JP2008171800A - 荷電粒子ビーム処理用保護層 - Google Patents

Abstract

【課題】荷電粒子ビーム処理用保護層を提供すること。
【解決手段】表面の方に流体を導くことによって、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護する保護層が加工物に塗布される。アプリケータは表面に接触しないことが好ましい。インク・ジェット・プリント型プリント・ヘッドは適切なアプリケータである。インク・ジェット型プリント・ヘッドにより種々さまざまな流体を使用して保護層を形成することができる。保護層を形成する有用な流体は、小さい銀の粒子を有するコロイダル・シリカ、炭化水素ベースのインク、および染料を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム処理の間表面を保護するための、加工物表面の保護層に関する。

荷電粒子ビームは非常に小さいスポットを形成することができるので、イオン・ビームや電子ビームなどの荷電粒子ビームはナノテクノロジで加工物を処理するために使用される。例えば、集束イオン・ビーム・システムはサブミクロン精度で画像化、ミル加工、堆積、および分析を行うことができる。集束イオン・ビーム・システムは、例えば、本出願の譲受人である、オレゴン州、ヒルズバロのＦＥＩ Ｃｏｍｐａｎｙから市販されている。イオンを使用し、加工物から材料をスパッタする、すなわち物理的に放出して加工物にトレンチなどのフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅｓ）を生成することができる。イオン・ビームを使用して、エッチング・ガスを活性化しスパッタリングを増強し、または前駆物質ガスを分解しビーム衝突ポイントの近くで材料を堆積させることもできる。イオン・ビームを使用して、イオン・ビームの衝突によって放出された二次粒子を集めることにより加工物の画像を形成することもできる。表面上の各ポイントから放出された二次粒子の数を使用して、画像の対応するポイントの画像の明るさが決定される。集束イオン・ビームはしばしば半導体産業で使用される。一用途では、例えば、集束イオン・ビームを使用して、集積回路内に小さいトレンチが掘られ、イオン・ビームまたは電子ビームを使用して観察または測定を行うための垂直構造の断面が露出される。

電子ビームを使用して加工物を処理することもできる。電子ビーム処理は、例えば、「Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」についてのＭｕｃｉｌ等への米国特許第６７５３５３８号明細書に説明されている。電子ビームは、電子顕微鏡法と呼ばれるプロセスで画像を形成するために広く使用される。電子顕微鏡法は光学顕微鏡法よりも著しく高い解像度およびより大きな焦点深度を与える。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）では、一次電子ビームが微細なスポットに集束され、それが観察されるべき表面を走査する。一次ビームが表面に衝突するとき二次電子が表面から放出される。二次電子が検出され、画像が形成され、画像の各ポイントの明るさは、ビームが表面の対応部分に衝突するときに検出される二次電子の数によって決定される。

透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）では、広幅の電子ビームがサンプルに衝突し、サンプルを通過した電子が集束されてサンプルの画像を形成する。サンプルは、一次ビーム中の電子の多くがサンプルを通り抜け反対側に出ることができるように十分に薄くなければならない。サンプルは一般に１００ｎｍ未満の厚さに薄くされる。サンプルを準備する一方法は、加工物から薄いサンプルを切り取るために集束イオン・ビームを使用し、次に、そのサンプルを薄くするためにイオン・ビームを使用することを含む。

走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）では、一次電子ビームが微細なスポットに集束され、そのスポットはサンプル表面にわたって走査される。加工物を通過する電子がサンプルの反対側の電子検出器によって集められ、画像の各ポイントの強度は、一次ビームが表面の対応するポイントに衝突するとき集められた電子の数に対応する。

荷電粒子ビームが表面に衝突するとき表面を損傷または変質する可能性がある。集束イオン・ビーム・システムは、一般に、液体の金属ガリウム・イオン源からのガリウム・イオンを使用する。ガリウム・イオンは比較的重く、一般的な３００００ボルトで加速されたガリウム・イオンは必然的に加工物表面を変質させることになる。「Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ Ｅｎｈａｎｃｅｄ，Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ，Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ ｆｏｒ ａ Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｓｙｓｔｅｍ」についてのＫｅｌｌｅｒ等の国際公開第２００５／０８１９４０号パンフレットに説明されているものなどのプラズマ・イオン・システムは、より軽いイオンを使用することができ、それにより損傷は少なくなるが、イオンは依然として一般に加工物表面を変質させるであろう。電子はイオンよりもはるかに軽いが、それも加工物表面を変質させることがある。ユーザがナノメートル精度で加工物を測定したい場合、荷電粒子の衝突に起因する加工物の変化は、特にフォトレジストなどの柔らかい材料、およびポリフェニレン材料などの低誘電率および超低誘電率誘電体材料では顕著になることがある。

加工物表面を保護するために、荷電粒子ビーム処理の前に保護層を用いることが一般的である。保護層を適用する一方法は、荷電粒子ビーム堆積、すなわち、ガスを分解して表面に材料を堆積させるためのエネルギーを供給するのに荷電粒子ビームを使用することである。保護層は切削の周りの区域を保護し、画像化および計測されるべきフィーチャの特性を保存する。一般に使用される堆積ガスは、タングステン、白金、金、および炭素を堆積させるために分解する前駆化合物を含む。例えば、タングステンヘキサカルボニルを使用してタングステンを堆積させることができ、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金を使用して白金を堆積させることができ、およびスチレンを使用して炭素を堆積させることができる。多くのさまざまな材料を堆積させる前駆物質ガスが当技術分野で知られている。保護層として堆積させる好ましい材料は、下にあるターゲット表面の組成を含む適合性、および保護層材料とターゲット表面との間の相互作用に依存する。

荷電粒子ビーム・アシスト堆積は、層が必要とされる正確な位置にその層を局所的に適用することができるが、荷電粒子ビーム堆積を使用した保護層の適用は、いくつかの欠点を有する。荷電粒子ビーム・アシスト堆積は比較的遅く、処理によっては全処理時間の６０パーセントまでが保護層の堆積で消費される。材料を堆積させるためにイオン・ビームがターゲット表面で最初に走査されるとき、イオン・ビームから表面を保護するのに十分な量の堆積材料が蓄積するまでの間に、材料はビームによって表面からスパッタ除去されている。たとえそれが短い間だとしても、かなりの量の材料が除去されるほど長いことがあり、それにより断面分析の精度が損なわれる。

現在、技術者は保護層の荷電粒子ビーム堆積に起因する寸法変化を定量化し、次に、補正率を以後の測定に適用して真の寸法の推定値を得る。そのような推定値は、荷電粒子ビームによる変質の変動のために必ずしも正確とは限らない。ユーザが、例えば、「Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｓｅｐａｒａｔｉｎｇ Ｓｐｅｃｉｍｅｎ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ａｎａｌｙｚｉｎｇ ｔｈｅ Ｓｐｅｃｉｍｅｎ Ｓｅｐａｒａｔｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｓｐｅｃｉｍｅｎ Ｓｅｐａｒａｔｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ」についてのＯｈｎｉｓｈｉ等への米国特許第５２７０５５２号明細書に説明されているように、ＴＥＭで見るサンプルを抽出するのにイオン・ビームを使用したい場合、ユーザは一般に注目する領域を探し当てるために集束イオン・ビームを画像化モードで走査する。走査は表面に損傷をもたらす。注目する領域が探し当てられ、ビームがトレンチをミル加工し始める場合、ビームの端部が完全には鋭くないので加工物に損傷を加える。すなわち、ビームは一般にガウス型に形成され、ガウス分布の末端のイオンがトレンチの端部で加工物を損傷することになる。損傷は脆弱な材料だけでなく比較的固い材料上でも見つかっている。

電子およびレーザ・ビームを使用して二次電子を生成し、それにより前駆物質ガスを分解して保護層を堆積させることができるが、特にそれらのビームが好適な処理時間を達成するために十分なエネルギーおよび／または電流密度レベルである場合、それらのビームが下にある表面を損傷する可能性もある。下にある表面を損なわないためにビームが十分に「弱い」場合、堆積は一般に非常に遅くなるので、そのようなビームを使用することは一般に実用的でない。用途によっては物理蒸着（「ＰＶＤ」）スパッタ法を使用して保護層を堆積させることができるが、そのような方法はウェハ表面のターゲット部分に堆積層を局所的に適用するのに使用することができないので、それらは、通常、ウェハ製作設備の生産制御用途には利用できない。本発明の譲受人に譲渡される「Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ Ｃｏａｔｉｎｇ ｏｆ Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ ｆｏｒ Ｃｈａｒｇｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｂｅａｍ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」についてのＳｃｈｍｉｄｔ等の米国特許出願第１１／７０６０５３号は局所的な層を設けることができるＰＶＤの方法を説明している。荷電粒子ビームを使用してターゲットからの材料が表面上にスパッタされる。荷電粒子ビームは表面自体に導かれず、損傷が避けられる。しかし、この方法は多くの時間を必要とする。

保護被覆を適用する別の方法が、「Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」についてのＡｒｊａｖｅｃ等への米国特許第６９２６９３５号明細書に説明されている。この方法では、荷電粒子ビームは注目する区域に導かれるのではなく、注目する区域の外側の領域に導かれる。二次電子が、注目する区域上の前駆物質ガスを分解して保護層を与える。保護層が、注目する領域の端部の周りに生成されているので、荷電粒子ビームは内側に向けて移動することができる。この方法も多くの時間を必要とする。

ブラシで塗布されたコロイド銀が走査電子顕微鏡法の導電性保護層を生成するために長く使用されている。使用される銀粒子は比較的大きい。この層を塗布するためにブラシを使用すると基板を損傷することがあり、局所的な層を設けることができない。

保護被覆を塗布する別の方法は、Ｒｕｂｂｅｒｍａｉｄ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＳａｎｆｏｒｄ部門からのＳｈａｒｐｉｅブランドのペンなどのフェルトペンを使用することである。Ｓｈａｒｐｉｅペンからのインクは真空チャンバで使用するのに適するが、理由は、それが完全に乾燥し、真空チャンバ内でほとんどガス放出しないからである。注目する領域にペンを接触させると表面を変質させることになり、したがって、インクは注目する領域の近くに塗布され、次にそのインクが注目する領域上に滲出する。インク中の化合物が表面を保護する。フェルトペンによって影響を受ける区域が、最近の集積回路のサブミクロンのフィーチャと比較して非常に大きく、インクの位置決め精度が不十分である。

産業界は、加工物表面を損傷することなく局所的な保護層を迅速にかつ正確に施す方法を必要としている。
米国特許第６７５３５３８号明細書 国際公開第２００５／０８１９４０号パンフレット 米国特許第５２７０５５２号明細書 米国特許出願第１１／７０６０５３号 米国特許第６９２６９３５号明細書

本発明の目的は荷電粒子ビーム処理用局所保護層を提供することである。

本方法によれば、液体が加工物表面の注目する領域に導かれる。液体は表面で乾燥して保護層を与える。好ましい実施形態では、表面はアプリケータによって接触されない。例えば、液体の滴を供給源から放出し、加工物の方に導くことができる。

本発明およびその利点をすべてにわたって理解するために、次に添付図面と併せて以下の説明が行われる。

本発明の好ましい実施形態はインク・ジェット型ディスペンサを使用して流体の滴を加工物に局所的に塗布する。流体は乾燥して保護層を形成する。例えば、流体は炭化水素ベースのインクとすることができ、または、例えば、銀を含むコロイド溶液とすることができる。

実施形態により、局所的な保護層を高いスループットで用いることができる。また、実施形態は、損傷しない保護層の堆積も可能とする。本発明は保護層の選択に柔軟性を与え、この層の材料は流体供給源を変えることによって変更することができる。本発明によるシステムは、真空チャンバの外部での保護層の堆積を可能にし、その結果、保護層をある加工物に塗布しながら別の加工物を荷電粒子ビーム・システムによって処理することができる。

いくつかの実施形態では、インク・ジェット・プリンタで使用されるものと同様または同一のインク・ジェット・ヘッドを使用して流体を塗布できる。塗布される流体の種類はインク・カートリッジを変えることによって容易に変更することができる。例えば、図３に示されるように、流体供給源をインク・カートリッジとすることができ、荷電粒子ビームの既存のフロント・エンド・システムと統合することができる。

流体は、一般に、その中に含まれる溶質または懸濁液を有する液体キャリア（ｌｉｑｕｉｄ ｃａｒｒｉｅｒ）を含む。流体が塗布された後、その滴は、例えば液体キャリアの蒸発によって、または水化作用などの化学変化によって乾燥する。好ましい保護層は加工物上への荷電粒子ビームの衝突によって生成されたいかなる電荷も消散させるのに十分な導電性のものである。好ましい保護層は「真空にやさしい」ものであり、すなわち、それは、荷電粒子ビームに障害を与えるかまたは加工物を汚染するような、荷電粒子ビーム真空チャンバ内で「ガス放出」しないかまたは蒸発し続けないものである。好ましい保護層は加工物上の構造を安定させる。好ましい保護層は加工物上の構造と相互作用せずまたはそれを変質させず、構造の寸法が荷電粒子ビームの衝突下でほとんど変わらないかまたは全く変わらないように機械的強度を与える。

好ましい実施形態は小滴の流体を加工物上に堆積し、その滴は乾燥して保護層を形成する。滴は真空チャンバの外部で塗布することができ、流体は真空チャンバ内に配置される前に乾燥することができる。いくつかの実施形態では、蒸発によってではなく化学変化によって乾燥する低揮発性流体を真空チャンバ内で塗布することができる。

正確に配置された小滴を供給する技術は、例えば、インク・ジェット・プリンタ技術で知られている。成熟したインク・ジェット技術がいくつか存在する。サーマル・インク・ジェット・プリンタは、チャンバからのインクを押し出すバブルを迅速に形成するために電気加熱型インク・チャンバを使用する。サーマル・プリンタで使用される流体は、汚染を後に残さずに、バブルを迅速に形成するのに適する特性を有しなければならない。連続的インク・ジェットは高圧ポンプを使用してインクを押し出し、インクは一般に圧電結晶によって多数の滴に細分される。細分された滴は電極によって制御された電荷を与えられ、第２の電極によって偏向される。最後に、圧電プリンタでは、電流により圧電結晶が急速に変形してチャンバからのインクの滴を押し出す。圧電プリンタは、サーマル・インク・ジェット・プリンタよりも広範な種類の流体に対応することができる。

インク・ジェット・プリンタはピコリットルの程度の体積を有する滴を生成することができる。滴によって塗布された局所保護層用のスポット・サイズは、好ましくは約１００μｍ²未満、より好ましくは約５０μｍ²未満、および最も好ましくは約１０μｍ²未満の面積を有する。最近のインク・ジェット・プリンタは、４μｍ未満の直径を有するスポット・サイズを生成することができる。

スポット・サイズが小さいほど、注目する領域が保護層によって確実に覆われるようにより高い配置精度が必要とされる。理想的には、システムは、利用可能な配置精度で注目する領域を妥当で確実に覆う最も小さい滴サイズを使用する。最近のインク・ジェット・プリンタは、滴下の精度が３μｍのものもある。滴下するために、光学顕微鏡画像を画像認識ソフトウェアと共に使用して、インク・ジェット座標系を加工物座標系に位置合わせすることができる。画像認識システムは、例えば、Ｃｏｇｎｅｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる。

安価なインク・ジェット技術により、４ｐＬ（４μｍ³）の滴体積の場合２０μｍ以内に厳密に制御することができる個々のスポット配置が可能である。熱染料堆積は多少大きな滴体積で同様の配置をもたらすと共に堆積材料組成に著しく大きな柔軟性を与える。染料昇華とも呼ばれる熱染料堆積は少量の染料／保護層を熱蒸発させるプロセスであり、次に蒸発された材料は液相を通らずにターゲット上に堆積する。現在の実施では、ＦＩＢ関連の損傷（堆積およびＧａ⁺汚染）のレベルがプロセス部位の１５０μｍ半径内に制限されることが必要とされる。前述の位置決め精度および小滴の体積はこの要件を満たすであろう。

コロイド懸濁液を使用して保護層を堆積させる場合、例えば銀の粒子サイズは、好ましくは約１００ｎｍ未満、より好ましくは約５０ｎｍ未満、および最も好ましくは約１ｎｍと約１０ｎｍとの間である。銀は半導体加工物表面で反応せず、導電性であるので、好ましい材料である。

保護層を塗布するための別の有用な流体は炭化水素ベースのインクを含む。

好ましい保護層塗布溶液は前述の望ましい特性を有する保護層を与えるだけでなく、好ましい溶液は前述の塗布システムで使用することができるべきである。前述のように、異なるインク放出システムは使用される流体にある種の特性を要求することがある。

図１は、荷電粒子ビーム・システム１０１と共に使用するための好ましい保護層塗布システム１００を示すブロック図である。図２は、本発明の好ましい方法のステップを示す流れ図である。ステップ２０２で、半導体ウェハ１０４などの加工物を正確に位置決めすることができる精密ステージ１０２が、コンピュータ１１０を含む光学認識システムの一部であるカメラ１０６の下にウェハ１０４を移動する。ステップ２０４で、光学認識システム１０６は加工物表面の１つまたは複数の画像を形成し、ステップ２０６で、その画像は画像認識ソフトウェア１０７によって解析されてウェハ上の基準点を認識する。ステップ２０８で、ウェハからの設計情報を使用して、画像から決定されたウェハの座標系をステージ１０２の座標系と関連づける。ステップ２１０で、ウェハ１０４の注目する区域がインク・ジェット型プリント・ヘッド１０８の下に来るようにステージを移動する。ステップ２１２で、流体の滴１１２がインク・ジェット型ヘッドからウェハに押し出される。流体は、リザーバ１１４によって、または染料昇華システム（図示せず）で使用されるキャリア・フィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）などの担体（キャリア、（ｃａｒｒｉｅｒ））によって供給される。必要ならば、ステップ２１４で流体を乾燥してもよい。当業者は、染料昇華システムでは、保護層の供給源である流体は加工物上で固体として凝縮し、したがって乾燥する必要のないガスであることを認識されよう。ウェハは、ステップ２１６で荷電粒子ビーム真空チャンバに挿入される。ステップ２１８で、注目する領域の一部が荷電粒子ビーム処理によって処理される。いくつかの実施形態では、インク・ジェットの下に注目する領域を位置決めするためにステージ上のウェハを移動させるのではなく、インク・ジェットが注目する領域上の位置に移動される。他の実施形態では、インク・ジェットは、インク・ジェットの移動およびウェハの移動の組合せによって位置合わせされる。

図３は、ロボット・ウェハ・ハンドラ３０２のシミュレーションがウェハ３０６をカセット３０８から取り出し、インク・ジェット・ヘッド３１４を移動するかまたは固定することができる支持体３１２を含むインク・ジェット・ヘッド・アセンブリ３１０の下にそのウェハを配置するワーク・ステーション３００を示す。図４は、図３のワーク・ステーションの拡大図を示す。

本発明およびその利点が詳細に説明されたが、添付の特許請求の範囲によって定義されるような本発明の趣旨および範囲から逸脱することなしに、本明細書においてさまざまな変更、取替え、および改変を行うことができることが理解されるべきである。例えば、液体およびガスが前に説明されているが、微細粉体を保護層として適用することができる。本明細書における流体は、液体、ガス、または微細粉体を含めて、流れるものすべてを意味する。流体はイオンまたはクラスタ源からのビームなどの荷電粒子ビームを含まない。さらに、本出願の範囲は、明細書に説明されたプロセス、機械、製造、物質の組成、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されることを意図しない。当業者は、本発明の開示から、本明細書で説明された対応する実施形態が本発明に従って利用できるものと同じ機能を実質的に実行するか、または同じ結果を実質的に達成する、既存のまたは後に開発されるプロセス、機械、製造、物質の組成、手段、方法、またはステップを容易に理解されよう。したがって、添付の特許請求の範囲は、その範囲内にそのようなプロセス、機械、製造、物質の組成、手段、方法、またはステップを含むことを意図する。

本発明の好ましい実施形態を示すブロック図である。 図１のシステムを使用するための好ましいステップを示す流れ図である。 インク・ジェット・システムが荷電粒子ビーム・システムの真空チャンバの外部に配置される本発明の実施形態を示す図である。 図３のシステムの拡大図である。

符号の説明

１００ 保護層塗布システム
１０１ 荷電粒子ビーム・システム
１０２ 精密ステージ
１０４ 半導体ウェハ
１０６ カメラ
１０７ 画像認識ソフトウェア
１０８ インク・ジェット型プリント・ヘッド
１１０ コンピュータ
１１２ 流体の滴
１１４ リザーバ
３００ ワーク・ステーション
３０２ ロボット・ウェハ・ハンドラ
３０６ ウェハ
３０８ カセット
３１０ インク・ジェット・ヘッド・アセンブリ
３１２ 支持体
３１４ インク・ジェット・ヘッド

Claims (22)

1. 保護層を加工物上に設けるための装置であって、
   加工物を位置決めするための支持体と、
   荷電粒子ビーム処理の間前記加工物上の区域を保護する局所保護層を形成するために前記加工物上に流体を局所的に塗布するためのアプリケータであって、前記流体が塗布される前記加工物表面に接触することなく前記流体を塗布するアプリケータと、
   前記加工物上で作動するための荷電粒子ビーム・システムであって、前記保護層が形成された前記加工物の局所的な区域を処理するようにプログラムされた荷電粒子ビーム・システムと、
   を備える装置。
2. 前記アプリケータがインク・ジェット・ヘッドを含む、請求項１に記載の装置。
3. 前記インク・ジェット・ヘッドがサーマル・インク・ジェット・ヘッド、圧電インク・ジェット・ヘッド、連続インク・ジェット・ヘッド、または熱昇華型インク・ジェット・ヘッドを含む、請求項２に記載の装置。
4. 前記流体が、保護層を堆積させるために前記加工物上で乾燥する液体を含む、請求項１から３のいずれかに記載の装置。
5. 前記流体がコロイド懸濁液を含み、前記アプリケータが前記コロイド懸濁液を収容するリザーバを含む、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
6. 前記流体が炭化水素ベースのインクを含み、前記アプリケータが前記炭化水素ベースのインクを収容するリザーバを含む、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
7. 前記流体が前記加工物上で固体を形成するガスを含む、請求項１または２に記載の装置。
8. 前記アプリケータが１００μｍの位置精度で２０ｐＬ未満の体積を有する液体の滴を塗布することができる、請求項１から６のいずれかに記載の装置。
9. 前記加工物表面の画像を形成するためのカメラと、
   前記加工物上の画像を認識し、前記インク・ジェット・ヘッドを前記加工物上のフィーチャと位置合わせするためのプログラムを実行するコンピュータと、
   をさらに含む、請求項１から８のいずれかに記載の装置。
10. 保護層を加工物上に設けるための装置であって、
    加工物を位置決めするための支持体と、
    荷電粒子ビーム処理の間前記加工物上の区域を保護する局所保護層を形成するために前記加工物上に流体を局所的に塗布するためのアプリケータであって、昇華プロセスを使用するガスのような前記流体を塗布するアプリケータと、
    前記加工物上で作動するための荷電粒子ビーム・システムであって、前記保護層が形成された前記加工物上の局所的な区域を処理するようにプログラムされた荷電粒子ビーム・システムと、
    を備える装置。
11. 荷電粒子ビーム・プロセス用に加工物上に保護層を設ける方法であって、
    加工物表面の局所部分へと流体を導くステップであって、流体のアプリケータが注目する区域に接触せず、前記流体が保護層を形成するように固体化するステップと、
    前記保護層によって覆われた前記加工物表面の一部へと荷電粒子ビームを導くステップと、
    を含む方法。
12. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、前記加工物表面へとコロイド懸濁液を導くステップを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、前記加工物表面上に銀のコロイドを含む流体を導くステップを含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記コロイド中の平均粒子サイズが１００ｎｍ未満である、請求項１２または１３に記載の方法。
15. 前記コロイド中の平均粒子サイズが５０ｎｍ未満である、請求項１２または１３に記載の方法。
16. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、前記加工物上に炭化水素ベースのインクを導くステップを含む、請求項１１から１５のいずれかに記載の方法。
17. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、２０ｐＬ未満の体積を有する滴を導くステップを含む、請求項１１から１６のいずれかに記載の方法。
18. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、１００μｍ未満の寸法を有する区域上に保護層を堆積させるステップを含む、請求項１１から１７のいずれかに記載の方法。
19. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、１０μｍ未満の寸法を有する区域上に保護層を堆積させるステップを含む、請求項１１から１７のいずれかに記載の方法。
20. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、加工物表面の局所部分へと流体の滴を押し出すように圧電結晶に電圧を印加するステップを含む、請求項１１から１９のいずれかに記載の方法。
21. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、加工物表面の局所部分へと流体の滴を押し出すように前記流体を加熱するための電圧を印加するステップを含む、請求項１１から１９のいずれかに記載の方法。
22. 加工物表面の局所部分へと流体を導くステップが、少量の材料を熱蒸発させ、次に、前記材料が前記加工物上に堆積して保護層を形成するステップを含む、請求項１１から１９のいずれかに記載の方法。

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