JP2008140954A - Heat dissipating wiring board, manufacturing method thereof, and light emitting module using it - Google Patents

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JP2008140954A JP2006325183A JP2006325183A JP2008140954A JP 2008140954 A JP2008140954 A JP 2008140954A JP 2006325183 A JP2006325183 A JP 2006325183A JP 2006325183 A JP2006325183 A JP 2006325183A JP 2008140954 A JP2008140954 A JP 2008140954A
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Noriyuki Miyoshi
敬之 三好
Shinya Tanaka
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the irregularity of the peripheral surface of an insulating resin layer to suppress the leakage of a mold resin. <P>SOLUTION: This heat dissipating wiring board comprises a radiator plate 10, the insulating resin layer 11 formed above this radiator plate 10, and a wiring pattern 12 and a conductor pattern 13 arranged near this wiring pattern 12 which are so embedded in the upper part of the insulating resin layer 11 that their surfaces are exposed respectively. The conductor pattern 13 is arranged in the periphery of the insulating resin layer 11, and a groove 14 formed by removing a part of the conductor pattern 13 is provided between the conductor pattern 13 and the wiring pattern 12 near it. Thereby, in this heat dissipating wiring board, a clearance scarcely occurs between the metal mold and the insulating resin layer 11 upon the mold processing, so that the leakage of the mold resin can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば発光素子などの発熱性素子を実装する、配線パターンと熱伝導性絶縁樹脂層と放熱板を備えた放熱配線基板とその製造方法に関する。   The present invention relates to a heat radiation wiring board including a wiring pattern, a thermally conductive insulating resin layer, and a heat sink, on which a heat generating element such as a light emitting element is mounted, and a method for manufacturing the same.

近年、ＬＥＤ素子や半導体素子などをはじめ、素子の微細化に伴い、これらの素子を実装する回路パターンにおいても微細化が求められている。   In recent years, with the miniaturization of elements such as LED elements and semiconductor elements, miniaturization is also required in circuit patterns for mounting these elements.

図１０（Ａ）（Ｂ）の斜視図と断面図に示す放熱配線基板１は、放熱板２と、この放熱板２の上方に形成された絶縁樹脂層３と、この絶縁樹脂層３の上方に、表面が表出するように埋め込まれた配線パターン４とを備えている。この配線パターン４は絶縁樹脂層３と略面一となるように埋め込まれているため、微細なパターンであっても電気的絶縁性を高く保つことができる。また配線パターンを、大電流対応とするため分厚くしても、絶縁樹脂層３に埋め込むことで放熱配線基板１全体の低背化が可能となる。   10A and 10B, the heat dissipation wiring board 1 shown in the perspective views and the cross-sectional views includes a heat dissipation plate 2, an insulating resin layer 3 formed above the heat dissipation plate 2, and an upper side of the insulating resin layer 3. And a wiring pattern 4 embedded so that the surface is exposed. Since the wiring pattern 4 is embedded so as to be substantially flush with the insulating resin layer 3, even a fine pattern can maintain high electrical insulation. Further, even if the wiring pattern is made thicker to cope with a large current, it is possible to reduce the overall height of the heat dissipation wiring board 1 by embedding it in the insulating resin layer 3.

ここで、配線パターン４を絶縁樹脂層３の中央に浮島状に配置する場合、図１１（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように配線パターン４を、導体パターン５を介して外枠部６と一体となった構造に形成し、この外枠部６を残して導体パターン５と配線パターン４とを絶縁樹脂層３に埋め込むと、微細なパターンであっても高精度な位置決めで成形を行うことができる。そして成形後、導体パターン５をウエットエッチングなどで配線パターン４から切り離すと、前述の浮島状の配線パターン４を形成することができる。   Here, when the wiring pattern 4 is arranged in a floating island shape in the center of the insulating resin layer 3, the wiring pattern 4 is connected to the outside via the conductor pattern 5 as shown in FIG. 11 (for convenience, the circuit pattern is omitted). When the conductor pattern 5 and the wiring pattern 4 are embedded in the insulating resin layer 3 while leaving the outer frame portion 6 and formed in a structure integrated with the frame portion 6, even a fine pattern can be positioned with high accuracy. Molding can be performed. Then, after forming, if the conductor pattern 5 is separated from the wiring pattern 4 by wet etching or the like, the above-described floating island-shaped wiring pattern 4 can be formed.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
特開２００３−２９７９８７号公報 For example, Patent Document 1 is known as prior art document information relating to the invention of this application.
JP 2003-297987 A

上述の放熱配線基板１を、金型を用いて樹脂モールド加工すると、金型から樹脂が漏れ出すことがあった。   When the above-described heat dissipation wiring board 1 is resin-molded using a mold, the resin may leak from the mold.

それは図１０（Ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３の外縁上には、導体パターン（図１１の５）を除去した跡が溝７となって残っているため、絶縁樹脂層３上に金型（図示せず）を置いてモールド樹脂（図示せず）で加工すると、溝７からモールド樹脂が漏れ出してしまうのであった。   As shown in FIG. 10 (B), since the trace of removing the conductor pattern (5 in FIG. 11) remains on the outer edge of the insulating resin layer 3 as a groove 7, When a mold (not shown) is placed and processed with a mold resin (not shown), the mold resin leaks from the groove 7.

そこで本発明は、モールド樹脂の漏れを抑えることを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to suppress leakage of the mold resin.

そこでこの目的を達成するため本発明は、絶縁樹脂層の上方に、それぞれの表面が露出するように埋め込まれた、配線パターンおよびこの配線パターン近傍に配置された導体パターンとを備え、この導体パターンは、絶縁樹脂層の外縁部に配置されるとともに、この導体パターンとその近傍の配線パターンとの間には、この導体パターンの一部を除去して形成した溝が設けられたものとした。   Therefore, in order to achieve this object, the present invention includes a wiring pattern and a conductor pattern arranged in the vicinity of the wiring pattern, embedded above the insulating resin layer so that each surface is exposed. Are arranged at the outer edge portion of the insulating resin layer, and a groove formed by removing a part of the conductor pattern is provided between the conductor pattern and a wiring pattern in the vicinity thereof.

これにより本発明は、モールド樹脂の漏れを抑えることができる。   Thereby, this invention can suppress the leakage of mold resin.

それは絶縁樹脂層の上方で表面が露出するように埋め込まれた導体パターンを、絶縁樹脂層の外縁に残したためである。これにより、絶縁樹脂層の外縁表面は、略面一となった導体パターンおよび絶縁樹脂層の上面で形成される。そしてその結果、モールド加工時の金型と絶縁樹脂層との隙間が低減され、モールド樹脂の漏れを抑えることができるのである。   This is because the conductive pattern embedded so that the surface is exposed above the insulating resin layer is left on the outer edge of the insulating resin layer. Thereby, the outer edge surface of the insulating resin layer is formed by the substantially uniform conductor pattern and the upper surface of the insulating resin layer. As a result, the gap between the mold and the insulating resin layer at the time of mold processing is reduced, and leakage of the mold resin can be suppressed.

（実施の形態１）
本実施の形態１では、発光素子（図５の８）を実装する発光モジュールに用いられる放熱配線基板９を例に挙げ説明する。 (Embodiment 1)
In the first embodiment, a heat dissipation wiring board 9 used for a light emitting module on which a light emitting element (8 in FIG. 5) is mounted will be described as an example.

図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、本実施の形態における放熱配線基板９は、放熱板１０と、この放熱板１０の上方に形成された絶縁樹脂層１１と、この絶縁樹脂層１１の上方に、それぞれの表面を露出するように埋め込まれた配線パターン１２とを備えている。またこの配線パターン１２の近傍であって絶縁樹脂層１１の外縁には、この配線パターン１２と電気的に絶縁された導体パターン１３が配置されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, a heat dissipation wiring board 9 in the present embodiment includes a heat dissipation plate 10, an insulating resin layer 11 formed above the heat dissipation plate 10, and the insulating resin layer. 11 is provided with wiring patterns 12 embedded so as to expose the respective surfaces. A conductor pattern 13 that is electrically insulated from the wiring pattern 12 is disposed in the vicinity of the wiring pattern 12 and on the outer edge of the insulating resin layer 11.

さらに、配線パターン１２と導体パターン１３との間には、底面が絶縁樹脂層で、側面が配線パターン１２と、絶縁樹脂層１１と、前述の導体パターン１３のそれぞれの断面で形成されている溝１４を有している。すなわち、この溝１４は導体パターン１３の一部を取り除いたことによってできたものである。   Further, between the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13, a groove formed by a cross section of the insulating resin layer on the bottom surface and the wiring pattern 12, the insulating resin layer 11, and the above-described conductor pattern 13 on the side surface. 14. That is, the groove 14 is formed by removing a part of the conductor pattern 13.

また本実施形態では、絶縁樹脂層１１で形成された溝１４の底面や側面は、この絶縁樹脂層１１の上面よりも表面粗度が小さく、平滑となるように形成されている。   In the present embodiment, the bottom surface and the side surface of the groove 14 formed of the insulating resin layer 11 are formed to have a smoother surface roughness than the upper surface of the insulating resin layer 11 and to be smooth.

以下に本実施の形態で用いた部材の材料について説明する。   The material of the member used by this Embodiment is demonstrated below.

配線パターン１２としては、厚みが０．２ｍｍの銅合金からなる基板を用いた。この基板は、銅を主体に、Ｓｎを０．１ｗｔ％以上０．１５ｗｔ％未満添加し、Ｃｕ＋Ｓｎ＞９９．９６ｗｔ％とした。また線膨張係数は８×１０-6／℃〜２０×１０-6／℃のものを用いた。 As the wiring pattern 12, a substrate made of a copper alloy having a thickness of 0.2 mm was used. This substrate was mainly composed of copper, and Sn was added in an amount of 0.1 wt% or more and less than 0.15 wt% so that Cu + Sn> 99.96 wt%. The linear expansion coefficient was 8 × 10 −6 / ° C. to 20 × 10 −6 / ° C.

なお、この基板の厚みは、０．２ｍｍ以下とすることが望ましい。厚すぎると後述のウェットエッチング加工の加工時間が長くなり、余計な部分までエッチングされたりするためであり、薄すぎるとＬＥＤなどを制御するのに必要な大電流（３０Ａ〜１５０Ａ程度）を流すことが出来なくなる為である。   The thickness of the substrate is desirably 0.2 mm or less. If it is too thick, the processing time for wet etching described later will be long, and it will be etched to an extra portion. If it is too thin, a large current (about 30 A to 150 A) necessary to control the LED will flow. It is because it becomes impossible.

また主成分を銅とすることで、熱伝導性と導電性とが向上し、Ｓｎを添加することで軟化温度を約４００℃まで上げることができる。軟化点が高いと、その後の部品実装時（半田付け時）や、部品を実装後の発熱／冷却の繰り返し等における信頼性を高く保つことが出来る。   Moreover, heat conductivity and electroconductivity improve by using copper as a main component, and softening temperature can be raised to about 400 degreeC by adding Sn. When the softening point is high, it is possible to maintain high reliability in subsequent component mounting (soldering) or repeated heating / cooling after mounting the component.

銅に添加する元素としては、Ｓｎ以外にも、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｐ、Ｆｅ、Ｃｒ、などが挙げられる。   In addition to Sn, elements added to copper include Zr, Ni, Si, Zn, P, Fe, Cr, and the like.

また、絶縁樹脂層１１としては、エポキシ樹脂にＡｌ2Ｏ3からなるフィラを充填させたものを用いた。エポキシ樹脂を用いたのは、耐熱性や電気絶縁性に優れているためである。エポキシ樹脂以外では、フェノール樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性を有する熱硬化性樹脂を用いてもよい。 Further, as the insulating resin layer 11, an epoxy resin filled with a filler made of Al 2 O 3 was used. The epoxy resin is used because it is excellent in heat resistance and electrical insulation. Other than the epoxy resin, a thermosetting resin having an insulating property such as a phenol resin or a cyanate resin may be used.

また本実施形態では、このフィラ入りエポキシ樹脂に予め熱可塑性樹脂粉末からなるプレゲル材を添加した。このプレゲル材は、未硬化の熱硬化性樹脂の液状成分を吸収して膨張し、素早くゲル化させるため、絶縁樹脂層１１が半硬化状態で金型から取り出すことが出来る。   Moreover, in this embodiment, the pregel material which consists of thermoplastic resin powder was previously added to this epoxy resin with a filler. Since this pregel material absorbs the liquid component of the uncured thermosetting resin and expands and quickly gels, the insulating resin layer 11 can be taken out from the mold in a semi-cured state.

そしてフィラとしては、Ａｌ2Ｏ3の他に、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、ＢＮ及びＡｌＮの少なくとも何れか一つからなる無機粉末や、金属酸化物からなる粉末を充填させたものを用いてもよい。これらのフィラによって放熱性を高めることができる。また特にＭｇＯを用いると線熱膨張係数を大きくすることができ、ＢＮを用いると線熱膨張係数を小さくできる。このように、充填するフィラの種類で樹脂の熱膨張係数を調整することによって、配線パターン１２や放熱板１０に用いる金属と絶縁樹脂層１１との熱膨張係数を近似させ、放熱配線基板９全体の熱信頼性を向上させることが出来る。 As the filler, in addition to Al 2 O 3 , an inorganic powder made of at least one of MgO, SiO 2 , BN, and AlN, or a powder made of a metal oxide may be used. These fillers can enhance heat dissipation. In particular, when MgO is used, the linear thermal expansion coefficient can be increased, and when BN is used, the linear thermal expansion coefficient can be decreased. Thus, by adjusting the thermal expansion coefficient of the resin according to the type of filler to be filled, the thermal expansion coefficients of the metal used for the wiring pattern 12 and the heat sink 10 and the insulating resin layer 11 are approximated, and the heat dissipation wiring board 9 as a whole. The thermal reliability of can be improved.

またＳｉＯ2を用いると誘電率を小さくでき、絶縁性を向上させることが出来る。なお、フィラとしてＡｌ2Ｏ3などの白色無機粉末を用いると、実装する発光素子（図５の８）の反射率が向上し、輝度を上げることができる。 Further, when SiO 2 is used, the dielectric constant can be reduced and the insulation can be improved. Note that when a white inorganic powder such as Al 2 O 3 is used as the filler, the reflectance of the light-emitting element to be mounted (8 in FIG. 5) is improved, and the luminance can be increased.

また本実施の形態で用いたＡｌ2Ｏ3からなるフィラは、平均粒径３ミクロンと平均粒径１２ミクロンの２種類のＡｌ2Ｏ3を混合したものである。この大小２種類の粒径のＡｌ2Ｏ3を用いることによって、大きな粒径のＡｌ2Ｏ3の隙間に小さな粒径のＡｌ2Ｏ3を充填でき、Ａｌ2Ｏ3を９０重量％近くまで高濃度に充填できる。この結果、絶縁樹脂層１１の熱伝導率は５Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度となる。 The filler made of Al 2 O 3 used in this embodiment is a mixture of two types of Al 2 O 3 having an average particle size of 3 microns and an average particle size of 12 microns. By using the Al 2 O 3 of the large and small two types of particle size, it can fill the Al 2 O 3 of small particle size in the gap Al 2 O 3 of large particle size, the Al 2 O 3 to 90 wt% near High concentration can be filled. As a result, the thermal conductivity of the insulating resin layer 11 is about 5 W / (m · K).

そして、このフィラは、直径が０．１〜１００μｍの範囲のできるだけ小さいものを用い、７０〜９５重量％程度に高濃度に充填すれば、熱伝導率を上げることができる。なお、フィラの充填率が９５重量％を超えると成形し難くなり、絶縁樹脂層１１と配線パターン１２や放熱板１０となる金属基板との接着性も低下するため、９５重量％以下に抑える方がよい。この絶縁樹脂層１１の厚さは、薄くすれば、実装する発光素子からの熱を放熱板１０へ伝えやすくなるが、絶縁耐圧が低下する。一方、厚すぎると、熱抵抗が大きくなるので、絶縁耐圧と熱抵抗を考慮して最適な厚さに設定すれば良い。本実施形態では放熱板１０の厚みが０．３ｍｍで放熱配線基板９全体の厚みが０．９ｍｍとなるように形成されている。放熱板１０としては、アルミまたは銅板などを用いることができる。なお、本実施形態では、放熱板１０が絶縁樹脂層１１に埋め込まれた構造をしているが、一部まで埋め込んでもよいし、埋め込むことなく、放熱板１０が絶縁樹脂層１１の下面に形成された構造でもよい。   And if this filler is as small as possible with a diameter in the range of 0.1 to 100 μm and is filled to a high concentration of about 70 to 95% by weight, the thermal conductivity can be increased. If the filler filling rate exceeds 95% by weight, it becomes difficult to mold, and the adhesiveness between the insulating resin layer 11 and the metal substrate that becomes the wiring pattern 12 or the heat sink 10 also decreases. Is good. If the thickness of the insulating resin layer 11 is reduced, heat from the light emitting element to be mounted can be easily transferred to the heat radiating plate 10, but the withstand voltage is reduced. On the other hand, if the thickness is too large, the thermal resistance increases, and therefore, an optimum thickness may be set in consideration of the withstand voltage and the thermal resistance. In the present embodiment, the heat radiating plate 10 is formed to have a thickness of 0.3 mm and the entire heat radiating wiring board 9 has a thickness of 0.9 mm. As the heat radiating plate 10, aluminum, a copper plate, or the like can be used. In this embodiment, the heat radiating plate 10 is embedded in the insulating resin layer 11. However, the heat radiating plate 10 may be formed on the lower surface of the insulating resin layer 11 without being embedded. It may be a structured.

また本実施形態では発光素子を実装する部分の配線パターン１２はパターン幅が０．０４ｍｍの非常に微細なパターンとした。   In the present embodiment, the wiring pattern 12 in the portion where the light emitting element is mounted is a very fine pattern having a pattern width of 0.04 mm.

なお放熱板１０の下面に、フィン部（図示せず）を形成すれば、表面積が広がり、より放熱性を高めることができる。   In addition, if a fin part (not shown) is formed in the lower surface of the heat sink 10, the surface area increases and heat dissipation can be further improved.

次に本実施形態の放熱配線基板９の製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the heat dissipation wiring board 9 of this embodiment is demonstrated.

まず、図２の上面図（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、金属基板をプレスして打ち抜き、外枠１５と配線パターン１２と、外枠１５と配線パターン１２とを接続する導体パターン１３とを形成する。配線パターン１２のパターニングは、打ち抜きプレス以外にもレーザなどでも形成できる。   First, as shown in a top view of FIG. 2 (a circuit pattern is omitted for convenience), a metal substrate is pressed and punched to connect the outer frame 15, the wiring pattern 12, and the outer frame 15 and the wiring pattern 12. The conductor pattern 13 to be formed is formed. The patterning of the wiring pattern 12 can be formed by a laser or the like other than the punching press.

次に絶縁樹脂層１１を形成するため、フィラ入り樹脂の塊を、中央が凸になるように丸型（あるいは蒲鉾型、台形、円柱、球状）にまとめ、配線パターン１２上に置く。そしてこのフィラ入り樹脂を加熱プレス、あるいは真空加熱プレス等によって配線パターン１２上でシート状となるように延伸する。この時、配線パターン１２と導体パターン１３の表面が絶縁樹脂層１１から表出し、この配線パターン１２と導体パターン１３と絶縁樹脂層１１とが略面一となるまでプレス加工する。そして絶縁樹脂層１１上に放熱板１０を配置して、金型で押さえる。   Next, in order to form the insulating resin layer 11, the filler-filled resin lumps are gathered into a round shape (or a bowl shape, a trapezoidal shape, a cylindrical shape, a spherical shape) so that the center is convex, and placed on the wiring pattern 12. Then, this filler-containing resin is stretched so as to form a sheet on the wiring pattern 12 by a heat press or a vacuum heat press. At this time, the surfaces of the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 are exposed from the insulating resin layer 11, and press working is performed until the wiring pattern 12, the conductor pattern 13, and the insulating resin layer 11 are substantially flush. And the heat sink 10 is arrange | positioned on the insulating resin layer 11, and it hold | suppresses with a metal mold | die.

次にこの放熱配線基板９を２００℃で１分間加熱し、絶縁樹脂層１１を半硬化させ、金型から取り外す。そしてさらにこの放熱配線基板９を２００℃の炉に入れ、絶縁樹脂層１１を本硬化させる。   Next, the heat dissipation wiring board 9 is heated at 200 ° C. for 1 minute, so that the insulating resin layer 11 is semi-cured and removed from the mold. Further, this heat radiation wiring board 9 is put in a furnace at 200 ° C., and the insulating resin layer 11 is fully cured.

そしてその後、絶縁樹脂層１１と配線パターン１２および導体パターン１３の表面を研磨して滑らかにし、次に配線パターン１２および導体パターン１３の上面に、電気メッキで半田層（図示せず）を形成する。これにより半田付け性が向上し、部品を実装しやすくなる。また配線の錆を抑制することができる。この半田層の変わりに、錫層を形成してもよい。なお、半田付け時などにおける熱工程でこの半田層（あるいは錫層）が柔らかくなり、金属配線板と絶縁樹脂層との接着性が低下する場合があるため、配線パターン１２および導体パターン１３の下面（絶縁樹脂層１１に埋め込まれた面）には、半田層や錫層は形成しないほうがよい。   Thereafter, the surfaces of the insulating resin layer 11, the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 are polished and smoothed, and then a solder layer (not shown) is formed on the upper surfaces of the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 by electroplating. . As a result, the solderability is improved and it is easy to mount the components. Moreover, the rust of wiring can be suppressed. A tin layer may be formed instead of the solder layer. Since the solder layer (or tin layer) becomes soft during a heat process during soldering and the like, the adhesion between the metal wiring board and the insulating resin layer may be lowered. It is better not to form a solder layer or a tin layer on the surface embedded in the insulating resin layer 11.

ここで本実施形態では、半田メッキ時は配線パターン１２、導体パターン１３および外枠１５とが一体となっており、電気メッキにより半田層を形成することができる。これにより無電解メッキと比較し、低コストで行うことができる。   Here, in this embodiment, the wiring pattern 12, the conductor pattern 13, and the outer frame 15 are integrated during solder plating, and a solder layer can be formed by electroplating. This can be carried out at a lower cost compared to electroless plating.

その後図３（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、ウェットエッチングによって導体パターン１３の一部と外枠１５とを取り除く。このウェットエッチング加工では、導体パターン１３は、配線パターン１２と導体パターン１３とが繋がる部分を除去し、絶縁樹脂層１１の外縁には配線パターン１２と電気的に断絶された導体パターン１３を残すことができるよう、マスキングしておく。なお、本実施形態では、配線パターン１２と電気的に導通した導体パターン１３部分が全てなくなるよう、配線パターン１２の一部が削り取られるまでエッチングしたが、配線パターン１２が削り取られないよう、この配線パターン１２とつながっている導体パターン１３の一部を残しても良い。つまり、絶縁樹脂層１１の外縁に残存する導体パターン１３が、配線パターン１２と電気的に絶縁されていればよい。   Thereafter, as shown in FIG. 3 (a circuit pattern is omitted for convenience), a part of the conductor pattern 13 and the outer frame 15 are removed by wet etching. In this wet etching process, the conductive pattern 13 removes the portion where the wiring pattern 12 and the conductive pattern 13 are connected, and leaves the conductive pattern 13 that is electrically disconnected from the wiring pattern 12 on the outer edge of the insulating resin layer 11. Mask it so that you can do it. In this embodiment, etching is performed until a part of the wiring pattern 12 is removed so that the conductor pattern 13 portion electrically connected to the wiring pattern 12 is eliminated. However, the wiring pattern 12 is prevented from being removed. A part of the conductor pattern 13 connected to the pattern 12 may be left. That is, the conductor pattern 13 remaining on the outer edge of the insulating resin layer 11 only needs to be electrically insulated from the wiring pattern 12.

上記工法を経ると、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、配線パターン１２の外周には、配線パターン１２と、絶縁樹脂層１１と、導体パターン１３のそれぞれの断面で囲まれた溝１４が複数個形成された放熱配線基板９が形成される。   After the above construction method, as shown in FIGS. 1A and 1B, the outer periphery of the wiring pattern 12 is surrounded by the respective cross sections of the wiring pattern 12, the insulating resin layer 11, and the conductor pattern 13. A heat dissipation wiring board 9 having a plurality of grooves 14 is formed.

なお、この放熱配線基板９を用いて、モールド樹脂（図示せず）でパッケージングされた発光モジュールを製造する場合は、配線パターン１２上に発光素子（図５の８）を実装し、その後絶縁樹脂層１１の外縁上あるいは側面に金型を設置し、この金型の内部に加熱・加圧したモールド樹脂を注入し、その後冷却すればよい。このモールド樹脂としては、フィラを分散させたエポキシ樹脂などが挙げられ、このモールド樹脂の注入条件は雰囲気温度を１７５℃、気圧５０〜１００ａｔｍ程度である。また、このモールド樹脂のフィラには酸化シリコンなどが挙げられ、その混合率は８０ｗｔ％〜９０ｗｔ％程度が強度・加工性から好ましい。   In the case of manufacturing a light emitting module packaged with a mold resin (not shown) using the heat dissipation wiring substrate 9, a light emitting element (8 in FIG. 5) is mounted on the wiring pattern 12 and then insulated. A mold may be installed on the outer edge or the side surface of the resin layer 11, and a mold resin heated and pressurized may be injected into the mold and then cooled. Examples of the mold resin include an epoxy resin in which a filler is dispersed. The mold resin is injected under the conditions of an atmospheric temperature of 175 ° C. and an atmospheric pressure of about 50 to 100 atm. The filler of the mold resin includes silicon oxide and the like, and the mixing ratio is preferably about 80 wt% to 90 wt% in view of strength and workability.

次に、以下に本実施形態における効果を説明する。   Next, the effect in this embodiment is demonstrated below.

本実施の形態では、導体パターン１３を、絶縁樹脂層１１の外縁に残したため、モールド加工時の金型と絶縁樹脂層１１との隙間が低減され、金型からモールド樹脂が漏れるのを抑えることができる。   In this embodiment, since the conductor pattern 13 is left on the outer edge of the insulating resin layer 11, the gap between the mold and the insulating resin layer 11 during molding is reduced, and the mold resin is prevented from leaking from the mold. Can do.

すなわち、配線パターン１２を絶縁樹脂層１１の中央に浮島状に配置する場合、まずは外枠１５を残して導体パターン１３と配線パターン１２とを絶縁樹脂層１１に埋め込み、絶縁樹脂層１１を本硬化させた後に導体パターン１３と外枠１５とを除去すると、微細なパターンであっても高精度な位置決めで成形を行うことができる。しかし従来開示されている工法では、図１０（Ａ）（Ｂ）に示すように、絶縁樹脂層３の表面には、導体パターン（図１１の５）を除去した跡が溝７となって残っているため、絶縁樹脂層３の外縁上あるいは側面に金型を置いてモールド樹脂で加工すると、溝７からモールド樹脂が漏れ出してしまう。   That is, when the wiring pattern 12 is arranged in a floating island shape in the center of the insulating resin layer 11, first, the conductor pattern 13 and the wiring pattern 12 are embedded in the insulating resin layer 11 leaving the outer frame 15, and the insulating resin layer 11 is fully cured. If the conductor pattern 13 and the outer frame 15 are removed after the formation, even a fine pattern can be molded with high precision positioning. However, in the conventionally disclosed method, as shown in FIGS. 10 (A) and 10 (B), the trace of removing the conductive pattern (5 in FIG. 11) remains as grooves 7 on the surface of the insulating resin layer 3. Therefore, when a mold is placed on the outer edge or the side surface of the insulating resin layer 3 and processed with the mold resin, the mold resin leaks from the groove 7.

一方本実施形態では、導体パターン１３が、金型を設置する絶縁樹脂層１１の外縁に形成されており、さらにこの導体パターン１３は、絶縁樹脂層１１に表面を露出するように埋め込まれている。すなわち、本実施形態では、絶縁樹脂層１１の外縁表面では、導体パターン１３および絶縁樹脂層１１のそれぞれの表面が略面一となっている。   On the other hand, in this embodiment, the conductor pattern 13 is formed on the outer edge of the insulating resin layer 11 on which the mold is placed, and this conductor pattern 13 is embedded in the insulating resin layer 11 so that the surface is exposed. . That is, in the present embodiment, on the outer edge surface of the insulating resin layer 11, the surfaces of the conductor pattern 13 and the insulating resin layer 11 are substantially flush.

したがって、モールド加工時の金型と絶縁樹脂層１１との隙間が低減され、モールド樹脂の漏れを抑えることができるのである。   Therefore, the gap between the mold and the insulating resin layer 11 at the time of molding is reduced, and leakage of the mold resin can be suppressed.

また本実施形態では、配線パターン１２と導体パターン１３とはもともと同一基板で形成されており、同一組成からなる。したがって、これらの配線パターン１２と導体パターン１３とは同一の熱膨張係数を有する。そしてさらに、導体パターン１３は、配線パターン１２の両脇に配置されている。したがって、モールド加工時あるいはヒートサイクル時の熱工程における、絶縁樹脂層１１中央と外縁とのパッケージの歪み差を低減することができる。   In this embodiment, the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 are originally formed on the same substrate and have the same composition. Therefore, these wiring pattern 12 and conductor pattern 13 have the same thermal expansion coefficient. Furthermore, the conductor pattern 13 is disposed on both sides of the wiring pattern 12. Therefore, the difference in distortion of the package between the center of the insulating resin layer 11 and the outer edge in the heat process at the time of molding or heat cycle can be reduced.

なお、導体パターン１３を取り除くのに、本実施形態のウエットエッチング（等方エッチング）加工以外にも、切削やレーザ加工によって行うこともできる。ただし、本実施形態のように、ウエットエッチング加工の場合は、レーザ加工や切削などの機械的加工手段と比較して、加工表面の表面粗度を小さく（なめらかに）させることができる。したがって、導体パターン１３と配線パターン１２の加工断面におけるバリの発生を低減し、電気絶縁性を向上させることができる。   The conductor pattern 13 can be removed by cutting or laser processing in addition to the wet etching (isotropic etching) processing of the present embodiment. However, as in this embodiment, in the case of wet etching, the surface roughness of the processed surface can be reduced (smoothly) as compared with mechanical processing means such as laser processing or cutting. Therefore, the generation of burrs in the processed cross section of the conductor pattern 13 and the wiring pattern 12 can be reduced, and the electrical insulation can be improved.

また、本実施形態では、配線パターン１２の外周に形成された溝１４の底面および側面となる絶縁樹脂層１１の面は、この絶縁樹脂層１１の上面よりも表面粗度が小さく（なめらかに）なるように形成したため、導電性を有するゴミなどの付着を抑制し、電気絶縁性に対する信頼性を向上させることが出来る。なお、導体パターン１３上に絶縁樹脂層１１を加圧成形すればこの溝１４の底面および側面となる絶縁樹脂層１１は加圧され、成形と同時に表面粗度を小さくすることができる。   In the present embodiment, the surface of the insulating resin layer 11 which is the bottom surface and the side surface of the groove 14 formed on the outer periphery of the wiring pattern 12 has a smaller surface roughness (smoothly) than the top surface of the insulating resin layer 11. Therefore, it is possible to suppress the adhesion of conductive dust and the like, and to improve the reliability with respect to electrical insulation. If the insulating resin layer 11 is pressure-molded on the conductor pattern 13, the insulating resin layer 11 serving as the bottom and side surfaces of the groove 14 is pressed, and the surface roughness can be reduced simultaneously with the molding.

さらに本実施形態では図１（Ｂ）に示すように、放熱板１０の幅が絶縁樹脂層１１より短く、放熱板１０の側面は絶縁樹脂層で覆われているため、配線パターン１２から放熱板１０までの沿面距離が長くなり、電気絶縁性を向上させることができる。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1B, since the width of the heat sink 10 is shorter than the insulating resin layer 11 and the side surface of the heat sink 10 is covered with the insulating resin layer, the heat sink is changed from the wiring pattern 12 to the heat sink. The creepage distance up to 10 is increased, and the electrical insulation can be improved.

なお本実施形態では、この溝１４を形成する導体パターン１３の断面と、配線パターン１２の断面とは、絶縁樹脂層１１表面に対して略垂直になるように形成したが、図４に示すように下方から上方に向かって外方に広がる湾曲面で形成してもよい。このように湾曲面で形成する場合は、上述の導体パターン１３を取り除く工程で、ウエットエッチング（等方エッチング）加工時間を長く調整することによって容易に形成できる。   In this embodiment, the cross section of the conductor pattern 13 forming the groove 14 and the cross section of the wiring pattern 12 are formed so as to be substantially perpendicular to the surface of the insulating resin layer 11, but as shown in FIG. Alternatively, it may be formed of a curved surface that spreads outward from below to above. Thus, when forming with a curved surface, in the process of removing the above-mentioned conductor pattern 13, it can form easily by adjusting wet etching (isotropic etching) processing time long.

このように上記断面を湾曲面で形成すれば、配線パターン１２と導体パターン１３との沿面距離が長くなり、電気絶縁性を向上させることができる。   When the cross section is formed with a curved surface in this way, the creepage distance between the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 is increased, and the electrical insulation can be improved.

（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１で示した放熱配線基板９を図５（Ａ）に示すように、複数個連続して配置した複数個取り用放熱配線基板１６について説明する。この複数個取り用放熱配線基板１６も、個片化後は発光素子８などを実装することができる。 (Embodiment 2)
In this embodiment, a plurality of heat radiation wiring boards 16 in which a plurality of heat radiation wiring boards 9 shown in the first embodiment are continuously arranged as shown in FIG. 5A will be described. The plurality of heat radiation wiring boards 16 for taking can also be mounted with the light emitting elements 8 and the like after being separated into individual pieces.

この複数個取り用放熱配線基板１６は、実施の形態１で示した放熱配線基板９が一方向に連続して配置されたものであり、隣接する放熱配線基板９同士は、絶縁樹脂層１１と一体である連結層１７が設けられている。そして隣接する配線パターン１２のそれぞれの導体パターン１３は、連結層１７を介して互いに対向するように配置されている。   The plurality of heat dissipation wiring boards 16 are obtained by continuously disposing the heat dissipation wiring boards 9 shown in the first embodiment in one direction, and the adjacent heat dissipation wiring boards 9 are connected to the insulating resin layer 11. An integral connection layer 17 is provided. The conductor patterns 13 of the adjacent wiring patterns 12 are arranged so as to face each other with the coupling layer 17 in between.

また配線パターン１２と導体パターン１３との間と、連結層１７上には溝１４が形成されている。   Further, a groove 14 is formed between the wiring pattern 12 and the conductor pattern 13 and on the coupling layer 17.

さらに放熱板１０は、隣接する放熱配線基板９の連結層に相当する部分にスリット１８が設けられており、このスリット１８の内部にも絶縁樹脂が充填され、連結層１７を構成している。なお、放熱板１０の両端が絶縁樹脂層１１からはみ出るように、スリット１８の長さは連結層１７の長さよりも長く形成されている。   Further, the heat radiating plate 10 is provided with a slit 18 in a portion corresponding to the connecting layer of the adjacent heat radiating wiring board 9, and the inside of the slit 18 is filled with an insulating resin to constitute a connecting layer 17. In addition, the length of the slit 18 is longer than the length of the coupling layer 17 so that both ends of the heat sink 10 protrude from the insulating resin layer 11.

本実施形態における製造方法を以下に説明する。なお、説明の便宜上図５（Ｂ）に示すように、放熱配線基板９を２個配置した例を用いる。また、実施の形態１と同様部分は省略して説明する。   The manufacturing method in this embodiment is demonstrated below. For convenience of explanation, as shown in FIG. 5B, an example in which two heat radiation wiring boards 9 are arranged is used. In addition, the same parts as those in the first embodiment will be omitted.

まず図６（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、導体パターン１３を介して隣接する配線パターン１２および外枠１５と繋がれている基板上にシート状の絶縁樹脂層１１を形成し、この絶縁樹脂層１１上にスリット１８を有する放熱板１０を配置する。この時、図５に示すように、本実施形態では放熱板１０も絶縁樹脂層１１に埋め込んだため、スリット１８の内部にも絶縁樹脂が充填されている。   First, as shown in FIG. 6 (a circuit pattern is omitted for convenience), a sheet-like insulating resin layer 11 is formed on a substrate connected to an adjacent wiring pattern 12 and outer frame 15 via a conductor pattern 13. Then, the heat sink 10 having the slits 18 is disposed on the insulating resin layer 11. At this time, as shown in FIG. 5, in the present embodiment, since the heat sink 10 is also embedded in the insulating resin layer 11, the inside of the slit 18 is also filled with the insulating resin.

次にこの放熱配線基板９を２００℃で１分間加熱し、絶縁樹脂層１１を半硬化させ、絶縁樹脂層１１よりはみ出したスリット１８部分にパンチで孔１９（図６の１９）を開ける。上記のように樹脂が半硬化の状態では、弾性率が比較的小さい（軟らかい）ため、容易に孔１９を形成することができる。なお、このパンチ孔１９の幅はスリット１８幅よりも大きくなるように形成している。   Next, the heat dissipation wiring board 9 is heated at 200 ° C. for 1 minute to semi-cure the insulating resin layer 11, and a hole 19 (19 in FIG. 6) is punched in the slit 18 portion protruding from the insulating resin layer 11. Since the elastic modulus is relatively small (soft) when the resin is semi-cured as described above, the holes 19 can be easily formed. The punch hole 19 is formed to have a width larger than the slit 18 width.

そしてさらにこの放熱配線基板９を２００℃の炉に入れ、絶縁樹脂層１１を本硬化させる。   Further, this heat radiation wiring board 9 is put in a furnace at 200 ° C., and the insulating resin layer 11 is fully cured.

次に図７（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、ウエットエッチング加工で導体パターン１３の一部分と外枠１５とを取り除く。この時隣接する配線パターン１２のそれぞれの導体パターン１３を、連結層１７を介して互いに対向する位置に残すことができるよう、マスキングしておく。   Next, as shown in FIG. 7 (a circuit pattern is omitted for convenience), a part of the conductor pattern 13 and the outer frame 15 are removed by wet etching. At this time, masking is performed so that the respective conductor patterns 13 of the adjacent wiring patterns 12 can be left at positions facing each other via the coupling layer 17.

その後放熱板１０と絶縁樹脂層１１の長さを揃えるため、シャーリング等で放熱板１０の点線２０部分を切断する。この時、放熱板１０の連結層１７に相当する部分にはスリット１８幅よりも幅の大きい孔１９が形成されている為、本硬化された樹脂層（連結層１７）を切断することなく、放熱板１０のみを切断することができる。すなわち、フィラが大量に含まれた絶縁樹脂の層を、金属からなる放熱板１０と同時に切断する必要がないため、シャーリングの磨耗を低減することができる。   Thereafter, in order to align the lengths of the heat sink 10 and the insulating resin layer 11, the dotted line 20 portion of the heat sink 10 is cut by shearing or the like. At this time, since a hole 19 having a width larger than the width of the slit 18 is formed in a portion corresponding to the connection layer 17 of the heat radiating plate 10, without cutting the main cured resin layer (connection layer 17), Only the heat sink 10 can be cut. That is, since it is not necessary to cut the insulating resin layer containing a large amount of filler at the same time as the heat sink 10 made of metal, it is possible to reduce shearing wear.

上記工法によって、複数個取り用放熱配線基板１６を製造することができる。なお、この複数個取り用放熱配線基板１６を個々の放熱配線基板９に個片化する場合は、図８（便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、連結層１７の点線２１部分をダイヤモンドカッターあるいはカッティングソーなどで切断することができる。本実施形態では、前述のように連結層１７に相当する部分において、導体パターン１３は取り除かれており、さらに放熱板１０にはスリット１８が形成されているため、この個片化工程では絶縁樹脂層１１のみを切断すればよい。すなわち金属部分を切断する必要がなく、フィラ入り樹脂の切断に適した組成の刃を用いて容易に切断ができる。なお、本実施形態では、隣接する配線パターン１２と繋がっていた側の導体パターン１３は、絶縁樹脂層１１の側面よりわずかに内側にあるが、連結層１７の幅と点線２１の切断幅とをできるだけ近似させることで、絶縁樹脂層１１の外縁部分における凹凸が無視できる程度の微小なものとなる。   A plurality of heat radiation wiring boards 16 can be manufactured by the above method. In the case where the plurality of heat dissipation wiring boards 16 are separated into individual heat dissipation wiring boards 9, as shown in FIG. 8 (a circuit pattern is omitted for convenience), a dotted line 21 of the coupling layer 17 is provided. The part can be cut with a diamond cutter or a cutting saw. In the present embodiment, the conductive pattern 13 is removed in the portion corresponding to the coupling layer 17 as described above, and the slit 18 is formed in the heat radiating plate 10. Only the layer 11 needs to be cut. That is, it is not necessary to cut the metal portion, and it can be easily cut using a blade having a composition suitable for cutting the filler-containing resin. In the present embodiment, the conductor pattern 13 on the side connected to the adjacent wiring pattern 12 is slightly inside the side surface of the insulating resin layer 11, but the width of the coupling layer 17 and the cutting width of the dotted line 21 are set as follows. By approximating as much as possible, the unevenness at the outer edge portion of the insulating resin layer 11 is so small that it can be ignored.

なお、本実施形態では、スリット１８内部に絶縁樹脂を充填したが、放熱板１０を絶縁樹脂層１１に埋め込まなければ、このスリット１８部分は空孔となり、この場合も上記同様金属部分を切断する必要がなく、容易に切断ができる。   In this embodiment, the inside of the slit 18 is filled with insulating resin. However, if the heat sink 10 is not embedded in the insulating resin layer 11, the slit 18 portion becomes a hole, and in this case as well, the metal portion is cut similarly to the above. It is not necessary and can be easily cut.

また本実施形態では、実施の形態１と同様に、モールド樹脂の成形時の漏れを抑制することができる。これは実施の形態１と同様に、個片化された状態の放熱配線基板９の絶縁樹脂層１１の外縁上は、前述の導体パターン１３を設けたことにより、略面一とすることができるからである。   Further, in the present embodiment, similar to the first embodiment, it is possible to suppress leakage during molding of the mold resin. Similar to the first embodiment, the above-described conductor pattern 13 is provided on the outer edge of the insulating resin layer 11 of the radiating wiring board 9 in the state of being separated, so that it can be made substantially flush. Because.

さらに本実施形態では、放熱配線基板９が一方向に連続して配置されている。このように絶縁樹脂層１１の成形時における樹脂の延伸方向に沿って配置すれば、成形が容易となる。   Furthermore, in this embodiment, the heat dissipation wiring board 9 is continuously arranged in one direction. Thus, if it arrange | positions along the extending direction of resin at the time of shaping | molding of the insulating resin layer 11, shaping | molding will become easy.

（実施の形態３）
本実施の形態と実施の形態１との違いは、図９（Ａ）（Ｂ）（図９（Ａ）において便宜上回路パターンは省略している。）に示すように、導体パターン１３の厚みが配線パターン１２の厚みよりも薄い点である。 (Embodiment 3)
The difference between this embodiment and Embodiment 1 is that the thickness of the conductor pattern 13 is as shown in FIGS. 9A and 9B (the circuit pattern is omitted for convenience in FIG. 9A). This is a point thinner than the thickness of the wiring pattern 12.

これは導体パターン１３の下面を成形前にハーフエッチングして段差を設けたものである。これにより絶縁樹脂層１１を本硬化させた後、導体パターン１３を残してウェットエッチング加工する工程で、加工時間を短くすることができ、加工面が過剰にえぐり取られるのを抑制することができる。   This is a step formed by half-etching the lower surface of the conductor pattern 13 before molding. Thereby, after the insulating resin layer 11 is fully cured, the processing time can be shortened in the step of performing the wet etching process while leaving the conductor pattern 13, and it is possible to suppress the excessive removal of the processed surface. .

なお、本実施形態では、導体パターン１３は、もともと厚み０．５ｍｍ〜０．６ｍｍ程度の比較的厚い金属板を用い、絶縁樹脂層１１を成形する前に厚み０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ分をハーフエッチングしておき、さらに絶縁樹脂層１１を形成し、本硬化させた後、残りの厚み分をウェットエッチング加工で取り除いたものである。   In this embodiment, the conductive pattern 13 is originally a relatively thick metal plate having a thickness of about 0.5 mm to 0.6 mm, and the thickness of 0.2 mm to 0.3 mm is formed before the insulating resin layer 11 is formed. After half-etching, the insulating resin layer 11 is further formed and finally cured, and then the remaining thickness is removed by wet etching.

本実施の形態のように導体パターン１３を予めハーフエッチングしておく手段は、実施の形態２の複数個取り用放熱配線基板１６の隣接する配線パターン１２間の導体パターン１３のウェットエッチング加工工程にも応用が可能である。   As in the present embodiment, the means for half-etching the conductor pattern 13 in advance is a wet etching process for the conductor pattern 13 between the adjacent wiring patterns 12 of the plurality of heat-dissipating wiring boards 16 in the second embodiment. Can also be applied.

上記実施の形態１から３について、絶縁樹脂層１１成形前に、予め導体パターン１３の厚みを薄くする工程では、ウェットエッチング加工によって行ったが、切削やレーザ加工などによって行ってもよい。   In the first to third embodiments, the step of reducing the thickness of the conductor pattern 13 in advance before forming the insulating resin layer 11 is performed by wet etching, but may be performed by cutting or laser processing.

本発明はモールド樹脂加工をする発光モジュールその他半導体モジュールなどに用いる、放熱配線基板に有用である。   The present invention is useful for a heat dissipating wiring board used for a light emitting module or other semiconductor module which performs mold resin processing.

（Ａ）本実施の形態の放熱配線基板の斜視図、（Ｂ）本実施の形態の放熱配線基板の断面図(A) Perspective view of heat dissipation wiring board of this embodiment, (B) Cross-sectional view of heat dissipation wiring board of this embodiment 本実施の形態の放熱配線基板の製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the thermal radiation wiring board of this Embodiment 本実施の形態の放熱配線基板の製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the thermal radiation wiring board of this Embodiment 本実施の形態の放熱配線基板の断面図Cross-sectional view of the heat dissipation wiring board of the present embodiment （Ａ）本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の斜視図、（Ｂ）本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の斜視図(A) Perspective view of multiple-use heat dissipation wiring board of this embodiment, (B) Perspective view of multiple-use heat dissipation wiring board of this embodiment. 本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the heat radiation wiring board for multiple taking of this Embodiment 本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the heat radiation wiring board for multiple taking of this Embodiment 本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の製造工程を示す上面図The top view which shows the manufacturing process of the heat radiation wiring board for multiple taking of this Embodiment （Ａ）本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の製造工程を示す上面図、（Ｂ）本実施の形態の複数個取り用放熱配線基板の断面図（図９（Ａ）のＸＸ断面）(A) Top view showing the manufacturing process of the heat dissipation wiring board for multiple cavities of this embodiment, (B) Cross section of the heat dissipation wiring board for multiple cavities of this embodiment (XX section of FIG. 9A) ) （Ａ）従来の放熱配線基板の斜視図、（Ｂ）従来の形態の放熱配線基板の断面図(A) Perspective view of conventional heat dissipation wiring board, (B) Cross section of conventional heat dissipation wiring board 従来の放熱配線基板の製造工程を示す上面図Top view showing the manufacturing process of a conventional heat dissipation wiring board

符号の説明Explanation of symbols

８ 発光素子
９ 放熱配線基板
１０ 放熱板
１１ 絶縁樹脂層
１２ 配線パターン
１３ 導体パターン
１４ 溝
１５ 外枠
１６ 複数個取り用放熱配線基板
１７ 連結層
１８ スリット
１９ 孔
２０ 点線
２１ 点線 8 Light Emitting Element 9 Heat Dissipation Wiring Board 10 Heat Dissipation Plate 11 Insulating Resin Layer 12 Wiring Pattern 13 Conductor Pattern 14 Groove 15 Outer Frame 16 Multiple Heat Dissipation Wiring Board 17 Connecting Layer 18 Slit 19 Hole 20 Dotted Line 21 Dotted Line

Claims (10)

放熱板と、
この放熱板の上方に形成された絶縁樹脂層と、
この絶縁樹脂層の上方に、それぞれの表面が露出するように埋め込まれた、配線パターンおよびこの配線パターン近傍に配置された導体パターンとを備え、
この導体パターンは、
前記絶縁樹脂層の外縁部に配置されるとともに、
この導体パターンとその近傍の配線パターンとの間には、この導体パターンの一部を除去して形成した溝が設けられた放熱配線基板。 A heat sink,
An insulating resin layer formed above the heat sink;
A wiring pattern embedded above the insulating resin layer so that the respective surfaces are exposed, and a conductor pattern disposed in the vicinity of the wiring pattern,
This conductor pattern is
While being disposed at the outer edge of the insulating resin layer,
A heat dissipation wiring board provided with a groove formed by removing a part of the conductor pattern between the conductor pattern and a wiring pattern in the vicinity thereof. 前記溝の側面内壁は、
下方から上方に向かって外方に広がる湾曲面で形成されている請求項１に記載の放熱配線基板。 The inner side wall of the groove is
The heat-radiating wiring board according to claim 1, wherein the heat-radiating wiring board is formed of a curved surface that spreads outward from the bottom to the top. 前記溝の底面内壁は、
前記絶縁樹脂層の上面よりも表面粗度が小さい請求項１または２に記載の放熱配線基板。 The bottom inner wall of the groove is
The heat dissipation wiring board according to claim 1, wherein the surface roughness is smaller than the upper surface of the insulating resin layer. 前記導体パターンは、
前記配線パターンよりも厚みが薄い請求項１から３のいずれか一つに記載の放熱配線基板。 The conductor pattern is
The heat dissipation wiring board according to claim 1, wherein the heat dissipation wiring board is thinner than the wiring pattern. 請求項１から４のいずれか一つに記載の放熱配線基板を一方向に連続して複数個配置し、
隣接する放熱配線基板の連結部分であって隣接する導体パターンの間には、
この導体パターンの一部を除去して形成した溝を有するとともに、
前記放熱板は、
隣接する放熱配線基板の連結部分にスリットを有する複数個取り用放熱配線基板。 A plurality of the heat dissipation wiring boards according to any one of claims 1 to 4 are continuously arranged in one direction,
Between adjacent conductive patterns that are connected portions of adjacent heat dissipation wiring boards,
While having a groove formed by removing a part of this conductor pattern,
The heat sink is
A plurality of heat-dissipating wiring boards having a slit at a connecting portion between adjacent heat-dissipating wiring boards. 前記スリットの内部には絶縁樹脂が充填されている請求項５に記載の複数個取り用放熱配線基板。 The heat radiation wiring board for taking multiple pieces according to claim 5, wherein the slit is filled with an insulating resin. 請求項１から４のいずれか一つに記載の放熱配線基板の配線パターン上に発光素子が実装された発光モジュール。 A light emitting module in which a light emitting element is mounted on the wiring pattern of the heat dissipation wiring board according to claim 1. 請求項１から４のいずれか一つに記載の放熱配線基板の配線パターン上に発光素子が実装され、
前記絶縁樹脂層上において前記発光素子を被覆するモールド樹脂を備えた発光モジュール。 A light emitting element is mounted on the wiring pattern of the heat dissipation wiring board according to any one of claims 1 to 4,
A light emitting module comprising a mold resin for covering the light emitting element on the insulating resin layer. 放熱板と配線パターンとの間、
および前記放熱板と前記配線パターンとこの配線パターンの外枠とを繋ぐ導体パターンとの間に絶縁樹脂層を形成し、
次に加圧して前記配線パターンおよび前記導体パターンを、これらの表面が上面に露出するように前記絶縁樹脂層に埋め込み、
その後前記導体パターンを、
前記絶縁樹脂層の外縁部に一部残すように取り除き、
前記絶縁樹脂層に残った前記導体パターンと前記配線パターンとの間に溝を設けた放熱配線基板の製造方法。 Between the heat sink and the wiring pattern,
And forming an insulating resin layer between the heat sink and the conductor pattern connecting the wiring pattern and the outer frame of the wiring pattern,
Next, pressurize and embed the wiring pattern and the conductor pattern in the insulating resin layer so that their surfaces are exposed on the upper surface,
Then the conductor pattern,
Remove to leave part of the outer edge of the insulating resin layer,
A method for manufacturing a heat dissipation wiring board, wherein a groove is provided between the conductor pattern remaining on the insulating resin layer and the wiring pattern. 放熱板と複数の配線パターンとの間、
および前記放熱板と前記複数の配線パターン間を繋ぐ導体パターンとの間に絶縁樹脂層を形成し、
次に加圧して前記配線パターンおよび前記導体パターンを、これらの表面が上面に露出するように前記絶縁樹脂層に埋め込み、
その後前記導体パターンを、
それぞれの配線パターンの近傍に一部残すように取り除き、
隣接する前記配線パターンの連結部分と、
前記配線パターンと前記導体パターンの間とに溝を形成する複数個取り用放熱配線基板の製造方法。 Between the heat sink and multiple wiring patterns,
And forming an insulating resin layer between the heat sink and the conductor pattern connecting the plurality of wiring patterns,
Next, pressurize and embed the wiring pattern and the conductor pattern in the insulating resin layer so that their surfaces are exposed on the upper surface,
Then the conductor pattern,
Remove to leave a part in the vicinity of each wiring pattern,
A connecting portion of adjacent wiring patterns;
A method of manufacturing a plurality of heat radiation wiring boards for forming a groove between the wiring pattern and the conductor pattern.
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