JP2003234185A - 有機発光ダイオードデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】シャドーマスクを必要としない有機発光ダイオ
ードデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】湿分又は酸素に過敏な有機発光ダイオード
デバイスを、少なくとも部分的に、製造するための現場
真空法であって、該有機発光ダイオードデバイスの一部
となる受容体要素４２を真空コーター１０内に用意し、
該真空コーター内にドナー支持体要素３０を用意して、
該ドナー支持体要素にコーティングを施すことにより、
該有機発光ダイオードデバイスの全部又は一部の製造に
必要な１又は２以上の層を具備したドナー要素３１を製
造し、該真空コーター内で、塗被されるべき該受容体要
素に対し、該ドナー要素のコーティング面を、材料転写
関係となるように位置決めし、そして該ドナー要素から
該受容体要素へ１又は２以上の層を真空中で選択的に転
写させるように、該ドナー要素に輻射線４０を適用する
ことを特徴とする方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光ダイオー
ド(OLED)デバイスの製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】赤、緑及び青の色画素のような着色画素
（通常ＲＧＢ画素という。）を配列したカラー又はフル
カラー有機電場発光(EL)表示装置においては、ＲＧＢ画
素を形成するため発色性有機ＥＬ媒体を精密にパターン
化する必要がある。基本的な有機ＥＬデバイスは、共通
要素として、アノード、カソード、及び該アノードと該
カソードとに挟まれた有機ＥＬ媒体を含む。有機ＥＬ媒
体は１又は２層以上の有機薄膜からなることができ、そ
の層又は層内領域の一つが主として発光、すなわち電場
発光を担う。この特定の層を、一般に有機ＥＬ媒体の発
光層と称する。有機ＥＬ媒体中に存在する他の有機層
は、一般に電子的輸送性を促進し、（正孔伝導用）正孔
輸送層又は（電子伝導用）電子輸送層と呼ばれる。フル
カラー有機ＥＬ表示パネルのＲＧＢ画素を形成する際に
は、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機ＥＬ媒体全体を精密
にパターン化する方法を考案する必要がある。

【０００３】典型的には、電場発光画素は、米国特許第
５７４２１２９号に記載されているようなシャドーマス
ク技法により表示装置上に形成される。この技法は有効
であるが、いくつかの欠点がある。シャドーマスク技法
では、解像度の高い画素サイズを達成することが困難で
ある。さらに、基板とシャドーマスクとの間のアライン
メントの問題があり、画素を適当な位置に形成させるこ
とに慎重にならなければならない。基板を大きくする場
合には、シャドーマスクを操作して適切な位置に画素を
形成させることが困難となる。シャドーマスク技法のさ
らなる欠点は、マスクの開口部が時間とともに目詰まり
することである。マスクの開口部が目詰まりすると、Ｅ
Ｌ表示装置上に機能しない画素が生じ、望ましくない。

【０００４】高解像度有機ＥＬ表示装置のパターン化方
法が、米国特許第５８５１７０９号(Grandeら)に記載さ
れている。この方法は、（１）対向する第１表面及び第
２表面を有するドナー基板を用意し、（２）該基板の第
１表面の上に透光性断熱層を形成し、（３）該断熱層の
上に吸光層を形成し、（４）該基板に、該第２表面から
該断熱層にまで延在する開口部の配列を設け、（５）該
吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー層を形成し、
（６）該基板の開口部とデバイス上の対応するカラー画
素とが配向するように該ドナー基板を表示装置基板に対
して精密にアラインし、そして（７）該ドナー基板上の
有機層を該表示装置基板に転写させるに十分な熱を該開
口部上の吸光層に発生させるための輻射線源を使用す
る、という工程序列を含む。Grandeらの方法にまつわる
問題は、ドナー基板上の開口部の配列をパターン化しな
ければならないことにある。このことは、ドナー基板と
表示装置基板との間で精密に機械的にアラインメントし
なければならないことをはじめとする、シャドーマスク
技法の場合と同様の問題の多くを生ぜしめる。さらに、
ドナーのパターンが固定され、容易に変更できないとい
う問題もある。

【０００５】パターン化されていないドナーシートとレ
ーザーのような精密光源とを使用することにより、パタ
ーン化ドナーに見られる困難の一部を取り除くことがで
きる。Littman及びTang（米国特許第５６８８５５１
号）は、パターン化されていないドナーシートからＥＬ
基板へ有機ＥＬ材料をパターン様式で転写することを教
示する。Wolkらの一連の特許（米国特許第６１１４０８
８号、同第６１４０００９号、同第６２１４５２０号及
び同第６２２１５５３号）は、ドナーの特定部分をレー
ザー光で加熱することにより、ドナーシートからＥＬデ
バイスの発光層を基板へ転写することができる方法を教
示する。

【０００６】譲受人共通の米国特許第５９３７２７２号
（Tang）に、薄膜トランジスタ（TFT）アレイ基板上に
ＥＬ材料を蒸着させることにより多色画素（例、赤色、
緑色及び青色の二次画素）をパターン化する方法が記載
されている。このようなＥＬ材料は、開口部マスク及び
支持体上のドナーコーティングを使用することにより選
ばれたパターンで基板上に付着される。開口部マスク
は、ドナー層と基板との間の独立した実在物であっても
よいし（上記米国特許の図１に示されているように）、
又はドナー層に組み込まれていてもよい（上記米国特許
の図４、図５及び図６に示されているように）。

【０００７】ＥＬ材料の転写は、Tangが上記特許明細書
で記載しているように、チャンバを使用して減圧下で行
なうことが好ましい。ドナー層（及び、独立している場
合には、開口部）と基板とを密接させたまま保持するこ
とが必要である。一例として、Tangは、ドナー層と底部
電極の所期のドナーターゲットとの間に好適な距離が存
在するように、不動態層に近接して、又はその上に、保
持された開口部又はドナー層を示す。真空又は減圧の使
用により、ＥＬ材料のドナーから基板への転写が促進さ
れる。転写に際してこのような条件を使用することは、
ＥＬ材料の中には酸素及び／又は湿分に過敏なものもあ
る点でも有利である。例えば、OLEDデバイスに用いられ
るアルミニウムヒドロキシキノリン（Alq）は、水と反
応することが知られている。さらに、低分子型及びポリ
マー型の両方のＥＬデバイスに用いられる電極材料も、
空気中では極めて不安定である。転写工程中に真空を使
用することは、OLEDデバイスの破損率を低下させること
に役立ち得る。さらに、Littman、Tang及びWolkが教示
した方法では、基板へ転写する前にドナー材料が劣化す
るためにOLEDデバイスの損失が起こり得る。一般に、ド
ナー材料は、その調製場所から、その基板への転写場所
へ、移送される。この間に、酸素、湿分その他の大気中
成分によってドナーが汚染される可能性がある。このこ
とは、当該ドナーから調製されたOLED表示装置の歩留り
低下をもたらし得る。

【０００８】

【特許文献１】米国特許第５７４２１２９号明細書

【特許文献２】米国特許第５８５１７０９号明細書

【特許文献３】米国特許第５６８８５５１号明細書

【特許文献４】米国特許第６１１４０８８号明細書

【特許文献５】米国特許第６１４０００９号明細書

【特許文献６】米国特許第６２１４５２０号明細書

【特許文献７】米国特許第６２２１５５３号明細書

【特許文献８】米国特許第５９３７２７２号明細書

【特許文献９】米国特許第６１９４１１９号明細書

【特許文献１０】米国特許第５５７８４１６号明細書

【特許文献１１】欧州特許出願公開第１０２８００１号
明細書

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、シャドーマスクを必要としない方法を提供する
ことにある。本発明のさらなる目的は、ドナー要素を使
用する方法であって、ドナー要素をその使用場所から離
れた所で用意して該ドナー要素を汚染又は損傷すること
なく運搬してくることにまつわる問題を解消する方法を
提供することにもある。本発明のさらなる目的は、フル
カラーOLED表示装置の製造に有効利用することができる
シャドーマスク不要な改良方法を提供することにもあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、湿分又は
酸素に過敏な有機発光ダイオードデバイスを、少なくと
も部分的に、製造するための現場真空法であって、 a)該有機発光ダイオードデバイスの一部となる受容体要
素を真空コーター内に用意し、 b)該真空コーター内にドナー支持体要素を用意して、該
ドナー支持体要素にコーティングを施すことにより、該
有機発光ダイオードデバイスの全部又は一部の製造に必
要な１又は２以上の層を具備したドナー要素を製造し、 c)該真空コーター内で、塗被されるべき該受容体要素に
対し、該ドナー要素のコーティング面を、材料転写関係
となるように位置決めし、そして d)該ドナー要素から該受容体要素へ１又は２以上の層を
真空中で選択的に転写させるように、該ドナー要素に輻
射線を適用することを特徴とする方法によって達成され
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】用語「OLED」は、例えば、譲受人
共通のTangの米国特許第５９３７２７２号及び譲受人共
通のLittman及びTangの米国特許第５６８８５５１号に
記載されているように、電場発光デバイス及びＥＬデバ
イスとも呼ばれる有機発光ダイオードを含む装置をさ
す。用語「表示装置」又は「表示パネル」は、ビデオ画
像又はテキストを電子的に表示することができるスクリ
ーンをさす。用語「画素」は、当該技術分野で認識され
ている意味で使用され、表示パネルの一領域であって、
他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域を
さす。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を
発することができる表示パネルを記述するために用いら
れ、具体的には、異なる色の画像を表示することができ
る表示パネルを記述するために用いられる。これらの領
域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」
は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、
任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色
表示パネルを記述するために用いられる。赤、緑及び青
の各色は三原色を構成し、この三原色を適宜混合するこ
とにより他のすべての色を発生させることができる。用
語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイ
ルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示
す。画素又は二次画素とは、一般に、表示パネルにおい
てアドレス可能な最小単位をさす。モノクロ表示装置の
場合、画素又は二次画素の間に区別はない。用語「二次
画素」は、多色表示パネルにおいて使用され、特定の色
を発光するために独立にアドレスすることができる画素
の部分をさす。例えば、青色二次画素は、青光を発する
ためにアドレスすることができる画素の当該部分であ
る。フルカラー表示装置の場合、一つの画素が、三原色
の二次画素、すなわち青、緑及び赤で構成されることが
一般的である。用語「ピッチ」は、表示パネルにおける
２つの画素又は二次画素を隔てる距離をさす。したがっ
て、二次画素ピッチは、２つの二次画素間の分離を意味
する。

【００１２】図１に、本発明の一実施態様の横断面図を
示す。ここで、同一の排気チャンバ内で、ドナー支持体
要素３０にコーティングを施し、そのコーティング材料
の受容体要素４２への転写を行なう。真空コーター１０
は、真空条件下で、ドナー支持体要素３０に蒸着法のよ
うな手段でコーティングを施し、かつ、コーティングさ
れた材料を続いて受容体要素４２に熱転写法のような方
法で転写することを可能にする密閉装置である。真空コ
ーター１０は、一つのチャンバ又は、ロードロックもし
くは同様に作用する装置、例えば、トンネルもしくはバ
ッファチャンバにより連絡することができる任意の数の
チャンバを含むことができ、非真空条件に晒されること
なくドナー要素と受容体要素を搬送することができる。
用語「真空」は、１トル以下の圧力をさす。真空コータ
ー１０は、真空ポンプ１２によって真空下に保持され
る。真空コーター１０は、当該チャンバにドナー支持体
要素３０を装填するために用いられるロードロック１４
を含む。ロードロック１４、１６は、内部の状態を外部
環境で汚染することなく真空コーター１０に材料を導入
し、かつ、そこから取り出す手段である。真空コーター
１０の内部は、コーティングステーション０と転写ステ
ーション２２を含む。コーティングステーション２０
は、真空コーター１０の内部にあって、ドナー支持体要
素３０に蒸着法のような手段でコーティングを施すこと
を可能にする場所である。転写ステーション２２は、真
空コーター１０の内部にあって、コーティングされた材
料の受容体要素４２への、例えば、熱転写法による転写
を促進する場所である。

【００１３】ドナー支持体要素３０は、ロードロック１
４の手段によって、真空コーター１０に導入される。ド
ナー支持体要素３０は、蒸着法又はスパッタ法のような
手段によりコーティング層を受け入れることができ、か
つ、その後、例えば、熱転写法により、該コーティング
の全部又は一部を転写することができる要素である。ド
ナー支持体要素３０は、必要に応じて、ドナー支持体３
２によって支持することができる。ドナー支持体要素３
０は、機械的手段によって、コーティングステーション
２０へ移送される。コーティングステーション２０はコ
ーティング装置３４を含む。コーティング装置３４は、
例えば、蒸発法やスパッタ法をはじめとする、真空中で
材料をコーティングすることができる任意の装置からな
ることができる。これは、例えば、米国特許第６２３７
５３９号並びに米国特許出願第０９／８４３４８９号
（出願日２００１年４月２６日、Steven A. Van Slyke
ら）；米国特許出願第０９／８３９８８５号（出願日２
００１年４月２０日、StevenA. Van Slykeら）；及び米
国特許出願第０９／８３９８８６号（出願日２００１年
４月２０日、Michael A. Marcusら）（これらの開示事
項を本明細書の一部とする。）に記載されているものの
ような蒸着装置その他真空中で材料をコーティングする
ことができる任意の装置であることができる。複数の材
料、例えば、ホスト材料とドーパント材料、を層状にコ
ーティングすべき場合には、これらの材料を互いに混合
して単一ソースから付着させてもよいし、また、各ソー
スに異なる材料を装填した複数のソースを使用してもよ
い。さらに、複数のソースを真空コーター１０の内部で
別々の時間に使用することにより、ドナー支持体要素３
０又は受容体要素４２の上に別個独立した層を被覆して
もよいし、また、複数のソースを使用して追加のドナー
支持体要素３０をコーティングしてもよい。コーティン
グ装置３４を活性化し（例えば、所望の材料を加熱して
気化させ）、そしてドナー支持体要素３０に材料を一様
にコーティングすると、ドナー要素３１となる。ドナー
要素３１は、その後、例えば、熱転写法により、全体又
は一部が転写され得る１又は２以上の塗被層でコーティ
ングされた要素である。

【００１４】ドナー支持体要素３０は、少なくとも下記
の要件を満たす数種の材料のいずれか又はその組合せか
ら構成されることができる。ドナー支持体要素３０は、
十分な柔軟性を示すと共に、本発明の実施においてコー
ティング工程及び支持体のロール間又は積層シート搬送
を許容するに十分な引張強さを示すことが必要である。
ドナー支持体要素３０は、片面が加圧された状態での輻
射線加熱誘発型転写工程の際、及び、水蒸気のような揮
発性成分を除去するために企図されるあらゆる予備加熱
工程の際に、構造的集結性を維持することができなけれ
ばならない。さらに、ドナー支持体要素３０は、片面上
に比較的薄い材料被膜を受容し、かつ、この被膜を、そ
の被覆支持体の予測される保存期間中に劣化させること
なく保持することができなければならない。これらの要
件を満たす支持体材料として、例えば、金属箔、プラス
チック箔及び繊維強化プラスチック箔が挙げられる。適
当な支持体材料の選定は、既知の工学的アプローチに頼
ることができる一方、本発明の実施に有用なドナー支持
体要素３０として形成された時に、選ばれた支持体材料
の特定の側面が、さらなる考慮に値することが認識され
る。例えば、ドナー支持体要素３０は、材料でコーティ
ングされる前に、多段階洗浄及び表面調製処理を必要と
する場合がある。支持体材料が輻射線透過性材料である
場合には、ドナー支持体要素３０の内部又はその表面に
輻射線吸収材料を組み入れることは、適当なレーザーか
らのレーザー光のような適当な輻射線源からの輻射線フ
ラッシュを使用した時、ドナー支持体要素３０をより効
果的に加熱して、ドナー要素３１から受容体要素４２へ
の材料転写を相応に高める点で、有利となり得る。

【００１５】典型的なOLEDデバイスは、下記の層、すな
わちアノード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層及びカソードを、通常はこの順序で、含有するこ
とができる。ドナー支持体要素３０の上に塗被される材
料は、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、発
光材料、ホスト材料、アノード材料、カソード材料、輻
射線吸収材料又はこれらの材料のいずれかの組合せであ
ることができる。当該材料は湿分及び／又は酸素に過敏
である。その意味は、水、水蒸気又は酸素の存在が、当
該材料の性能又は品質に悪影響を与え得る、ということ
である。

【００１６】正孔注入性(HI)材料 常に必要であるものではないが、有機発光表示装置に正
孔注入層を設けることが有用となる場合が多い。正孔注
入層は、後続の有機層の薄膜形成特性を改良し、かつ、
正孔を正孔輸送層に注入し易くするように機能し得る。
正孔注入層に使用するのに適した材料として、米国特許
第４７２０４３２号に記載されているようなポルフィリ
ン系化合物や、米国特許第６２０８０７５号に記載され
ているようなプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマーが
挙げられるが、これらに限定はされない。有機ＥＬデバ
イスにおいて有用であることが報告されている別の正孔
注入性材料が、欧州特許出願公開第０８９１１２１号Ａ
１及び同第１０２９９０９号Ａ１に記載されている。

【００１７】正孔輸送性(HT)材料 コーティングされる材料として有用な正孔輸送性材料
は、芳香族第三アミンのような化合物を含むことがよく
知られている。芳香族第三アミンとは、その少なくとも
一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合してい
る３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解さ
れる。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリール
アミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミ
ン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであ
ることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米
国特許第３１８０７３０号(Klupfelら)に示されてい
る。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なく
とも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリ
アリールアミンが、譲受人共通の米国特許第３５６７４
５０号及び同第３６５８５２０号(Brantleyら)に記載さ
れている。

【００１８】より好ましい種類の芳香族第三アミンは、
米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号
に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以
上含有するものである。このような化合物には、下記構
造式（Ａ）で表わされるものが含まれる。

【００１９】

【化１】

【００２０】上式中、Ｑ₁及びＱ₂は各々独立に選ばれた
芳香族第三アミン部分であり、そしてＧは、アリーレ
ン、シクロアルキレン又は炭素-炭素結合のアルキレン
基のような結合基である。一つの実施態様において、Ｑ
₁及びＱ₂の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体
（例、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である
場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナ
フタレン部分であることが便利である。構造式（Ａ）を
満たし、かつ、２つのトリアリールアミン部分を含有す
る有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式
（Ｂ）で表わされる。

【００２１】

【化２】

【００２２】上式中、Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立に、水素
原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又
は、Ｒ₁及びＲ₂は一緒にシクロアルキル基を完成する原
子群を表わし、そしてＲ₃及びＲ₄は、各々独立に、アリ
ール基であってそれ自体が下記構造式（Ｃ）で示される
ようなジアリール置換型アミノ基で置換されているもの
を表わす。

【００２３】

【化３】

【００２４】上式中、Ｒ₅及びＲ₆は各々独立に選ばれた
アリール基である。一つの実施態様において、Ｒ₅及び
Ｒ₆の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナ
フタレン）を含有する。別の種類の芳香族第三アミンは
テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリー
ルジアミンは、アリーレン基を介して結合された、構造
式（Ｃ）で示したようなジアリールアミノ基を２個含
む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式
（Ｄ）で表わされるものが含まれる。

【００２５】

【化４】

【００２６】上式中、Ａｒｅは各々独立に選ばれたアリ
ーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分で
あり、ｎは１〜４の整数であり、そしてＡｒ、Ｒ₇、Ｒ₈
及びＲ₉は各々独立に選ばれたアリール基である。典型
的な実施態様では、Ａｒ、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉の少なくと
も一つが多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）であ
る。

【００２７】上記構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
（Ｄ）の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリ
ーレン部分も、各々それ自体が置換されていてもよい。
典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、ア
リール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物
及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキ
ル及びアルキレン部分は、典型的には約１〜６個の炭素
原子を含有する。シクロアルキル部分は３〜約１０個の
炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のよ
うに、５個、６個又は７個の環炭素原子を含有する。ア
リール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分
及びフェニレン部分である。

【００２８】正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の
単体又は混合物で形成することができる。具体的には、
構造式（Ｂ）を満たすトリアリールアミンのようなトリ
アリールアミンを、構造式（Ｄ）が示すようなテトラア
リールジアミンと組み合わせて使用することができる。
トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合
わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電
子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置す
る。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシ
クロヘキサン 4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメ
タン N,N,N-トリ(p-トリル)アミン 4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-ス
チリル]スチルベン N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N-フェニルカルバゾール ポリ(N-ビニルカルバゾール) N,N’-ジ-1-ナフタレニル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジ
アミノビフェニル 4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ター
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン 4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミ
ノ]ビフェニル 4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビ
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン 2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン 2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフ
タレン N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]
アミノ}ビフェニル 4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェ
ニル 2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン

【００２９】別の種類の有用な正孔輸送性材料として、
欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多
環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ
(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレン
スルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正
孔輸送性材料を使用することもできる。

【００３０】発光性材料 コーティングされる材料として有用な発光性材料は周知
である。米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５
７２１号に詳述されているように、有機ＥＬ要素の発光
層(LEL)は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域にお
いて電子-正孔対が再結合する結果として電場発光が生
じる。発光層は、単一材料で構成することもできるが、
より一般的には、ホスト材料に単一又は複数種のゲスト
化合物をドーピングしてなり、そこで主として当該ドー
パントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発
光層に含まれるホスト材料は、後述する電子輸送性材
料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔-電子再結合を
支援する別の材料、であることができる。ドーパント
は、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性
化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第
００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第
００／７０６５５号に記載されているような遷移金属錯
体も有用である。ドーパントは、ホスト材料中、０．０
１〜１０質量％の範囲内で塗布されることが典型的であ
る。

【００３１】ドーパントとしての色素を選定するための
重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道と
の間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポ
テンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へ
のエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパ
ントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さい
ことが必須条件となる。

【００３２】有用性が知られているホスト及び発光性分
子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１
６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９
号、同第５２９４８７０号、同第５４０５７０９号、同
第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６
４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９
９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０
号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号に
記載されているものが挙げられるが、これらに限定はさ
れない。

【００３３】8-ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の
金属錯体（下記構造式Ｅ）は、電場発光を支援すること
ができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、500
nmよりも長い波長の光（例、緑色、黄色、橙色及び赤
色）を放出させるのに適している。

【００３４】

【化５】

【００３５】上式中、Ｍは金属を表わし、ｎは１〜３の
整数であり、そしてＺは、各々独立に、縮合芳香族環を
２個以上有する核を完成する原子群を表わす。上記よ
り、当該金属は１価、２価又は３価になり得ることが明
白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナトリウム
もしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウム
もしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、又はホ
ウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であること
ができる。一般に、有用なキレート化金属であることが
知られているものであれば、１価、２価又は３価のいず
れの金属でも使用することができる。

【００３６】Ｚは、その少なくとも一つがアゾール環又
はアジン環である２個以上の縮合芳香族環を含有する複
素環式核を完成する。必要であれば、当該２個の必須環
に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合
させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく
増大することを避けるため、通常は環原子の数を１８以
下に維持する。

【００３７】以下、有用なキレート化オキシノイド系化
合物の例を示す。 CO-1：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-
キノリノラト)アルミニウム(III)〕 CO-2：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノ
リノラト)マグネシウム(II)〕 CO-3：ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II) CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(II
I)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニ
ウム(III) CO-5：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キ
ノリノラト)インジウム〕 CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、
トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕 CO-7：リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチ
ウム(I)〕

【００３８】9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導
体（下記構造式Ｆ）は、電場発光を支援することができ
る有用なホスト化合物の一種であり、特に、400 nmより
も長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤
色）を放出させるのに適している。

【００３９】

【化６】

【００４０】上式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁶
は、各環上の１又は２以上の置換基であってそれぞれ下
記のグループから独立に選ばれるものを表わす。 第１グループ：水素、又は炭素原子数１〜２４のアルキ
ル； 第２グループ：炭素原子数５〜２０のアリール又は置換
アリール； 第３グループ：アントラセニル、ピレニルまたはペリレ
ニルの縮合芳香族環の完成に必要な４〜２４個の炭素原
子； 第４グループ：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニ
ルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭
素原子数５〜２４のヘテロアリール又は置換ヘテロアリ
ール； 第５グループ：炭素原子数１〜２４のアルコキシルアミ
ノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ；及び 第６グループ：フッ素、塩素、臭素又はシアノ

【００４１】ベンズアゾール誘導体（下記構造式Ｇ）
は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合
物の一種であり、特に、400 nmよりも長い波長の光
（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させる
のに適している。

【００４２】

【化７】

【００４３】上式中、ｎは３〜８の整数であり、Ｚは
Ｏ、ＮＲ又はＳであり、Ｒ’は、水素、炭素原子数１〜
２４のアルキル（例えば、プロピル、t-ブチル、ヘプチ
ル、等）、炭素原子数５〜２０のアリールもしくはヘテ
ロ原子置換型アリール（例えば、フェニル及びナフチ
ル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の
複素環式系）、ハロ（例、クロロ、フルオロ）、又は縮
合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、Ｌは、アル
キル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからな
る結合ユニットであって、当該複数のベンズアゾール同
士を共役的又は非共役的に連結させるものである。有用
なベンズアゾールの一例として2,2’,2”-(1,3,5-フェ
ニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]が
挙げられる。

【００４４】望ましい蛍光性ドーパントには、アントラ
セン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、
クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレ
ンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチ
アピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル
化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例
を挙げるが、これらに限定はされない。

【００４５】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【００４６】その他の有機発光性材料として、高分子物
質、例えば、譲受人共通の米国特許第６１９４１１９号
Ｂ１（Wolkら）及びその中の文献に記載されているポリ
フェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ-ポリフェニ
レンビニレン、ポリ-パラ-フェニレン誘導体及びポリフ
ルオレン誘導体、を使用することもできる。

【００４７】電子輸送性(ET)材料 本発明の有機ＥＬデバイスに使用するのに好ましい電子
輸送性材料は、オキシン（通称8-キノリノール又は8-ヒ
ドロキシキノリン）それ自体のキレートをはじめとする
金属キレート化オキシノイド系化合物である。このよう
な化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い
性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。
企図されるオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式
（Ｅ）を満たす化合物である。

【００４８】その他の電子輸送性材料として、米国特許
第４３５６４２９号に記載されている各種ブタジエン誘
導体、及び米国特許第４５３９５０７に記載されている
各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式
（Ｇ）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料
となる。

【００４９】その他の電子輸送性材料として、高分子物
質、例えば、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ-パ
ラ-フェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチ
オフェン、ポリアセチレンその他の導電性高分子有機材
料、例えば、Handbook of Conductive Molecules and P
olymers、第１〜４巻、Nalwa編、John Wiley and Sons,
Chichester (1997)に記載されているもの、を使用する
こともできる。

【００５０】単一層が、発光と電子輸送の双方を支援す
る機能を発揮し得る場合もあり、その場合には発光性材
料と電子輸送性材料を含むことになる。

【００５１】アノード材料 導電性アノード層は、基板上に形成され、そしてEL発光
を当該アノードを介して観察する場合には、当該発光に
対して透明又は実質的に透明であることが必要である。
本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジ
ウム錫酸化物及び酸化錫であるが、例示としてアルミニ
ウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウ
ムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物を
はじめとする他の金属酸化物でも使用することができ
る。これらの酸化物の他、アノード材料として、窒化ガ
リウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属
セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用す
ることもできる。EL発光を上部電極を介して観察する用
途の場合には、アノード材料の透過性は問題とならず、
透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料で
も使用することができる。このような用途向けの導体の
例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及
び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型
的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくて
も、４.１ eV以上の仕事関数を有する。望ましいアノー
ド材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成
長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれ
かによって付着される。アノードは、周知のフォトリソ
グラフ法によってパターン化することもできる。

【００５２】カソード材料 アノードを介して発光させる場合には、カソード材料
は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることがで
きる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が
確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧で
の電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有
用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜４.０eV）又
は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種
に、米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されてい
るMg:Ag合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがあ
る。別の好適な種類のカソード材料として、低仕事関数
金属又は金属塩の薄層に、これより厚い導電性金属の層
をキャップしてなる二層形が挙げられる。このようなカ
ソードの一つに、米国特許第５６７７５７２号明細書に
記載されている、LiF薄層にこれより厚いAl層を載せて
なるものがある。その他の有用なカソード材料として、
米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及
び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが
挙げられるが、これらに限定はされない。

【００５３】カソードを介して発光を観察する場合に
は、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならな
い。このような用途の場合、金属が薄くなければならな
いか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合
せを使用しなければならない。米国特許第５７７６６２
３号明細書に透光性カソードが詳述されている。カソー
ド材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法に
より付着させることができる。必要な場合には、例え
ば、マスク介在蒸着法、米国特許第５２７６３８０号及
び欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書に記載の
一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及
び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の
方法により、パターンを形成させてもよい。

【００５４】輻射線吸収材料 輻射線吸収材料は、譲受人共通の米国特許第５５７８４
１６号に特定されている色素のような色素、カーボンの
ような顔料、又はニッケル、クロム、チタン他のような
金属であることができる。

【００５５】受容体要素４２は、ロードロック１６によ
り真空コーター１０に導入され、そして機械的手段によ
り転写装置３６に搬送される。これは、ドナー支持体要
素３０の導入前、導入後又は導入中に起こることができ
る。転写装置３６は、熱又は熱に変換される輻射線に応
じて、真空中で、ドナー要素３１の上のコーティングさ
れた材料の転写を促進することができるいかなる装置か
らなることもできる。転写装置３６の一例、その構成、
並びにそのドナー要素３１及び受容体要素４２を含む運
転手段については、米国特許出願第 ／
号（出願日２００１年１２月１２日；Phillipsら）に記
載されており、その開示事項を本明細書の一部とする。
転写装置３６を、便宜上、密閉された構成で図示する
が、ドナー要素３１及び受容体要素４２の装填及び取出
しを行なう開放された構成もある。ドナー要素３１は、
機械的手段によって、コーティングステーション２０か
ら転写ステーション２２へ移送される。ドナー要素３１
と受容体要素４２とを材料転写関係で配置する。すなわ
ち、Phillipsらが記載しているように、ドナー要素３１
のコーティング面を、受容体要素４２の受容面に密接さ
せて配置し、圧力チャンバ４４内の流体圧力のような手
段により所定の位置に保持する。次いで、ドナー要素３
１は、レーザー３８からのレーザービーム４０のような
適用輻射線によって、透明部分４６を通して照射される
ことができる。Phillipsらが記載しているように、ドナ
ー要素３１のパターン状照射により、ドナー要素３１か
ら塗被材料が受容体要素４２へ転写される。

【００５６】受容体要素４２は、ドナーから発光材料を
受容するための表面を提供する有機固体、無機固体又は
有機・無機混合固体であることができる。受容体要素４
２は、硬質であっても軟質であってもよく、シートもし
くはウェハのような別個独立したピースとして、又は連
続ロールとして、処理されることができる。典型的な受
容体要素材料として、ガラス、プラスチック、金属、セ
ラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体
窒化物、又はこれらの組合せが挙げられる。受容体要素
４２は、材料の均質混合物、材料の複合物又は材料の多
層であることができる。受容体要素４２は、所期の発光
方向に応じて、透光性であっても不透明であってもよ
い。受容体要素４２を通してＥＬ発光を観察する場合に
は、透光性が望まれる。このような場合には、通常、透
明ガラス又はプラスチックが使用される。ＥＬ発光を最
上部電極を介して観察する用途の場合には、受容体要素
４２の透光性は問題とならず、したがって、透光性、吸
光性又は光反射性のいずれであってもよい。この場合に
使用される受容体要素として、ガラス、プラスチック、
半導体材料、セラミックス及び回路基板材料が挙げられ
るが、これらに限定はされない。受容体要素４２は、本
発明の方法が実施される前に、上述の材料（例、アノー
ド材料、カソード材料、正孔輸送材料、他）の１層又は
２層以上で処理されることができる。さらに、受容体要
素４２は、本発明の方法が実施された後に、上述の材料
（例、アノード材料、カソード材料、電子輸送材料、
他）の１層又は２層以上で、及び保護層で、処理される
こともできる。これらの処理は、真空コーター１０の外
部で行なうことも、また真空コーター１０の内部のコー
ティングステーション２０で行なうこともできる。

【００５７】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介してドナー要素３１と
受容体要素４２を取り出すことができる。

【００５８】図２に、本発明の別の実施態様であって、
同一の排気チャンバ内で、ドナー支持体要素に２以上の
層をコーティングし、そして基板への転写を行なうもの
の横断面図を示す。真空コーター１０は真空ポンプ１２
によって真空下に保持される。真空コーター１０はロー
ドロック１４を含み、これを使用してチャンバに新しい
ドナー支持体要素を装填する。真空コーター１０はロー
ドロック１６も含み、これを使用して使用済ドナー要素
を取り出す。真空コーター１０の内部には、コーティン
グステーション２０、コーティングステーション２４及
び転写ステーション２２が包含される。

【００５９】ドナー支持体要素３０は、ロードロック１
４の手段によって真空コーターに導入される。ドナー支
持体要素３０は、必要に応じて、ドナー支持体３２によ
って支持されることができる。ドナー支持体要素３０
は、機械的手段によって、コーティングステーション２
０に移送される。コーティングステーション２０にはコ
ーティング装置３４が含まれる。コーティング装置３４
を活性化し（例えば、所望のコーティング材料を加熱し
て気化させ）、そしてドナー支持体要素３０をコーティ
ング材料で一様に被覆して、ドナー要素３１にする。

【００６０】ドナー要素３１は、機械的手段によって、
コーティングステーション２０からコーティングステー
ション２４へ移送される。コーティングステーション２
４にはコーティング装置３４ａが含まれる。コーティン
グ装置３４ａを活性化し（例えば、所望のコーティング
材料を加熱して気化させ）、そしてドナー要素３１を別
のコーティング材料層で一様に被覆する。

【００６１】受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、真空コーター１０に導入され、そして機械
的手段によって転写装置３６に移送される。これは、ド
ナー支持体要素３０の導入前、導入後又は導入中のいず
れで行なうこともできる。転写装置３６は、便宜上、そ
の密閉された構成で図示されているが、ドナー要素と基
板の装填及び取出しが行なわれる開放された構成も含ま
れる。ドナー要素３１は、機械的手段によって、コーテ
ィングステーション２４から転写ステーション２２に移
送される。ドナー要素３１と受容体要素４２を材料転写
関係で配置する。すなわち、Phillipsらが記載している
ように、ドナー要素３１のコーティング面を、受容体要
素４２の受容面に密接させて配置し、圧力チャンバ４４
内の流体圧力のような手段により所定の位置に保持す
る。次いで、ドナー要素３１は、レーザー３８からのレ
ーザービーム４０のような適用輻射線によって、透明部
分４６を通して照射される。Phillipsらが記載している
ように、ドナー要素３１のパターン状照射により、ドナ
ー要素３１から塗被材料が受容体要素４２へ転写され
る。

【００６２】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介してドナー要素３１と
受容体要素４２を取り出すことができる。

【００６３】この実施態様では、２層のコーティング及
び転写が例証されるが、当業者であれば、３層以上を同
様にコーティングして転写することができることは容易
に理解することができる。

【００６４】別法として、図２の実施態様を使用して、
受容体要素に２以上の層を、別々のパターン様式転写
で、転写することもできる。この方法では、各コーティ
ングステーション２０及び２４に独自のドナー支持体要
素３０が設けられるように、真空コーター１０に複数の
ドナー支持体要素３０を導入する。各ドナー支持体要素
３０に、それぞれのコーティング装置によって、コーテ
ィング材料を一様に被覆することにより、それぞれ独自
のドナー要素３１にする。

【００６５】この実施態様では、各ドナー要素３１は、
機械的手段によって、それぞれのコーティングステーシ
ョン（２０又は２４）から転写ステーション２２へ順次
移送される。受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、真空コーター１０に導入され、そして機械
的手段によって転写装置３６に移送される。これは、ド
ナー支持体要素３０の導入前、導入後又は導入中のいず
れで行なうこともできる。転写装置３６は、便宜上、密
閉された構成で図示されているが、ドナー要素と基板の
装填及び取出しが行なわれる開放された構成も含まれ
る。ドナー要素３１と受容体要素４２を材料転写関係で
配置する。すなわち、Phillipsらが記載しているよう
に、ドナー要素３１のコーティング面を、受容体要素４
２の受容面に密接させて配置し、圧力チャンバ４４内の
流体圧力のような手段により所定の位置に保持する。次
いで、ドナー要素３１は、レーザー３８からのレーザー
ビーム４０のような適用輻射線によって、透明部分４６
を通して照射される。Phillipsらが記載しているよう
に、ドナー要素３１のパターン状照射により、ドナー要
素３１から塗被材料が受容体要素４２へ転写される。

【００６６】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介してドナー要素３１を
取り出すことができる。第２のドナー要素３１は、機械
的手段によって、転写ステーション２２に移送され、そ
して転写工程が繰り返される。数回の転写作業における
転写工程は、同一パターンのレーザー照射に従うこと
も、また、各転写を異なるパターンのレーザー照射で行
なうことも可能である。

【００６７】上記の方法を、フルカラーOLEDデバイスの
ようなフルカラー表示装置の製造に使用できることは、
当業者であれば明白である。このような装置は、一般
に、赤、緑及び青の二次画素を含む。３台のコーティン
グステーションを具備する真空コーター１０を使用し
て、必要なドナー要素３１を調製することができる。各
ドナー要素３１は、所望の出力色又は色相を反映する別
々の有機発光層、すなわち赤、青又は緑の発光層のコー
ティングで調製される。各ドナー要素３１は、機械的手
段によって、それぞれのコーティングステーションから
転写ステーション２２へ順次移送され、受容体要素４２
に対して材料転写関係となるように順次位置決めされ、
そしてレーザー３８からのレーザービーム４０のような
手段によって輻射線が透明部分４６を通して順次照射さ
れる。Phillipsらが記載しているように、ドナー要素３
１のパターン状照射により、ドナー要素３１から塗被材
料が受容体要素４２へパターン転写される。例えば、赤
色発光材料を赤色二次画素にパターン様式で転写し、青
色発光材料を青色二次画素にパターン様式で転写し、そ
して緑色発光材料を緑色二次画素にパターン様式で転写
する。受容体要素４２は、本発明の方法が実施される前
に、材料（例、アノード材料、カソード材料、正孔輸送
材料、他）の１層又は２層以上で処理されることができ
る。さらに、受容体要素４２は、本発明の方法が実施さ
れた後に、材料（例、アノード材料、カソード材料、電
子輸送材料、他）の１層又は２層以上で、及び保護層
で、処理されることもできる。これらの処理は、真空コ
ーター１０の外部で行なうことも、また真空コーター１
０の内部のコーティングステーション２０で行なうこと
もできる。

【００６８】図３に、本発明の別の実施態様であって、
同一の排気チャンバ内で、ドナー支持体要素にコーティ
ングし、基板への転写を行い、そしてドナー要素上に残
存する被覆材料を除去するものの横断面図を示す。真空
コーター１０は真空ポンプ１２によって真空下に保持さ
れる。真空コーター１０はロードロック１４を含み、こ
れを使用してチャンバに新しいドナー支持体要素を装填
する。真空コーター１０はロードロック１６も含み、こ
れを使用して使用済ドナー要素を取り出す。真空コータ
ー１０の内部には、コーティングステーション２０、転
写ステーション２２及び洗浄ステーション２６が包含さ
れる。

【００６９】ドナー支持体要素３０は、ロードロック１
４の手段によって真空コーター１０に導入される。ドナ
ー支持体要素３０は、必要に応じて、ドナー支持体３２
によって支持されることができる。ドナー支持体要素３
０は、機械的手段によって、コーティングステーション
２０に移送される。コーティングステーション２０には
コーティング装置３４が含まれる。コーティング装置３
４を活性化し（例えば、所望のコーティング材料を加熱
して気化させ）、そしてドナー支持体要素３０をコーテ
ィング材料で一様に被覆して、ドナー要素３１にする。

【００７０】受容体要素４２は、ロードロック１４又は
ロードロック１６の手段によって、真空コーター１０に
導入され、そして機械的手段によって転写装置３６に移
送される。これは、ドナー支持体要素３０の導入前、導
入後又は導入中のいずれで行なうこともできる。転写装
置３６は、便宜上、その密閉された構成で図示されてい
るが、ドナー要素と基板の装填及び取出しが行なわれる
開放された構成も含まれる。ドナー要素３１は、機械的
手段によって、コーティングステーション２０から転写
ステーション２２に移送される。ドナー要素３１と受容
体要素４２を材料転写関係で配置する。すなわち、Phil
lipsらが記載しているように、ドナー要素３１のコーテ
ィング面を、受容体要素４２の受容面に密接させて配置
し、圧力チャンバ４４内の流体圧力のような手段により
所定の位置に保持する。次いで、ドナー要素３１は、レ
ーザー３８からのレーザービーム４０のような適用輻射
線によって、透明部分４６を通して照射される。Philli
psらが記載しているように、ドナー要素３１のパターン
状照射により、ドナー要素３１から塗被材料が受容体要
素４２へ転写される。

【００７１】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６又はロードロック１４を介
して受容体要素４２を取り出すことができる。ドナー要
素３１は、機械的手段によって、洗浄ステーション２６
に移送される。洗浄ステーション２６は、真空コーター
１０の内部にあって、ドナー要素３１から被覆材料を除
去するための手段を許容し、ドナー支持体要素３０の再
使用を可能にする場所である。洗浄ステーション２６に
は、ヒータ５０又は輻射線源、例えば、フラッシュラン
プ５１及び蒸気除去手段５２が含まれる。ドナー要素３
１は、その洗浄工程において、ヒータ５０又は輻射線
源、例えば、フラッシュランプ５１により加熱され、す
なわち、加熱又は輻射線により、ドナー要素３１の被覆
材料を気化又は昇華させ、そして蒸気除去器５２で除去
する。蒸気除去器５２は、例えば、真空ポート入口、コ
ールドトラップ、着脱可能なシールド、他であることが
できる。ドナー要素３１は、ここではドナー支持体要素
３０であり、そして機械的手段によってロードロック１
６を介して取り出すことができる。別法として、ドナー
支持体要素３０を、機械的手段によって、コーティング
ステーション２０に移送することにより、再コーティン
グ及び再使用をすることができる。

【００７２】これらの作業は、各種ステーションにおい
て同時に行なうことができる。例えば、ドナー要素３１
を転写ステーション２２において輻射線誘発型転写に使
用しながら、先に転写されたドナー要素３１を洗浄ステ
ーション２６において加熱又は照射処理し、かつ、未被
覆ドナー支持体要素３０をコーティングステーション２
０においてコーティングすることができる。

【００７３】図４に、本発明の別の実施態様であって、
連結された別々の排気チャンバ内で、ドナー支持体要素
にコーティングし、そして基板への転写を行うものの横
断面図を示す。この実施態様では、真空コーター１０
は、コーティングチャンバ１０ａ及び転写チャンバ１０
ｂを含む。どちらのチャンバも真空ポンプ１２によって
真空下に保持され、そしてロードロック１８によって連
結されている。真空コーター１０はロードロック１４を
含み、これを使用してチャンバに新しい未被覆ドナー要
素を装填する。真空コーター１０はロードロック１６も
含み、これを使用して使用済ドナー要素を取り出す。真
空コーター１０の内部には、コーティングチャンバ１０
ａ内のコーティングステーション２０、及び転写チャン
バ１０ｂ内の転写ステーション２２が包含される。

【００７４】ドナー支持体要素３０は、ロードロック１
４の手段によって真空コーター１０のコーティングチャ
ンバ１０ａに導入される。ドナー支持体要素３０は、必
要に応じて、ドナー支持体３２によって支持されること
ができる。ドナー支持体要素３０は、機械的手段によっ
て、コーティングステーション２０に移送される。コー
ティングステーション２０にはコーティング装置３４が
含まれる。コーティング装置３４を活性化し（例えば、
所望のコーティング材料を加熱して気化させ）、そして
ドナー３０をコーティング材料で一様に被覆して、ドナ
ー要素３１にする。

【００７５】受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、真空コーター１０の転写チャンバ１０ｂに
導入され、そして機械的手段によって転写装置３６に移
送される。これは、ドナー支持体要素３０の導入前、導
入後又は導入中のいずれで行なうこともできる。転写装
置３６は、便宜上、その密閉された構成で図示されてい
るが、ドナー要素と基板の装填及び取出しが行なわれる
開放された構成も含まれる。ドナー要素３１は、機械的
手段によって、コーティングステーション２０から、ロ
ードロック１８を介して、転写ステーション２２に移送
される。ドナー要素３１と受容体要素４２を材料転写関
係で配置する。すなわち、Phillipsらが記載しているよ
うに、ドナー要素３１のコーティング面を、受容体要素
４２の受容面に密接させて配置し、圧力チャンバ４４内
の流体圧力のような手段により所定の位置に保持する。
次いで、ドナー要素３１は、レーザー３８からのレーザ
ービーム４０のような適用輻射線によって、透明部分４
６を通して照射される。Phillipsらが記載しているよう
に、ドナー要素３１のパターン状照射により、ドナー要
素３１から塗被材料が受容体要素４２へ転写される。

【００７６】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介してドナー要素３１及
び受容体要素４２を取り出すことができる。別法とし
て、ドナー要素３１をロードロック１６を介して取り出
す一方、受容体要素４２を所定の場所に置いておくこと
もできる。その後、受容体要素４２と新規ドナー要素３
１を使用して、転写工程を繰り返すことができる。

【００７７】この手順についてバリエーションを実施で
きることは明らかである。受容体要素４２に、コーティ
ングステーション２０で、OLED製造に有用な追加の材料
層をコーティングすることができる。このようなコーテ
ィングは、輻射線誘発型転写工程前、該工程後又はその
前後両方において行なうことができる。例えば、受容体
要素４２に、コーティングステーション２０において正
孔輸送材料を、転写ステーション２２において発光材料
を、そしてコーティングステーション２０において電子
輸送材料を、順次適用することができる。

【００７８】図５に、本発明の別の実施態様であって、
同一の排気チャンバ内で、ドナー要素が連続ウェブの一
部であり、すなわち、コーティングされる連続シートを
形成し、基板への転写を行い、そしてドナー要素上に残
存する被覆材料を除去するものの横断面図を示す。真空
コーター１０は真空ポンプ１２によって真空下に保持さ
れる。真空コーター１０はロードロック１６を含み、こ
れを使用して基板の装填及び取出しを行なう。真空コー
ター１０の内部には、ドナー支持体要素３０の連続シー
トである可動ウェブ６０が含まれる。可動ウェブ６０
は、走行方向６４に回転するホイール６２の上に保持さ
れる。真空コーター１０の内部には、可動ウェブ６０の
経路に沿って並べられた、コーティングステーション２
０、転写ステーション２２及び洗浄ステーション２６も
包含される。

【００７９】可動ウェブ６０は、転写装置３６が開放さ
れた構成にある時に、ホイール６２によって回転され
る。可動ウェブ６０の未被覆部分を移動させてコーティ
ングステーション２０に入れる。コーティングステーシ
ョン２０にはコーティング装置３４が含まれる。コーテ
ィング装置３４を活性化し（例えば、所望のコーティン
グ材料を加熱して気化させ）、そして可動ウェブ６０の
一部をコーティング材料で一様に被覆する。こうして、
可動ウェブ６０の一部がドナー要素３１になる。

【００８０】受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、真空コーター１０に導入され、そして機械
的手段によって転写装置３６に移送される。転写装置３
６は、便宜上、その密閉された構成で図示されている
が、ドナー要素と基板の装填及び取出しが行なわれる開
放された構成も含まれる。可動ウェブ６０は、転写装置
３６が開放された構成にある時に、ホイール６２によっ
て回転され、可動ウェブ６０の被覆部分がコーティング
ステーション２０から転写ステーション２２へ移動して
くる。これは、受容体要素４２の導入前、導入中又は導
入後に行なうことができる。Phillipsらが記載している
ように、可動ウェブ６０のコーティング面を、受容体要
素４２の受容面に密接させて配置し、圧力チャンバ４４
内の流体圧力のような手段により所定の位置に保持す
る。次いで、可動ウェブ６０は、レーザー３８からのレ
ーザービーム４０のような適用輻射線によって、透明部
分４６を通して照射される。Phillipsらが記載している
ように、可動ウェブ６０の被覆部分のパターン状照射に
より、可動ウェブ６０から塗被材料が受容体要素４２へ
転写される。

【００８１】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介して受容体要素４２を
取り出すことができる。可動ウェブ６０は、転写装置３
６が開放された構成にある時に、ホイール６２によって
回転され、可動ウェブ６０の使用済被覆部分が転写ステ
ーション２２から洗浄ステーション２６へ移動してく
る。洗浄ステーション２６には、ヒータ５０又は輻射線
源、例えば、フラッシュランプ５１及び蒸気除去手段５
２が含まれる。可動ウェブ６０の一部が、それを洗浄す
るヒータ５０又は輻射線源、例えば、フラッシュランプ
５１により加熱され、すなわち、可動ウェブ６０の被覆
部分の被覆材料が気化又は昇華され、そして蒸気除去器
５２で除去される。可動ウェブ６０は、転写装置３６が
開放された構成にある時に、ホイール６２によって回転
され、再コーティング及び再使用のため、可動ウェブ６
０の未被覆部分が洗浄ステーション２６からコーティン
グステーション２０へ移動してくる。

【００８２】これらの作業は、各種ステーションにおい
て同時に行なうことができる。例えば、可動ウェブ６０
の一部を転写ステーション２２において輻射線誘発型転
写に使用しながら、可動ウェブ６０の先に転写された部
分を洗浄ステーション２６において加熱又は照射処理
し、かつ、可動ウェブ６０の未被覆部分をコーティング
ステーション２０においてコーティングすることができ
る。

【００８３】別の実施態様では、可動ウェブ６０を、連
続シートではなく、長くすることができる。これは、各
種ステーションの前後で、ロール体を巻き出し、巻き取
ることにより、行なうことができる。

【００８４】図６に、本発明の別の実施態様であって、
同一の排気チャンバ内で、ドナー要素が、２以上の層が
コーティングされる連続シートを形成し、基板への転写
を行い、そしてドナー要素上に残存する被覆材料を除去
するものの横断面図を示す。真空コーター１０は真空ポ
ンプ１２によって真空下に保持される。真空コーター１
０はロードロック１６を含み、これを使用して基板の装
填及び取出しを行なう。真空コーター１０の内部には、
ドナー支持体要素３０の連続シートである可動ウェブ６
０が含まれる。可動ウェブ６０は、走行方向６４に回転
するホイール６２の上に保持される。真空コーター１０
の内部には、可動ウェブ６０の経路に沿って並べられ
た、コーティングステーション２０、転写ステーション
２２及び洗浄ステーション２６も包含される。

【００８５】可動ウェブ６０は、転写装置３６が開放さ
れた構成にある時に、ホイール６２によって回転され
る。可動ウェブ６０の未被覆部分を移動させてコーティ
ングステーション２０に入れる。コーティングステーシ
ョン２０にはコーティング装置３４が含まれる。コーテ
ィング装置３４を活性化し（例えば、所望のコーティン
グ材料を加熱して気化させ）、そして可動ウェブ６０の
一部をコーティング材料で一様に被覆する。こうして、
可動ウェブ６０の一部がドナー要素３１になる。

【００８６】可動ウェブ６０は、転写装置３６が開放さ
れた構成にある時に、ホイール６２によって回転され
る。可動ウェブ６０の一度被覆された部分をコーティン
グステーション２０からコーティングステーション２４
へ移動する。コーティング装置３４を活性化し（例え
ば、所望のコーティング材料を加熱して気化させ）、そ
して可動ウェブ６０を第二のコーティング材料層で一様
に被覆する。

【００８７】受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、真空コーター１０に導入され、そして機械
的手段によって転写装置３６に移送される。転写装置３
６は、便宜上、その密閉された構成で図示されている
が、ドナー要素と基板の装填及び取出しが行なわれる開
放された構成も含まれる。可動ウェブ６０は、転写装置
３６が開放された構成にある時に、ホイール６２によっ
て回転され、可動ウェブ６０の被覆部分がコーティング
ステーション２０から転写ステーション２２へ移動して
くる。これは、受容体要素４２の導入前、導入中又は導
入後に行なうことができる。Phillipsらが記載している
ように、可動ウェブ６０のコーティング面を、受容体要
素４２の受容面に密接させて配置し、圧力チャンバ４４
内の流体圧力のような手段により所定の位置に保持す
る。次いで、可動ウェブ６０は、レーザー３８からのレ
ーザービーム４０のような適用輻射線によって、透明部
分４６を通して照射される。Phillipsらが記載している
ように、可動ウェブ６０の被覆部分のパターン状照射に
より、可動ウェブ６０から塗被材料が受容体要素４２へ
転写される。

【００８８】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介して受容体要素４２を
取り出す。可動ウェブ６０は、転写装置３６が開放され
た構成にある時に、ホイール６２によって回転され、可
動ウェブ６０の使用済被覆部分が転写ステーション２２
から洗浄ステーション２６へ移動してくる。洗浄ステー
ション２６には、ヒータ５０又は輻射線源、例えば、フ
ラッシュランプ５１及び蒸気除去手段５２が含まれる。
可動ウェブ６０の一部が、ヒータ５０又は輻射線源、例
えば、フラッシュランプ５１により加熱されることによ
り、可動ウェブ６０の被覆部分の被覆材料が気化又は昇
華され、そして蒸気除去器５２で除去される。可動ウェ
ブ６０は、転写装置３６が開放された構成にある時に、
ホイール６２によって回転され、再コーティング及び再
使用のため、可動ウェブ６０の未被覆部分が洗浄ステー
ション２６からコーティングステーション２０へ移動し
てくる。

【００８９】この実施態様では、２層のコーティング及
び転写が例証されるが、当業者であれば、３層以上を同
様にコーティングして転写することができることは容易
に理解することができる。

【００９０】別法として、図６の実施態様を使用して、
受容体要素に２以上の層を、別々のパターン様式転写
で、転写することもできる。この方法では、各コーティ
ングステーション２０及び２４が可動ウェブ６０の異な
る部分を被覆することにより、当該ウェブの異なる部分
をそれぞれ独自のドナー要素３１にする。

【００９１】この実施態様では、可動ウェブ６０の各被
覆部分が、それぞれのコーティングステーション（２０
又は２４）から転写ステーション２２へ順次移送され
る。受容体要素４２は、ロードロック１６の手段によっ
て、真空コーター１０に導入され、そして機械的手段に
よって転写装置３６に移送される。可動ウェブ６０の被
覆部分と受容体要素４２を材料転写関係で配置する。す
なわち、Phillipsらが記載しているように、可動ウェブ
６０のコーティング面を、受容体要素４２の受容面に密
接させて配置し、圧力チャンバ４４内の流体圧力のよう
な手段により所定の位置に保持する。次いで、可動ウェ
ブ６０は、レーザー３８からのレーザービーム４０のよ
うな適用輻射線によって、透明部分４６を通して照射さ
れる。Phillipsらが記載しているように、可動ウェブ６
０の被覆部分をパターン照射することにより、可動ウェ
ブ６０から塗被材料が受容体要素４２へ転写される。

【００９２】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そして可動ウェブ６０のさらなる被覆部分を転写ス
テーション２２に移送して、当該転写工程を繰り返す。
数回の転写作業における転写工程は、同一パターンのレ
ーザー照射に従うことも、また、フルカラーOLEDデバイ
スを製造する場合のように、パターンの異なるレーザー
照射で各転写を行なうことも可能である。可動ウェブ６
０の３種の被覆部分のそれぞれは、所望の出力色又は色
相を反映する別々の有機発光層、すなわち赤、青又は緑
の発光層のコーティングで調製される。可動ウェブ６０
の各被覆部分は、それぞれのコーティングステーション
から転写ステーション２２へ順次移送され、受容体要素
４２に対して材料転写関係となるように順次位置決めさ
れ、そしてレーザー３８からのレーザービーム４０のよ
うな手段によって輻射線が透明部分４６を通して順次照
射される。Phillipsらが記載しているように、可動ウェ
ブ６０の被覆部分をパターン照射することにより、可動
ウェブ６０から塗被材料が受容体要素４２へパターン転
写される。例えば、赤色発光材料を赤色二次画素にパタ
ーン様式で転写し、青色発光材料を青色二次画素にパタ
ーン様式で転写し、そして緑色発光材料を緑色二次画素
にパターン様式で転写する。

【００９３】図７（Ａ）は、コーティングされていない
ドナー要素の構造を示す横断面図の一例である。ドナー
支持体要素３０は少なくとも、非転写面７８を含む軟質
支持体７０を含む。軟質支持体７０は、輻射線／熱変換
層７２で均一にコーティングされている。輻射線／熱変
換層７２は、対象波長において輻射線を吸収して熱を放
出することができる材料を含む。

【００９４】図７（Ｂ）は、１層の被覆材料がコーティ
ングされたドナー要素の構造を示す横断面図の一例であ
る。ドナー要素３１は、非転写面７８を含む軟質支持体
７０を含む。軟質支持体７０は、輻射線／熱変換層７２
で均一にコーティングされている。輻射線／熱変換層７
２は、対象波長において輻射線を吸収して熱を放出する
ことができる材料を含む。さらに軟質支持体７０は、被
覆材料７４で均一にコーティングされている。被覆材料
７４は、ドナー要素３１のコーティング面８０を構成す
る。

【００９５】図７（Ｃ）は、２層以上の被覆材料がコー
ティングされたドナー要素の構造を示す横断面図の一例
である。ドナー要素３１は、非転写面７８を含む軟質支
持体７０を含む。軟質支持体７０は、輻射線／熱変換層
７２で均一にコーティングされている。輻射線／熱変換
層７２は、対象波長において輻射線を吸収して熱を放出
することができる材料を含む。さらに軟質支持体７０
は、被覆材料７４及び被覆材料７６で均一にコーティン
グされている。被覆材料７６は、ドナー要素３１のコー
ティング面８０を構成する。

【００９６】図８は、本発明の別の実施態様であって、
独立した別々の排気チャンバ内で、ドナー支持体要素に
コーティングし、そして基板への転写を行うものの横断
面図を示す。この実施態様では、真空コーター１０は、
コーティングチャンバ１０ａ、転写チャンバ１０ｂ及び
移送チャンバ９０を含み、いずれのチャンバも真空下に
保持されている。コーティングチャンバ１０ａはロード
ロック１４を含み、これを使用してチャンバの装填及び
取出しを行なう。転写チャンバ１０ｂも同様にロードロ
ック１６を含み、これを使用してチャンバの装填及び取
出しを行なう。コーティングチャンバ１０ａはコーティ
ングステーション２０を含み、また転写チャンバ１０ｂ
は転写ステーション２２を含む。移送チャンバ９０は可
動であり、またロードロック９２を含む。ロードロック
９２は、ロードロック１４及び１６と共に気密シールを
形成するように設計されている。移送チャンバ９０も同
様に、移送中に真空を維持する手段（図示なし）を含む
ことができる。

【００９７】ドナー支持体要素３０は、ロードロック１
４の手段によってコーティングチャンバ１０ａに導入さ
れる。ドナー支持体要素３０は、必要に応じて、ドナー
支持体３２によって支持されることができる。ドナー支
持体要素３０は、機械的手段によって、コーティングス
テーション２０に移送される。コーティングステーショ
ン２０にはコーティング装置３４が含まれる。コーティ
ング装置３４を活性化し（例えば、所望のコーティング
材料を加熱して気化させ）、そしてドナー３０をコーテ
ィング材料で一様に被覆して、ドナー要素３１にする。

【００９８】移送チャンバ９０は、ロードロック９２が
ロードロック１４に対して気密連結を構成することがで
きるような位置に移動される。ドナー要素３１は、機械
的手段によって、コーティングステーション２０から移
送チャンバ９０へ移送される。その後、移送チャンバ９
０は、内部の真空を維持しながら、コーティングチャン
バ１０ａから切り離される。

【００９９】受容体要素４２は、ロードロック１６の手
段によって、転写チャンバ１０ｂに導入され、そして機
械的手段によって転写装置３６に移送される。転写装置
３６は、便宜上、その密閉された構成で図示されている
が、ドナー要素と基板の装填及び取出しが行なわれる開
放された構成も含まれる。移送チャンバ９０は、ロード
ロック９２がロードロック１６に対して気密連結を構成
することができるような位置に移動される。ドナー要素
３１は、機械的手段によって、移送チャンバ９０から転
写ステーション２２へ移送される。ドナー要素３１と受
容体要素４２を材料転写関係で配置する。すなわち、Ph
illipsらが記載しているように、ドナー要素３１のコー
ティング面を、受容体要素４２の受容面に密接させて配
置し、圧力チャンバ４４内の流体圧力のような手段によ
り所定の位置に保持する。次いで、ドナー要素３１は、
レーザー３８からのレーザービーム４０のような適用輻
射線によって、透明部分４６を通して照射される。Phil
lipsらが記載しているように、ドナー要素３１のパター
ン状照射により、ドナー要素３１から塗被材料が受容体
要素４２へ転写される。

【０１００】照射が完了した後、転写装置３６を開放
し、そしてロードロック１６を介してドナー要素３１及
び受容体要素４２を取り出す。別法として、ドナー要素
３１をロードロック１６を介して取り出す一方、受容体
要素４２を所定の場所に置いておくこともできる。その
後、受容体要素４２と新規ドナー要素３１を使用して、
転写工程を繰り返すことができる。

【０１０１】

【実施例】本発明とその有利な効果は、下記の例の対比
によって一層よく認識することができる。例１ 本発明の要件を満たすOLEDデバイスを以下のように構築
した。 １．幅２０．３２cm、厚さ２５．４μmのステンレスス
チール製ドナー支持体要素を、本明細書に記載したタイ
プの真空コーター内に真空下で配置した。 ２．そのドナー支持体要素の上に、加熱されたタンタル
ボートソースを含むコーティングステーションにおい
て、厚さ３７５オングストロームのトリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（III）(Alq₃)の層を蒸着した。
蒸着速度は４Å／秒とした。 ３．インジウム錫酸化物のアノード層を被覆して洗浄し
ておいたガラス製受容体要素を、ドナー要素の真空環境
を乱さないように、ロードロックを介して真空コーター
内に配置した。 ４．その受容体要素の上に、真空コーター内の第２コー
ティングステーションにおいて、厚さ１５００オングス
トロームの4,4’-ビス-[N-(1-ナフチル)-N-フェニルア
ミノ]ビフェニル（NPB）の正孔輸送層を、タンタルボー
トソースから蒸発させることにより蒸着した。 ５．真空コーター内の転写ステーションにおいて、NPB
被覆ガラス受容体要素の１cm下方に、ドナー要素を配置
した。石英ランプを使用して、約２秒間、ドナー要素か
らその被覆層を受容体要素へ完全に転写させるのに十分
な温度に、ドナー要素の非転写面を輻射加熱した。 ６．加熱されたタンタルボートソースを含むコーティン
グステーションにおいて、受容体要素の上に、厚さ３７
５オングストロームのAlq₃電子輸送層を蒸着した。 ７．一方に銀を含み、もう一方にマグネシウムを含む別
個のタンタルボートを含むコーティングステーションに
おいて、受容体要素の上に、厚さ２２００オングストロ
ームのカソード層を蒸着した。カソード層は、マグネシ
ウムと銀の原子比を１０：１とした。

【０１０２】例２ 例１に記載した方法と同様にして比較用OLEDを構築し
た。例外は、第１工程と第２工程とで調製したドナー要
素を５分間空気に晒すことで、ドナー要素の真空コータ
ーから別の独立した真空転写チャンバへの移送をシミュ
レートしたことである。このように晒した後、ドナー要
素を再度真空下に配置し、そして例１に記載した後続の
工程において使用した。

【０１０３】例３ 例１に記載した方法と同様にして比較用OLEDを構築し
た。例外は、第１工程と第２工程とで調製したドナー要
素を２０分間空気に晒すことで、ドナー要素の真空コー
ターから別の独立した真空転写チャンバへの移送をシミ
ュレートしたことである。このように晒した後、ドナー
要素を再度真空下に配置し、そして例１に記載した後続
の工程において使用した。

【０１０４】結果 上記の例で調製したデバイスを、２０mA/m²の電流で動
作させた。初期の輝度と各種使用期間後の輝度とを測定
した（cd/m²）。その結果を下記の表に示す。

【０１０５】

【表１】

【０１０６】例１の初期輝度（製造工程中に空気に晒さ
れていない場合）は６２０cd/m²であった。例２及び例
３の初期輝度（それぞれ５分間及び２０分間ドナー要素
を空気中で移送した場合）は、それぞれ３６０cd/m²及
び２７５cd/m²、すなわち例１の値の５８％及び４４％
であった。このように、短時間であってもドナー要素を
空気に晒すことは、OLEDデバイスの初期輝度にマイナス
の影響があった。さらに、例２及び例３の輝度は、経時
劣化の速度が一段と高かった。例えば、２５０時間の動
作後、例１の輝度は、その初期輝度６２０cd/m²の６７
％、すなわち４１５cd/m²であった。同一期間の動作
後、例２の輝度は、その初期輝度３６０cd/m²の３７
％、すなわち１３５cd/m²であった。

【０１０７】

【発明の効果】本発明の方法による有利な効果は、湿
分、酸素その他の大気成分を導入することなく、かつ、
シャドーマスクを使用することなく、OLEDデバイスを製
造するのに有用であることである。本発明によると、ド
ナー要素から材料をOLED受容体要素へ転写するために用
いられる同一の真空コーターにおいて、ドナー要素が製
造される。このことにより、ドナーを保存したり搬送し
たりする必要性が減少し、これに付随する汚染が防止さ
れること；ドナー面とドナーの支持体面とが接すること
による損傷や汚染が減少し、又は排除されること；及び
ドナーに対する保存要件が減少すること、をはじめとす
るいくつかの有利な効果が得られる。さらなる有利な効
果は、ドナー及び基板媒体の取扱いを含め、本法を完全
に自動化することが可能であることである。特に、本発
明は、形成過程にある複数のOLED表示装置を有する大面
積の上に有機層を形成し、よって処理量を高めるのに適
している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施態様であって、同一の真空
コーター内で、ドナー支持体要素にコーティングを施
し、かつ、基板への転写を行なうものを示す横断面図で
ある。

【図２】本発明の別の実施態様であって、同一の真空コ
ーター内で、ドナー支持体要素に２以上の層をコーティ
ングし、かつ、基板への転写を行なうものを示す横断面
図である。

【図３】本発明の別の実施態様であって、同一の真空コ
ーター内で、ドナー支持体要素にコーティングを施し、
基板への転写を行ない、かつ、ドナー要素上に残存する
被覆材料を除去するものを示す横断面図である。

【図４】本発明の別の実施態様であって、ロードロック
により連結された２つのチャンバからなる真空コーター
内で、ドナー支持体要素にコーティングを施し、かつ、
基板への転写を行うものの横断面図である。

【図５】本発明の別の実施態様であって、同一の真空コ
ーター内で、ドナー支持体要素が連続シートを形成しこ
れにコーティングを施し、基板への転写を行ない、か
つ、ドナー要素上に残存する被覆材料を除去するものを
示す横断面図である。

【図６】本発明の別の実施態様であって、同一の真空コ
ーター内で、ドナー支持体要素が連続シートを形成しこ
れに２層以上をコーティングし、基板への転写を行な
い、かつ、ドナー要素上に残存する被覆材料を除去する
ものを示す横断面図である。

【図７】（Ａ）は、コーティングされていないドナー要
素の構造を示す横断面図であり、（Ｂ）は、１層の被覆
材料がコーティングされたドナー要素の構造を示す横断
面図であり、そして（Ｃ）は、２層以上の被覆材料がコ
ーティングされたドナー要素の構造を示す横断面図であ
る。

【図８】本発明の別の実施態様であって、独立した二つ
の排気チャンバ内で、ドナー支持体要素にコーティング
を施し、かつ、基板への転写を行うものを示す横断面図
である。

【符号の説明】

１０…真空コーター １２…真空ポンプ １４、１６、９２…ロードロック ２０、２４…コーティングステーション ２２…転写ステーション ３０…ドナー支持体要素 ３１…ドナー要素 ３２…ドナー支持体 ３４…コーティング装置 ３６…転写装置 ３８…レーザー ４０…レーザービーム ４２…受容体要素 ４４…圧力チャンバ ４６…透明部分 ５０…ヒーター ５１…フラッシュランプ ５２…蒸気除去手段 ６０…可動ウェブ ６２…ホイール ７０…軟質支持体 ７２…輻射線／熱変換層 ７４…被覆材料 ９０…移送チャンバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スティーブン エー．バン スライク アメリカ合衆国，ニューヨーク 14534, ピッツフォード，サンセット ブールバー ド 16 (72)発明者 アネグロ ギウセップ ピグナタ アメリカ合衆国，ニューヨーク 14622, ロチェスター，ブックハート アベニュ 481 Ｆターム(参考） 3K007 AB18 DB03 FA01

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 湿分又は酸素に過敏な有機発光ダイオー
   ドデバイスを、少なくとも部分的に、製造するための現
   場真空法であって、 a)該有機発光ダイオードデバイスの一部となる受容体要
   素を真空コーター内に用意し、 b)該真空コーター内にドナー支持体要素を用意して、該
   ドナー支持体要素にコーティングを施すことにより、該
   有機発光ダイオードデバイスの全部又は一部の製造に必
   要な１又は２以上の層を具備したドナー要素を製造し、 c)該真空コーター内で、塗被されるべき該受容体要素に
   対し、該ドナー要素のコーティング面を、材料転写関係
   となるように位置決めし、そして d)該ドナー要素から該受容体要素へ１又は２以上の層を
   真空中で選択的に転写させるように、該ドナー要素に輻
   射線を適用することを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 さらに、 e)前記工程b〜dを繰り返すことにより、湿分又は酸素に
   過敏なデバイスの全部又は一部を製造する工程を含む、
   請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 さらに、 e)該ドナー要素を洗浄することにより、それに再度コー
   ティングを施すことを可能ならしめる工程を含む、請求
   項１に記載の方法。
4. 【請求項４】 複数の有機発光ダイオードデバイスで形
   成されるフルカラー表示装置であって湿分又は酸素に過
   敏なものを製造するのに有用な現場真空法であって、 a)該表示装置の一部となる受容体要素を真空コーター内
   に用意し、 b)該真空コーター内に複数のドナー支持体要素を用意し
   て、該ドナー支持体要素の各々が、対応する有機発光ダ
   イオードデバイスから異なる発色を得るため異なる少な
   くとも一種の材料を有するように、該ドナー支持体要素
   に材料をコーティングし、 c)塗被されるべき該受容体要素に対し、該各ドナー要素
   のコーティング面を、材料転写関係となるように順次位
   置決めし、そして d)該各ドナー要素から該受容体要素に形成される対応す
   る有機発光ダイオードデバイスへ１又は２以上の層を真
   空中で選択的に転写させるように、該位置決めされたド
   ナー要素に輻射線を順次適用することを特徴とする方
   法。
5. 【請求項５】 さらに、 e)有機発光ダイオードデバイスの一部となる１又は２以
   上の層を該受容体要素に該真空コーターで塗被する工程
   を含む、請求項４に記載の方法。