JP2008181124A - マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム - Google Patents
マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008181124A JP2008181124A JP2008003611A JP2008003611A JP2008181124A JP 2008181124 A JP2008181124 A JP 2008181124A JP 2008003611 A JP2008003611 A JP 2008003611A JP 2008003611 A JP2008003611 A JP 2008003611A JP 2008181124 A JP2008181124 A JP 2008181124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- evaluated
- moments
- difference
- nominal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/60—Analysis of geometric attributes
- G06T7/66—Analysis of geometric attributes of image moments or centre of gravity
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
【解決手段】 本方法は、評価すべきパターンの画像を表す複数のモーメントを受け取ることを含み、上記複数のモーメントを表すのに必要とされる情報のサイズは、上記評価すべきパターンの画像を形成するピクセル情報のサイズより実質的に小さいものであり、更に、上記評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため上記複数のモーメントを処理することを含む。
【選択図】 図1
Description
[0001]本願は、2007年1月10日に出願された米国特許出願第60/884,308号の非仮出願であって、それに基づく優先権を主張しており、それを援用しているものである。
[0002]本発明は、一般的に、マスク(レチクルとも称される)の自動光学的検査の分野に関する。
[0003]マイクロエレクトロニックデバイスの性能は、常に、微小寸法又は短寸法と称される、それらの微小特徴部の諸寸法の変動によって制約される。マイクロエレクトロニックデバイスは、写真平版プロセスにおいてマスク(又はレチクル)を使用して製造されることが多い。写真平版プロセスは、半導体デバイスの製造における主たる処理のうちの1つであり、製造すべき半導体デバイスの回路設計に従ったウエハの表面のパターン形成からなるものである。このような回路設計は、先ず、マスクにパターン形成される。従って、動作する半導体デバイスを得るためには、そのマスクは、欠陥のないものでなければならない。その上、そのマスクは、ウエハ上に多くのダイを作り出すため繰り返し使用されることが多いものである。従って、そのマスクの欠陥はウエハ上に何回も繰り返し現れてしまい、多くのデバイスが欠陥のあるものとなってしまうことがある。生産に適したプロセスを確立するには、写真平版プロセスの全体を厳密に制御することが必要である。このプロセス内においては、短寸法制御は、デバイス性能及び歩留りに関する決定要因である。
Claims (33)
- マスクの評価すべきパターンを評価するための方法において、
上記評価すべきパターンの画像を表す複数のモーメントを受け取り又は算出するステップであって、上記複数のモーメントを表すのに必要な情報のサイズは、上記評価すべきパターンの画像を形成するピクセル情報のサイズより実質的に小さくされたステップと、
上記評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため上記複数のモーメントを処理するステップと、
を備えた方法。 - 上記処理するステップは、上記評価すべきパターンの複数のモーメントと、公称パターンの画像を表す複数の公称モーメントとの間のモーメント差を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 上記決定するステップは、上記評価すべきパターンの画像を取得する光学系のモデルを使用する、請求項2に記載の方法。
- 上記処理するステップは、対応するモーメント差に応答して上記評価すべきパターンと上記公称パターンとの間のパターン差を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- モーメント差をパターン差へとマッピングするマッピング関数に応答して上記パターン差を決定するステップを備えた、請求項4に記載の方法。
- 上記マッピング関数は、線形関数である、請求項5に記載の方法。
- モーメント差をパターン差へとマッピングするマッピング関数を決定するステップを備えた、請求項1に記載の方法。
- 複数の変更パターンを与えるため上記公称パターンの複数の変更をシミュレートし、
各々のグループが上記複数の変更パターンからの1つの変更パターンの画像を表すような複数のモーメントのグループを算出し、
各々の関係が上記公称パターンと変更パターンとの間の差を、上記複数の公称モーメントと上記変更パターンの画像を表すモーメントのグループとの間の差にリンクさせるような複数の関係を決定し、
上記複数の関係から少なくとも1つの関係に応答して上記マッピング関数を決定する、
ことを含む請求項7に記載の方法。 - 上記処理するステップは、各々のベクトルが公称輪郭により画成される角度を2分するような複数のベクトルを含む上記評価すべきパターンの輪郭の表示を与えることを含む、請求項1に記載の方法。
- あるオブジェクトの複数の評価すべきパターンからの各評価すべきパターンの形状パラメータ間の差を算出するステップを備えた、請求項1に記載の方法。
- 評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため、異なる評価すべきパターンの複数のモーメント間の比較をするステップを備えた、請求項1に記載の方法。
- マスクの評価すべきパターンを評価するためのシステムにおいて、
上記評価すべきパターンの画像を表す複数のモーメントを記憶するように適応されたメモリユニットであって、上記複数のモーメントを表すのに必要とされる情報のサイズは、上記評価すべきパターンの画像を形成するピクセル情報のサイズより実質的に小さいようなメモリユニットと、
上記評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため上記複数のモーメントを処理するように適応されたプロセッサと、
を備えたシステム。 - 上記プロセッサは、上記評価すべきパターンの複数のモーメントと、公称パターンの画像を表す複数の公称モーメントとの間のモーメント差を決定するように適応される、請求項12に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、上記評価すべきパターンの画像を取得する光学系のモデルを使用することにより、上記モーメント差を決定するように適応される、請求項13に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、上記モーメント差に応答して上記評価すべきパターンと上記公称パターンとの間のパターン差を決定するように適応される、請求項12に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、モーメント差をパターン差へとマッピングするマッピング関数に応答して上記パターン差を決定するように適応される、請求項15に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、線形マッピング関数を適用するように適応される、請求項16に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、画像差をパターン差へとマッピングするマッピング関数を決定するように適応される、請求項12に記載のシステム。
- 上記システムは、複数の変更パターンを与えるため上記公称パターンの複数の変更をシミュレートし、各々のグループが上記複数の変更パターンからの1つの変更パターンの画像を表すような複数のモーメントのグループを算出し、各々の関係が上記公称パターンと変更パターンとの間の差を、上記複数の公称モーメントと上記変更パターンの画像を表すモーメントのグループとの間の差にリンクさせるような複数の関係を決定し、上記複数の関係からの少なくとも1つの関係に応答して上記マッピング関数を決定するように適応される、請求項18に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、各々のベクトルが公称輪郭によって画成される角度を2分するような複数のベクトルを備える上記評価すべきパターンの輪郭の表示を与えるように適応される、請求項12に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、あるオブジェクトの複数の評価すべきパターンからの各評価すべきパターンの形状パラメータの間の差を算出するように適応される、請求項12に記載のシステム。
- 上記プロセッサは、評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため異なる評価すべきパターンの複数のモーメントの間の比較をするように適応される、請求項12に記載のシステム。
- コンピュータ読み取り可能なプログラムを有するコンピュータ使用可能な媒体を含むコンピュータプログラム製品において、上記コンピュータ読み取り可能なプログラムは、コンピュータにて実行されるとき、上記コンピュータに、評価すべきパターンの画像を表す複数のモーメントを受け取り又は算出するようにさせ、上記複数のモーメントを表すのに必要とされる情報のサイズは、上記評価すべきパターンの画像を形成するピクセル情報のサイズより実質的に小さいものであり、更に、上記コンピュータに、上記評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため上記複数のモーメントを処理するようにさせるものであるコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、上記評価すべきパターンの複数のモーメントと、公称パターンの画像を表す複数の公称モーメントとの間のモーメント差を決定するようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、上記モーメント差に応答して、上記評価すべきパターンと上記公称パターンとの間のパターン差を決定するようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、モーメント差をパターン差へとマッピングするマッピング関数に応答して上記パターン差を決定するようにさせる、請求項25に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記マッピング関数は、線形関数である、請求項26に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、上記評価すべきパターンを取得する光学系のモデルを使用して上記モーメント差を決定するようにさせる、請求項24に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、画像差をパターン差へとマッピングするマッピング関数を決定するようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、複数の変更パターンを与えるため上記公称パターンの複数の変更をシミュレートし、各々のグループが上記複数の変更パターンからの1つの変更パターンの画像を表すような複数のモーメントのグループを算出し、各々の関係が上記公称パターンと変更パターンとの間の差を、上記複数の公称モーメントと上記変更パターンの画像を表すモーメントのグループとの間の差にリンクさせるような複数の関係を決定し、上記複数の関係からの少なくとも2つの関係に応答して上記マッピング関数を決定するようにさせる、請求項29に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、各々のベクトルが公称輪郭によって画成される角度を2分するような複数のベクトルを備える上記評価すべきパターンの輪郭の表示を与えるようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、あるオブジェクトの複数の評価すべきパターンからの各評価すべきパターンの形状パラメータ間の差を算出するようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
- 上記コンピュータに、評価すべきパターンの少なくとも1つの形状パラメータを決定するため異なる評価すべきパターンの複数のモーメント間の比較をするようにさせる、請求項23に記載のコンピュータプログラム製品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US88430807P | 2007-01-10 | 2007-01-10 | |
US60/884,308 | 2007-01-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008181124A true JP2008181124A (ja) | 2008-08-07 |
JP2008181124A5 JP2008181124A5 (ja) | 2012-11-01 |
JP5140437B2 JP5140437B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=39594343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008003611A Expired - Fee Related JP5140437B2 (ja) | 2007-01-10 | 2008-01-10 | マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8098926B2 (ja) |
JP (1) | JP5140437B2 (ja) |
KR (1) | KR101267873B1 (ja) |
CN (1) | CN101436216B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014112236A (ja) * | 2011-07-08 | 2014-06-19 | Asml Netherlands Bv | 波面収差に対する応答を調整したパターン設計の方法及びシステム |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9341580B2 (en) * | 2014-06-27 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Linear inspection system |
WO2018077787A1 (en) | 2016-10-24 | 2018-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing a patterning device pattern |
US11321835B2 (en) * | 2020-03-17 | 2022-05-03 | Applied Materials Israel Ltd. | Determining three dimensional information |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5996642A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 二次電子増倍器の製造方法 |
JPS6033679A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Nec Corp | モ−メント算出回路 |
JPH02137072A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Hitachi Ltd | 画像処理装置 |
JPH095255A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置並びに薄膜磁気ヘッド用の素子の製造方法 |
JPH09147109A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Ricoh Co Ltd | 特定マーク検出方法及び特定マーク検出装置 |
JPH1049684A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 高速モーメント計算装置 |
JP2001264955A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-09-28 | Applied Materials Inc | グレーレベルシグネチャを使用する欠陥検出 |
JP2004013095A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Fujitsu Ltd | パターン画像比較方法、パターン画像比較装置及びプログラム |
JP2004212277A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Orbotech Ltd | パターンを検査するための方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3675629B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2005-07-27 | 株式会社リコー | パターン認識方法、装置および記録媒体 |
US6081658A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Avant! Corporation | Proximity correction system for wafer lithography |
-
2008
- 2008-01-08 US US11/971,209 patent/US8098926B2/en active Active
- 2008-01-10 JP JP2008003611A patent/JP5140437B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-10 KR KR1020080003080A patent/KR101267873B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-10 CN CN200810001014XA patent/CN101436216B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5996642A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 二次電子増倍器の製造方法 |
JPS6033679A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-21 | Nec Corp | モ−メント算出回路 |
JPH02137072A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Hitachi Ltd | 画像処理装置 |
JPH095255A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置並びに薄膜磁気ヘッド用の素子の製造方法 |
JPH09147109A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Ricoh Co Ltd | 特定マーク検出方法及び特定マーク検出装置 |
JPH1049684A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Nec Corp | 高速モーメント計算装置 |
JP2001264955A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-09-28 | Applied Materials Inc | グレーレベルシグネチャを使用する欠陥検出 |
JP2004013095A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Fujitsu Ltd | パターン画像比較方法、パターン画像比較装置及びプログラム |
JP2004212277A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Orbotech Ltd | パターンを検査するための方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014112236A (ja) * | 2011-07-08 | 2014-06-19 | Asml Netherlands Bv | 波面収差に対する応答を調整したパターン設計の方法及びシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080166038A1 (en) | 2008-07-10 |
KR101267873B1 (ko) | 2013-05-27 |
CN101436216B (zh) | 2013-03-06 |
US8098926B2 (en) | 2012-01-17 |
CN101436216A (zh) | 2009-05-20 |
JP5140437B2 (ja) | 2013-02-06 |
KR20080065942A (ko) | 2008-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108490735B (zh) | 全芯片掩模图案生成的方法、装置及计算机可读介质 | |
US7571417B2 (en) | Method and system for correcting a mask pattern design | |
US8473271B2 (en) | Fast photolithography process simulation to predict remaining resist thickness | |
US7975244B2 (en) | Methodology and system for determining numerical errors in pixel-based imaging simulation in designing lithographic masks | |
WO2005109257A2 (en) | Method and apparatus for designing integrated circuit layouts | |
US8681326B2 (en) | Method and apparatus for monitoring mask process impact on lithography performance | |
JP2022552191A (ja) | 計測のための信号-領域適応 | |
US9348964B2 (en) | MASK3D model accuracy enhancement for small feature coupling effect | |
US7844939B2 (en) | Mask pattern correction program and system | |
JP5140437B2 (ja) | マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム | |
EP2113109B1 (en) | Simulation site placement for lithographic process models | |
US10691015B2 (en) | Integrated mask-aware lithography modeling to support off-axis illumination and multi-tone masks | |
KR20210036391A (ko) | 학습 장치, 추론 장치, 학습 모델 생성 방법 및 추론 방법 | |
WO2018080533A1 (en) | Real-time generation of synthetic data from structured light sensors for 3d object pose estimation | |
US10571799B1 (en) | Hessian-free calculation of product of Hessian matrix and vector for lithography optimization | |
JP5833437B2 (ja) | シミュレーション装置およびシミュレーションプログラム | |
CN116449657A (zh) | 用于版图标记的方法、设备和介质 | |
JP2017167671A (ja) | 情報処理装置、情報処理方法およびプログラム | |
US8751980B2 (en) | Automatic wafer data sample planning and review | |
US11747721B2 (en) | Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask | |
JP2005134747A (ja) | マスク評価方法、マスク評価システム、マスク製造方法およびプログラム | |
JP4104840B2 (ja) | マスクパターン評価システム及びその方法 | |
US10564554B2 (en) | System and method for analyzing printed masks for lithography based on representative contours | |
WO2021085522A1 (ja) | 処理条件推定装置、方法及びプログラム | |
JP2011197304A (ja) | マスクデータ作成方法、リソグラフィ用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびフレア補正プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120918 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120918 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121018 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5140437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |