JP2008172248A - 半導体ウェハをコーティングするためのポンプ汲み上げ及び分配システム - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハをコーティングするための改善されたポンプ汲み上げ及び分配システムを提供する。
【解決手段】マイクロ・バブルのようなバブルが少ない及び/又は溶解ガスが少ないレジスト溶液、反射防止コーティング(ARC)溶液、又は別の溶液を効率的にポンプ汲み上げしそして分配することが可能なポンプ汲み上げ/分配システムが開示される。本システムは、システムの外に溶液を分配する前に溶液からバブルを分離するポンプを有する。溶液がポンプを通過する前にフィルタを通過する循環ループが提供される。フィルタを横切る圧力低下は、フィルタの後部のところでバブルを生成させるために十分であり、そしてこれらのバブルは、分配される前にポンプにより分離されそして取り除かれる。したがって、バブルは、溶液を分配するときに流出口の圧力低下で形成されることが殆どない又はさらに形成されることがない。
【選択図】図3
【解決手段】マイクロ・バブルのようなバブルが少ない及び/又は溶解ガスが少ないレジスト溶液、反射防止コーティング(ARC)溶液、又は別の溶液を効率的にポンプ汲み上げしそして分配することが可能なポンプ汲み上げ/分配システムが開示される。本システムは、システムの外に溶液を分配する前に溶液からバブルを分離するポンプを有する。溶液がポンプを通過する前にフィルタを通過する循環ループが提供される。フィルタを横切る圧力低下は、フィルタの後部のところでバブルを生成させるために十分であり、そしてこれらのバブルは、分配される前にポンプにより分離されそして取り除かれる。したがって、バブルは、溶液を分配するときに流出口の圧力低下で形成されることが殆どない又はさらに形成されることがない。
【選択図】図3
Description
半導体デバイスの製造は、半導体ウェハを作り出すこと、そしてウェハ上に様々な処理技術を実行することを含む。1つのそのような技術は、投影される像を用いてウェハを露光することによってリソグラフィを実行することを含み、その投影像はウェハ上に埋め込まれる回路の設計に依存する。像を投影する前に、レジスト・コーティング及び反射防止コーティング(ARC)が、そのウェハの表面に行われる。投影された像がウェハ上へと適正に露光されることを確実にするために、レジスト・コーティング及び反射防止コーティングは、平滑であり、そしてバブル又は他の汚染が相対的に無いことが重要である。
適正な量のレジスト及びARCをウェハ上へと分配する分配システムが、既に考案されてきている。そのような分配システムの2つの従来型:一段システム、及び二段システム、がある。これらのシステムのそれぞれは、汚染を低減するように設計されており、その汚染はそうでなければ分配される化学薬品中に存在する。しかしながら、これらのシステムのそれぞれは、付随する問題を有する。
図1は、従来の一段分配システム100の機能ブロック図である。システム100は、貯蔵器101を含み、それはレジスト溶液又は反射防止コーティング(ARC:anti-reflective coating)溶液を保持する。ポンプ104は、パイプ105を通して溶液102を取り出し、そしてパイプ106を通して溶液102を放出する。溶液102は、次にフィルタ103を通り抜け、そのフィルタは溶液102から固体汚染物(図1に黒丸で示される)を取り除く。フィルタした後で、まだポンプ104からの圧力の下で、溶液102は、流出口108へとパイプ107を通り抜ける。溶液102は、次に半導体ウェハ105’に接触し、全体に広がり、そのウェハ105’はその表面全体にわたり溶液102をさらに広げるためにスピンするプラットフォーム130上に置かれる。
このタイプの一段システム100にともなう様々な問題がある。例えば、時間の経過とともに、フィルタ103は詰まるようになり、それによって溶液102の最大流量が低下し、そして所定のウェハに分配されることができる溶液102の量に悪影響を及ぼす。これは、分配レートの変動に対する許容範囲が小さいために望ましくない。したがって、フィルタ103は、適正な分配レートを維持するために定常的に清掃される又は置き換えられる必要がある。それに加えて、システム100は、望ましくない量のマイクロ・バブル109(図1に白丸で示される)が分配される溶液102中に形成されことを引き起こし、それは引き続くリソグラフィ工程を危険にさらすことがある。マイクロ・バブル109は、例えば、加圧された溶液102が閉じられた加圧パイプ107から出て、そして雰囲気の部屋の圧力に急速に減圧される流出口108のところのように、溶液圧力に急激な低下があるときに溶液102中に溶解していたガスから形成される。
図2は、従来の二段分配システム200の機能ブロック図である。システム200は、貯蔵器201を含み、それはレジスト溶液又はARC溶液202を保持する。第1ポンプ204(再循環ポンプとも呼ばれる)は、パイプ206を通して溶液202を取り出し、そしてパイプ207を通して溶液202を放出する。溶液202は、次にフィルタ203を通り抜け、そのフィルタは溶液202から固体汚染物を取り除く。フィルタした後で、まだポンプ204からの圧力の下で、溶液202は、循環ループ210を経由してポンプ204の中へと通過して戻るか、第2ポンプ205(分配ポンプとも呼ばれる)へとパイプ208を通過する。溶液202は、次にパイプ209中へとポンプ205によって汲み上げられ、そして流出口208’の外へと吐出される。溶液202は、次に半導体ウェハ205’に接触し、全体に広がり、そのウェハ205’はその表面全体にわたり溶液202をさらに広げるためにスピンするプラットフォーム230上に置かれる。
別の循環ポンプ204を使用することによって、分配システム200は、システム100と比較して分配量変動問題を軽減する。しかしながら、システム200は、望ましくない量のマイクロ・バブル209’が流出口208’において形成されることを同様に生じさせる。それに加えて、システム200のような二段システムは、製造するためにそして動作させために比較的費用がかさむ。そのようなシステムは、1個のポンプの代わりに2個のポンプを使用し、そのため製造するためのそして維持するための部品数を増加させ、そしてシステムを運転させるために使用されるエネルギーの量を増加させる。
マイクロ・バブル及び/又は溶解ガスが少ないレジスト材料及び/又は反射防止コーティング(ARC)材料を効率的にポンプ汲み上げしそして分配することが可能な改善されたポンプ汲み上げ/分配システムに対する必要性がある。
本発明の1態様にしたがえば、システムの外に溶液を分配する前に溶液からマイク・バブルのようなバブルを分離するポンプを有するシステムが、開示される。そのようなシステムは、循環ループを有することができ、そこでは溶液は、ポンプを通過する前にフィルタを通過する。フィルタを横切る圧力低下は、フィルタの後部のところでバブルを生成させるために十分である。これらのバブルは、その後、バブルの自然の浮力を利用することによってそのポンプにより分離されそして取り除かれることができる。溶液が分配流出口を通りシステムの外に出るときまでに、溶解しているガスの全てでなくとも大部分は、そのように溶液から取り除かれる。したがって、バブルは、その溶液を分配するときに流出口の圧力低下で形成されることが殆どない又はさらに形成されることがない。
本開示のこれらの態様及びその他の態様は、例示の実施形態の下記の詳細な説明を考慮すると明らかになるであろう。
本発明のより完全な理解とその利点は、添付した図面を考慮して下記の記述を参照することによって把握されることができる。図面では、類似の参照番号は、類似の特徴を示す。
図3は、例示のポンプ汲み上げ/分配システム300の機能ブロック図であり、それは溶液を分配する前に溶液からバブルを効率的に除去する又はより完全に除去する。図3は、本明細書中に記載される様々な実施形態のそしてその代案の単なる例示である。
システム300は、貯蔵器301を含む又はそれにつなげられ、その貯蔵器はレジスト又はARCのような溶液302を収容する。溶液302が1つの場所から別の場所へ流れることを可能にする様々な導管が、この例にしたがって配置される。溶液の流れの方向は、異なる導管に対してそれらの導管に隣接する実線の矢印で図3に示されている。図3にしたがって、導管309は、貯蔵器301とフィルタ303の入口との間の溶液の流路を提供する。導管307’は、フィルタ303の出口とポンプ304の入口320との間の溶液の流路を提供する。ポンプ304は、しかも導管306に排出される溶液を供給するための第1出口も有し、その導管306は貯蔵器301へ戻る溶液の流路を提供する。ポンプ304は、導管310に排出される溶液を供給するための第2出口をさらに有し、その導管310は弁335を経由して流出口308への溶液の流路を提供する。溶液302は、次に流出口308から半導体ウェハ305へ吐出され、そのウェハは溶液302が半導体ウェハ305に供給されるときにスピンされるプラットフォーム330上に置かれることができ、それによって半導体ウェハ305を同様にスピンさせる。そのようにスピンすることは、溶液302が半導体ウェハ305全面により一様に広げられることを可能にする。コントローラ340は、ポンプ304で汲み上げること、プラットフォーム330をスピンすること、及び/又は弁335の状態を含む、システム300の動作を調整しそして制御することができる。
そのように、溶液302は、導管309、307と306により与えられるフィードバック・ループ、又は導管309、307と310により与えられる供給経路のいずれかを流れることができる。下記にさらに論じられるように、フィードバック経路は、溶液302からバブルを集め、一方で供給経路は、半導体ウェハ305に塗り広げるためにバブルが無い(又は少なくともバブルが非常に少ない)溶液302を送る。導管306を介して比較的バブルの多い溶液302を貯蔵器301に流して戻すことを可能にすることによって、その溶液302は、貯蔵器301中で既存の溶液302と混合された後で再使用されることができる。これは、溶液302が高価でありそして再使用可能である場合には、極めて望ましい。例えば、まだ汚染されていないレジストは、再使用可能であり、そして1ガロン当り数千ドルでなくとも数百ドルの価格である。その上、システム300は、1個のポンプだけで溶液302を再循環することが可能である。そのように、システム300は、溶液302を浪費せず、そしてしかも2段システムよりもさらに効率的である。
1個の貯蔵器301だけが示されているが、それぞれが異なる溶液を収容している複数の貯蔵器が与えられることができる。例えば、貯蔵器301は、レジスト溶液を収容することができ、そして第2貯蔵器(図示されず)は、ARC溶液を収容することができる。そのようなケースでは、各貯蔵器は、図3のように構成されるそれぞれの並列溶液分配装置と結び付けられることができる。貯蔵器301は、ある量の溶液302を保持することが可能な任意のタイプの貯蔵器であり得る。例えば、貯蔵器301は、カップ形の容器又は水差し形の容器であり得る。貯蔵器301は、上が開放されていることもあり閉じられていることもある。閉じられている場合、比較的小さな開口部が用意されることができ、それを通して導管306と309は、貯蔵器301の内部へと通ることができる。図示されたように、導管306の出口端は、貯蔵器301中の溶液302の液面の下に配置される。これは必ずしも必要ではないけれども、そのような構成は、はね返りを低減することができ、そしてそれにより貯蔵器301中に収容されている溶液302中に既にある溶解ガス及び/又はバブルの量に追加される量を低減することができる。
フィルタ303は、溶液302から固体汚染物(図3に黒丸として示される)をフィルタして取り除き、そして導管307’にフィルタされた溶液302を出力する。ポンプ304の入口320がフィルタ303の出口の後に配置されるために、導管307’は、システム300の中で最も低い圧力であり、そしてシステム300の外部の雰囲気の大気圧よりも低いことさえある。フィルタ303を横切る急激な圧力の低下は、溶液302中に既に溶解しているガスからバブル312を発生させるのに十分に大きい。そのように、バブルを含んでいる溶液302は、ポンプ304の入口320へと供給される。
ポンプ304は、上に向かってバブル212を含む溶液302の一部を出口307に排出するように、そしてバブル312を含んでいない(又は少しかバブルを含まない)溶液302の残りを出口322へと排出するように構成される。これが起きるようにするために、この特定の実施形態では、ポンプ304のメイン・チャンバは、垂直に構成され、その結果、出口322は、出口307よりも距離Dyだけ低く、そして入口320から距離Dxだけ横方向にずらされている。それに加えて、図示されたように、出口307は、入口320に対して垂直に位置を合わせられている。バブル312は、自身の浮力のために溶液302中を自然に上に向かって上昇するため、ポンプ304の独特の構成は、バブルが出口322から排出されないようにバブルが低い方の出口322に到達するときまでにバブル312の全てでなくとも大部分が十分な垂直の運動量を得られるようにすることができる。あるいは、全てでなくとも大部分のバブル312は、上昇し続け、そして出口307から排出される。
距離DxとDyは、ポンプ304のチャンバの大きさ、ポンプ304を通る溶液302の流速、及び溶液302の粘性に基づいて適切に選択されることができる。例えば、溶液302がレジスト溶液の場合、Dxはほぼ15mmであり、そしてDyはほぼ20mmであり得る。別の例として、溶液302がARC溶液の場合、Dxはほぼ10mmであり、そしてDyはほぼ15mmであり得る。
ポンプ304の多くの変形が、本発明の範囲内である。例えば、出口307がポンプ304の天井に配置されるように示されており、出口322がポンプ304の側壁上に配置されるように示されているが、これらの出口の両方ともが天井に又は側壁上であり得る。しかも、バブル312を分離するために垂直高さの異なる出口307と322とを使用することの代わりに又はそれに加えて、ポンプ304内部に1又はそれより多くのバッフル、若しくはポンプ304内部の別の構造又はポンプ304の別の構造が、出口322から遠くにバブル312を分離するために使用されることができる。
動作では、半導体ウェハ305は、プラットフォーム330上に置かれる。この時、ポンプ304は、導管306のフィードバック経路を経由して溶液302を既にポンプ汲み上げしている。しかしながら、この時点では、弁335は、閉じられた状態であり、その結果、溶液302は流出口308へ通ることができない。例えば弁335のような、弁は、この分野では周知である。次に、コントローラ340は、プラットフォーム330が所定の回転速度でスピンを開始するように制御することができ、それによってプラットフォーム330とともに半導体ウェハ305が同様にスピンする。プラットフォーム330がスピンしているあいだに、コントローラ340は、弁335が所定の時間の長さのあいだそして所定の大きさだけ開くようにさせることができ、それによって(バブル312の少ない又はバブル312がない)溶液302が半導体ウェハ305上に注がれるようにする。弁335が閉じられた後で、コントローラ340は、プラットフォーム330がスピンを停止するように制御することができる。あるいは、コントローラ340は、第2溶液が第1の吐出された溶液302を覆い半導体ウェハ305上へと吐出されるようにさせるためにポンプと弁の第2のそして並列セット(図示されず)を動作させることができる。この例では、溶液302はレジスト溶液であり、そして第2溶液はARC溶液であり得る。溶剤のような第3溶液が、レジスト溶液が吐出される前に半導体ウェハ305上へと同様に吐出されることができる。全ての所望の溶液が半導体ウェハ305に対して塗布された後で、半導体ウェハ305は、プラットフォーム330から取り外され、そして製造プロセスの次の工程を受ける。多くの場合、次の工程は、リソグラフィを含む。
ある複数の実施形態では、ポンプ304は、弁335の状態に拘わらず連続的に動作する。別の実施形態では、ポンプ304は、弁335の状態に無関係に又は弁335の状態にある種の関係を持ってのいずれかで間歇的に動作する。ポンプ304の間歇的な動作は、そのバブル分離能力の効率を向上させることができる。例えば、ポンプ304を周期的にオン/オフさせることによって、ポンプ動作がオフのあいだにポンプ動作が再びオンにされる前に、バブル312は、ポンプ304のチャンバの頂上部に向かって上昇するためのより多くの時間を与えられることができ、そのようにして出口322と比較して出口307から排出されるバブルの割合を増加させることができる。
そのように、レジスト溶液及びARC溶液のような溶液をポンプ汲み上げする改善された例示の装置及び方法が、説明されてきた。
102,202,302…溶液,105,106,107,206,207,208,209,210,306,307’,309,310…導管,105’,205’,305…半導体ウェハ,108,208’,308…流出口,130,230,330…プラットフォーム,307…第1出口,322…第2出口,320…入口,335…弁。
Claims (17)
- 溶液をポンプ汲み上げする装置であって、
該溶液を保持するために構成された貯蔵器と、
入口と、第1出口と、該第1出口から離され且つ該第1出口より垂直方向に低く配置された第2出口とを有するポンプと、
該貯蔵器と該ポンプの該入口との間の第1溶液流路と、
該ポンプの該第1出口と該貯蔵器との間の第2溶液流路と
を具備し、
ここにおいて、該ポンプは、該第1溶液流路から該入口へと該溶液をポンプ汲み上げするため、そして該ポンプ汲み上げされた溶液の一部を該第1出口へと排出し且つ該ポンプ汲み上げされた溶液の残りを該第2出口へと排出するために構成され、そしてここにおいて、該ポンプは、該ポンプ汲み上げされた溶液中のバブルが該入口から該第2出口の上方の該第1出口へと上に向かって上昇するようにさらに構成される
ことを特徴とする装置。 - 該ポンプの該第2出口は、該ポンプの該入口から水平方向にずれていることを特徴とする、請求項1の装置。
- 該第2出口と溶液が流出する開口部との間の第3溶液流路と、
該開口端の下方に配置されたプラットフォームと、ここにおいて、該プラットフォームはスピンするように構成される、
該溶液が該開口部から流出しているあいだ該プラットフォームがスピンするように該プラットフォームを制御するために構成されたコントローラと
をさらに含むことを特徴とする、請求項1の装置。 - 該第3溶液流路に配置され、且つ開状態では該第3溶液流路を通る該溶液を流れさせるためそして閉状態では該第3溶液流路を通る該溶液の流れを阻止するために構成された弁をさらに含む、
ここにおいて、該コントローラは、該弁が該閉状態及び該開状態の両方にあるあいだ動作するように該ポンプを制御するためにさらに構成される
ことを特徴とする、請求項3の装置。 - 該装置は、該第1溶液流路に配置されたフィルタをさらに含み、ここにおいて、該装置内の該溶液の最低圧力は、該フィルタと該ポンプの該入口との間の該第1溶液流路内の場所においてであることを特徴とする、請求項1の装置。
- 該バブルは、該フィルタを通り抜ける該溶液により生成されることを特徴とする、請求項5の装置。
- 溶液をポンプ汲み上げする装置であって、
該溶液を保持するために構成された貯蔵器と、
入口と、第1出口と、該第1出口から離された第2出口とを有するポンプと、
該貯蔵器と該ポンプの該入口との間の第1溶液流路と、
該第1溶液流路を通り流れる該溶液が該フィルタを通り流れるように該第1溶液流路に配置されたフィルタと、ここにおいて、該溶液の圧力低下は、該フィルタを横切って生じ、そしてここにおいて、該フィルタと該ポンプの該入口との間の該第1溶液流路中の該溶液の圧力は、該装置内の任意の他の場所の該溶液の圧力よりも低い、
該ポンプの該第1出口と該貯蔵器との間の第2溶液流路と
を具備し、
ここにおいて、該ポンプは、該第1溶液流路から該入口へと該溶液をポンプ汲み上げするため、そして該ポンプ汲み上げされた溶液の一部を該第1出口へと排出しそして該ポンプ汲み上げされた溶液の残りを該第2出口へと排出するために構成される
ことを特徴とする装置。 - 該ポンプの該第1出口は、該ポンプの該入口と垂直方向に位置を合わせられ、そして該ポンプの該第2出口は、該ポンプの該入口から水平方向に位置をずらされていることを特徴とする、請求項7の装置。
- 該ポンプの該第2出口は、該ポンプの該第1出口より垂直方向に低く配置されることを特徴とする、請求項8の装置。
- 該第2出口と溶液が流出する開口部との間の第3溶液流路と、
該開口端の下方に配置されたプラットフォームと、ここにおいて、該プラットフォームはスピンするように構成される、
該溶液が該開口部から流出しているあいだ該プラットフォームがスピンするように該プラットフォームを制御するために構成されたコントローラと
をさらに含むことを特徴とする、請求項7の装置。 - 該第3溶液流路に配置され、且つ開状態では該第3溶液流路を通る該溶液を流れさせるためそして閉状態では該第3溶液流路を通る該溶液の流れを阻止するために構成された弁をさらに含み、
ここにおいて、該コントローラは、該弁が該閉状態及び該開状態の両方にあるあいだ動作するように該ポンプを制御するためにさらに構成される
ことを特徴とする、請求項10の装置。 - 該バブルは、該フィルタを通過する該溶液により生成されることを特徴とする、請求項7の装置。
- 溶液をポンプ汲み上げする装置であって、
該溶液を保持する貯蔵器と、
該貯蔵器から該溶液を供給する第1溶液流路手段と、
該第1溶液流路手段から供給される該溶液をフィルタするフィルタ手段と、
該貯蔵器への戻りの該溶液の第1部分を供給する第2溶液流路手段と、
該フィルタ手段から受け取った該溶液を汲み上げ、そしてバブルが該貯蔵器に流れて戻る該溶液の該第1部分中に含まれるように該第2溶液流路手段に向かって該溶液中の該バブルを向けるポンプ手段と、
該ポンプ手段から該貯蔵器とは別の場所に該溶液の第2部分を供給する第3溶液流路手段と
を具備することを特徴とする装置 - 該場所に配置されたプラットフォームと、ここにおいて、該プラットフォームはスピンするように構成される、
該溶液が該場所に流れているあいだ該プラットフォームがスピンするように該プラットフォームを制御するために構成されたコントローラと
をさらに含むことを特徴とする、請求項13の装置。 - 該第3溶液流路手段に配置され、且つ開状態では該第3溶液流路手段に沿って該溶液を流れさせるためそして閉状態では該第3溶液流路手段に沿った該溶液の流れを阻止するために構成された弁、をさらに含み、
ここにおいて、該コントローラは、該弁が該閉状態及び該開状態の両方にあるあいだ動作するように該ポンプを制御するためにさらに構成される
ことを特徴とする、請求項14の装置。 - 該装置内の該溶液の最低圧力は、該フィルタ手段と該ポンプ手段との間の該第1溶液流路手段に沿った場所においてであることを特徴とする、請求項13の装置。
- 該バブルは、該フィルタ手段を通り抜ける該溶液により生成されることを特徴とする、請求項13の装置。
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