JP2008115050A - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。単結晶はチャンバ内の引上げ途中の800〜600℃の温度領域を250〜180分かけて通過させて育成される。単結晶は酸素濃度10×1017〜12×1017atoms/cm3及び抵抗率0.03〜0.01Ωcmを有する。ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前にウェーハを不活性ガス雰囲気下650〜900℃の温度範囲内の所定の温度で10分〜4時間保持するプレアニールを行う。
【選択図】図1
Description
請求項6に係る発明は、ウェーハのエピタキシャル層表面において0.09μm以上の大きさのエピタキシャル欠陥が3個/枚以下の密度を有し、かつエピタキシャル層を除くウェーハ内部に形成される酸素析出物密度が1×104個/cm2 以上5×106個/cm2以下であることを特徴とする。この請求項6に記載されたエピタキシャルウェーハは、リーク電流が減少し、ライフタイムが向上し、IG効果に優れている。
次に本発明を実施するための第1の実施の形態を説明する。本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、図2に示すように、CZ法によってボロンが添加されたシリコン融液11からシリコン単結晶12をチャンバ21内でCZ法により引上げる工程と、図示しないこの単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含む。このエピタキシャルウェーハの製造方法においては、単結晶12をチャンバ21内の引上げ途中800〜600℃の温度領域を250分以下180分以上かけて通過させて育成し、育成した単結晶12が酸素濃度10×1017〜12×1017atoms/cm3及び抵抗率0.03〜0.01Ωcmを有し、単結晶からスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウェーハを不活性ガス雰囲気下、650〜900℃の温度範囲内の所定の温度で10分〜4時間保持するプレアニールを行うことを特徴としている。シリコン単結晶12は直径300mm以上であることが好ましく、直径300〜450mmであることが更に好ましい。
次に本発明を実施するための第2の実施の形態を説明する。本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、CZ法によってボロンが添加されたシリコン融液11から直径300mmのシリコン単結晶12をチャンバ21内で強制冷却してチャンバ21内でCZ法により引上げる工程と、この単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含む。即ち、この第2の実施の形態においては、図3に示すように、強制冷却はチャンバ21内に設置された水冷式冷却装置36により行われる。そして、シリコン単結晶12は、引上げ途中の800〜600℃の温度領域を、冷却装置36の内部に設置された冷却用筒体37の内部を180分未満120分以上で通過して育成される。その育成されたシリコン単結晶12は酸素濃度10×1017〜14×1017atoms/cm3と及び抵抗率0.03〜0.01Ωcmを有する。シリコン単結晶12は直径300mm以上であることが好ましく、直径300〜450mmであることが更に好ましい。この単結晶からスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に、シリコンウェーハを不活性ガス雰囲気下、650〜900℃の温度範囲内の所定の温度で10分〜4時間保持するプレアニールが行われる。プレアニールにおける室温からの昇温速度及び室温までの降温速度は第1の実施の形態と同じである。
シリコン単結晶を育成するCZ炉10を図2に示す。詳しくは、メインチャンバ21内の中心位置にシリコン融液11を貯留する坩堝22が設けられる。坩堝22は石英からなる容器22aとこの外側に配置された黒鉛からなる容器22bとから構成され、支軸23を介して坩堝22を回転させ昇降させる坩堝駆動手段24に接続される。坩堝22の外周部には、加熱ヒータ25と保温筒26が同心円状に配置される。坩堝22内にはシリコン単結晶が加熱ヒータ25により融解されたシリコン融液11が収容される。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を0.85〜0.95mm/分に変えることにより、表1に示すように、250分以下180分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉10内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表1に示すように10×1017〜12×1017atoms/cm3の範囲内で変更した。上記変更を除いて実施例1と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ実施例2〜6とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を0.85〜0.95mm/分に変えることにより、表1に示すように、250分以下180分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉10内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表1に示すように、10×1017〜12×1017atoms/cm3の範囲外で変更した。上記変更を除いて実施例1と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例1〜6とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を0.75/分に変えることにより、表1に示すように、250分以下180分以上の範囲外に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉10内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表1に示すように変更した。上記変更を除いて実施例1と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例7〜10とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を0.85〜0.95mm/分に変えることにより、表2に示すように、250分以下180分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉10内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表2に示すように変更した。更にプレアニール工程を行わずにエピタキシャル層を形成した。上記変更を除いて実施例1と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例11〜22とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を0.75〜1.05mm/分に変えることにより、表2に示すように、250分以下180分以上の範囲外に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉10内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表2に示すように変更した。更にプレアニール工程を行わずにエピタキシャル層を形成した。上記変更を除いて実施例1と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例23〜26とした。
実施例1〜6、及び比較例1〜26におけるエピタキシャルシリコンウェーハを、表面欠陥検査装置(KLA‐Tencor社製;SP‐1)を用いて、エピタキシャル層の表面で検出される0.09μm以上の大きさの表面欠陥(エピタキシャル欠陥)の数を測定した。次に、これらのエピタキシャルウェーハに対し、乾燥酸素雰囲気中l000℃で16時間保持して、BMD成長熱処理を施した後、エピタキシャルウェーハを劈開して、劈開断面をライトエッチング液で2μmの選択エッチングを行い、この劈開断面を光学顕微鏡を用いてエッチングピット密度を測定し、シリコンウェーハ中に形成された酸素析出物(BMD)密度を求めた。これらの測定結果を表1及び表2に示す。
表1及び表2におけるウェーハ1枚当たりのエピタキシャル欠陥の個数は、3000枚のエピタキシャルウェーハを測定した平均値を示している。表1及び表2から明らかなように、ウェーハ1枚当たりのエピタキシャル欠陥個数の平均値は、実施例1〜6及び比較例1、比較例3、比較例5、比較例11〜25では3個以下と低い数値を示し、比較例7〜8、比較例26では50個以上、比較例2、比較例4、比較例6、比較例9〜10では100個以上と高い数値を示した。
シリコン単結晶を育成するCZ炉20を図3に示す。図3において図2と同一符号は同一構成要素を示し、第1の実施の形態と略同様であるので繰返しの説明を省略する。メインチャンバ21内には、冷却装置36が育成される単結晶12を囲むように設置される。冷却装置36の内部には、冷却水路37aを有する冷却用筒体37と、冷却水路37aに連通接続しチャンバ21外から冷却水路37aに冷却水を所定の圧力で供給する供給管38と、冷却水路37aに連通接続しチャンバ21外に冷却水路37aに冷却水を排出する排出管39とを備える。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.3〜1.0mm/分に変えることにより、表3に示すように、180分未満120分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表3に示すように変更した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ実施例8〜12とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.3〜1.0mm/分に変えることにより、表3に示すように、180分未満120分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表3に示すように変更した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例27〜32とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.4mm/分に変えることにより、表3に示すように、180分未満120分以上の範囲外に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表3に示すように変更した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例33〜36とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.3〜1.0mm/分に変えることにより、表4に示すように、180分未満120分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表4に示すように変更した。更にプレアニール工程を行わずにエピタキシャル層を形成した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例37〜42とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.3〜1.0mm/分に変えることにより、表4に示すように、180分未満120分以上の範囲内に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表4に示すように変更した。更にプレアニール工程を行わずにエピタキシャル層を形成した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例43〜48とした。
シリコン単結晶の育成において、シリコン単結晶12の800〜600℃の温度領域を通過する時間を、引上げ速度を1.4mm/分に変えることにより、表4に示すように、180分未満120分以上の範囲外に変更した。また、坩堝22の回転速度と磁界印加装置35により磁場強度を変更し、かつアルゴンガスの流速とCZ炉20内の圧力を調整することでシリコン単結晶12に含まれる酸素濃度を表4に示すように変更した。更にプレアニール工程を行わずにエピタキシャル層を形成した。上記変更を除いて実施例7と同様にして、それぞれエピタキシャルウェーハを得た。得られたエピタキシャルウェーハをそれぞれ比較例49〜52とした。
表3〜6におけるウェーハ1枚当たりのエピタキシャル欠陥の個数は、3000枚のエピタキシャルウェーハを測定した平均値を示している。表3〜6から明らかなように、ウェーハ1枚当たりのエピタキシャル欠陥個数の平均値は、実施例7〜12では、3個以下と低い数値を示し、BMD密度も1×104個/cm2以上の高い数値を示した。
12 シリコン単結晶
21 メインチャンバ
Claims (6)
- ボロンが添加されたシリコン融液からシリコン単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と、前記単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記単結晶は前記チャンバ内の引上げ途中の800〜600℃の温度領域を250分以下180分以上かけて通過させて育成され、
前記育成された単結晶は10×1017〜12×1017atoms/cm3(ASTM F121-1979)未満の酸素濃度及び0.03〜0.01Ωcmの抵抗率を有し、
前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に前記ウェーハを不活性ガス雰囲気下650〜900℃の温度範囲内の所定の温度で10分〜4時間保持するプレアニールを行う
ことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 室温からプレアニールの所定の温度に昇温する昇温速度が1〜8℃/分であり、かつ前記所定の温度から室温まで冷却する降温速度が5〜2℃/分である請求項1記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- ボロンが添加されたシリコン融液からシリコン単結晶をチャンバ内で強制冷却してチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と、前記単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記単結晶は前記チャンバ内の引上げ途中の800〜600℃の温度領域を180分未満120分以上かけて通過させて育成され、
前記育成された単結晶は10×1017〜14×1017atoms/cm3(ASTM F121-1979)以下の酸素濃度及び0.03〜0.01Ωcmの抵抗率を有し、
前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に前記ウェーハを不活性ガス雰囲気下650〜900℃の温度範囲内の所定の温度で10分〜4時間保持するプレアニールを行う
ことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 室温からプレアニールの所定の温度に昇温する昇温速度が1〜8℃/分であり、かつ前記所定の温度から室温まで冷却する降温速度が5〜2℃/分である請求項3記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 強制冷却はチャンバ内に設置された水冷式冷却装置により行われる請求項3又は4記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- ウェーハのエピタキシャル層表面において0.09μm以上の大きさのエピタキシャル欠陥が3個/枚以下の密度を有し、かつ前記エピタキシャル層を除く前記ウェーハ内部に形成される酸素析出物密度が1×104個/cm2 以上であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
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