JP2008147811A - 封止電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フィルタ素子2aは、機械的振動が励振される機能部22aが形成された機能部形成面25aを基板3aの素子搭載面35aとを向かい合わせ、フィルタ素子2aの側のパット21aと基板3aの側のパット31aとの間をバンプ4aを介してフリップチップ接合することにより基板3aへ実装される。フィルタ素子2aは、樹脂封止剤5aによりサイドフィル方式によって中空封止されている。さらに、フィルタ素子2aの機能部形成面25aには、ダム(隔壁)6aが形成されている。ダム6aは、フィルタ素子2aと基板3aとの間の信号伝達経路となっているバンプ41a〜44aの全てを内包する矩形の領域255aと領域255aを取り囲む領域256aとを隔てている。
【選択図】図1
Description
<1.1 封止フィルタの構成>
図1は、第1実施形態に係る封止フィルタ1aの概略構成を示す模式図である。図1は、封止フィルタ1aの断面図となっている。図1には、説明の便宜上、左右方向をX軸方向、前後方向をY軸方向、上下方向をZ軸方向とするXYZ直交座標系が定義されている。このXYZ直交座標系は、後述する図2、図3に定義されたXYZ直交座標系と共通となっている。
図2は、第1実施形態に係るバンプ4a(41a〜44a)、ダム6a、機能部22a及び機能部形成面25aの平面形状を示す平面図である。
図3は、フィルタ素子2aの概略構成を示す模式図であり、フィルタ素子2aの斜視図となっている。
続いて、フィルタ素子2aの基板3aへの実装の手順を図4〜図9を参照しながら説明する。
第2実施形態は、第1実施形態に係るダム6aに代えて採用することができるダム6bに関する。図10は、図2と同様に、第2実施形態に係るバンプ4b(41b〜44b)、ダム6b、機能部22b及び機能部形成面25bの平面形状を示す平面図となっている。
第3実施形態は、バンプ4cの数が5個となった場合に、第1実施形態に係るダム6aに代えて採用することができるダム6cに関する。図11は、図2と同様に、第3実施形態に係るバンプ4c(41c〜45c)、ダム6c、機能部22c及び機能部形成面25cの平面形状を示す平面図となっている。
c〜43cと信号伝達経路となっていない(無接続の)2個のバンプ44c〜45cとの5個のバンプ41c〜45cの全て及び機能部22cを内包する凸形の領域255cと領域255cを取り囲む領域256cとを隔てている。これにより、封止が完了する前に導電性の異物がバンプ41c〜45cの間に混入してバンプ41c〜45cが短絡することを防止することができる。
第4実施形態は、第3実施形態に係るダム6cに代えて採用することができるダム6dに関する。図12は、図2と同様に、第4実施形態に係るバンプ4d(41d〜45d)、ダム6d、機能部22d及び機能部形成面25dの平面形状を示す平面図となっている。
d〜43d及び機能部22dを内包するが信号伝達経路となっていない2個のバンプ44d〜45dを内包しない凸形の領域255dと領域255dを取り囲む領域256dとを隔てている。全てのバンプ41d〜45dを保護するという観点からは、全てのバンプ41d〜45dをダム6dで囲むことが望ましいが、バンプ41d〜43dが電気的に短絡することによる不良を回避するという観点からは、フィルタ素子と基板との間の信号伝達経路となっているバンプ41d〜43dのみをダム6dで囲めば十分だからである。
第5実施形態は、第3実施形態に係るダム6cに代えて採用することができるダム6eに関する。図13は、図2と同様に、第5実施形態に係るバンプ4e(41e〜45e)、ダム6e、機能部22e及び機能部形成面25eの平面形状を示す平面図となっている。
e〜43e及び機能部22eを内包するが信号伝達経路となっていない2個のバンプ44e〜45eを内包しない十字型の領域255eと領域255eを取り囲む領域256eとを隔てている。全てのバンプ41e〜45eを保護するという観点からは、全てのバンプ41e〜45eをダム6eで囲むことが望ましいが、バンプ41e〜43eが電気的に短絡することによる不良を回避するという観点からは、フィルタ素子と基板との間の信号伝達経路となっているバンプ41e〜43eのみをダム6eで囲めば十分だからである。
第6実施形態は、バンプ4fの数が8個となった場合に、第1実施形態に係るダム6aに代えて採用することができるダム6fに関する。図14は、図2と同様に、第6実施形態に係るバンプ4f(41f〜48f)、ダム6f、機能部22f及び機能部形成面25fの平面形状を示す平面図となっている。
第7実施形態は、バンプ4gの数が7個となった場合に、第1実施形態に係るダム6aに代えて採用することができるダム6gに関する。図15は、図2と同様に、第7実施形態に係るバンプ4g(41g〜47g)、ダム6g、機能部22g及び機能部形成面25gの平面形状を示す平面図となっている。
2a フィルタ素子
3a 基板
4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g バンプ
5a 樹脂封止剤
6a,6b,6c,6d,6e,6f,6g ダム(隔壁)
Claims (9)
- 機械的振動が励振される機能部を有する素子と、
前記素子が搭載される基板と、
前記素子の前記機能部が形成された機能部形成面と、前記基板の前記素子が搭載される素子搭載面とを向かい合わせてフリップチップ接合するバンプと、
前記機能部形成面に形成された隔壁と、
サイドフィル方式で前記素子を封止する封止体と、
を備え、
前記隔壁が、前記バンプのうち前記素子と前記基板との間の信号伝達経路となる特定バンプを内包する第1領域と前記第1領域を取り囲む第2領域とを隔てる第1隔壁、及び、一の前記特定バンプと他の前記特定バンプとを隔てる第2隔壁の少なくとも一方を有する封止電子部品。 - 前記第1隔壁が前記第1領域を隙間なく包囲する請求項1に記載の封止電子部品。
- 前記第1領域が前記バンプの全てを内包する請求項1又は請求項2に記載の封止電子部品。
- 前記隔壁が、前記機能部を内包する第3領域と前記第3領域を取り囲む第4領域とを隔てる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の封止電子部品。
- 前記隔壁及び前記バンプが、前記機能部を内包する第3領域と前記第3領域を取り囲む第4領域とを隔てる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の封止電子部品。
- 前記機能部形成面と前記素子搭載面との間隔より高さが低い前記隔壁を前記フリップチップ接合に先立って形成することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の封止電子部品。
- 前記隔壁の材質が感光性のポリイミドであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の封止電子部品。
- 前記隔壁の材質がフォトレジストであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の封止電子部品。
- 前記隔壁の幅が15μm以上であることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の封止電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006330247A JP5042607B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 封止電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006330247A JP5042607B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 封止電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147811A true JP2008147811A (ja) | 2008-06-26 |
JP5042607B2 JP5042607B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=39607528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006330247A Expired - Fee Related JP5042607B2 (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 封止電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5042607B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101197189B1 (ko) | 2010-05-04 | 2012-11-02 | (주)와이솔 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US11101243B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210076685A (ko) | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 삼성전자주식회사 | 팬 아웃 반도체 패키지 |
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2006
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US11101243B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
US11742329B2 (en) | 2019-05-03 | 2023-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package |
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---|---|
JP5042607B2 (ja) | 2012-10-03 |
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