JP2008098486A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光素子は、基板10上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層12と、発光層13と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層14とが形成されており、p型窒化ガリウム系化合物半導体層14は、発光層13により生じた光の波長を変換する蛍光体を含む複数の透明導電層15a,15b,15cが積層されて成るp型電極15が表面に形成されており、発光層13に最も近い透明導電層15aが発光層13により生じた光を第1波長の光に変換する蛍光体17aを含み、発光層13から離れるに従って発光層13により生じた光を第1波長の光よりも短波長の光に変換する蛍光体17b,17cを含む透明導電層15b,15cが積層されている。
【選択図】 図1
Description
11:バッファ層
12:n型窒化ガリウム系化合物半導体層
13:発光層
14:p型窒化ガリウム系化合物半導体層
15:p型電極
16:n型電極
17:蛍光体
17a,17b,17c:蛍光体
Claims (4)
- 基板上に、n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層とが形成されている発光素子において、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層は、前記発光層により生じた光の波長を変換する蛍光体をそれぞれ含む複数の透明導電層が積層されて成るp型電極が表面に形成されており、前記複数の透明導電層は、前記発光層に最も近い前記透明導電層が前記発光層により生じた光を第1波長の光に変換する蛍光体を含むものであり、前記発光層から離れるに従って前記発光層により生じた光を前記第1波長の光よりもより短波長の光に変換する蛍光体を含む前記透明導電層が積層されていることを特徴とする発光素子。
- 前記複数の透明導電層は、前記発光層により生じた光を赤色光に変換する蛍光体を含む透明導電層と、前記発光層により生じた光を緑色光に変換する蛍光体を含む透明導電層と、前記発光層により生じた光を青色光に変換する蛍光体を含む透明導電層とが前記発光層側から順次積層されており、前記発光層で生じた光を白色光として外部に放射させることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、露出した表面に、前記発光層により生じた光の波長を変換する蛍光体をそれぞれ含む複数の透明導電層が積層されて成るn型電極が形成されており、前記複数の透明導電層は、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層に最も近い前記透明導電層が前記発光層により生じた光を第1波長の光に変換する蛍光体を含むものであり、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層から離れるに従って前記発光層により生じた光を前記第1波長の光よりもより短波長の光に変換する蛍光体を含む前記透明導電層が積層されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光素子。
- 前記複数の透明導電層は、前記発光層から離れるに従って厚みが薄くなっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の発光素子。
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