing the substrate processing method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101120029B1 (en) * 2009-05-29 2012-03-23 주식회사 테라세미콘 Batch Type Substrate Treatment Apparatus
KR20110103630A (en) * 2010-03-15 2011-09-21 주식회사 티지솔라 Batch type apparatus for forming epitaxial layer and method for the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100008722A (en) * 2008-07-16 2010-01-26 주식회사 테라세미콘 Batch type heat treatment apparatus
KR20110066864A (en) * 2009-12-11 2011-06-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium storing program for executing the substrate processing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016080729A1 (en) * 2014-11-18 2016-05-26 주식회사 테라세미콘 Substrate processing apparatus
KR20200074854A (en) * 2018-12-17 2020-06-25 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing wafer
KR102630347B1 (en) 2018-12-17 2024-01-30 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing wafer

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013058454A1 (en) 2013-04-25
KR20130042157A (en) 2013-04-26
CN103890642A (en) 2014-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102082072B (en) Gas injection device and processing chamber equipped with the gas injection device
TWI517279B (en) Apparatus for processing substrate
TW201610221A (en) Gas separation control in spatial atomic layer deposition
TW201419382A (en) Apparatus and method for deposition over large area substrates
KR101284084B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101173081B1 (en) Horizontal batch type ald
KR101006583B1 (en) Horizontal batch type ald
JP2013232645A (en) Substrate processing apparatus
KR101275496B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR20120082369A (en) Substrate processing apparatus
JP4645448B2 (en) Vacuum film forming apparatus, vacuum film forming method, and solar cell material
KR101573689B1 (en) The apparatus for depositing the atomic layer
KR102313969B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR102171175B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR102022860B1 (en) Showerhead assembly and Chemical vapor deposition apparatus including the same
KR102019303B1 (en) Chemical vapor deposition system
KR20160110586A (en) Gas supply control method for substrate processing apparatus
KR102287656B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR20150139052A (en) Substrate Processing Apparatus
KR101243314B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101356208B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101297686B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR101039153B1 (en) A Gas Injector in Large Area Substrate Processing System
KR20180018172A (en) Thin film deposition device
KR101334191B1 (en) Apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160705

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180704

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190128

Year of fee payment: 7