JP2008159097A - 基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気記録媒体の表裏両面の記録層に凹凸パターンを効率良く形成する。
【解決手段】被エッチング基板を保持する凹部と該凹部真下に形成された貫通孔とを備えた絶縁体部材と、当該貫通孔に係合する凸部を備えた導電体部材とを備え、前記凹部に前記被エッチング基板が載置された状態で前記凸部表面と該基板底面との間に隙間部が形成されており、該隙間部の厚さが0.05mm以上1mm以下、かつ、該絶縁体部材の厚さが1mm以上15mm以下であることを特徴とする基板ホルダを用い処理を行う。
【選択図】図2
【解決手段】被エッチング基板を保持する凹部と該凹部真下に形成された貫通孔とを備えた絶縁体部材と、当該貫通孔に係合する凸部を備えた導電体部材とを備え、前記凹部に前記被エッチング基板が載置された状態で前記凸部表面と該基板底面との間に隙間部が形成されており、該隙間部の厚さが0.05mm以上1mm以下、かつ、該絶縁体部材の厚さが1mm以上15mm以下であることを特徴とする基板ホルダを用い処理を行う。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、記録層が凹凸パターンで形成されている磁気記録媒体の製造に好適な基板ホルダ及び基板のエッチング方法に関する。
ハードディスク装置は、円盤状の磁気記録媒体を高速で回転させ、磁気ヘッドによりディジタル信号を記録・再生している。従来では、磁気記録媒体は、表面が非常に平坦な円盤状のアルミニウム基板、もしくは強化ガラス基板に、磁性体をスパッタリング等により蒸着したものを用いていた。記録密度の上昇に伴い、該記録媒体に対し、記録層を構成する磁性体の微粒子化、磁性体材料の変更、磁性体の積層構造の工夫、垂直記録方式の採用等により、面記録密度の向上が図られてきた。しかるに、媒体に起因したノイズやクロストーク、熱ゆらぎ耐性等の問題により、既存の記録媒体では記録密度向上の限界が見え始めた。そこで、磁気記録層に所定の凹凸を設ける事により、さらなる記録密度向上を実現できる磁気記録媒体、いわゆるディスクリートトラックメディアや、パターンドメディア等の記録媒体が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
磁気記録層に凹凸を設けるプロセスは、大まかに二種類に分類できる。一つ目は、基板に磁性体を蒸着したものに所望のマスクを施し、非マスク部の磁性体を直接エッチングする方法である。もう一つは、基板自体もしくは、基板に堆積させた窒化シリコンや酸化シリコン等の非磁性体膜(以降、両者を含め基板と称する)に所望のマスクを施し、該基板にエッチングにより凹凸加工を施したものに、磁性体を蒸着させる方法である。
基板もしくは磁性体にマスクを施す方法としては、ナノインプリント法や光リソグラフィー、電子線リソグラフィー等がある。また、マスクを施された基板もしくは磁性体をエッチングする方法には、ウエットエッチングや、プラズマエッチング、イオンビームエッチング、イオンミリング、中性ビームエッチング等のドライエッチングが考えられる。特に、半導体デバイスの製造で広く用いられているプラズマエッチング技術は、量産性まで考慮した、基板もしくは磁性体の凹凸加工に応用が期待できる。
プラズマエッチングは、減圧された処理室に処理用のガスを導入し、平板アンテナやコイル状アンテナ等を介して、処理室にソース電源より高周波電力を投入することで該ガスをプラズマ化し、これにより発生したイオンやラジカルを基板に照射することにより進行する。プラズマ源には、プラズマを発生させる方式の違いにより、有磁場マイクロ波タイプ、誘導結合(ICP:Inductively Coupled Plasma)タイプ、容量結合(CCP:Capacitively Coupled Plasma)タイプ等、様々な方式が存在している。
さらに、基板を載置するステージに高周波バイアスを印加することにより、プラズマ中のイオンを積極的に基板に引き込む事ができ、これによりエッチング速度の向上や、垂直加工性の向上が実現できる。該高周波バイアスは、プラズマ生成に用いられるソース電源の周波数よりも一桁から三桁低い周波数を用いる事が多い。
また、特許文献2には、基板を一枚毎ドライエッチングするのに好適な基板ホルダの例が開示されている。
しかしながら、従来のプラズマエッチング装置を用いて磁気記録媒体に凹凸加工を施そうとすると、以下に示す二点の課題が発生する。まず、第一の課題として、基板の材質が強化ガラス等の非導電体であった場合、基板に高周波バイアスが印加され難くなることが挙げられる。基板が非導電体であった場合、ステージからプラズマまでの高周波インピーダンスは、非導電体の基板が載置されている部分のみが著しく高くなってしまう。そのため、基板を介して高周波電流が流れ難くなってしまい、基板のエッチングが進行しなくなる。これを補うために高周波バイアス電力を増加させると、エネルギー効率が悪化するだけでなく、ステージの基板が載置されている部分以外がエッチングされてしまい、ステージ部品等の寿命が短くなりランニングコストが増加する懸念や、ステージ部品の削れに起因した異物が発生する懸念が起きる。
次に、第二の課題として、基板裏面のパターン損傷や、基板裏面への異物の付着が挙げられる。磁気記録媒体は、媒体一枚あたりの記録容量を上げるために表裏両面を記録層として用いている。したがって、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアも、表裏両面に凹凸加工を施す必要が生じる。基板の表側、即ち、プラズマに接する面の処理を行っている間に、基板の裏側がステージ表面に接すると、基板裏側の凹凸パターンが損傷を受ける、もしくは、基板裏側の凹凸パターンに異物が付着する事が発生する。これにより、凹凸パターンに重大な欠陥を引き起こす可能性が高くなる。
これを避けるためには、基板をステージに直接載置せず、基板の両面がプラズマと接するように、プラズマ中に基板を保持し、基板の表裏両面を一括でエッチングする方法も考えられる。しかるに、このような両面一括の処理方法は、非導電体である基板にバイアスを印加する事が困難となり、エッチング速度が上がらない事、垂直加工が困難になる事が問題となる。
さらに、基板の両面に良好な凹凸パターン加工を施すためには、エッチング処理中だけでなく、基板の搬送に関しても注意を払わなければならない。通常の半導体デバイス製造用のエッチング装置では、シリコン基板を処理室内に搬入・搬出する際には、シリコン基板の裏面に搬送アームが必ず接触する。従って、両面加工が必須である磁気記録媒体をエッチングする際に、同様な搬送システムを用いることは不可能である。
上記特許文献1や特許文献2では、このような課題については、なんら配慮されていない。
本発明の目的の1つは、両面に被処理面を有する被処理基板の処理や搬送時に、被処理基板に形成されたパターンの損傷を回避し、被処理基板の表裏両面にパターンを効率良く形成するのに適した、基板ホルダを提供することにある。
本発明の他の目的は、基板の両面に記録層が凹凸パターンで形成されている磁気記録媒体を効率良く形成するのに適した、低コストの基板製造装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
本発明の基板ホルダは、貫通孔が複数設けられた板状絶縁体部材と、該各貫通孔に係合し得る凸部を備えた導電性保持部材とを備え、前記凸部が前記貫通孔に係合した状態において、該貫通孔内に基板載置面と、該基板載置面に垂直な方向の厚みを有する隙間部とが形成されて成ることを特徴とする。
ここで、前記隙間部の厚さは0.05mmから1mmの間に設定され、前記絶縁体部材は1mmから15mmの厚さに設定され、高周波バイアスから見た前記絶縁体部材のインピーダンスを、前記隙間部と被処理基板との合成インピーダンスよりも大きくしたことを特徴としている。また、該基板ホルダは、被エッチング基板を複数載置できる構成となっている。
また、本発明による表裏両面に記録層を有する磁気記録媒体の製造方法は、被処理基板の両面に対して、O2もしくはCO2を含むガス系のプラズマによりベースレジストをエッチングする工程と、フロロカーボン系のプラズマにより絶縁体層をエッチングする工程と、O2系のプラズマにより上記絶縁体層上部に残留したレジストを除去する工程の少なくとも3つの工程を、同一の処理室にて一貫処理を行う事を特徴とする。
さらに、本発明によるプラズマ処理方法は、両面に被処理面を有する被処理基板を載置した基板ホルダ自体をエッチング装置の処理室に搬入し、基板ホルダごとプラズマ処理を行う事を特徴としている。ここで、基板ホルダの外径は、半導体デバイス用のウエハサイズと同じ200mmもしくは300mmとするのが望ましい。
本発明による基板ホルダは、被処理基板の裏面に隙間部が設けられているために、基板表面のエッチング処理を行っている間に、基板裏面に形成されたパターンを損傷することが回避できる。また、基板ホルダごと搬送を行うために、搬送中に基板裏面に形成されたパターンを損傷することも回避できる。
また、本発明による基板ホルダは、高周波バイアスから見た前記絶縁体部材のインピーダンスを、前記隙間部と被処理基板との合成インピーダンスよりも大きくなるように構成しているため、エッチングを行う磁気記録媒体のみに高周波バイアスを印加することができる。これにより、磁気記録媒体のみを効率的にエッチングすることが可能となり、前記絶縁体部材で直接プラズマに曝される部分が消耗することも抑制できる。これにより、前記絶縁体部材の削れに起因した異物の発生や、ランニングコストの上昇を抑える事が出来る。
また、本発明による基板ホルダは、複数の被処理基板を載置できるように構成しているため、被処理基板を一枚ずつ処理する場合と比較し、大幅なスループットの向上が期待できる。さらに、基板ホルダの外径を、200mmもしくは300mmとすることにより、半導体デバイスを製造するために広く用いられているエッチング装置を流用した処理が可能となり、エッチング装置に対する投資コストを抑制することができる。
また、本発明による磁気記録媒体の製造方法によれば、磁気記録媒体の表裏両面の記録層に凹凸パターンを効率良く、低コストで形成することができる。
以下、図面を用いて本発明の被処理基板のエッチング処理装置及び処理方法を実施するための最良の形態について説明する。
本発明の第一の実施形態を図1〜図8で説明する。
図1は、本発明の第一の実施形態になる基板ホルダの概略を示す斜視図である。図2は、図1のO−A断面図を示す。
図1は、本発明の第一の実施形態になる基板ホルダの概略を示す斜視図である。図2は、図1のO−A断面図を示す。
基板ホルダ101は、板状絶縁体部材1、中心絶縁体部材2、リング状導電体部材4、及び円板状導電体部材5で構成されている。円板状の板状絶縁体部材1にはその中心から等距離の位置に等間隔に複数の貫通孔3が設けられている。また、各貫通孔はその上部に基板載置面となる段部が形成されている。中心絶縁体部材2、リング状導電体部材4及び円板状導電体部材5は一体化されて、導電性保持部材を構成している。この導電性保持部材において、中心絶縁体部材2は各貫通孔3の中央部に対応する位置にあり、リング状導電体部材4は中央部が中心絶縁体部材2に嵌合し外周部が貫通孔3に係合するように構成されている。すなわち、中心絶縁体部材2とリング状導電体部材4とは、貫通孔3に係合し得る凸部を構成しており、この凸部が貫通孔3に係合した状態で、基板ホルダ101の上面には、被エッチング基板12を保持するための略リング状の凹部が形成される。
図1は、基板ホルダ101に複数枚の略リング状の被エッチング基板12が支持されている状態を示している。すなわち、各貫通孔3の上端の外径は被エッチング基板12の外径よりもわずかに大きく、略リング状の被エッチング基板12が、板状絶縁体部材1の各貫通孔3に形成された凹部に丁度収まるような構造となっており、この凹部の周縁部の基板載置面に被エッチング基板12が保持される。また、各被エッチング基板は、略リング状の凹部内において、中心絶縁体部材2により中心部付近が保持される。図2に示すように、板状絶縁体部材1が導電性保持部材上に保持され凸部が貫通孔3内に係合した状態において、各被エッチング基板の下面換言すると基板載置面と、凸部の表面換言するとリング状導電体部材4の上面との間には、基板載置面に垂直な方向に厚みを有する隙間部6が形成される。
図1は、基板ホルダに被処理基板を6枚載置した状態を示しているが、実際にはさらに多数の被処理基板を載置するよう構成する方が、スループットの観点から好ましい。例えば、基板ホルダの外径を300mmとし、それに外径φ2.5インチの被処理基板を載置する場合、12枚乃至は14枚程度の被処理基板を載置することが可能となる。外径φ2インチもしくは外径φ1.8インチの被処理基板では、さらに多数枚の被処理基板を載置することができるのは言うまでもない。この場合、板状絶縁体部材1に設ける貫通孔3の位置は、単一の円上に等間隔に配置する例に限定されるものではなく、内外2つの同心円上に貫通孔3を交互に配置するなど、基板のサイズや処理条件に応じ種々の位置を取りうることはいうまでも無い。
ここで、板状絶縁体部材1及び中心絶縁体部材2の材質は、プラズマに曝されても変質し難いものが望ましい。即ち、石英(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミ(AlN)、パイレクス(登録商標)等の材質が望ましい。中でも、比誘電率の小さい石英は、板状絶縁体部材1や中心絶縁体部材2に高周波バイアスが印加されるのを防ぐ意味で好適である。
また、板状絶縁体部材1には、被処理基板12を基板ホルダ101に載置する際や、基板ホルダと被処理基板をエッチング装置に搬入する際に位置決めをするための位置決めマーク7が設けられている。位置決めマーク7は、板状絶縁体部材1に物理的に凹部を設ける、もしくは、金属、磁性体等を板状絶縁体部材1に埋め込むことにより、作成されている。光、渦電流、磁界他の検出手段により基板ホルダ101の位置決めマーク7の位置を検出することで、基板ホルダ101のオリエンテーションを検出することを可能としている。
さらに、既存の半導体エッチング装置を用いて基板の処理をすることが可能となる。すなわち、板状絶縁体部材1の外径をφ200mmもしくはφ300mmとすることにより、既存の半導体エッチング装置の下部電極(ステージ)上に、例えばφ300mmのウエハの代わりにφ300mmの板状絶縁体部材1を載置して、多数枚の被処理基板を同時に処理することが可能となる。
導電性保持部材すなわちリング状導電体部材4及び円板状導体部材5の材質としては、アルミニウム、各種アルミ合金、チタン合金、ステンレス、ボロンドープシリコン等の導電材料が好ましい。さらに、リング状導電体部材4と円板状導体部材5は、ろう付け、溶接等の手段で一体化されている方が好ましい。
図3に示したように、基板ホルダ101は、板状絶縁体部材1に対し、導電性保持部材すなわち中心絶縁体部材2、リング状導電体部材4及び円板状導電対部材5が上下に分離できる構造となっている。また、中心絶縁体部材2及び貫通孔3は、軸方向において、中央部か突出することで、各々上下に段部が形成されている。中心絶縁体部材の上側の段部21と貫通孔3の上側の段部31とは、板状絶縁体部材1と中心絶縁体部材2、リング状導電体部材4及び円板状導電対部材5を結合させた図2の状態において、実質的に同じ高さであり、これらの段部21と段部31により上記凹部に基板載置面を構成する。なお、段部31を若干高くし、これのみで基板載置面を構成するようにしても良い。中心絶縁体部材2の下側の段部はリング状導電体部材4の中央の穴の段部に対応している。貫通孔3の下側の段部32には、リング状導電体部材4の外周の段部41が係合する。さらに、板状絶縁体部材1の下面に形成された凹部に円板状導体部材5が係合する。
被処理基板12の載置面とリング状導電体部材4の上表面40との間には、図2に示したように、隙間部6が形成されるように構成されている。換言すると、基板ホルダ101に被処理基板12を載置した状態において、被処理基板12とリング状導電体部材4の上表面40との間には、基板載置面に垂直な方向に0.05mmから1mm程度の厚みの隙間部6が形成される。本発明による基板ホルダでは、この隙間部6を設ける事により、被処理基板をその裏面に形成されたパターンに損傷を与えることなくエッチング処理が可能となる。
次に、本発明による基板ホルダに対応した、被処理基板の搬送機構について、図3で説明する。この搬送機構は、押し上げ機構8、第一の基板保持機構9及び第二の基板保持機構15を備えている。第一の基板保持機構9は、被処理基板12を内周部を保持しつつ搬送可能である。第二の基板保持機構15は、被処理基板12の外周部を保持してこの基板の上下方向を反転させるのに使用される。
基板ホルダ101に被処理基板を載置する場合、まず、板状絶縁体部材1を押し上げ機構8により押し上げることにより、板状絶縁体部材1に対し、中心絶縁体部材2、リング状導電体部材4、円板状導電対部材5を分離する。この状態で、第一の基板保持機構9にて保持した被処理基板12を、板状絶縁体部材1の貫通孔3内の載置面すなわち凹部に逐次載せていく。板状絶縁体部材1に備えられた複数個の貫通孔3の全てに被処理基板を載置し終わった後、押し上げ機構8を下降させる。
次に、本発明の第一の実施形態になる基板ホルダを用いて基板を処理するエッチング装置及び搬送機構について説明する。図4は、半導体用のエッチング装置の概略を示す平面図である。以下に示した半導体エッチング装置は、あくまでも一例であり、どのような形態のものでも構わない。また、以下の説明では、「被処理基板を複数枚設置した状態の基板ホルダ」を「基板ホルダ」と称する。
図4において、102は、被処理基板12を複数枚載置した基板ホルダ101を複数枚収容したフープであり、半導体処理用のエッチング装置の大気搬送部に設置する。
フープ102に収納された状態の基板ホルダ101は、大気搬送ロボットの搬送アーム104によりフープから取り出された後、大気搬送部のアライナ105に載置される。アライナは基板ホルダの水平面内での位置の微調整と、周方向の位置決めの役割を担っている。
次に、図5を用いて、本発明の基板ホルダを用いて被処理基板を処理するのに好適な、エッチング装置の処理室109の構成例について説明する。図5は、半導体用のエッチング装置の概略を示す縦断面図である。
真空排気され、接地された真空チャンバ201の上部には、絶縁体天板202とシャワープレート203が備えられている。ガス供給系204より供給されたプロセスガスは、該シャワープレートにより均一に処理室に導入される。処理室下部には、温調機構212により一定温度に温調されたステージ207が備えられており、基板ホルダ101はステージ207に載置される。処理室上部には導波管205が備えられており、この導波管を介して、図示しないプラズマソース電源からマイクロ波が処理室に供給される。処理室201の外部には、2系統ないし3系統のソレノイドコイル208と、ヨーク209が備えられており、ソレノイドコイルに任意の直流電流を流す事により、処理室に任意の形状の磁場を発生させることができる。該磁場とマイクロ波との相互作用により、処理室内に導入されたプロセスガスをプラズマ化することができる。さらに、ソース電力や磁場配置、処理圧力等を調節することにより、プラズマ密度やプラズマ分布を詳細に制御できる構成となっている。
ステージ207には整合器210を介して高周波電源21が接続されており、基板ホルダ101に設置された被処理基板に高周波バイアスを印加することができる構成となっている。該高周波バイアスは、プラズマ中のイオンを積極的に被処理基板に引き込み、垂直な処理形状と高速な処理速度を実現することができる。
また、ウエハステージはダイポール式の静電チャックを備えた構成とし、被処理基板の処理時に、基板ホルダの円板状導電体部材5を静電吸着力により、ウエハステージ上に保持できるようにしても良い。
本実施例によれば、基板ホルダ内の被処理基板の裏面に隙間部が設けられているために、基板表面の処理を行っている間に、基板裏面に形成されたパターンの損傷を回避でき、さらに、磁気記録媒体のみに高周波バイアスを印加することができるため、磁気記録媒体のみを効率的にエッチングすることが可能となる。
次に、実施例2として、本発明による基板ホルダを用いた基板のエッチング方法について、図3乃至図5を参照しつつ、説明する。まず、被処理基板12を基板ホルダ101に載置する。この時点で、被処理基板の表裏両面には、すでにマスク用のパターンが形成されているものとする。
まず、図3に示したように、板状絶縁体部材1を押し上げ機構8により押し上げておき、第一の基板保持機構9にて内周部を保持した被処理基板12を、板状絶縁体部材1の基板載置面である凹部に逐次載せていく。板状絶縁体部材1に備えられた複数個の基板載置面の全てに被処理基板を載置し終わった後、押し上げ機構8を下降させる。ここでは、被処理基板の表面、裏面のパターン部分に接触せずに被処理基板12を基板ホルダに設置する事が重要である。
複数枚の被処理基板をセットし終えた基板ホルダは、半導体エッチング装置用のウエハカセットもしくはフープにセットされる。
次に、図4に示したように、被処理基板12を複数枚設置した基板ホルダを複数枚収容したフープを、半導体処理用のエッチング装置の大気搬送部に設置する。フープ102に収納された状態の基板ホルダ101は、大気搬送アーム104によりフープから取り出された後、アライナ105に載置される。アライナにより位置と方向を調整された基板ホルダはロック室106に搬入される。次に、ロック室が図示しないポンプにより真空排気された後、基板ホルダ101は、真空搬送アーム108によりバッファ室107に搬入される。その後、基板ホルダ101は処理室109に搬入され、所定のエッチング処理を施される。即ち、被処理基板12は、基板ホルダ101ごとエッチング装置内に搬送され、基板ホルダごとエッチング処理を施されることになる。この際、ここまでで述べてきたように、本発明による基板ホルダを用いることにより、被処理基板12のみを効率的にエッチングでき、また、板状絶縁部材1はプラズマにより殆ど損傷を受けない。さらに、被処理基板12の裏側に設けた隙間部6により、被処理基板12の裏面のパターンに損傷を与える事もない。
次に、片面の処理を終えた被処理基板12を載置した基板ホルダ101は、真空搬送アーム108により処理室109から搬出され、ロック室106に搬入される。次にロック室を窒素ガスまたはドライエアでパージする。ロック室の圧力が大気圧まで上がった後、基板ホルダ101は大気搬送アームによりロック室から搬出され、フープ102に回収される。
ここまで説明してきた手順で、全ての被処理基板基12の処理が終了し、全ての被処理基板基12を載置した基板ホルダ101が回収された後、該フープは、エッチング装置から回収される。
次に、被処理基板12の表裏を反転させる手順について、再度図3を用いて説明する。まず、板状絶縁体部材1を押し上げ機構8により押し上げておき、第一の基板保持機構9にて被処理基板12の内周部を保持し、被処理基板12を板状絶縁体部材1から持ち上げる。次に第二の基板保持機構15により被処理基板12の外周部を保持した後、第一の基板保持機構9を開放する。次に、第二の基板保持機構15を図中θ方向に180°回転させ、基板の上下方向を反転させた後、再度、第一の基板保持機構9にて被処理基板12の内周部を保持し、第二の基板保持機構15を開放する。最後に第一の基板保持機構9を下降させ、表裏が反転している被処理基板12を板状絶縁体部材1に設置する。これら一連の作業を、被処理基板12の枚数分だけ実施する。
複数枚の表裏が反転した被処理基板12をセットし終えた基板ホルダ101は、再度、半導体エッチング装置用のフープにセットされる。該フープは、再度エッチング装置に設置され、まだ処理を施されていない面のエッチング処理を実施する。該処理はこれまで説明してきたのと同様の手順で行うため、説明を省略する。
最後に、両面の処理が終了した被処理基板12を載置した基板ホルダが収納されたフープをエッチング装置から回収した後、基板ホルダ101から、被処理基板12を回収する。
まず、板状絶縁体部材1を押し上げ機構8により押し上げておき、基板保持機構9にて内周部を保持した被処理基板12を、板状絶縁体部材1の凹部から逐次回収していく。板状絶縁体部材1に備えられた複数個の凹部全てから被処理基板を回収し終わった後、押し上げ機構8を下降させる。
ここまでの説明では、板状絶縁体部材1を押し上げ機構8にて押し上げる事により、被処理基板の載置や回収を行っていたが、実施例1の変形例として、中心絶縁体部材2を押し上げることでも、被処理基板を載置、回収することが出来る。この場合、円板状導電体部材5の中心絶縁体部材2の直下に開口部を設け、該開口部を介して中心絶縁体部材2を押し上げるための押し上げ機構8を、被処理基板の枚数分設置すればよい。この場合でも、中心絶縁体部材2とリング状導電体部材4とで構成される凸部が、板状絶縁体部材1の貫通孔3内に係合した状態において、各被エッチング基板の下面換言すると基板載置面と、凸部の表面換言するとリング状導電体部材4の上面との間に、基板載置面に垂直な方向に厚みを有する隙間部6が形成されるように構成する。また、中心絶縁体部材2はリング状導電体部材4及び円板状導電体部材5に対して上下動可能に構成される。この場合、基板保持機構9は、被処理基板の外周部を保持する構造にすればよい。
本発明によれば、隙間部6の厚さと、板状絶縁体部材1の厚さを以下に示すように設定することにより、被処理基板12に効率的に高周波バイアスを印加することが可能となる。
図6に、本発明による基板ホルダ101を用いてエッチングを行っている際の模式図を示す。基板ホルダ101の上部には、CCPやICP、もしくは、有磁場マイクロ波プラズマ源を用いて生成したプラズマ20が存在しており、基板ホルダの円板状導電体部材5及びリング状導電体部材4には、高周波電源21より周波数100kHz〜13.56MHz程度の高周波バイアスが印加されている。プラズマと基板ホルダ及び被処理基板の上面には、バイアスを印加することによりイオンシース23が形成される。
印加された高周波バイアス電流は、板状絶縁体部材1−シース23(経路b)を経由してプラズマ20に流れ込む分と、隙間部6−被処理基板12−シース23(経路c)を経由してプラズマ20に流れ込む分と、に分解して考える事が出来る。
この状態を、電気的な等価回路で示したものが図7である。ここで、板状絶縁体部材1、隙間部6、被処理基板12は、いずれも、高周波バイアスに対しては、キャパシタンス成分とみなせ、シース23は、あるインピーダンスを持った非線形素子とみなせる。
図7において、Z1bは板状絶縁体部材1の単位面積あたりの高周波インピーダンスを、Zsbは板状絶縁体部材1の上部に形成されるシースの単位面積あたりの高周波インピーダンスを示している。また、Z6cは隙間部6の、Z3cは被処理基板12の、Zscは被処理基板12の上部に形成されるシースの、単位面積あたりの高周波インピーダンスを示している。また、Ibは経路bを経由して流れる高周波電流の電流密度を、Icは経路cを経由して流れる高周波電流の電流密度を示している。
ここで、隙間部6と被処理基板12が作る合成インピーダンス(Z6c+Z3c)が板状絶縁体部材1のインピーダンスZ1bと等しかった場合を考える。本状態をケース1とする。この場合では、被処理基板12上のシースにかかる電圧Vscと、板状絶縁体部材1上のシースにかかる電圧Vsbは当然等しくなる。また、経路cを流れる電流密度Icと経路bを流れる電流密度Ibも等しくなる。即ち、被処理基板12上のシースで消費される電力密度IcVscと、板状絶縁体部材1上のシースで消費される電力密度IbVsbとは等しくなる。
次に、前記した状態から板状絶縁体部材1の厚さを若干厚くし、板状絶縁体部材1の作るインピーダンスZ1bを大きくした場合を考える。本状態をケース2とする。この場合、次のような現象が起こる。
(1)経路b内で各素子にかかる電圧を考えると、Z1bに分圧される電圧V1bが大きくなるため、シースにかかる電圧Vsbは逆に小さくなる。
(2)経路bと経路cに分流される電流密度を考えると、Z1b > Z3c + Z6c となるため、経路bに流れるバイアス電流の電流密度Ibが小さくなる。
(3)上記(1)、(2)の相乗効果により、板状絶縁体部材1の上部に形成されるシースで消費される電力Vsb×Ibは大幅に減少する。
このように、板状絶縁体部材1の厚さを若干厚くすることにより、板状絶縁体部材1上のシースで消費される電力は大幅に減少し、その結果、被処理基板12上のシースで消費される電力が大幅に増加することになる。即ち、投入したバイアス電力は、効率的に被処理基板12のエッチングに寄与することになる。
逆に、板状絶縁体部材1の厚さをケース1から若干減じた場合、ケース2で述べた事と全く逆の現象がおこる。即ち、被処理基板12上のシースで消費される電力が大幅に減少することになり、投入したバイアス電力は、被処理基板12のエッチングに殆ど寄与しなくなる。
ここまでで述べてきた事から明らかなように、板状絶縁体部材1よりも被処理基板12に効率的にバイアス電力が投入される臨界状態は、ケース1、即ち、隙間部6と被処理基板12が作る合成インピーダンス(Z6c+Z3c)が板状絶縁体部材1のインピーダンスZ1bと等しくなった状態であることが分かる。また、ケース1では板状絶縁体部材1の厚さを増加させることにより被処理基板12を効率的にエッチングできることを示したが、同様の考え方をすれば、隙間部6の厚さを減じること、即ち、Z6cを減じる事によっても同様な効果を期待できることが分かる。
次に、隙間部6をある厚さ t6 に設定した際に、支持誘電体部材1の厚さ t1 をどの程度まで厚くすれば被処理基板12に効率的に高周波バイアスが印加されるようになるかを具体的に見積もった。
図8の実線は、隙間部6の厚さ t6 に対する支持誘電体部材1の臨界厚さt1c を示しており、Z1b = Z6c + Z3c の関係を満たす線である。ここでは、支持誘電体部材1の比誘電率を4(石英)、隙間部6の比誘電率を1(真空)、被処理基板の比誘電率を6(ガラス)、被処理基板の厚さを0.65mmとして見積もってある。図8において、本実線よりも上の領域に存在するt1,t6の値の組み合わせを用いれば、支持誘電体部材よりも被処理基板により多くのバイアスが印加されることになる。
さらに、図8の破線はT1c を示しており、Z1b = 1.5 × (Z6c + Z3c) なる関係を満たす線である。図8の破線よりも上の領域に存在するt1,t6の組み合わせを用いれば、さらに効率的に、被処理基板12に高周波バイアスを印加することが可能となる。ここで、図8の破線は、臨界厚さt1cと隙間部6の厚さt6とを用いて、概ね、T1c = 0.65 + 6×t6 なる直線で表すことが出来る。さらに、破線を表す直線の式における切片の値0.65は、被処理基板の厚さ0.65mmに相当している。即ち、被処理基板12の厚さをt3とした場合、ある隙間部6の厚さt6に対し、 t1c > (t3 + 6×t6) なる関係を満たすように支持誘電体部材1の厚さt1c を定めればよい事になる。
また、図8中には、加工限界を示す一点破線と、搬送限界を示す二点破線が示してある。加工限界とは、誘電体支持部材1を機械加工で作成する際の精度で限定され、隙間部6の厚さの最小値を示しており、おおむね0.05mm程度である。また搬送限界とは、一般的な半導体用のエッチング装置で搬送しうる支持誘電体部材1の厚さt1cの最大厚さを示しており、これは通常7-8mm程度となる。よって、斜線で示した領域が、好ましい領域となる。なお、支持誘電体部材1は被処理基板にバイアスを効率よく印加する観点からは、より厚い方が望ましいが、厚くなりすぎると、搬送経路でエッチング装置の一部と接触する懸念が生じる。本懸念は、半導体エッチング装置に僅かな改造を加える事により解消可能であるものの、絶縁体部材のコストや、絶縁体部材の重量増加も考慮した場合、t1cは15mm程度の厚さが限界であると考える。
本実施例によれば、基板ホルダは、高周波バイアスから見た前記絶縁体部材のインピーダンスを、前記隙間部と被処理基板との合成インピーダンスよりも大きくなるように構成しているため、エッチングを行う磁気記録媒体のみに高周波バイアスを印加することができる。これにより、磁気記録媒体のみを効率的にエッチングすることが可能となり、前記絶縁体部材で直接プラズマに曝される部分が消耗することも抑制できる。これにより、前記絶縁体部材の削れに起因した異物の発生や、ランニングコストの上昇を抑える事が出来る。
次に、図9により、本発明による基板ホルダ101を用いた基板の加工プロセスの例を示す。この場合の基板は、例えば、ディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体である。ディスクリートトラックメディアは、それぞれのデータトラックが形成された溝によって物理的、磁気的に分離されている記録媒体である。ディスクリートトラックメディアは記録に必要なトラック部分のみを残し、記録に不要なトラック間は磁牲材料を除去し、ここに非磁性材料を充填する。製造工程としては、まず記録媒体上のレジスト樹脂にパターンを転写し、この転写された樹脂パターンをマスク材としてドライエッチングにより記録媒体の表面に溝を形成する。磁気ヘッドの浮上安定性を確保するために、一旦形成した溝に再び非磁性材料を埋め込み平坦化した後、保護膜などを形成する。一旦形成した溝を埋め戻して記録媒体の表面を鏡面に仕上げるために、ナノオーダーの微細加工技術が求められる。以下、図に基づいて説明する。
図9において、(a1)は基板ホルダ101と共にエッチング処理室に搬入される被処理基板の状態、換言すると、強化ガラス基板303の上に絶縁体層302を形成し、その上に所望のパターン(即ち、ドットパターンや溝パターン、サーボパターン)のレジストマスク部301を形成した状態を示している。ここで、絶縁体層303の材質は窒化シリコン、酸化シリコン等の材質が用いられる。また、マスク部301の形成は、インプリント法や光、電子線リソグラフィー法を用いて行う。
まず、第一の工程としてエッチング処理室においてドライエッチングにより、(a2)示したように、ベースレジスト部を除去する。この第一の工程では、サイドエッチ量を抑えながらベースレジスト層を除去する必要があり、かつ、下地の絶縁膜層302との選択性が要求されるため、O2やCO2が用いられる。さらに、これらのガスをN2やAr等の反応性の小さいガスで希釈することで、さらなるサイドエッチ量の抑制が期待できる。
次に、第二の工程で、(a3)に示したように、絶縁体層302のエッチングを行う。本ステップでは、絶縁体層の垂直加工性と、マスクであるレジスト材料との選択比が要求されるため、CF4,CHF3,CH2F2,C4F8,C5F8,C4F6等のフロロカーボン系のガスを2〜3種類混合して用いる場合や、これらのフロロカーボン系のガスをAr,N2,Xe等の反応性の小さいガスで希釈し、さらにO2等を添加する場合が多い。また、第一の工程での酸素雰囲気が残留していると、レジスト選択比が低下する事があるため、第一の工程と第二の工程の間では、放電を中断する事が望ましい。
次に、第三の工程で、(a4)で示したように、パターン上部に残ったレジスト材料をO2プラズマによりアッシングし除去する。また、本発明では、上記してきた第一の工程から第三の工程を、一つのエッチング処理室で一貫処理する事ができる。
上記した第二の工程で用いられるフロロカーボン系のガスは堆積性が強く、処理室内の壁等にもCF系のポリマーが堆積する。これによりエッチング特性が経時変化したり、壁からポリマーが剥離し、異物となる可能性が大きいが、第三の工程はパターン上に残ったレジスト材料を除去するだけでなく、壁に堆積したCF系ポリマーを除去するクリーニングの役目も兼ねている。即ち、第一の工程から第三の工程を、一つのエッチング処理室で一貫処理することにより、処理室の状態を常に一定に保つことが可能となり、低異物で長期間安定した処理が期待できる。第一の工程から第三の工程までを実施することにより、図9の(a1)〜(a4)までの処理を実施する部分が、本発明による基板ホルダと基板ホルダを用いたエッチング方法の特徴である。なお、上記3つの工程に、さらに他の工程を加えて一つのエッチング処理室で一貫処理する場合も、同様な効果があることはいうまでもない。
絶縁体層302のエッチングが終了した後は、ウエット処理装置によるウエット洗浄工程を経た後、スパッタリング装置により、Co,Ni,Fe,Pt等の合金からなる複数層の磁性体304を堆積させ、図9の(a5)に示したような磁性体がパターニングされた状態を形成する。さらに、パターン凹部をスパッタリングやSOG (Spin On Glass) 塗布により絶縁物で埋め、CMP (Chemical Mechanical Polyshing) 法やエッチバック、ミリング等による平坦化を実施することで、表面が非常に滑らかで、かつ、磁性体がパターニングされたディスクリートトラックメディア等の磁気記録媒体を作成できる。
本実施例によれば、複数の被処理基板を載置できるように構成しているため、被処理基板を一枚ずつ処理する場合と比較し、大幅なスループットの向上が期待できる。さらに、基板ホルダの外径を、200mmもしくは300mmとすることにより、半導体デバイスを製造するために広く用いられているエッチング装置を流用した処理が可能となり、エッチング装置に対する投資コストを抑制することができる。
次に、図10により、本発明による基板ホルダ101を用いた基板の別の加工プロセスの例を示す。図9の加工プロセスは、予め基板をパターニングしておき、そこに磁性体をスパッタリングで堆積させる方法であったが、以下で説明する実施例4は、直接磁性体を加工する方法である。
図10の(b1)は、強化ガラス基板303上に磁性体304を堆積させ、その上に所望のパターンのレジストマスク部301を形成した状態を示している。ここで、磁性体304は、磁気特性の向上や磁性膜の安定性を向上させるために多層構造をとることが普通であるが、図と説明の簡略化のために単層構造で示している。
まず、第一の工程として(b2)に示したように、エッチング処理室においてドライエッチングによりベースレジスト部を除去する。これには、サイドエッチ量を抑えながらベースレジスト層を除去する必要があり、かつ、下地の絶縁膜層302との選択性が要求されるため、O2やCO2が用いられる。さらに、これらのガスをN2やAr等の反応性の小さいガスで希釈することで、さらなるサイドエッチ量の抑制が期待できる。
次に、第二の工程として(b3)で示したように、磁性体304を直接エッチングする。これには、CO+NH3等のガス系を用いることが多い。磁性体材料は揮発性に乏しいため、バイアスを印加しないと殆どエッチングが進行しないが、本発明による基板ホルダを用いる事により効率的にバイアスを印加する事が可能となり、高スループットの処理が期待できる。
次に、第三の工程として(b4)で示したように、パターン上部に残ったレジスト材料をO2プラズマによりアッシングし除去する。このように、(b1)〜b4までの処理を実施する部分が、本発明による基板ホルダと基板ホルダを用いた別のエッチング方法である。さらにその後、パターン凹部に絶縁体を埋め込み、表面の平坦化を実施することで、磁気記録媒体が作成できる。
第一の工程から第三の工程を、一つのエッチング処理室で一貫処理することにより、処理室の状態を常に一定に保つことが可能となり、低異物で長期間安定した処理が期待できる。なお、上記3つの工程に、さらに他の工程を加えて一つのエッチング処理室で一貫処理する場合も、同様な効果があることはいうまでもない。
本実施例によれば、複数の被処理基板を載置できるように構成しているため、被処理基板を一枚ずつ処理する場合と比較し、大幅なスループットの向上が期待できる。
以上、本発明による基板ホルダを用いたエッチング方法について説明してきたが、エッチング装置自体に関しては、半導体製造用のものを流用することで、コスト削減を図ることができる。また、エッチング装置に関しては、誘導結合型、平行平板型、有磁場マイクロ波型ほか、如何なる方式を用いたエッチング装置を用いても構わない。
また、ここまでに説明してきた、本発明による基板ホルダを用いたエッチング方法では、被処理基板12を基板ホルダに設置する際は、基板をホルダに設置、反転、回収をするための装置が必要となるが、該機構を、エッチング装置自体に具備させることも可能である。
次に、本発明を実施するための他の実施形態について説明していく。この実施形態の断面図を図11に示す。第一の実施形態で説明した個所については、説明を省略する。また、図11は、本発明による基板ホルダがエッチング装置内のステージ207に載置されている状態を示している。ステージ207は、温調機構212と、冷却ガス導入機構213が備えられており、整合器210を介して高周波電源211が接続されている。また、電極外周部は、電極上部以外にバイアス電力が漏れる事を防ぐために、石英もしくはアルミナ製のサセプタ214も具備されている。
この実施形態では、被処理基板12とリング状導電体部材5の間の隙間部6にヘリウム、アルゴン、窒素等のガスを導入するためのガス導入機構10を備えている。さらに、被処理基板チャッキング機構11を備えている。
ガス導入機構10は、被処理基板12の上面をエッチング処理している際に、隙間部6にガスをパージすることにより、被処理基板12の下面が損傷することを防止する。エッチングは、プラズマにより生成したイオンやラジカルが基板に入射することで進行するが、被処理基板12の上面をエッチングしている最中に、隙間部6にラジカルが進入する可能性がある。
隙間部6に進入したラジカルは、被処理基板12の下面のマスクパターンや、既にエッチング処理されたパターンに損傷を与える可能性がある。エッチング処理中にガス導入機構10により隙間部6にガスをパージし、処理圧力よりも、隙間部6の圧力を高く保つことにより、隙間部6へのラジカルの進入を防止することができる。
処理圧力は、通常0.2Pa〜20Pa程度であるが、隙間部6へのパージ圧力を0.3kPa〜3kPa程度とすることにより、隙間部6へのラジカルの進入は完全に防止できる。さらに、隙間部6へガスパージを行うことにより、被処理基板の温度調節をすることが可能となり、より精密な処理を実施することができる。また、被処理基板チャッキング機構11により、処理圧力よりも隙間部6の圧力を高くした際の、被処理基板12の浮き上がりを防止することができる。
基板ホルダ自体へのガス供給は、エッチング装置のウエハステージに通常具備されている冷却ガス導入機構213から行われる。この際、ウエハステージから基板ホルダが浮上してしまう懸念は、ダイポール式の静電チャックを備えたウエハステージを用い、基板ホルダの円板状導電体部材5をステージに電気的にチャッキングすることにより回避できる。
以上説明してきたように、本実施形態を用いることにより、被処理基板裏面の損傷を防止することができ、さらに、被処理基板の温調が可能となるため、より精密な加工を行うことができる。
1:板状絶縁体部材、2:中心絶縁体部材、4:リング状導電体部材、5:円板状導電体部材、6:隙間部、7:位置決めマーク、8:押し上げ機構、9:第一の基板保持機構、10:ガス導入機構、11:被処理基板チャッキング機構、12:被処理基板、15:第二の基板保持機構、21:高周波電源101:基板ホルダ、102:フープ、104:大気搬送アーム、105:アライナ、106:ロック室、107:バッファ室、108:真空搬送アーム、109:処理室、201:真空チャンバ、202:絶縁体天板、203:シャワープレート、204:プロセスガス供給系、205:導波管、207:ステージ、208:コイル、209:ヨーク、210:整合器、211:高周波電源、212:温調機構、213:冷却ガス供給機構、301:マスク部、302:絶縁体層、303:強化ガラス基板、304:磁性体。
Claims (11)
- 貫通孔が複数設けられた板状絶縁体部材と、該各貫通孔に係合し得る凸部を備えた導電性保持部材とを備え、
前記凸部が前記貫通孔に係合した状態において、該貫通孔内に基板載置面と、該基板載置面に垂直な方向の厚みを有する隙間部とが形成されて成ることを特徴とする基板ホルダ。 - 請求項1において、
前記隙間部の厚さが0.05mm以上1mm以下、かつ、前記板状絶縁体部材の厚さが1mm以上15mm以下であることを特徴とする基板ホルダ。 - 請求項1において、
前記基板載置面に保持される被処理基板の厚さをt3としたとき、前記凸部表面と該被処理基板の底面との間に厚さt6の前記隙間部が形成されており、該隙間部の厚さt6が0.05mm以上1mm以下、かつ、該絶縁体部材の厚さt1cが1mm以上15mm以下、かつ、t1c >(t3 + 6×t6) なる関係を満たすことを特徴とする基板ホルダ。 - 請求項1において、前記板状絶縁体部材及び前記導電性保持部材は円板状の部材からなり、
前記基板載置面に垂直な方向において、前記板状絶縁体部材と前記導電性保持部材とは分離可能に構成されていることを特徴とする基板ホルダ。 - 請求項1において、
前記隙間部にガスを導入する機構を備えたことを特徴とする基板ホルダ。 - 大気搬送ロボットと、ロック室と、真空搬送ロボット及び真空処理室を備え、両面に被処理面を有する被処理基板をエッチング処理するエッチング処理装置であって、
前記被処理基板を複数枚載置した基板ホルダを複数枚収容し得るフープと前記ロック室との間で、該基板ホルダ搬送する大気搬送ロボットと、
前記基板ホルダを、前記ロックと前記真空処理室の間で搬送する真空搬送ロボットとを備え、
前記真空処理室は、前記基板ホルダを載置して前記被処理基板の一方の被処理基板面をエッチング処理するためのステージを有し、
前記基板ホルダは、貫通孔が複数設けられた板状絶縁体部材と、該各貫通孔に係合し得る凸部を備えた導電性保持部材とを備え、前記導電性保持部材の凸部が前記板状絶縁体部材の貫通孔に係合した状態において、該貫通孔内に基板載置面と、該基板載置面に垂直な方向の厚みを有する隙間部とが形成され、かつ、前記板状絶縁体部材と前記導電性保持部材とは分離可能に構成されており、
前記被処理基板の一方の被処理基板面が処理された前記基板ホルダ内の前記被処理基板面を反転させた後、前記ステージに該基板ホルダを載置して前記被処理基板の他方の面をエッチング処理するように構成されている、ことを特徴とするエッチング処理装置。 - 表裏両面に記録層を有する磁気記録媒体の製造方法であって、
被処理基板の両面に対して、O2もしくはCO2を含むガス系のプラズマによりベースレジストをエッチングする工程と、フロロカーボン系のプラズマにより絶縁体層をエッチングする工程と、O2系のプラズマにより上記絶縁体層上部に残留したレジストを除去する工程の少なくとも3つの工程を、同一の処理室にて一貫処理を行う事を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 請求項7において、前記各工程間で放電を中断する事を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 大気搬送部と、ロックと、真空搬送ロボット及び真空処理室を備えたエッチング処理装置において、基板ホルダを用い、被処理基板の両面にエッチングを施すエッチング方法であって、
前記基板ホルダは、貫通孔が複数設けられた板状絶縁体部材と、該各貫通孔に係合し得る凸部を備えた導電性保持部材とを備え、前記導電性保持部材の凸部が前記板状絶縁体部材の貫通孔に係合した状態において、該貫通孔内に基板載置面と、該基板載置面に垂直な方向の厚みを有する隙間部とが形成されており、
前記基板ホルダに載置された前記被処理基板に対する複数の処理工程を、同一の真空処理室にて一貫して行う事を特徴とするエッチング方法。 - 請求項9に記載のプラズマエッチング方法であって、
前記基板ホルダに載置された前記被処理基板に対して、
O2もしくはCO2を含むガス系のプラズマによりベースレジストをエッチングする工程と、
フロロカーボン系のプラズマにより絶縁体層をエッチングする工程と、
O2系のプラズマにより上記絶縁体層上部に残留したレジストを除去する工程の少なくとも3つの工程を前記被処理基板に対して同一の真空処理室にて一貫で処理を行う事を特徴とするエッチング方法。 - 請求項9に記載のプラズマエッチング方法であって、
前記基板ホルダに載置された前記被処理基板に対して、
O2もしくはCO2を含むガス系のプラズマによりベースレジストをエッチングする工程と、CO+NH3系のプラズマにより磁性体層をエッチングする工程と、O2系のプラズマにより上記磁性体上部に残留したレジストを除去する工程の少なくとも3つの工程を同一の真空処理室にて一貫して行う事を特徴とするエッチング方法。
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