JP2008089781A - 光パラメトリック増幅装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】EDFA等の実用的な光アンプの増幅帯域の拡大および雑音特性の向上を可能にする光パラメトリック増幅装置を提供する。
【解決手段】本発明の光パラメトリック増幅装置は、EDFA等の実用的な光アンプ1を用いて増幅した励起光Epを、光アンプ1の増幅帯域外に波長を有する信号光Esとともに合波器2を介して非線形光学媒質3に供給することで、該非線形光学媒質3において、励起光Epによる光パラメトリック増幅効果により信号光Esを増幅する。
【選択図】図1

Description

本発明は、非線形光学効果を利用して光を増幅する技術に関し、特に、四光波混合等により生じる光パラメトリック増幅効果を用いて信号光を増幅する光パラメトリック増幅装置に関する。
従来および現状の光通信システムにおいては、光ファイバアンプ等の光アンプにより、伝送路ファイバのもつ損失による信号光パワーの減衰を補償し、10Gb/sの単一波長伝送あるいは波長多重伝送システムが開発されている。
現在の大きな課題の1つは、実用的な光ファイバアンプの増幅帯域に制限があることである。具体的には、エルビウム(Er3+)ドープ・ファイバ・アンプ(Erbium Doped Fiber Amplifier:EDFA)では、1535nm〜1565nm付近のC−バンドと、1570nm〜1610nm付近のL−バンドとに増幅帯域が制限されている。C、L−バンド以外の帯域を増幅するために、Er3+以外の物質をドープした光ファイバアンプ等が提案されているが、EDFAほどの実用性はないのが現状である。
また、従来のEDFAにおいては、雑音指数が5〜6dBあるいはそれ以上に制限され、付加される自然放出光(ASE)雑音による光S/N比の低減の影響が厳しいという課題もある。これは、光アンプを用いた光中継伝送システムにおける中継間隔を制限することになり、40Gb/sや160Gb/sといった今後の高速化した信号光の長距離伝送における大きな制限要因となる。現状のシステムの実用的な伝送距離は、40Gb/sの信号光で数百km、160Gb/sの信号光では高々数km程度に制限されている。
上記のようなEDFA等の光ファイバアンプの課題に対し、より広い帯域をカバーすることを目指した光増幅技術として、例えば、非線形光学効果の1つである、誘導ラマン散乱を用いた光ラマンアンプが開発されている。また、四光波混合(Four Wave Mixing:FWM)等により生じる光パラメトリック増幅効果を用いて信号光を増幅する技術も知られており、該光パラメトリック増幅を応用した各種の光学装置が提案されている(例えば、特許文献1〜3および非特許文献1参照)。
国際公開第94/09403号パンフレット 特開平7−98464号公報 特開2006−184851号公報 Watanabe et al., "Novel Fiber Kerr-Switch with Parametric Gain: Demonstration of Optical Demultiplexing and Sampling up to 640 Gb/s", ECOC. 2004, Th4.1.6.
しかしながら、上記のような従来の光ラマンアンプは、伝送路ファイバの一部あるいは全部を増幅媒質として用いる分布定数型光アンプであり、伝送路の保守・管理が非常に難しくなるといった問題点がある。
一方、光パラメトリック増幅効果を利用した光アンプは、基本的に分布定数型光アンプとは構成が異なるため、上記のような保守・管理面での問題点が発生することはなく、また、EDFAに比べてASE雑音による光S/N比の劣化も小さいため、良好な雑音特性を実現することが可能である。しかし、これまでに提案されている光パラメトリック増幅効果を用いた装置は、EDFA等の実用的な光アンプの増幅帯域に対応した信号光、すなわち、C−バンドやL−バンド等の信号光を増幅することを想定した構成に限られており、従来の光アンプの増幅帯域外の信号光を増幅するための具体的かつ実用的な構成の提案はなかった。
本発明は、EDFA等の実用的な光アンプの増幅帯域の拡大および雑音特性の向上を可能にする光パラメトリック増幅装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の光パラメトリック増幅装置は、信号光および該信号光とは波長の異なる励起光が入力され、該励起光による光パラメトリック増幅効果により信号光を増幅して出力する非線形光学媒質を備えた光パラメトリック増幅装置であって、前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記励起光を増幅して出力する第1光増幅部と、前記第1光増幅部から出力される励起光を、前記第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する信号光とともに前記非線形光学媒質に供給する励起光供給部と、を備えたことを特徴とする。
上記のような構成では、従来の実用的な光アンプを第1光増幅部として使用し、該第1光増幅部で増幅した励起光を励起光供給部により非線形光学媒質に供給することで、該非線形光学媒質において、第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する信号光が、励起光により発生する四光波混合等により光パラメトリック増幅されるようになる。
上記のような本発明の光パラメトリック増幅装置によれば、従来の実用的な光アンプを用いた第1光増幅部で増幅された励起光による光パラメトリック増幅効果により、第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する信号光を増幅することができるため、増幅帯域が制限された従来の光アンプの増幅帯域を拡大させることが可能であり、かつ、光パラメトリック増幅ではASE雑音による光S/N比の劣化が小さいため、良好な雑音特性で信号光を増幅することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について添付図面を参照しながら説明する。なお、全図を通して同一の符号は同一または相当部分を示すものとする。
図1は、本発明による光パラメトリック増幅装置の基本構成を示す図である。
図1において、本光パラメトリック増幅装置は、第1光増幅部としての光アンプ1と、励起光供給部としての合波器2と、非線形光学媒質3と、を備える。光アンプ1は、前述したEDFA等の従来の光アンプと同じ増幅帯域(例えば、C−バンドやL−バンド等)を持ち、該増幅帯域内に波長を有する励起光Epを所望のレベルまで増幅して合波器2に出力する。ここでは、励起光Epの波長をλp、光パワーをPpとする。
合波器2は、図示しない伝送路ファイバ等より本光パラメトリック増幅装置に入力される信号光Esと、上記の光アンプ1から出力される励起光Epとを合波して非線形光学媒質3に出力する。上記の信号光Esは、励起光Epの波長λpとは異なる波長λsを有している。この信号光Esの波長λsは、基本的に、光アンプ1の増幅帯域外に設定される。ここでは、信号光Esの入力パワーをPs、出力パワーをPs’とする。
なお、本発明は、信号光Esの波長λsを、光アンプ1の増幅帯域内で励起光波長λpとは異なる波長に設定する応用も可能であり、その具体例については後述することにする。
非線形光学媒質3は、合波器2から出力される信号光Esおよび励起光Epが入力され、励起光Epによる四光波混合等によって発生する光パラメトリック増幅効果により、信号光Esを増幅して出力する。この非線形光学媒質3としては、例えば、光ファイバを用いる場合、シングルモード光ファイバを使用することが可能である。また、非線形光学効果を高めた高非線形ファイバ(highly nonlinear fiber:HNLF)の使用も有効である。具体的な高非線形ファイバとしては、コアにゲルマニウムやビスマス等をドープして非線形屈折率を高めると共に、モード・フィールドを小さく設計することにより、光パワー密度を高めたタイプや、フォトニック結晶ファイバ構造を用いたタイプ等を用いることが可能である。また、光パラメトリック増幅効果をもつ他のデバイスとして、三光波混合(Three Wave Mixing:TWM)等の2次の非線形光学効果を有効に発生可能な、擬似位相整合構造を有する周期分極ニオブ酸リチウム(periodically poled lithium niobate:PPLN)等の光導波路(例えば、I. Brener et al., "Polarisation-insensitive wavelength converter based on cascaded nonlinearities in LiNbO3 waveguides", Electronics Letters, 6th January 2000, Vol.36, No.1, p. 66-67.参照)若しくはKTP等の光学結晶、または、ガリウム・アルミニウム砒素(GaAlAs)等の半導体素子を、非線形光学媒質3として用いることも可能である。さらに、上記の非線形光学媒質3が光ファイバの場合には、入力される励起光Epの波長λpと一致または略一致する零分散波長を有するものを使用するのが好ましい。
次に、上記のような基本構成を有する光パラメトリック増幅装置の動作について説明する。
本光パラメトリック増幅装置では、図2の波長配置の一例に示すように、励起光Epの波長λpがEDFA等の従来の光アンプ1の増幅帯域A内に配置されており、光アンプ1の増幅帯域外に波長λsを有する信号光Esが光パラメトリック増幅される点で特徴づけられる。具体的に、増幅帯域A内に波長λpを有する励起光Epは、光アンプ1で所望のパワーPpまで増幅された後、合波器2を介して非線形光学媒質3に入力される。非線形光学媒質3では、励起光Epによる四光波混合(FWM)あるいは三光波混合(TWM)により、合波器2を介して入力される信号光Esが励起光Epとほぼ同じ偏光方向に光パラメトリック増幅される(図2の右側に示す出力時の信号光Es’を参照)。なお、図2の右側に示したEcはFWM光(アイドラ光)であり、Ep、Es、Ecの周波数を各々ωp、ωs、ωcとすると、Ecの周波数ωcは(2ωp−ωs)になっている。
上記の光パラメトリック増幅の利得は、例えばFWMの場合には、励起光EpのパワーPpが信号光EsのパワーPsに比べて十分に大きいとき、励起光EpのパワーPpの二乗にほぼ比例して増加する。具体的には、例えば、非線形光学媒質3として長さL、損失αの光ファイバを用いた場合に、FWMに対する位相整合条件が理想的な状態、すなわち、全ての光波の偏光状態が等しく光ファイバ内で完全に位相整合がとれており、しかも、励起光EpのパワーPpが信号光EsのパワーPsおよびアイドラ光EcのパワーPcに比べて十分に大きいと仮定すると、上記の光ファイバを用いた非線形光学媒質3から出力される信号光Es’は、次の(1)式の関係を満たす利得ηsを得る。
ηs=exp(−α・L)・[1+φ2(L)] …(1)
上記の(1)式において、φ(L)は非線形光位相シフトを表しており、次の(2)式に示す関係を満たす。
φ(L)=γ・Pp(0)・Leff …(2)
上記の(2)式において、γは、光ファイバの3次非線形係数であって、光速c、光角周波数ω、非線形屈折率n2および有効コア断面積Aeffを用いて、下記の(3)式で表される。また、Pp(0)は、光ファイバに入力される励起光Epのパワーである。さらに、Leffは、相互作用長であり、次の(4)式で表される。
γ=(ω・n2)/(c・Aeff) …(3)
eff=[1−exp(−α・L)]/α …(4)
上記(1)式〜(4)式の関係より、光ファイバにおける光パラメトリック増幅の利得ηsは、非線形定数γ、励起光パワーPpおよび相互作用長Leffの積の二乗に比例する形で大きくなることがわかる。ただし、FWMの発生効率は、相互作用する光波の偏光状態に強く依存し、同一の偏光状態の光波間で最も発生効率が高く、互いに直交する偏光状態の光波間ではFWMは発生しない。したがって、励起光EpのパワーPpが十分に大きい場合には、その励起光Epと同一の偏光方向の信号光成分が、選択的に光パラメトリック増幅されるようになる。
なお、励起光Epが連続発振(Continuous Wave:CW)光であり、その励起光Epが高いパワーで非線形光学媒質3に入力された場合、非線形光学媒質3において誘導ブリルアン散乱(Stimulated Brillouin Scattering:SBS)が発生し、該SBSにより光パラメトリック増幅の利得が制限される可能性がある。このような場合には、例えば、励起光Epに対して光位相変調や光周波数変調を適宜加える方法等が有効である。
図3は、上記のような利得ηsが得られる光パラメトリック増幅装置の増幅帯域の一例を示したものである。このように、本光パラメトリック増幅装置の増幅帯域Bは、光アンプ1の増幅帯域Aの外(ここでは短波長側)に位置する斜線を施した波長領域、すなわち、従来の実用的な光アンプでは所望の利得を得ることができなかった波長領域に形成される。この増幅帯域Bの幅は、非線形光学媒質3として光ファイバを使用した場合に、その零分散波長が励起光Epの波長λpと一致または略一致していると最も広くなる。この場合、光パラメトリック増幅の効率も良好なものになる。
上記のように本光パラメトリック増幅装置によれば、EDFA等の従来の光アンプ1を用いて増幅した励起光Epを非線形光学媒質3に与えることで、FWM等による光パラメトリック増幅効果により、光アンプ1の増幅帯域外に波長を有する信号光Esを増幅することができる。よって、増幅帯域が制限されていたEDFA等の光アンプの増幅帯域を拡大させることが可能になる。また、光パラメトリック増幅では、EDFAに比べてASE雑音による光S/N比が小さいため、良好な雑音特性を実現することもできる。さらに、FWMの発生においては、信号光の位相を乱さないため、本光パラメトリック増幅装置は、光強度変調だけでなく、光位相変調および光周波数変調等のあらゆる光変調方式の信号光に適用することが可能である。
次に、上述したような基本構成を有する光パラメトリック増幅装置の具体的な実施形態について説明する。
図4は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第1実施形態の構成を示す図である。
図4において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図1に示した基本構成を利用して、従来のC、L−バンドに対応したEDFAの増幅帯域の拡大を図るようにしたものである。具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、入力されるWDM信号光が分波器11に与えられ、C−バンドの信号光Es(C)と、L−バンドの信号光Es(L)と、C、L−バンド外の信号光Es1,Es2,Es3とに分波される。この分波器11のC−バンドに対応した出力ポートには、C−バンド用EDFA12の入力ポートが接続されている。また、分波器11のL−バンドに対応した出力ポートには、L−バンド用EDFA13の入力ポートが接続されている。さらに、C、L−バンド外に対応した出力ポートには、上述した基本構成における合波器2の信号光入力ポートが接続されている。ここでは、C−バンド用EDFA12およびL−バンド用EDFA13が第2光増幅部として機能する。
また、本光パラメトリック増幅装置では、上述した基本構成における光アンプ1としてC、L−バンドに増幅帯域を持つEDFAが用いられると共に、非線形光学媒質3として光ファイバが使用されている。さらに、非線形光学媒質3の出力端には光フィルタ(FIL)15が設けられている。この光フィルタ15は、非線形光学媒質3からの出力光より信号光Es1,Es2,Es3を選別するためのものである。
なお、図4には、光アンプ1としてC、L−バンドを1つのEDFAにより増幅する一例を示したが、各バンド用のEDFAを個々に設けて光アンプ1を構成するようにしても構わない。また、非線形光学媒質3は光ファイバに限定されるものではなく、前述したHNLFやPPLN導波路、GaAlAs素子等を用いることも可能である。
図5は、上記の光パラメトリック増幅装置における励起光の波長配置の一例を示したものである。ここでは、光アンプ(EDFA)1のC−バンドに対応した増幅帯域A1の短波長側のエッジに比較的近い領域に波長λp1を有する励起光Ep1と、増幅帯域A1の長波長側のエッジに比較的近い領域に波長λp2を有する励起光Ep2と、光アンプ1のL−バンドに対応した増幅帯域A2の長波長側のエッジに比較的近い領域に波長λp3を有する励起光Ep3と、が用いられる。これらの励起光Ep1〜Ep3が光アンプ1で所望のレベルまで増幅された後に合波器2を介して非線形光学媒質(光ファイバ)3に与えられることにより、C−バンドより短波長側の光パラメトリック増幅帯域B1と、C−バンドおよびL−バンドの間の光パラメトリック増幅帯域B2と、L−バンドより長波長側の光パラメトリック増幅帯域B3とが得られる。
なお、上記の一例では、C−バンドおよびL−バンドの間の光パラメトリック増幅帯域B2を得るために、C−バンドに対応した増幅帯域A1の長波長側のエッジに比較的近い領域に励起光Ep2を配置するようにしたが、この励起光Ep2に代えて、図5に破線矢印で示したように、L−バンドに対応した増幅帯域A2の短波長側のエッジに比較的近い領域に波長λp2’を有する励起光Ep2’を用いて、C−バンドおよびL−バンドの間の光パラメトリック増幅帯域B2を得ることも可能である。
上記のような構成の光パラメトリック増幅装置では、分波器11で分波されたC−バンドの信号光Es(C)およびL−バンドの信号光Es(L)は、従来と同様にしてC−バンド用EDFA12およびL−バンド用EDFA13でそれぞれ増幅される。一方、分波器11で分波されたC、L−バンド外の信号光Es1〜Es3は、合波器2を介して、十分に大きなパワーの励起光Ep1〜Ep3が与えられた非線形光学媒質3に入力されることにより、光パラメトリック増幅される。そして、C−バンド用EDFA12およびL−バンド用EDFA13でそれぞれ増幅された信号光Es(C),Es(L)と、非線形光学媒質3で増幅された後に光フィルタ15で選別された信号光Es1〜Es3とが、合波器14で合波されて外部に出力される。
上記のように第1実施形態の光パラメトリック増幅装置によれば、従来の実用的なEDFAではカバーできないC、L−バンド外の増幅帯域を、励起光Ep1〜Ep3による光パラメトリック増幅効果によって実現することができ、C、L−バンドを包括した非常に広い波長帯域に亘る信号光を比較的容易に増幅することが可能になる。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図6は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第2実施形態の構成を示す図である。
図6において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図1に示した基本構成を応用して、従来の光アンプにおける特定の波長の信号光に対する利得を増大させるようにしたものである。具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、入力される信号光LsがEDFA等の従来の光アンプ16に与えられる。この光アンプ16は、励起光Epが入力される光アンプ1と基本的に同様のものである。ここでの信号光Esの波長λsは、光アンプ16の増幅帯域内で励起光Epの波長λpとは異なる波長に設定されている。光アンプ16で増幅された信号光Esは、上述の図1に示した基本構成における合波器2の信号光入力ポートに与えられ、該合波器2を介して光ファイバ等を用いた非線形光学媒質3に入力される。
図7は、上記の光パラメトリック増幅装置における励起光の波長および増幅帯域の一例を示したものである。ここでは、光アンプ1の増幅帯域Aの中央付近に位置する領域に波長λpを有する励起光Epが用いられる。この励起光Epが光アンプ1で所望のレベルまで増幅された後に合波器2を介して非線形光学媒質3に与えられることにより、光アンプ1の増幅帯域A(光アンプ16の増幅帯域と基本的に同じ)内における励起光波長λpの短波長側および長波長側に光パラメトリック増幅帯域Bが得られる。これにより、本光パラメトリック増幅装置の全体として、上記の増幅帯域Bに対応した信号光Esに対する光アンプ16の利得が、光パラメトリック増幅の利得分だけ増大するようになる。すなわち、特定の波長の信号光に対して、従来の光アンプの利得を向上させたい場合に、上記のような光パラメトリック増幅の応用が有効になる。
従来、光アンプの利得波長特性を平坦化する場合には、損失が波長に依存して変化する光損失回路を用いて、増幅帯域全体の利得が最も低い利得で揃うように等化するのが一般的である。しかしながら、このような従来の利得等化の手法では、結果として、増幅した信号光に大きな損失が付加されてしまうことになる。これに対して、本光パラメトリック増幅装置のように、光パラメトリック増幅を応用して従来の光アンプ16の利得を等化するようにすれば、利得が相対的に低い波長域を光パラメトリック増幅することで、光アンプ16の増幅帯域全体を高い利得で平坦化することができるようになる。これにより、損失を発生させることなく、むしろ利得を向上させながら、光アンプ16の利得等化を実現することが可能になる。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図8は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第3実施形態の構成を示す図である。
図8において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図1に示した基本構成について、非線形光学効果が最適な状態で発生するように、信号光および励起光の偏光状態とパワーの制御を行うようにした応用例である。
具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、入力信号光Esの偏光状態を制御するための偏光制御器21が合波器2の信号光入力ポートに接続されている。また、励起光Epの偏光状態を制御するための偏光制御器22が光アンプ1の入力ポートに接続されている。さらに、出力信号光Es’のパワーを制御するためのパワー制御器23(例えば、可変光減衰器など)が非線形光学媒質3の後段に設けられている。加えて、上記の偏光制御器21,22およびパワー制御器23並びに光アンプ1を制御するための構成として、非線形光学媒質3に対し入出力される信号光および励起光の一部をモニター光としてそれぞれ取り出す分波器24,25と、該各モニター光のパワーを検出するモニター回路26と、該モニター回路26で検出されたモニター光パワーの比較を行う比較回路27と、該比較回路27の比較結果に基づいて信号光および励起光の偏光状態を最適化する偏光制御回路28と、信号光および励起光のパワーを最適化するパワー制御回路29とが設けられている。
上記のような構成の光パラメトリック増幅装置で実施される信号光および励起光の偏光状態とパワーの制御方法としては、まず、偏光制御器21,22を用いて、入力信号光Esおよび励起光Epの偏光状態を調整し、非線形光学媒質3において非線形光学効果が最適に発生する状態、すなわち、入力信号光Esおよび励起光Epがほぼ等しい偏光状態となるようにする。このような偏光状態の最適化は、具体的には、モニター回路26で検出される出力側の信号光に対応したモニター光のパワーが最大になるように、偏光制御回路28により偏光制御器21,22をフィードバック制御するとこで実現される。
次に、光アンプ1を制御して、非線形光学媒質3において十分な光パラメトリック利得が発生するように励起光Epのパワーを調整する。この励起光Epのパワー調整は、具体的には、モニター回路26で検出される入力側の励起光に対応したモニター光のパワーが所要の値となるように、パワー制御回路29により光アンプ1の利得をフィードバック制御することで実現される。そして、最終的に本光パラメトリック増幅装置から出力される信号光Es’のパワーが所望のレベルとなるように、モニター回路26で検出される出力側の信号光に対応したモニター光のパワーに応じて、出力端に設けたパワー制御器23の制御を行うようにする。
上記のように第3実施形態の光パラメトリック増幅装置によれば、非線形光学媒質3に入力される信号光および励起光の偏光状態とパワーが最適化されるため、良好な効率により信号光を所望のレベルまで安定して光パラメトリック増幅することが可能になる。
なお、上記の第3実施形態では、信号光および励起光の両方に対応させて偏光制御器21,22を設けた構成例を示したが、信号光および励起光の相対的な偏光状態が制御可能であればよいので、偏光制御器21,22のうちの一方を省略することが可能である。また、非線形光学媒質3の後段にパワー制御器23を配置するようにしたが、非線形光学媒質3の前段にパワー制御器23を配置して信号光パワーの制御を行うようにしてもよい。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図9は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第4実施形態の構成を示す図である。
図9において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図8に示した第3実施形態について、入力信号光の偏光状態に依存しない構成を実現した応用例である。具体的には、偏光制御器11および合波器2の間に偏光子31を設けている点が第3実施形態とは異なる。この偏光子31は、例えば、偏光ビームスプリッタ(Polarization Beam Splitter:PBS)や複屈折性の光学結晶等であり、その偏光主軸成分の光を透過し、その他の光成分を遮断する。
上記のような構成の光パラメトリック増幅装置では、任意の偏光状態で入力される信号光Esが偏光制御器21および偏光子31に入力されることにより、偏光子31の偏光主軸と同じ方向の直線偏光に変換された後に非線形光学媒質3に与えられるようになる。このような構成では、偏光子31を透過する信号光のパワーが最大になるように偏光制御器21を最適化するのが好ましく、ここでは、モニター回路26で検出される入力側の信号光に対応したモニター光のパワーが最大になるように、偏光制御回路28により偏光制御器21のフィードバック制御が行われる。なお、信号光の偏光状態に対する励起光の偏光状態の制御、並びに、信号光および励起光のパワーの制御は、上述した第3実施形態の場合と同様の方法により行うことが可能である。
上記のように第4実施形態の光パラメトリック増幅装置によれば、入力信号光の偏光状態に依存して光パラメトリック増幅特性が変化してしまうことが回避されるため、信号光のパラメトリック増幅をより安定して行うことが可能になる。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
図10は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第5実施形態の構成を示す図である。
図10において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図9に示した第4実施形態とは異なる方法により、入力信号光の偏光状態に依存しない構成を実現した変形例である。具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、偏光制御器21の前段に偏光ビームスプリッタ(PBS)32が設けられ、このPBS32により入力信号光Esが2つの直交偏光状態に分離され、各々に対応した偏光制御器21,33で同一方向の直線偏光に変換された後、合波器35でパワー合成される。このパワー合成においては、2つの偏光成分のタイミングを合わせるための時間調整用の光回路34が必要に応じて用いられる。合波器35でパワー合成された信号光Esは、偏光子31を介して非線形光学媒質3に与えられる。
上記のような第5実施形態の光パラメトリック増幅装置によっても、上述した第4実施形態の場合と同様にして、任意の偏光状態で入力される信号光Esが所定の直線偏光に変換された後に非線形光学媒質3に与えられるようになり、入力信号光の偏光状態に依存して光パラメトリック増幅特性が変化してしまうことが回避されるため、信号光のパラメトリック増幅をより安定して行うことが可能になる。
次に、本発明の第6実施形態について説明する。
図11は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第6実施形態の構成を示す図である。
図11において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図9および図10に示した第4および第5実施形態とは異なる方法により、入力信号光の偏光状態に依存しない構成を実現した変形例である。具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、偏光制御器22の前段に偏光ビームスプリッタ(PBS)36が設けられ、このPBS36により励起光Epが2つの直交偏光状態に分離され、各々に対応した偏光制御器22,37で直交偏光状態を保ちながら同等の直線偏光に変換された後、合波器39でパワー合成される。このパワー合成においては、2つの偏光成分のタイミングを合わせるための時間調整用の光回路38が必要に応じて用いられる。合波器39でパワー合成された励起光Epは、光アンプ1で所要のレベルまで増幅された後に合波器2を介して非線形光学媒質3に与えられる。ここでは、任意の偏光状態で入力される信号光Esは、合波器2を介して非線形光学媒質3に与えられる。
上記のような構成の光パラメトリック増幅装置では、直交偏光状態を保ちながらパワー合成された励起光Epが非線形光学媒質3に与えられることで、信号光Esが任意の偏光状態で非線形光学媒質3に入力されても一様な光パラメトリック増幅効果が得られるようになる。これにより、入力信号光の偏光状態に依存して光パラメトリック増幅特性が変化してしまうことが回避されるため、信号光のパラメトリック増幅をより安定して行うことが可能になる。
なお、上記の第6実施形態では、励起光を2つの直交偏光状態に分離した後にパワー合成するようにしたが、これと同じ概念として、励起光を円偏光に変換した後に光アンプ1および合波器2を介して非線形光学媒質3に与えるようにしてもよい。また、信号光を直交する2つの直線偏光成分に分離し、その各々の直線偏光成分について本発明により光パラメトリック増幅した後に偏光合成する、偏波ダイバーシティ方式の構成を採用することも可能である。さらに、例えば特開平7−98464号公報の図9に示されているような定偏波ファイバ(非線形光学媒質)をループ状に接続した構成を本発明に応用して、入力信号光の偏光状態に依存しない光パラメトリック増幅装置を実現することも可能である。
次に、本発明の第7実施形態について説明する。
図12は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第7実施形態の構成を示す図である。
図12において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図1に示した基本構成について、入力光信号光Esの偏光状態を制御して合波器2に出力する偏光制御器41と、パルス化した励起光を生成する励起光パルス生成回路42と、該励起光パルス生成回路42から出力される励起光パルスEpの偏光状態を制御して光アンプ1に出力する偏光制御器43と、非線形光学媒質3の出力端に配置された偏光子44と、を設け、信号光のパラメトリック増幅をスイッチング動作させるようにしたものである。
励起光パルス生成回路42は、光アンプ1の増幅帯域内に波長を有する励起光を所要のパターンに従ってパルス化した励起光パルスEpを生成する。なお、励起光パルスEpおよび信号光Esの波長配置は上述の図2に示した場合と基本的に同様である。
偏光制御器43は、励起光パルス生成回路42から出力される励起光パルスEpの偏光方向を制御する。ここで、励起光パルスEpの偏光方向は、偏光制御器41で制御された信号光Esの偏光方向に対して所定の角度に設定される。好ましくは、励起光パルスEpの偏光方向は、信号光Esの偏光方向と励起光パルスEpの偏光方向との間の角度が40〜50度(例えば、45度)になるように設定される。
偏光子44は、例えば、偏光ビームスプリッタ(PBS)や複屈折性の光学結晶等であり、その偏光主軸成分の光を透過し、その他の光成分を遮断する。ここで、偏光子44の偏光主軸は、信号光Esの偏光方向と直交するように設定される。換言すれば、偏光制御器41は、偏光子44の偏光主軸と直交するように信号光Esの偏光方向を制御する。
上記のような構成の光パラメトリック増幅装置では、偏光制御器41により偏光子44の偏光主軸と直交するように偏光方向が制御された信号光Esと、偏光制御器43により信号光Esの偏光方向に対しておよそ45度の方向に偏光方向が制御された後に光アンプ1で所要のレベルまで増幅された励起光パルスEpとが、合波器2で合波されて非線形光学媒質3に入力される。
非線形光学媒質3では、励起光パルスEpのパワーがFWM等を発生しない低レベルにあるとき、信号光Esはパラメトリック増幅されることなく非線形光学媒質3を通過し、該信号光Esの全ての偏光成分が偏光子44により遮断される。一方、励起光パルスEpのパワーが非線形光学効果を発生するレベルを超えるようになると、図13の模式図に示すように、励起光パルスEpの偏光方向に信号光Esが光パラメトリック増幅され、その結果、信号光Esの偏光状態は変化し、一部の成分が偏光子44を透過するようになる。FWMは励起光パルスEpと同じ偏光成分の信号光Esに対して選択的に発生するので、励起光パルスEpのパワーがある程度大きくなると、光パラメトリック増幅効果により、信号光Esの偏光状態は励起光パルスEpと同じ45度方向の偏光に近づいていく。このため、偏光子44の透過光は、励起光パルスEpのパワーの増大とともに飛躍的に増大する。よって、本光パラメトリック増幅装置は、励起光パルスEpのパターンに従ってスイッチング動作するようになり、所望の時間間隔のみ信号光を増幅し、他の時間には信号光を抑圧する光アンプが実現される。非線形光学媒質内のFWMの応答時間はフェムト秒オーダーと超高速であり、テラビットを超える超高速信号光にも対応可能な光パラメトリック増幅装置の実現が期待できる。
また、上記のような光パラメトリック増幅装置では、偏光子44により、信号光Esのオフ・レベルが十分低い値まで遮断されるため、30dB以上の高い消光比と高い光S/N比を有する高性能の光増幅が可能である。さらに、信号光Esのオフ・レベルの揺らぎや雑音も偏光子44により抑圧することが可能である。
次に、本発明の第8実施形態について説明する。
図14は、本発明による光パラメトリック増幅装置の第8実施形態の構成を示す図である。
図14において、本実施形態の光パラメトリック増幅装置は、上述の図1に示した基本構成について、信号光のオフ・レベルの揺らぎを上記第7実施形態とは異なる方法により抑圧するようにした応用例である。具体的に、本光パラメトリック増幅装置では、非線形光学媒質3の後段に過飽和吸収媒質45が配置される。この過飽和吸収媒質45としては、例えば、光半導体素子、電解吸収型光素子、マッハ・ツェンダー干渉型光ファイバスィッチ、非線形光ループミラー(Nonlinear Optical Loop Mirror:NOLM)型スィッチ等を用いることが可能である。上記のような過飽和吸収媒質45を設けることにより、信号光のオフ・レベルの揺らぎを抑圧することが可能になる。
なお、上記の第8実施形態では、過飽和吸収媒質を非線形光学媒質の後段に設けた一例を示したが、非線形光学媒質3の前段に過飽和吸収媒質に設けるようにしても、信号光のオフ・レベルの揺らぎを抑圧することは可能である。
以上、本明細書で開示した主な発明について以下にまとめる。
(付記1) 信号光および該信号光とは波長の異なる励起光が入力され、該励起光による光パラメトリック増幅効果により信号光を増幅して出力する非線形光学媒質を備えた光パラメトリック増幅装置であって、
前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記励起光を増幅して出力する第1光増幅部と、
前記第1光増幅部から出力される励起光を、前記第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する信号光とともに前記非線形光学媒質に供給する励起光供給部と、
を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記2) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
波長の異なる複数の信号光を含んだWDM信号光が入力され、該WDM信号光を前記第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する第1波長帯の信号光、および、前記第1光増幅部の増幅帯域内に波長を有する第2波長帯の信号光に分波して出力する分波部と、
前記第1波長帯の光信号、および、前記第2波長帯の光信号を合波して出力する合波部と、
前記第1光増幅部の増幅帯域に対応した増幅帯域を有し、前記分波部から出力される前記第2波長帯の信号光を増幅して前記合波部に出力する第2光増幅部と、を備え、
前記励起光供給部は、前記第1光増幅部で増幅された前記励起光を、前記分波部から出力される前記第1波長帯の信号光とともに前記非線形光学媒質に供給し、
前記非線形光学媒質は、前記励起光による光パラメトリック増幅効果により、前記第1波長帯の信号光を増幅して前記合波部に出力する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記3) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質の出力光より、光パラメトリック増幅された信号光を選別する光フィルタを備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記4) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質は、前記励起光の波長と一致または略一致する平均零分散波長を有する光ファイバであることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記5) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質は、モード・フィールド内の光パワー密度を高めた高非線形ファイバであることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記6) 付記5に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記高非線形ファイバは、モード・フィールドを狭小化した構造を有することを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記7) 付記5に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記高非線形ファイバは、ゲルマニウムおよびビスマスのうちの少なくとも1つがコアにドープされた構造を有することを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記8) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質は、フォトニック結晶ファイバであることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記9) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質は、擬似位相整合構造を有する光導波路であることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記10) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質は、ガリウム・アルミニウム砒素(GaAlAs)素子であることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記11) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記第1光増幅部は、C−バンドに増幅帯域を有するエルビウムドープ・ファイバ・アンプを用いて構成され、
前記励起光は、C−バンド内の短波長側の端部付近に波長を有し、
前記非線形光学媒質は、前記励起光による光パラメトリック増幅効果により、C−バンドより短波長側の領域に波長を有する信号光を増幅して出力する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記12) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記第1光増幅部は、C−バンドおよびL−バンドのいずれかに増幅帯域を有するエルビウムドープ・ファイバ・アンプを用いて構成され、
前記励起光は、C−バンド内の長波長側の端部付近、または、L−バンドの短波長側の端部付近に波長を有し、
前記非線形光学媒質は、前記励起光による光パラメトリック増幅効果により、C−バンドおよびL−バンドの間の領域に波長を有する信号光を増幅して出力する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記13) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記第1光増幅部は、L−バンドに増幅帯域を有するエルビウムドープ・ファイバ・アンプを用いて構成され、
前記励起光は、L−バンド内の長波長側の端部付近に波長を有し、
前記非線形光学媒質は、前記励起光による光パラメトリック増幅効果により、L−バンドより長波長側の領域に波長を有する信号光を増幅して出力する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記14) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質に入力される信号光および励起光の相対的な偏光状態を制御する偏光制御器と、
前記非線形光学媒質に対して入出力される信号光および励起光のパワーをモニターするモニター部と、
前記モニター部のモニター結果を基に、前記非線形光学媒質から出力される信号光のパワーが最大になるように前記偏光制御器を制御した後、前記非線形光学媒質に入力される励起光のパワーが所定の値となるように前記第1光増幅部を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記15) 付記14に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質から出力される信号光のパワーを制御するパワー制御器を備え、
前記制御部は、前記非線形光学媒質から出力される信号光のパワーが所定の値になるように前記パワー制御器を制御することを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記16) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質に入力される信号光を直線偏光化する手段を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記17) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質に入力される励起光を円偏光化する手段を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記18) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質の出力側に配置された偏光子と、
前記非線形光学媒質に入力される信号光の偏光方向を、前記偏光子の偏光主軸と直交する方向に制御する第1偏光制御器と、
前記励起光をパルス化して前記第1光増幅部に与える励起光パルス生成回路と、
前記励起光パルス生成回路および前記第1光増幅部の間に設けられ、励起光パルスの偏光方向を前記信号光の偏光方向に対して所定の角度に設定する第2偏光制御器と、を備え、
前記非線形光学媒質は、前記励起光パルスによる光パラメトリック増幅効果により、前記信号光を前記励起光パルスの偏光方向に増幅する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記19) 付記1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
前記非線形光学媒質の前段または後段に過飽和吸収媒質を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
(付記20) 信号光および該信号光とは波長の異なる励起光が入力され、該励起光による光パラメトリック増幅効果により信号光を増幅して出力する非線形光学媒質を備えた光パラメトリック増幅装置であって、
前記信号光の波長および前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記励起光を増幅して出力する第1光増幅部と、
前記信号光の波長および前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記信号光を増幅して出力する第2光増幅部と、
前記第1光増幅部から出力される励起光を、前記第2光増幅部から出力される信号光とともに前記非線形光学媒質に供給する励起光供給部と、
を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
本発明による光パラメトリック増幅装置の基本構成を示す図である。 図1の基本構成における信号光および励起光の波長配置を示す図である。 図1の基本構成における光パラメトリック増幅帯域を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第1実施形態の構成を示す図である。 上記第1実施形態における励起光の波長配置を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第2実施形態の構成を示す図である。 上記第2実施形態における励起光波長および増幅帯域の一例を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第3実施形態の構成を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第4実施形態の構成を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第5実施形態の構成を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第6実施形態の構成を示す図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第7実施形態の構成を示す図である。 上記第7実施形態におけるスイッチング動作を模式的に示した図である。 本発明による光パラメトリック増幅装置の第8実施形態の構成を示す図である。
符号の説明
1,16…光アンプ
2,14,35,39…合波器
3…非線形光学媒質
11,24,25…分波器
12…Cバンド用EDFA
13…Lバンド用EDFA
15…光フィルタ
21,22,33,37,41,43…偏光制御器
23…パワー制御器
26…モニター回路
27…比較回路
28…偏光制御回路
29…パワー制御回路
31,44…偏光子
32,36…偏光ビームスプリッタ
34,38…時間調整用の光回路
42…励起光パルス生成回路
45…過飽和吸収媒質
Es,Es’Es(C),Es(L)…信号光
Ep,Ep1〜Ep3…励起光

Claims (10)

  1. 信号光および該信号光とは波長の異なる励起光が入力され、該励起光による光パラメトリック増幅効果により信号光を増幅して出力する非線形光学媒質を備えた光パラメトリック増幅装置であって、
    前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記励起光を増幅して出力する第1光増幅部と、
    前記第1光増幅部から出力される励起光を、前記第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する信号光とともに前記非線形光学媒質に供給する励起光供給部と、
    を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  2. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    波長の異なる複数の信号光を含んだWDM信号光が入力され、該WDM信号光を前記第1光増幅部の増幅帯域外に波長を有する第1波長帯の信号光、および、前記第1光増幅部の増幅帯域内に波長を有する第2波長帯の信号光に分波して出力する分波部と、
    前記第1波長帯の光信号、および、前記第2波長帯の光信号を合波して出力する合波部と、
    前記第1光増幅部の増幅帯域に対応した増幅帯域を有し、前記分波部から出力される前記第2波長帯の信号光を増幅して前記合波部に出力する第2光増幅部と、を備え、
    前記励起光供給部は、前記第1光増幅部で増幅された前記励起光を、前記分波部から出力される前記第1波長帯の信号光とともに前記非線形光学媒質に供給し、
    前記非線形光学媒質は、前記励起光による光パラメトリック増幅効果により、前記第1波長帯の信号光を増幅して前記合波部に出力する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  3. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質の出力光より、光パラメトリック増幅された信号光を選別する光フィルタを備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  4. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質は、前記励起光の波長と一致または略一致する平均零分散波長を有する光ファイバであることを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  5. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質に入力される信号光および励起光の相対的な偏光状態を制御する偏光制御器と、
    前記非線形光学媒質に対して入出力される信号光および励起光のパワーをモニターするモニター部と、
    前記モニター部のモニター結果を基に、前記非線形光学媒質から出力される信号光のパワーが最大になるように前記偏光制御器を制御した後、前記非線形光学媒質に入力される励起光のパワーが所定の値となるように前記第1光増幅部を制御する制御部と、
    を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  6. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質に入力される信号光を直線偏光化する手段を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  7. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質に入力される励起光を円偏光化する手段を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  8. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質の出力側に配置された偏光子と、
    前記非線形光学媒質に入力される信号光の偏光方向を、前記偏光子の偏光主軸と直交する方向に制御する第1偏光制御器と、
    前記励起光をパルス化して前記第1光増幅部に与える励起光パルス生成回路と、
    前記励起光パルス生成回路および前記第1光増幅部の間に設けられ、励起光パルスの偏光方向を前記信号光の偏光方向に対して所定の角度に設定する第2偏光制御器と、を備え、
    前記非線形光学媒質は、前記励起光パルスによる光パラメトリック増幅効果により、前記信号光を前記励起光パルスの偏光方向に増幅する、ことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  9. 請求項1に記載の光パラメトリック増幅装置であって、
    前記非線形光学媒質の前段または後段に過飽和吸収媒質を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
  10. 信号光および該信号光とは波長の異なる励起光が入力され、該励起光による光パラメトリック増幅効果により信号光を増幅して出力する非線形光学媒質を備えた光パラメトリック増幅装置であって、
    前記信号光の波長および前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記励起光を増幅して出力する第1光増幅部と、
    前記信号光の波長および前記励起光の波長を含む増幅帯域を有し、前記信号光を増幅して出力する第2光増幅部と、
    前記第1光増幅部から出力される励起光を、前記第2光増幅部から出力される信号光とともに前記非線形光学媒質に供給する励起光供給部と、
    を備えたことを特徴とする光パラメトリック増幅装置。
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