JP2008112981A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜に対し、線状のレーザ光を前記レーザ光の短軸方向に相対的に走査させながら照射し、前記半導体膜を結晶化させる半導体装置の作製方法において、
   前記レーザ光は、光学素子により線状にされた後、前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過し、
   前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段と前記半導体膜との距離をＬμｍ、前記レーザ光の波長をλμｍとしたとき、０．５＜Ｌλ＜１００を満たす位置に前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段が配置され、
   前記半導体膜における前記レーザ光のエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の端部領域において急峻に高くなり、
   前記半導体膜における前記レーザ光のエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の中央部領域より前記レーザ光の長軸方向の端部領域の方が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に半導体膜を形成し、
   前記半導体膜に対し、線状のレーザ光を前記レーザ光の短軸方向に相対的に走査させながら照射し、前記半導体膜を結晶化させる半導体装置の作製方法において、
   前記レーザ光は、光学素子により線状にされた後、前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過し、
   前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段と前記半導体膜との距離をＬμｍとしたとき、１＜Ｌ＜２００を満たす位置に前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段が配置され、
   前記半導体膜におけるエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の端部領域において急峻に高くなり、
   前記半導体膜におけるエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の中央部領域より前記レーザ光の長軸方向の端部領域の方が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記レーザ光は、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記レーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ _４ 、フォルステライト（Ｍｇ _２ ＳｉＯ _４ ）、ＹＡｌＯ _３ 、ＧｄＶＯ _４ 、もしくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ _２ Ｏ _３ 、ＹＶＯ _４ 、ＹＡｌＯ _３ 、ＧｄＶＯ _４ に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記光学素子は、シリンドリカルレンズまたは回折光学素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段として、反射ミラーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。