JP2008096358A - 磁気検出装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 212
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 61
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【課題】 特に、磁気抵抗効果素子のパターニング形成の際の薄膜プロセスによる集積回路へのダメージを適切に軽減できるとともに、磁気検出装置の小型化を実現できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 集積回路3と磁気抵抗効果素子10との間に金属で形成されたシールド層7を設けたことで、前記磁気抵抗効果素子10を薄膜プロセスによりパターニング形成した際の前記磁気抵抗効果素子10の直下に位置する前記集積回路3へのダメージを軽減できるとともに、Si基板2上に集積回路3及び磁気抵抗効果素子10を積層形成した構造であるため、磁気検出装置1の小型化を実現できる。
【選択図】図3
【解決手段】 集積回路3と磁気抵抗効果素子10との間に金属で形成されたシールド層7を設けたことで、前記磁気抵抗効果素子10を薄膜プロセスによりパターニング形成した際の前記磁気抵抗効果素子10の直下に位置する前記集積回路3へのダメージを軽減できるとともに、Si基板2上に集積回路3及び磁気抵抗効果素子10を積層形成した構造であるため、磁気検出装置1の小型化を実現できる。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板上に集積回路と磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子とが積層された磁気検出装置に関する。
外部磁界を検出する磁気検出装置は、非接触式のON−OFFスイッチや、回転位相または回転数を検出する回転エンコーダなどとして使用されている。
前記磁気検出装置は、特許文献1に示すように、外部磁界の変化に対して抵抗値が変動する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に基づいて磁界検出信号を生成・出力するための集積回路とを有して構成される。
特開2004−80056号公報
特開2002−246310号公報
磁気抵抗効果素子は、形成面全域にスパッタ法等で成膜された後、イオンミリングを用いて所定形状にパターニング形成される。このような薄膜プロセスによるパターニング形成では、例えばイオン照射やプラズマの発生が原因で前記集積回路に、電荷チャージやESD(ElectroStatic Discharge)による破壊・特性劣化が生じるといった問題があった。
特許文献1では、例えば[0030]欄に、GMR素子を集積回路上及び金属配線上に形成したときに、前記集積回路上に形成されたGMR素子は除去せず残しておき、前記集積回路をイオンの衝撃から保護することが開示されている。
しかし、上記した特許文献1における構成は、基板上に集積回路及び磁気抵抗効果素子を平面的に配列させるがゆえ成せる構成であり、基板上に集積回路及び磁気抵抗効果素子を積層する場合について言及していない。すなわち、基板上に集積回路及び磁気抵抗効果素子を積層した構成において、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成すると、その下に存在する集積回路が必ず薄膜プロセスの影響を受けてしまい、よって、このように積層タイプにおいて、如何にして前記集積回路を保護するかが問題となる。
また、特許文献1に記載された発明のように、平面的に前記集積回路及び磁気抵抗効果素子を配列した構造であると、磁気検出装置の小型化を促進できず、また残されたGMR素子膜の前記集積回路への磁気的影響や、実際にGMR素子として機能する素子への磁気的影響も懸念される。
また特許文献2には、金属遮蔽膜を設けてTFTへの光入射を防止することが開示されているが、基板上に集積回路と磁気抵抗効果素子とが積層された磁気検出装置に関する発明ではなく、当然、磁気抵抗効果素子の薄膜プロセスにおける前記集積回路へのダメージの問題、及び前記ダメージを軽減する方法は何ら開示されていない。
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、磁気抵抗効果素子のパターニング形成の際の薄膜プロセスによる集積回路へのダメージを適切に軽減できるとともに、磁気検出装置の小型化を実現できる磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した多層膜構造の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と接続し、磁界検出信号を出力するための集積回路とを有する磁気検出装置において、
基板上に、前記集積回路が形成され、前記集積回路上に金属のシールド層を介して、前記磁気抵抗効果素子が所定形状に薄膜プロセスによりパターニング形成されていることを特徴とするものである。
基板上に、前記集積回路が形成され、前記集積回路上に金属のシールド層を介して、前記磁気抵抗効果素子が所定形状に薄膜プロセスによりパターニング形成されていることを特徴とするものである。
本発明では、上記のように前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間に金属で形成されたシールド層を設けたことで、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成した際の前記磁気抵抗効果素子の直下に位置する前記集積回路へのダメージを軽減できるとともに、基板上に集積回路及び磁気抵抗効果素子を積層形成した構造であるため、磁気検出装置の小型化を実現できる。
本発明では、前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間には、前記集積回路上を覆う絶縁保護層と、前記絶縁保護層上を覆い、前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い絶縁性の平坦化層が設けられ、前記シールド層は前記絶縁保護層と前記平坦化層との間に設けられることが好ましい。これにより前記シールド層と前記集積回路との絶縁性を確保しつつ、前記シールド層と前記集積回路間の距離を縮めることができ、シールド効果を適切に発揮させることが出来る。
また本発明では、前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間には、前記集積回路上を覆う絶縁保護層と、前記絶縁保護層上を覆い、前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い絶縁性の平坦化層が設けられ、前記シールド層は前記平坦化層上に設けられ、さらに、前記シールド層と前記磁気抵抗効果素子との間に絶縁性のギャップ層が形成されている構成であってもよい。かかる構成では、前記シールド層を平坦化度が高い平坦化層上に形成でき前記シールド層を所定膜厚で(欠陥部が形成されること無く)形成でき、適切にシールド効果を発揮させることが出来る。
また本発明では、前記シールド層はグランド電位に接続されていることが、前記シールド層の電荷チャージを防止でき、前記シールド層の前記集積回路に対する電気的影響をより効果的に防止できて好適である。
また本発明では、前記磁気抵抗効果素子と積層順が異なり、前記磁気抵抗効果素子と直列接続される外部磁界により電気抵抗が変化しない固定抵抗素子が前記集積回路上に、前記シールド層を介して、薄膜プロセスによりパターニング形成されていることが好ましい。これにより、より適切に、前記集積回路を前記磁気抵抗効果素子及び固定抵抗素子をパターニング形成する際の薄膜プロセスから保護できる。
また前記シールド層は、前記集積回路の前記磁気抵抗効果素子及びパッド部との接続部分、あるいは前記集積回路の磁気抵抗効果素子、前記固定抵抗素子及びパッド部との接続部分を除く前記集積回路上の全域に形成されていることが、より効果的にシールド効果を発揮させることができ好適である。
また本発明では、前記シールド層は非磁性金属で形成されることが、前記集積回路や磁気抵抗効果素子への磁気的影響を防止できて好適である。
本発明は、外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した多層膜構造の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と接続し、磁界検出信号を出力するための集積回路とを有する磁気検出装置の製造方法において、
基板上に前記集積回路を形成する工程、
前記集積回路の上側に、金属で形成されたシールド層を形成する工程、
前記シールド層の上側に、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
基板上に前記集積回路を形成する工程、
前記集積回路の上側に、金属で形成されたシールド層を形成する工程、
前記シールド層の上側に、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有することを特徴とするものである。
本発明では、上記のように、基板上に、下から、集積回路、シールド層及び磁気抵抗効果素子の順に積層形成するため、磁気検出装置の小型化を促進できるとともに、前記磁気抵抗効果素子をパターニング形成するときの薄膜プロセスの影響が前記集積回路へ及ぶのを、前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間に形成したシールド層にて適切に防止できる。
本発明では、前記集積回路上に絶縁保護層を形成する工程、
前記絶縁保護層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有することが好ましい。
前記絶縁保護層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有することが好ましい。
あるいは、本発明では、前記集積回路上に絶縁保護層を形成する工程、
前記絶縁保護層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に絶縁性のギャップ層を介して前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有するものであってもよい。
前記絶縁保護層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に絶縁性のギャップ層を介して前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有するものであってもよい。
上記の構成により、前記集積回路と磁気抵抗効果素子間を適切に、電気的に絶縁できるとともに、前記磁気抵抗効果素子を平坦化面上に適切に形成することが出来る。
本発明では、集積回路と磁気抵抗効果素子との間に金属で形成されたシールド層を設けたことで、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成した際の前記磁気抵抗効果素子の直下に位置する前記集積回路へのダメージを軽減できるとともに、基板上に集積回路及び磁気抵抗効果素子を積層形成した構造であるため、磁気検出装置の小型化を実現できる。
図1は本発明の磁気検出装置を示す斜視図、図2は、図1の磁気検出装置のII−II線での縦断面図、図3は図2の一部分を拡大した拡大縦断面図、図4は、図2の構造と一部異なる拡大縦断面図、図5は、シールド層の好ましい形成範囲を示す磁気検出装置の平面図、である。
図1に示す磁気検出装置1は、磁気抵抗効果素子10と固定抵抗素子20および集積回路3が一体化されたICパッケージであり、小型で且つ薄型に構成されている。この磁気検出装置1は、マグネットMなどの磁界発生部材が接近したときに、ON出力を得ることができる。例えば、この磁気検出装置1は、折り畳み式の携帯電話においてキースイッチが配列された本体部に内蔵される。液晶デバイスなどの表示装置を有する折り畳み部には、マグネットMが搭載され、本体部と折り畳み部とが折り畳み状態となったときに、前記マグネットMが磁気検出装置1に接近し、マグネットMから発せられる磁界が磁気検出装置1で検出されて、この磁気検出装置1からON出力が得られる。
この磁気検出装置1の配置箇所は、前記携帯電話に限られるものではなく、例えば自動車に搭載されて、シートポジションの検出部や、シートベルトの着脱検出部などに使用することができる。または、回路構成を変えることにより、回転するマグネットの回転位相や回転数の検出に使用することも可能である。
図1に示すように、この磁気検出装置1には、磁気抵抗効果素子10と固定抵抗素子20とが搭載されている。磁気抵抗効果素子10は、磁気抵抗効果を利用して、外部磁界によって電気抵抗が変化するものである。固定抵抗素子20は、磁気抵抗効果素子10と基本的に同じ電気抵抗を有し且つ同じ温度特性を有し、しかも、磁気抵抗効果素子10が反応する大きさの外部磁界によっては電気抵抗が実質的に変化しないものである。
磁気抵抗効果素子10は巨大磁気抵抗効果(GMR効果)を利用して外部磁界を検出するものである。前記磁気抵抗効果素子1は、例えば、下からIr・Mn合金(イリジウム・マンガン合金)やPt・Mn合金(白金・マンガン合金)などで形成された反強磁性層、軟磁性材料であるCo・Fe合金(コバルト・鉄合金)やNi・Fe合金(ニッケル・鉄合金)などで形成された固定磁性層、Cu(銅)などで形成された非磁性中間層、及び軟磁性材料であるCo・Fe合金(コバルト・鉄合金)やNi・Fe合金(ニッケル・鉄合金)などで形成されたフリー磁性層)の順に積層された基本膜構成を有する。
前述した反強磁性層と固定磁性層との反強磁性結合により、固定磁性層の磁化方向が、図1に示すPin方向に固定されている。前述した前記磁気抵抗効果素子10を構成するフリー磁性層は、固定磁性層と異なって磁化方向は固定されておらず、前記マグネットMからの外部磁界によって磁化変動する。前記フリー磁性層の磁化方向が、前記固定磁性層の磁化方向と逆方向に向くと磁気抵抗効果素子10の電気抵抗値は最大となり、前記フリー磁性層の磁化方向が、前記固定磁性層の磁化方向と同方向を向くと、前記磁気抵抗効果素子10の電気抵抗値は最小となる。
前記固定抵抗素子20は、前記磁気抵抗効果素子10を構成するフリー磁性層と非磁性中間層とが逆積層されて、前記フリー磁性層は磁化が外部磁界により変動する磁性層として働かず固定磁性層と同じように磁化固定される。このように前記固定抵抗素子20は、磁気抵抗効果素子10と積層順が異なるだけで使用する材料を同じに出来るから、固定抵抗素子20は、磁気抵抗効果素子10と同じ電気抵抗で且つ同じ温度特性を有するものに出来る。
なお前記磁気抵抗効果素子10はGMR素子以外にAMR素子やTMR素子であってもよい。
図1に示すように、磁気抵抗効果素子10及び固定抵抗素子20はミアンダ型でパターニング形成されている。これにより、それぞれの抵抗値を高くでき、消費電流を低減させることができる。また、外部磁界が与えられたときに、適正な中点電位を得ることができるようになる。
図1に示すように、磁気抵抗効果素子10の一方の端部には、低抵抗材料で形成された電極層15が設けられ、他方の端部には同じく低抵抗材料で形成された電極層18が設けられている。固定抵抗素子20の一方の端部には、低抵抗材料で形成された電極層16が設けられ、他方の端部にも、低抵抗材料で形成された電極層19が設けられている。そして、磁気抵抗効果素子10の電極層15と固定抵抗素子20の電極層16とが、リード層17で接続され、磁気抵抗効果素子10と固定抵抗素子20とが直列に接続されている。電極層およびリード層は、金、銀、銅などの低抵抗材料を主体として形成され、例えばクロム/銅/クロムが積層されて形成される。
図1に示すように、磁気検出装置1の表面には電源パッド32、接地パッド34及び出力パッド42が設けられている。例えば前記磁気抵抗効果素子10の一端部に接続される電極層18は、前記集積回路内に設けられた電源配線層(図示しない)を介して前記電源パッド32に接続され、また前記固定抵抗素子20の一端部に接続される電極層19は、前記集積回路内に設けられた接地配線層(図示しない)を介して、前記接地パッド34に接続されている。
この磁気検出装置1では、電源パッド32に電源電圧Vccが与えられ、接地パッド34がグランド電位に設定される。
前記リード層17は図2に示すようにSi基板2上に設けられた中点配線層35上のバンプ部27上に電気的に接続されている。そして前記中点配線層35から、差動出力部(オペアンプ)、コンパレータ等を経て、前記磁気抵抗効果素子10の抵抗変化による電位変化に基づいて生成されたON/OFFの磁界検出信号が前記出力パッド42から出力される。なお前記バンプ部27が形成されずリード層17が前記中点配線層35上に直接接続される構成でもよい。
次に、磁気検出装置1の積層構造を図2及び図3を用いて説明する。
図3に示すように、Si基板2上に、集積回路3を構成する差動増幅器やコンパレータ等の能動素子13,14,21や抵抗器22,23、配線層35等が形成されている。
前記集積回路3は、前記下地層12の表面において、平面的に配列して形成される。
図3に示すように、Si基板2上に、集積回路3を構成する差動増幅器やコンパレータ等の能動素子13,14,21や抵抗器22,23、配線層35等が形成されている。
前記集積回路3は、前記下地層12の表面において、平面的に配列して形成される。
配線層35は、低抵抗材料で形成され、例えばアルミニウムで形成される。この磁気検出装置1では、配線層35が、1.0μm以上で3μm以下の比較的幅広で且つ厚い膜厚で形成されている。このように配線層35を幅広で厚く形成することにより、大電流に対応でき、また温度特性などの信頼性が向上するため、携帯電話などの携帯用機器のみならず車載用として使用しても、その規格条件を満足することができる。
図2に示すように、前記集積回路3上は絶縁層24で覆われている。前記絶縁層24は、前記集積回路3上を覆う絶縁保護層(パッシベーション層)6と、前記絶縁保護層6上に設けられる平坦化層8とで構成される。
前記絶縁保護層6はスパッタあるいはCVD成膜され、SiN、SiO2、Al2O3、TEOS(テトラエトキシシラン)、Ta2O5のうちいずれか1種、あるいは2種以上の積層で形成されることが好ましい。このうち前記絶縁保護層6は、窒化ケイ素(SiN)で形成されることがより好ましい。これにより前記集積回路3上を適切に絶縁保護できる。
図3に示すように、前記絶縁保護層6上に金属のシールド層7が形成される。前記シールド層7はスパッタ法やメッキ法等で形成される。前記シールド層7はAl、Cu、Cr等で形成され、非磁性金属であることが好適である。
図3に示すように前記シールド層7上には、レジスト等で形成された平坦化層8が形成される。前記平坦化層8は、前記シールド層7表面に形成された凹部内を適切に埋めており、前記平坦化層8の表面は、前記絶縁保護層6の表面よりも平坦化度が高い。前記平坦化度は例えば中心線平均粗さRaで評価される。
前記平坦化層8が無機絶縁材料で形成されるときは、前記平坦化層8の表面及びバンプ部27の表面をCMP技術を用いて高精度に平坦化面に形成することも可能である。
前記平坦化層8上に、スパッタ法やイオンミリング法等の薄膜プロセスを用いて、図1に示す平面形状がミアンダー形状の磁気抵抗効果素子10がパターニング形成される。このように前記磁気抵抗効果素子10を前記平坦化層8上に形成することで、前記磁気抵抗効果素子10を一定の膜厚で適切にパターニング形成できる。
また前記磁気抵抗効果素子10と共に固定抵抗素子20もまた前記薄膜プロセスを用いて形成される。上記したように前記固定抵抗素子20は、前記磁気抵抗効果素子10を構成する前記フリー磁性層と非磁性中間層との積層順を入れ替えた構成で、磁気抵抗効果素子10と同じ材料層で形成される。
本実施形態では前記磁気抵抗効果素子10と前記固定抵抗素子20とでセンサ部30を構成している。また他の構成では、前記磁気抵抗効果素子10や固定抵抗素子20を複数個用意しブリッジ回路を形成することも出来る。
図2,図3に示すように、低抵抗材料を主たる層とする電極層15,16,18,19およびリード層17、さらに各パッド32,34,42がメッキプロセスなどで形成される。これら各層は、金、銀、銅などの低抵抗材料を主体として形成され、例えばクロム/銅/クロムの積層体で形成される。
図2,図3に示すように、磁気抵抗効果素子10と固定抵抗素子20とを直列に繋いでいるリード層17は、中点配線層35の真上に形成されたバンプ部27上に形成される。
また、磁気抵抗効果素子10の端部に設けられる電極層18は、Si基板2の表面に形成された電源配線層(図示しない)の真上に形成し、上下に位置する電極層18と電源配線層をバンプを介して、あるいは直接、接続する。固定抵抗素子20の端部に設けられる電極層19は、Si基板2上に形成された接地配線層(図示しない)の真上に形成し、上下に位置する電極層19と接地配線層をバンプを介してあるいは直接、接続する。さらに、電源パッド32の真下には前記電源配線層が位置し、接地パッド34の真下には前記接地配線層が位置し、出力パッド42の真下にも配線層が位置しており、電源パッド32、接地パッド34および出力パッド42は、その下に位置する各配線層に夫々バンプを介して、あるいは直接接続される。
このように、電極層15,16,18,19、リード層17、各パッド32,34,42の真下において、Si基板2の表面に配線層を形成し、絶縁層24を上下に貫通するバンプを介して電極層と配線層、リード層と配線層、およびパッドと配線層とを導通させることにより、磁気検出装置1を小さい面積で形成することが可能となる。
さらに図3に示すように、前記磁気抵抗効果素子10、固定抵抗素子20、電極層15,16,18,19およびリード層17が、保護層9で覆われる。この保護層9は、アルミナ(Al2O3)、二酸化ケイ素(SiO2)などの絶縁材料で、例えば、スパッタリング工程で形成される。そして、前記保護層9上を樹脂11でモールド成形する等してパッケージ化される。なお、図1に示す電源パッド32、接地パッド34および出力パッド42は、保護層9及び樹脂11で覆うことなく、これらパッドは露出させる。
図6及び図7にて本実施形態の磁気検出装置1の製造方法を説明する。
図6に示す工程では、Si基板2上の下地層12上に、集積回路3を形成した後、前記集積回路3の各配線層上にリフトオフ用のレジスト層25を形成する。前記レジスト層25は、図6に示す配線層35上のみでなく、磁気抵抗効果素子10及び固定抵抗素子20の各電極と前記配線層との接続部分、及び各パッド部32、34、42と前記配線層との接続部分にも形成される。
図6に示す工程では、Si基板2上の下地層12上に、集積回路3を形成した後、前記集積回路3の各配線層上にリフトオフ用のレジスト層25を形成する。前記レジスト層25は、図6に示す配線層35上のみでなく、磁気抵抗効果素子10及び固定抵抗素子20の各電極と前記配線層との接続部分、及び各パッド部32、34、42と前記配線層との接続部分にも形成される。
そして前記絶縁保護層6を前記集積回路3上にスパッタ法等で形成する。このとき、前記絶縁保護層6は前記リフトオフ用レジスト層25の部分を除く前記集積回路3上に形成される。
さらに前記絶縁保護層6上に金属のシールド層7を形成する。前記シールド層7も前記リフトオフ用レジスト層25の部分を除く前記集積回路3上に前記絶縁保護層6を介して形成される。
次に、前記レジスト層25を除去する。図7に示すように、前記シールド層7上にレジスト等の平坦化層8を形成する。前記平坦化層8をレジストで形成するときは、露光現像により、リフトオフ用レジスト層25が形成されていた箇所の配線層上の前記平坦化層8を除去して前記配線層の表面が露出する穴部8aを形成する。
次に前記穴部8a内に、バンプ部27をメッキ法にて形成する。例えば前記平坦化層8を無機絶縁材料で形成する場合には、図6のリフトオフ用レジスト層25を用いて、前記平坦化層8まで成膜し、前記レジスト層25の除去後、前記穴部8a内に前記バンプ部27をメッキ形成し、次に、CMP技術を用いて前記平坦化層8の表面と前記バンプ部27の表面とを高精度に平坦化面に形成することも可能である。
次に、前記平坦化層8上及びバンプ部27上の全面に磁気抵抗効果素子10をスパッタ法等で成膜する。そして、図7に示すように前記磁気抵抗効果素子10上にレジスト層26を塗布し、露光現像により前記レジスト層26を図1に示すミアンダー形状で残し、前記レジスト層26に覆われていない前記磁気抵抗効果素子10をイオンミリングで除去する。
このように前記磁気抵抗効果素子10は薄膜プロセスによってパターニング形成される。ここで「薄膜プロセスによるパターニング形成」とは、スパッタ法等による成膜後、所定形状にイオンミリング等で加工することを指す。
前記磁気抵抗効果素子10の形成後、前記固定抵抗素子20を磁気抵抗効果素子10と同様、薄膜プロセスにて形成する。磁気抵抗効果素子10と固定抵抗素子20とは同じ材料層で形成されるが積層順が異なるので、同じ製造工程にて同時に形成することが出来ない。よって前記磁気抵抗効果素子10と前記固定抵抗素子20とを別々に薄膜プロセスにてパターニング形成する。
その後は、図3に示す保護層9の形成、樹脂11によるパッケージ化を行う。通常、Si基板2上に多数の磁気検出装置1を形成し、個々の磁気検出装置1にダイシングする。
本実施形態の特徴的部分は、図2,図3,図6,図7に示すように、Si基板2上に下から、集積回路3とセンサ部30とを順に積層形成し、集積回路3とセンサ部30との間に金属のシールド層7を設けた点にある。このように、前記集積回路3とセンサ部30とをSi基板2上に積層形成することで、前記集積回路3とセンサ部30とをSi基板2上に平面的に形成する場合に比べて磁気検出装置の小型化を促進できるとともに、前記集積回路3とセンサ部30との間にシールド層7を設けることで、前記センサ部30を構成する磁気抵抗効果素子10や固定抵抗素子20を薄膜プロセスによりパターニング形成したときの電気的影響が、前センサ部30の直下に位置する前記集積回路3に及ぶことなく、適切に前記集積回路3を保護できる。
本実施形態では、前記シールド層7に電荷がチャージされやすくなるので、前記シールド層7をグランド電位に接続し、前記電荷をグランドに逃がす構成とすることが、シールド層7の前記集積回路3に対する電気的影響を抑制できて好適である。例えば前記シールド層7は、図3に示すように、Si基板2の端で前記Si基板2上に直接接して形成され、または、前記接地パッド34に接続される等してグランド電位に接続される。
なお例えば前記固定抵抗素子20が磁気抵抗効果素子10のように薄膜プロセスによりパターニング形成されるものでない場合には、前記シールド層7は少なくとも、前記磁気抵抗効果素子10と集積回路3間に設ければ足りるが、図5に示すように、前記リード層17や電極18、19と配線層との接続部分28、29、31や、各パッド32、34、42と配線層との接続部分33を除く前記集積回路3上の全域に前記シールド層7を設けることが、より効果的に前記集積回路3を磁気抵抗効果素子10や固定抵抗素子20を形成する際の薄膜プロセスから保護できて好適である。
図3に示す実施形態では、前記シールド層7は前記集積回路3上を覆う絶縁保護層6と前記平坦化層8との間に設けられている。これにより、前記集積回路3と前記シールド層7間の距離を絶縁性を保ちながら適切に近づけることができ、より適切にシールド効果を発揮させることができる。
一方、図4のように、前記平坦化層8上に前記シールド層7を設ける構造であってもよい。かかる場合、前記シールド層7と磁気抵抗効果素子10との間、及びシールド層7と前記固定抵抗素子20との間に絶縁性のギャップ層36を設けて、前記シールド層7と磁気抵抗効果素子10及び前記シールド層7と固定抵抗素子20間の絶縁性を確保する。
図4では、前記シールド層7を前記平坦化層8上に形成するので、前記シールド層7をピンホール等の欠陥部が形成されず一定の膜厚で形成でき、適切にシールド効果を発揮させることができる。
前記シールド層7はAl等の非磁性金属で形成されることが前記磁気抵抗効果素子10に対して磁気的影響を与えることがないため好適である。
1 磁気検出装置
2 Si基板
3 集積回路
6 絶縁保護層
7 シールド層
8 平坦化層
15、16、18、19 電極
17 リード層
10 磁気抵抗効果素子
20 固定抵抗素子
24 絶縁層
25 リフトオフ用レジスト層
26 レジスト層
27 バンプ部
28、29、31、33 接続部分
30 センサ部
36 ギャップ層
2 Si基板
3 集積回路
6 絶縁保護層
7 シールド層
8 平坦化層
15、16、18、19 電極
17 リード層
10 磁気抵抗効果素子
20 固定抵抗素子
24 絶縁層
25 リフトオフ用レジスト層
26 レジスト層
27 バンプ部
28、29、31、33 接続部分
30 センサ部
36 ギャップ層
Claims (10)
- 外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した多層膜構造の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と接続し、磁界検出信号を出力するための集積回路とを有する磁気検出装置において、
基板上に、前記集積回路が形成され、前記集積回路上に金属のシールド層を介して、前記磁気抵抗効果素子が所定形状に薄膜プロセスによりパターニング形成されていることを特徴とする磁気検出装置。 - 前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間には、前記集積回路上を覆う絶縁保護層と、前記絶縁保護層上を覆い、前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い絶縁性の平坦化層が設けられ、前記シールド層は前記絶縁保護層と前記平坦化層との間に設けられる請求項1記載の磁気検出装置。
- 前記集積回路と前記磁気抵抗効果素子との間には、前記集積回路上を覆う絶縁保護層と、前記絶縁保護層上を覆い、前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い絶縁性の平坦化層が設けられ、前記シールド層は前記平坦化層上に設けられ、さらに、前記シールド層と前記磁気抵抗効果素子との間に絶縁性のギャップ層が形成されている請求項1記載の磁気検出装置。
- 前記シールド層はグランド電位に接続されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 前記磁気抵抗効果素子と積層順が異なり、前記磁気抵抗効果素子と直列接続される外部磁界により電気抵抗が変化しない固定抵抗素子が前記集積回路上に、前記シールド層を介して、薄膜プロセスによりパターニング形成されている請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 前記シールド層は、前記集積回路の前記磁気抵抗効果素子及びパッド部との接続部分、あるいは前記集積回路の磁気抵抗効果素子、前記固定抵抗素子及びパッド部との接続部分を除く前記集積回路上の全域に形成されている請求項1ないし5のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 前記シールド層は非磁性金属で形成される請求項1ないし6のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した多層膜構造の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子と接続し、磁界検出信号を出力するための集積回路とを有する磁気検出装置の製造方法において、
基板上に前記集積回路を形成する工程、
前記集積回路の上側に、金属で形成されたシールド層を形成する工程、
前記シールド層の上側に、前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有することを特徴とする磁気検出装置の製造方法。 - 前記集積回路上に絶縁保護層を形成する工程、
前記絶縁保護層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有する請求項8記載の磁気検出装置の製造方法。 - 前記集積回路上に絶縁保護層を形成する工程、
前記絶縁保護層上に前記絶縁保護層の表面よりも平坦化度が高い平坦化層を形成する工程、
前記平坦化層上に前記シールド層を形成する工程、
前記シールド層上に絶縁性のギャップ層を介して前記磁気抵抗効果素子を薄膜プロセスによりパターニング形成する工程、
を有する請求項8記載の磁気検出装置の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006280357A JP2008096358A (ja) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | 磁気検出装置及びその製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011185918A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-09-22 | Tdk Corp | 電子回路基板、これを用いた磁気センサ、及び、電子回路の電源部の保護方法 |
KR101233662B1 (ko) | 2011-07-19 | 2013-02-15 | 충남대학교산학협력단 | 유연 박막 자기저항 센서 및 그 제조 방법 |
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US9417296B2 (en) | 2011-02-23 | 2016-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-10-13 JP JP2006280357A patent/JP2008096358A/ja not_active Withdrawn
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