JP2008090999A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された軟磁性下地層と、軟磁性下地層上に形成され、規則的なパターンを有する組織層と、組織層のパターンに沿って誘導された偏析によって形成されて規則的なグラニュラー構造をなす磁性体グレーンと磁性体グレーンを隔離させる非磁性体境界とを有する記録層と、を備えることを特徴とする磁気記録媒体である。これにより、記録層に対するエッチング加工なしに規則的なグラニュラー構造を形成して記録密度を大幅に向上させうる。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】基板と、基板上に形成された軟磁性下地層と、軟磁性下地層上に形成され、規則的なパターンを有する組織層と、組織層のパターンに沿って誘導された偏析によって形成されて規則的なグラニュラー構造をなす磁性体グレーンと磁性体グレーンを隔離させる非磁性体境界とを有する記録層と、を備えることを特徴とする磁気記録媒体である。これにより、記録層に対するエッチング加工なしに規則的なグラニュラー構造を形成して記録密度を大幅に向上させうる。
【選択図】図１Ａ
Description
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法に係り、さらに詳細には、パターニングされたグラニュラー構造を有する磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
磁性体グレーンのパターンを磁気記録媒体に具現するための多様な方法が提案されている。代表的な方法を見れば、１）基板にナノインプリントを利用してナノホールパターンを形成した後、このホールに電解メッキや真空蒸着などで記録層を充填する工程、２）記録層が蒸着された基板上にナノインプリントを利用してナノピラーパターンを形成した後に記録層をエッチングする工程、３）基板上にナノピラーをナノインプリントなどを利用して形成した後に基板をエッチングして基板にナノピラー配列を形成し、その上に記録層を蒸着して物理的に分離された配列を形成する工程、または４）記録層を基板に蒸着した後に、ナノホールが形成されたステンシルマスクを利用して選択的にイオンを注入することによって、磁気特性を変形させてパターニングする工程がある。
このような工程には、記録層の製作時に既存の連続工程で使われているスパッタリング工程よりは記録層の磁気特性が良くないという問題点がある。スパッタリング工程を利用するとしても、記録層をナノホールやナノピラーに蒸着させる工程やエッチング、リフトオフ、イオン注入などの後続工程において、スパッタリング工程で製作された記録層を有する磁気記録媒体の磁気特性が劣化するか、または記録層の汚染が誘発されるという問題点がある。
本発明は、前記従来のパターン化された磁気記録媒体の問題点を改善するためのものであって、磁気的特性の劣化及び記録層の汚染を誘発しうる付加的な工程なしに規則的なグラニュラー構造の記録層を有する磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の一実施形態による磁気記録媒体は、基板上に軟磁性下地層と、組織層と、記録層が順次に積層された磁気記録媒体であって、前記組織層は、規則的なパターンを有し、前記記録層は、前記組織層のパターンに沿って形成されて規則的なグラニュラー構造をなす磁性体グレーンと前記磁性体グレーンを隔離させる非磁性体境界とを有することを特徴とする。
前記目的を達成するために、本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法は、基板上に軟磁性下地層と、組織層と、記録層と、が順次に積層された磁気記録媒体の製造方法であって、前記組織層に隔離された突出部と前記隔離された突出部を取り囲むトレンチに形成された規則的なパターンを形成する工程と、前記組織層の隔離された突出部に対応する磁性体グレーンと前記トレンチに対応する非磁性体境界との規則的なグラニュラー構造を有する記録層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明による磁気記録媒体及びその製造方法は、次のような効果がある。
第一に、記録層をパターニングされたグラニュラー構造で形成することによって、記録密度を大幅向上させうる。
第二に、記録層に対する加工工程を含んでいないので、磁気特性の劣化や基板の汚染を防止しうる。
第三に、記録層の形成時に、磁性体グレーンと非磁性体境界とを同時に成長させることによって、記録層の表面が凹凸構造を有さず、比較的平坦である。
第四に、記録層を蒸着する前に規則的なパターンを形成する工程を追加することを除いては、従来のグラニュラー媒体の製造工程技術をそのまま活用しうるので、従来のグラニュラー媒体の製造工程と互換性が高く、その技術の具現が容易である。
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施形態による磁気記録媒体及びその製造方法を詳細に説明する。
図１Ａは、本発明の一実施形態による磁気記録媒体の概略的な断面を表し、図１Ｂは、図１Ａの磁気記録媒体の記録層でのグラニュラー構造を示す。
図面を参照すれば、本実施形態の磁気記録媒体は、基板１００上に軟磁性下地層１１０と、中間層１２０と、組織層１４０と、磁性体グレーン１６１を含む記録層１６０とが順次に積層された構造を有する。本実施形態の主要な特徴は、記録層１６０の磁性体グレーン１６１の配列構造及びサイズを調節するために、中間層１２０にパターンが形成されているという点にある。前記記録層１６０上には、記録層１６０を外部から保護する保護膜（図示せず）がさらに形成されうる。さらに、保護膜上には、磁気ヘッドとの衝突及び摺動による磁気ヘッド及び保護膜の摩耗を減少させるための潤滑層（図示せず）がさらに設けられうる。
前記基板１００は、ガラス基板やアルミニウム合金基板、シリコン基板で形成され、通常はディスク状に製造される。
前記軟磁性下地層１１０は、記録動作時に磁気ヘッド（図示せず）から放出された磁束が磁気記録媒体内で円滑に磁気回路を形成することを可能にして、記録層１６０を効果的に磁化させる。このために前記軟磁性下地層１１０は、透磁率が高く、かつ保磁力が低い軟質磁性体で形成される。さらに、前記軟磁性下地層１１０は、複数の層で形成されてもよい。
前記中間層１２０は、非磁性の金属、酸化物、窒化物または高分子化合物で形成される。
前記中間層１２０は、軟磁性下地層１１０上に形成されており、その上面には、図１Ｂに示したような記録層１６０の規則的なグラニュラー構造の原型がパターンされている。前記中間層１２０のパターンは、後述するように、ナノインプリント工程を通じて形成されうる。前記パターンは、記録層１６０の磁性体グレーンが位置する突出部１２０ａと、突出した領域の間のトレンチ１２０ｂとで形成される。前記突出部１２０ａは、数ｎｍから数十ｎｍ間隔のピッチを有し、そのピッチ間隔は、記録密度によって変わりうる。また、前記トレンチ１２０ｂは、数ｎｍないし数十ｎｍの深さを有する。
前記組織層１４０は、記録層１６０のグラニュラー構造の形成を誘導するものである。前記組織層１４０は、前記中間層１２０上に積層され、前記中間層１２０のパターンによって突出部とトレンチとで形成されたパターンが形成され、記録層１６０にグラニュラー構造のパターンを転写する。前記組織層１４０のトレンチは、前記中間層１２０と同じようにの数ｎｍないし数十ｎｍの深さを有する。前記組織層１４０は、Ｒｕ、ＭｇＯ、Ｐｔのうち少なくとも何れか一物質を含むことが望ましい。例えば、磁性体グレーン１６１がＣｏＰｔ、ＣｏＰｄまたはＣｏＣｒＰｔのようなＣｏ系磁性体合金で形成される場合に、前記組織層１４０は、ＲｕないしＲｕ合金で形成されることが望ましい。これは、結晶学的な側面において非磁性体単一元素金属のうち、ＣｏＣｒＰｔと格子定数差の最も小さい物質がＲｕであるためである。前記磁性体グレーン１６１がＦｅＰｔまたはＦｅＰｄのようなＦｅ系磁性体合金で形成される場合には、前記組織層１４０は、ＭｇＯ、Ｐｔ、Ｐｔ合金で形成されることが望ましい。
前記記録層１６０は、磁性体グレーン１６１と非磁性体境界１６２とを備えるグラニュラー構造を有する。前記磁性体グレーン１６１と非磁性体境界１６２とは、後述するように、同時に成長され、その高さは、数ｎｍないし数十ｎｍとなる。
前記磁性体グレーン１６１は、前記組織層１４０の突出部上で結晶成長して規則的にパターンされ、垂直磁気異方性を有している。前記磁性体グレーン１６１は、Ｃｏ系またはＦｅ系磁性体合金で形成されうる。例えば、前記磁性体グレーン１６１は、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒＰｔから成るグループから選択された少なくとも何れか一物質で形成されうる。
前記非磁性体境界１６２は、前記磁性体グレーン１６１を取り囲んで、前記磁性体グレーン１６１を隔離させる。前記非磁性体境界１６２は、非磁性の酸化物または窒化物で形成されうる。例えば、前記非磁性体境界１６２は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＮから成るグループから選択された少なくとも何れか一物質で形成されうる。
例えば、Ｒｕ組織層１４０にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２記録層１６０が形成される場合に、組織層１４０の突出部では、Ｒｕの結晶構造によってＣｏＣｒＰｔが結晶成長し、組織層１４０のトレンチでは、ＳｉＯ２が偏析されて成長してグラニュラー構造を形成する。このとき、ＣｏＣｒＰｔ磁性体グレーンは、Ｒｕ結晶上で主成分であるＣｏがｃ軸方向に成長しつつ、垂直磁気異方性を有する。この結果、図１Ｂに示されたように、記録層１６０は、磁性体グレーン１６１と非磁性体境界１６２とが規則的に配列されたグラニュラー構造を有しうる。
前記非磁性体境界１６２によって孤立された磁性体グレーン１６１は、実質的に同じサイズで規則的に配列されているので、少なくとも一つの磁性体グレーン１６１が単位ビットに割当てられて、本発明の磁気記録媒体が、ビットパターン媒体となりうる。
表１は、特定の記録密度を具現するために必要な磁性体グレーン１６１と非磁性体境界１６２とのサイズを例示する。
ここで、Ｌ１、Ｌ２は、図１に示したように、それぞれ磁性体グレーン１６１の直径と非磁性体境界１６２の幅とを意味する。表１に例示したように、５００Ｇｂ／ｉｎ２の記録密度を有するためには、磁性体グレーン１６１間のピッチが約３７ｎｍとならねばならず、１Ｔｂ／ｉｎ２の場合、磁性体グレーン１６１間のピッチが約２５ｎｍとならねばならない。このようなピッチ条件で適切な磁気的安定性を確保するためには、磁性体グレーン１６１と非磁性体境界１６２とのサイズを調節せねばならない。例えば、表１に例示したたように、Ｌ１：Ｌ２の比を約２：１にしうる。この比率は、記録層１６０の磁気特性確保のために多様な範囲に調節されうる。
図２は、本発明の他の実施形態による磁気記録媒体の概略的な断面を示す図面である。
図面を参照すれば、本実施形態の磁気記録媒体は、基板２００上に軟磁性下地層２１０と、組織層２４０と、磁性体グレーン２６１を含む記録層２６０とが順次に積層された構造を有する。本実施形態の主要特徴は、記録層２６０の磁性体グレーン２６１の配列構造とサイズとを調節するために、軟磁性下地層２１０の上面にパターンが形成されているという点にある。すなわち、本実施形態は、図１Ａを参照して説明された実施形態とは異なり、軟磁性下地層２１０に直接パターンが形成され、その上に蒸着される組織層２４０を経て記録層２６０にそのパターンが転写される。前記軟磁性下地層２１０のパターンは、図１Ａを参照して説明された実施形態の中間層１２０のパターンと実質的に同じであり、その上に積層される組織層２４０及び記録層２６０も、図１Ａを参照して説明した実施形態と実質的に同じであるので、その詳細な説明は省略する。
図３Ａないし図３Ｆは、本発明の一実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示す図面である。本実施形態は、図１Ａを参照して説明した実施形態の磁気記録媒体を製造する方法でインプリント用レジンを利用してパターンを形成し、エッチング工程を通じて中間層及び組織層にパターンを転写する方法を利用する。
まず、図３Ａに示したように、通常の垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体の製造工程と同じ方法で、基板３００上に軟磁性下地層３１０と中間層３２０とを順次に積層する。このとき、中間層３２０は、非磁性を有する金属、酸化物、窒化物または高分子化合物で数ｎｍないし数十ｎｍの厚さに蒸着して形成する。このような蒸着は、スパッタリングのような通常の半導体製造工程上の蒸着技術でなされ、それについての詳細な説明は省略する。
次いで、図３Ｂに示したように、中間層３２０上にインプリント用レジン３３０を後続工程での中間層のエッチングを考慮して数十ｎｍないし数百ｎｍの厚さに塗布し、前記レジン３３０に図１Ｂに例示したような規則的なパターンを転写する。この転写は、パターンのピッチが数ｎｍないし数十ｎｍのサイズを有しうるようにナノインプリント工程を利用することが望ましい。但し、このような転写方法がナノインプリント工程に限定される訳ではない。ナノインプリント工程としては、熱を印加してインプリントする熱インプリントや紫外線を照射してインプリントする紫外線インプリントなどの多様な方法が知られている。このようにパターンが転写されたレジン３３０は、中間層３２０上にナノピラーが規則的に配列された形態を有する。
次いで、図３Ｃに示したように、パターンが転写されたレジン３３０をマスクとして、中間層３２０を数ｎｍないし数十ｎｍの深さエッチングする。このとき、エッチングは、プラズマやイオンビームを利用する乾式エッチングを利用することが望ましい。しかし、これに限定される訳ではなく、湿式エッチングも利用しうる。このようなエッチング工程を通じて中間層３２０にトレンチが発生することによってパターンが形成される。
次いで、図３Ｄに示したように、マスクとして使われたレジン３３０を除去する。
次いで、図３Ｅに示したように、パターンが形成された中間層３２０上にＲｕを数ｎｍないし数十ｎｍの厚さに蒸着して組織層３４０を形成する。このとき、中間層３２０のパターンは、組織層３４０にそのまま転写され、突出部とトレンチとで形成されたパターンが組織層３４０に形成されている。前記Ｒｕは、一例であって、記録層の構成物質としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を利用する場合に適している。前記組織層３４０は、Ｒｕ合金や、その他としてＭｇＯ、Ｐｔないしこれらの物質を含む合金で形成してもよい。
次いで、図３Ｆに示したように、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を選択的に成長させて記録層３６０を形成する。この記録層３６０を形成する工程は、従来のスパッタリング工程をそのまま利用し、磁性体グレーン３６１と非磁性体境界３６２とを同時に形成する。このとき、組織層３４０は、中間層３２０の突出部上にＲｕが結晶成長した面をそのまま維持しているので、ＣｏＣｒＰｔは、Ｒｕの結晶構造によって結晶成長して磁性体グレーン３６１となる。一方、ＳｉＯ２は、中間層３２０のトレンチに偏析されて結晶成長して非磁性体境界３６２を形成する。前記ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２は、一例であって、記録層３６０の形成には、磁性体としてＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒＰｔのようなＣｏ系またはＦｅ系磁性体合金を使用し、非磁性体としてＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＮのような非磁性の酸化物または窒化物を使用しうる。
本実施形態は、まず、組織層３４０にパターンを形成することによって、その上に蒸着されるＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ２とが人為的に偏析されるように誘導する。したがって、本発明の磁性体グレーン３６１は、従来の自然に形成されたグラニュラー構造を有する磁気記録媒体とは異なり、規則的にパターンされ、それぞれ単位ビットで情報が記録されうるので、記録密度が大幅に向上しうる。
また、本実施形態は、記録層３６０の形成時に、磁性体グレーン３６１とこれらを分離する非磁性体境界３６２とが同時に成長して形成されるので、記録層３６０の表面が凹凸構造を有さず、非常に平坦である。
前述の製造工程の一実施形態は、通常のエッチング工程を通じて中間層にパターンを形成する。しかし、中間層にパターンを形成する方法としては、このようなエッチング方法以外にもリフトオフやその他の一般的なパターニング方法を使用しうる。例えば、リフトオフを利用して中間層にパターンを形成する工程では、前述の例とは異なり、中間層の蒸着前工程に先立って、軟磁性下地層にインプリント用レジンを塗布し、ナノインプリント方法を利用して前記レジンにパターンを転写する。次いで、パターンが形成されたレジン上に中間層を構成する物質を蒸着し、リフトオフ方法を利用してパターニングされたレジンとその上に蒸着された物質とを除去することによって、パターニングされた中間層を形成する。以後の組織層と記録層とを形成する工程は、前述の製造工程と同じである。
図４Ａないし図４Ｄは、本発明の他の実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示す図面である。本実施形態は、図１Ａを参照して説明された実施形態の磁気記録媒体を製造する方法であって、インプリント用レジンを中間層として利用する。
まず、図４Ａに示したように、通常の垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体の製造工程と同じ方法で、基板４００上に軟磁性下地層４１０を積層し、その上にインプリント用レジン４２０を数十ｎｍの厚さに塗布する。前記レジン４２０は、インプリント後に硬化して中間層を形成するので、これに適した高分子材料を使用する。このようなインプリント用レジン４２０の形成に適した高分子材料の例として、有機シリコン系高分子化合物がある。
次いで、図４Ｂに示したように、前記レジン４２０に、図１Ｂに例示したような規則的なパターンを転写する。前記転写は、パターンのピッチが数ｎｍないし数十ｎｍのサイズを有するようにナノインプリント工程を利用することが望ましい。但し、このような転写方法がナノインプリント工程に限定される訳ではない。ナノインプリント工程としては、熱を印加してインプリントする熱インプリントや紫外線を照射してインプリントする紫外線インプリントなどの多様な方法が知られており、図４Ｃに示したように、ナノインプリント工程を経た後に、レジン（図４Ｂの４２０）は硬化し、パターンを有する中間層４２５を形成する。
次いで、図４Ｄ及び図４Ｅに示したように、前記パターニングされた中間層４２５上にＲｕを成長させて組織層４４０を形成し、その上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を選択的に成長させて磁性体グレーン４６１と非磁性体境界４６２とで偏析されたグラニュラー構造の記録層４６０を形成する。前記組織層４４０と記録層４６０とを形成する工程は、前述の図３Ｅ及び図３Ｆを参照して説明した工程と実質的に同じであるので、ここでは、その詳細な説明は省略する。
図５Ａないし図５Ｆは、本発明のさらに他の実施形態による磁気記録媒体の製造方法を示す図面である。本実施形態は、図２を参照して説明した実施形態の磁気記録媒体を製造する方法であって、軟磁性下地層にパターンを形成することによって中間層なしに組織層にパターンを転写する方法を利用する。
まず、図５Ａに示したように、通常の垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体の製造工程と同じ方法で、基板５００上に軟磁性下地層５１０を積層し、その上にインプリント用レジン５３０を数十ｎｍないし数百ｎｍの厚さに塗布する。
次いで、図５Ｂに示したように、ナノインプリント工程を利用して、前記レジン５３０に図１Ｂに例示したようなパターンを転写する。
次いで、図５Ｃに示したように、パターンが転写されたレジン５３０をマスクとして、軟磁性下地層５１０を数ｎｍないし数十ｎｍの深さエッチングして規則的なパターンを形成する。
次いで、図５Ｄないし図５Ｆに示したように、マスクとして使われたレジン５３０を除去し、パターニングされた軟磁性下地層５１５上にＲｕを成長させて組織層５４０を形成し、その上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２を選択的に成長させて磁性体グレーン５６１と非磁性体境界５６２とで偏析されたグラニュラー構造の記録層５６０を形成する。前記組織層５４０と記録層５６０とを形成する工程は、前述の図３Ｅ及び図３Ｆを参照して説明した工程と実質的に同じであるので、ここでは詳細な説明は省略する。
前述のように、本発明の製造工程は、記録層に対する加工工程が含まれていないので、記録層の磁気特性の劣化や基板の汚染を防止しうる。特に、規則的なホールを形成し、メッキ充填する工程や蒸着後のリフトオフのような記録層の加工工程がないので、下部に規則的な構造を形成した直後に蒸着を通じて最終製品を作れるという点は、工程を単純化させ、かつその実施を容易にする。
また、本発明の製造工程は、従来のグラニュラー構造の磁気記録媒体の製造工程でＲｕ工程（すなわち、組織層の形成工程）前に規則的なパターンを形成する工程を追加することを除いては、従来のグラニュラー媒体の製造工程技術をそのまま活用しうるので、従来の磁気記録媒体の製造工程と互換性が高い。
このような本願発明の磁気記録媒体及びその製造方法は、理解を容易にするために図面に示した実施形態を参照して説明されたが、それは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
本発明は、磁気記録媒体関連の技術分野に適用可能である。
１００ 基板
１１０ 軟磁性下地層
１２０ 中間層
１２０ａ 突出部
１２０ｂ トレンチ
１４０ 組織層
１６０ 記録層
１６１ 磁性体グレーン
１６２ 非磁性体境界
１１０ 軟磁性下地層
１２０ 中間層
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１６０ 記録層
１６１ 磁性体グレーン
１６２ 非磁性体境界
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に形成された軟磁性下地層と、
前記軟磁性下地層上に形成され、規則的なパターンを有する組織層と、
前記組織層のパターンに沿って形成されて規則的なグラニュラー構造をなす磁性体グレーンと前記磁性体グレーンを隔離させる非磁性体境界とを有する記録層と、を備えることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記軟磁性下地層は、突出部と前記突出部の間のトレンチとで形成された規則的なパターンを有し、
前記組織層は、前記軟磁性下地層の突出部とトレンチとにそれぞれ対応する突出部及びトレンチが形成された規則的なパターンを有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記軟磁性下地層と前記組織層との間に介在され、突出部と前記突出部の間のトレンチで形成された規則的なパターンを有する中間層をさらに備え、
前記組織層は、前記中間層の突出部とトレンチにそれぞれ対応する突出部及びトレンチが形成された規則的なパターンを有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記中間層は、非磁性の金属、酸化物、窒化物または高分子化合物で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性体グレーンは、前記組織層の突出部で結晶成長していて、前記非磁性体境界は、前記パターンのトレンチで結晶成長して前記磁性体グレーンを取り囲んでいることを特徴とする請求項２ないし４のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記組織層は、Ｒｕ、ＭｇＯ、Ｐｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項１ないし４のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性体グレーンは、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項１ないし４のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体
- 前記磁性体グレーンは、Ｃｏ系またはＦｅ系磁性体合金で形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性体グレーンは、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒＰｔからなるグループから選択された少なくとも何れか一つの物質で形成されていることを特徴とする請求項８に記載の磁気記録媒体。
- 前記非磁性体境界は、非磁性の酸化物または窒化物で形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記非磁性体境界は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＮからなるグループから選択された少なくとも何れか一つの物質で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記録媒体。
- 基板上に軟磁性下地層と、組織層と、記録層とが順次に積層された磁気記録媒体の製造方法において、
前記組織層に隔離された突出部と前記隔離された突出部を取り囲むトレンチとで形成された規則的なパターンを形成する工程と、
前記組織層の隔離された突出部に対応する磁性体グレーンと前記トレンチに対応する非磁性体境界との規則的なグラニュラー構造を有する記録層を形成する工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記組織層に規則的なパターンを形成する工程は、
前記軟磁性下地層に中間層を形成する工程と、
前記中間層にパターンを形成する工程と、
前記中間層上に組織層を成長させて、前記中間層のパターンに対応するパターンを有する組織層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記中間層にパターンを形成する工程は、
前記中間層上にインプリント用レジンを塗布する工程と、
前記レジンにパターンを転写する工程と、
前記パターンが転写されたレジンをマスクとして前記中間層をエッチングする工程と、
前記レジンを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記中間層にパターンを形成する工程は、
前記軟磁性下地層上にインプリント用レジンを塗布する工程と、
前記レジンにパターンを転写する工程と、
前記パターンが転写されたレジン上に中間層を蒸着する工程と、
リフトオフを利用して中間層にパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記中間層は、非磁性の金属、酸化物、窒化物、高分子のうち何れか一つであることを特徴とする請求項１４または１５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記中間層にパターンを形成する工程は、
前記軟磁性下地層上にインプリント用レジンを塗布する工程と、
前記レジンにパターンを転写する工程と、
前記パターンが形成されたレジンを硬化させて中間層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記レジンは、
有機シリコン系高分子化合物で形成されることを特徴とする請求項１７に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記組織層に規則的なパターンを形成する方法は、
前記軟磁性下地層にパターンを形成する工程と、
前記軟磁性下地層上に組織層を成長させて、前記軟磁性下地層のパターンに対応するパターンを有する組織層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記軟磁性下地層にパターンを形成する工程は、
前記軟磁性下地層上にインプリント用レジンを塗布する工程と、
前記レジンにパターンを転写する工程と、
前記レジンに転写されたパターンをマスクとして、前記軟磁性下地層をエッチングする工程と、
前記レジンを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記レジンにパターンを転写する工程は、
熱インプリントまたは紫外線インプリントを利用することを特徴とする請求項１４、１５、１７及び２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記組織層は、Ｒｕ、ＭｇＯ、Ｐｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項１２ないし２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記記録層の磁性体グレーンは、Ｃｏ系またはＦｅ系磁性体合金であることを特徴とする請求項１２ないし２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁性体グレーンは、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＦｅＰｄ、ＣｏＣｒＰｔからなるグループから選択された少なくとも何れか一つの物質であることを特徴とする請求項１２ないし２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記記録層の非磁性体境界は、非磁性の酸化物または窒化物であることを特徴とする請求項１２ないし２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記非磁性体境界は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＮからなるグループから選択された少なくとも何れか一つの物質であることを特徴とする請求項１２ないし２０のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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