JP2008181988A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
FLR構造を有する半導体装置において、特性変動のばらつきの小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板7に形成されたNベース領域9と、半導体基板7の第1主面側において、半導体基板7に形成されたPウェル領域P(0)と、半導体基板7の第1主面側において、Pウェル領域を囲むように形成された複数のPリング領域P(1)〜P(n)と、半導体基板7の第1主面側において、Pリング領域を囲むように形成されたNストッパ領域SRと、半導体基板の第1主面の上において、隣り合うPリング領域の間に設けられた(酸化膜2と、酸化膜2の上に配置されたポリシリコン3と、Pリング領域及びポリシリコン3に電気的接続されるように配置されたアルミニウム4と、半導体基板7の第1主面とは反対側の第2主面に設けられた電極11、とを備える。
【選択図】図1
Description
(ポリシリコン)と、前記第2導電型リング領域及び前記第1導電材料に電気的接続されるように配置された第2導電材料(アルミニウム)と、前記半導体基板の前記第1主面とは反対側の第2主面に設けられた電極、とを有することを特徴とする。
(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) を構成する。半導体装置1のゲート電極5は、酸化膜6を介して半導体基板7の第1主面上に形成されている。本図では、半導体装置1のチップ端のみを示しているため具体的には明示されていないが、実際には、ゲート電極5は、本図で示す構造の左側に複数個並んで配置されている。
2 酸化膜
3 ポリシリコン
4 アルミニウム
5 ゲート電極
6 ゲート酸化膜
7 半導体基板
8 Nソース領域
9 Nベース領域
11 電極
Claims (8)
- 半導体基板に形成された第1導電型ベース領域と、
前記半導体基板の第1主面側において、前記半導体基板に形成された第2導電型ウェル領域と、
前記半導体基板の前記第1主面側において、前記第2導電型ウェル領域を囲むように形成された複数の第2導電型リング領域と、
前記半導体基板の前記第1主面側において、前記第2導電型リング領域を囲むように形成された第1導電型ストッパ領域と、
前記半導体基板の前記第1主面の上において、隣り合う前記第2導電型リング領域の間に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置された第1導電材料と、
前記第2導電型リング領域及び前記第1導電材料に電気的接続されるように配置された第2導電材料と、
前記半導体基板の前記第1主面とは反対側の第2主面に設けられた電極、とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2導電材料は、前記第1導電材料より導電率が高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置において、
前記第1導電材料は、前記第2導電材料より加工精度が良いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記第1導電材料はポリシリコンであり、前記第2導電材料はアルミニウムであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1導電材料及び前記第2導電材料により2段構造リング電極が構成され、
隣り合う前記2段構造リング電極間の寸法は、前記第1導電材料の位置により決定されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
複数の前記第2導電型リング領域に接続される電極は、全て、前記2段構造を有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
複数の前記第2導電型リング領域に接続される電極のうち、その一部のみが、前記2段構造を有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置において、
前記第1導電型ストッパ領域により近い側の前記第2導電型リング領域に接続される電極は、前記2段構造を有していることを特徴とする半導体装置。
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