JP2008078222A

JP2008078222A - Thermoelectric transducer

Info

Publication number: JP2008078222A
Application number: JP2006253194A
Authority: JP
Inventors: Akio Matsuoka; 彰夫松岡; Isao Azeyanagi; 功畔柳; Yasuhiko Niimi; 康彦新美; Hiroyoshi Sugawara; 博好菅原
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2006-09-19
Filing date: 2006-09-19
Publication date: 2008-04-03

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermoelectric transducer capable of reducing thermal resistances among electrode elements and heat-exchanging fins while ensuring insulations among the electrode elements. <P>SOLUTION: In the thermoelectric transducer 1, a plurality of P-type semiconductor elements 2 and a plurality of N-type semiconductor elements 3 are disposed alternately; electrode elements 4a and 4b connecting the adjacent semiconductor elements 2 and 3 in series, heat-exchanging fins 7a and 7b exchanging a heat among a fluid substance on the outside and the electrode elements 4a and 4b and thermal conductive members 6a and 6b thermally connecting the electrode elements 4a and 4b and heat-exchanging fins 7a and 7b are provided; the electrode elements 4a and 4b and the thermal conductive members 6a and 6b are joined by forming insulating layers 6e and 6f on joint surfaces 6g and 6h with the electrode elements 4a and 4b and forming first adhesive layers 5a and 5b among the electrode elements 4a and 4b and the insulating layers 6e and 6f; the thermal conductive members 6a and 6b and the heat-exchanging fins 7a and 7b are joined by forming second adhesive layers 5c and 5d among the thermal conductive members 6a and 6b and the heat-exchanging fins 7a and 7b. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子とが交互に複数配設され、熱交換フィンを備えた熱電変換装置に関するものである。 The present invention relates to a thermoelectric conversion device in which a plurality of P-type semiconductor elements and N-type semiconductor elements are alternately arranged and provided with heat exchange fins.

従来、熱交換フィンを備えない熱電変換装置が一般的であり、この種の熱電変換装置においては、所定個数のＰ型半導体素子とＮ型半導体素子とを平面状に交互に複数配設し、それらの放熱側と吸熱側とにそれぞれ電極素子を接合させて、全てのＰ型半導体素子とＮ型半導体素子とを直列接続させている。さらに、電極素子と温度制御対象物との間で熱交換をさせるための熱交換板を、放熱側と吸熱側の少なくとも一方に形成している。 Conventionally, a thermoelectric conversion device that does not include heat exchange fins is common, and in this type of thermoelectric conversion device, a predetermined number of P-type semiconductor elements and N-type semiconductor elements are alternately arranged in a plane, Electrode elements are bonded to the heat dissipation side and the heat absorption side, respectively, and all P-type semiconductor elements and N-type semiconductor elements are connected in series. Furthermore, a heat exchange plate for exchanging heat between the electrode element and the temperature control object is formed on at least one of the heat dissipation side and the heat absorption side.

温度制御対象物に熱交換板を接合させ、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子とに所定の直流電流を通電させることによって、電極素子と温度制御対象物との間で熱交換をさせ、これにより、温度制御対象物の温度を制御する。例えば、熱を発生するパワー素子が温度制御対象物である場合、熱交換板は、吸熱側に形成された吸熱板であり、パワー素子に吸熱板を接合させる。これにより、パワー素子が発生した熱は、吸熱板を通して吸熱側の電極素子によって吸収されて、パワー素子の温度が制御される。即ち、電極素子とパワー素子との間で吸熱板が熱交換をさせる。 A heat exchange plate is joined to the temperature control object, and a predetermined direct current is passed through the P-type semiconductor element and the N-type semiconductor element, thereby causing heat exchange between the electrode element and the temperature control object. Thus, the temperature of the temperature control object is controlled. For example, when a power element that generates heat is a temperature control object, the heat exchange plate is a heat absorption plate formed on the heat absorption side, and the heat absorption plate is joined to the power element. Thereby, the heat generated by the power element is absorbed by the heat absorption side electrode element through the heat absorption plate, and the temperature of the power element is controlled. That is, the heat absorption plate exchanges heat between the electrode element and the power element.

熱交換フィンを備えない熱電変換装置として、熱交換板の表面上に絶縁層を形成し、この絶縁層上に銅メッキ層が形成された熱電変換装置が開示されている（特許文献１を参照）。 As a thermoelectric conversion device not including a heat exchange fin, a thermoelectric conversion device in which an insulating layer is formed on the surface of a heat exchange plate and a copper plating layer is formed on the insulating layer is disclosed (see Patent Document 1). ).

これは、電極素子と銅メッキ層とを半田接合することによって、電極素子と熱交換板を接合させるものである。表面上に絶縁層が形成された熱交換板と電極素子とを接着することによって電極素子と熱交換板とを熱的に接続させるものに対して、これらの間の熱抵抗をより低減させようとするものである。 This is to join the electrode element and the heat exchange plate by soldering the electrode element and the copper plating layer. Let the electrode element and the heat exchange plate be thermally connected by bonding the heat exchange plate with the insulating layer formed on the surface and the electrode element, and further reduce the thermal resistance between them. It is what.

即ち、熱交換板と電極素子の間に介在する熱抵抗が絶縁層のみ（銅メッキ層と半田層の熱抵抗は十分小さい）であるため、これらの間の熱抵抗を低減できる旨が記載されている。熱交換板と電極素子の間の熱抵抗を低減することによって、所望の熱交換効率を確保することをねらったものである。 That is, it is described that since the thermal resistance interposed between the heat exchange plate and the electrode element is only the insulating layer (the thermal resistance of the copper plating layer and the solder layer is sufficiently small), the thermal resistance between them can be reduced. ing. The purpose is to secure desired heat exchange efficiency by reducing the thermal resistance between the heat exchange plate and the electrode element.

また、熱交換板と電極素子の間が絶縁層によって絶縁されている旨が記載されている。熱交換板を介して短絡やマイグレーションが発生することを防止することをねらったものである。 Further, it is described that the heat exchange plate and the electrode element are insulated by an insulating layer. The aim is to prevent short circuit and migration from occurring through the heat exchange plate.

本発明は、温度制御対象物を空気等の流体物とする熱電変換装置であり、外部の流体物と電極素子との間で熱交換をさせる熱交換フィンを備えた熱電変換装置に関するものである。
特開２００３−３３２６４２号公報 The present invention relates to a thermoelectric conversion device that uses a temperature control object as a fluid such as air, and relates to a thermoelectric conversion device that includes heat exchange fins that exchange heat between an external fluid and an electrode element. .
JP 2003-332642 A

特許文献１では、絶縁層上に銅メッキ層を形成しているため、その構成を複雑化している。このため、熱電変換装置の製造コストを増加させるという問題が生じている。 In patent document 1, since the copper plating layer is formed on the insulating layer, the structure is complicated. For this reason, the problem of increasing the manufacturing cost of a thermoelectric conversion device has arisen.

また、Ｐ型とＮ型の半導体素子と電極素子との接合部で半田の再溶融等の不具合が発生しないように、電極素子と銅メッキ層の半田接合温度を設定する必要が生じている。一方、鉛の廃止要請から、近年、鉛フリーの半田が主流になっているが、このため、低融点の半田の選択が困難になっている。即ち、使用する半田材料の融点が高くなり、これに伴なって半田接合温度が高くなっている。この結果、電極素子と銅メッキ層の半田工程において、半導体素子と電極素子との接合部で再溶融等の不具合が発生しないように構成することが困難になっている。 In addition, it is necessary to set the solder bonding temperature between the electrode element and the copper plating layer so that a defect such as remelting of solder does not occur at the joint between the P-type and N-type semiconductor elements and the electrode element. On the other hand, in recent years, lead-free solder has become mainstream due to the request for abolition of lead, but this makes it difficult to select a solder with a low melting point. That is, the melting point of the solder material to be used is increased, and the soldering temperature is increased accordingly. As a result, in the soldering process of the electrode element and the copper plating layer, it is difficult to configure so that a defect such as remelting does not occur at the junction between the semiconductor element and the electrode element.

一方、特許文献１において、表面上に絶縁層が形成された熱交換板と電極素子とを接着する熱電変換装置では、半田接合のための銅メッキ層が不要となり、構成が複雑化することがない。また、Ｐ型とＮ型の半導体素子と電極素子との接合部で再溶融等の不具合が発生しないように、熱交換板と電極素子とを接着することが可能である。さらに、熱交換板と電極素子の間に介在する熱抵抗が絶縁層と接着層のみであるため、これらの間の熱抵抗を低減できる。さらに、熱交換板と電極素子の間が絶縁層によって絶縁されている。 On the other hand, in Patent Document 1, in a thermoelectric conversion device that bonds a heat exchange plate having an insulating layer formed on a surface and an electrode element, a copper plating layer for solder bonding is not necessary, and the configuration may be complicated. Absent. Further, it is possible to bond the heat exchange plate and the electrode element so that a problem such as remelting does not occur at the joint between the P-type and N-type semiconductor elements and the electrode element. Furthermore, since the thermal resistance interposed between the heat exchange plate and the electrode element is only the insulating layer and the adhesive layer, the thermal resistance between them can be reduced. Furthermore, the heat exchange plate and the electrode element are insulated by an insulating layer.

ここで、温度制御対象物が、空気等の流体物である場合、流体物との熱交換は熱交換フィンによって行なうため、半導体素子から熱交換フィンに至る全ての熱抵抗を小さくすることが必要である。しかし、特許文献１においては、熱交換板と熱交換フィンの接合に関する記載がなく、即ち、半導体素子と熱交換フィンの間の熱抵抗、つまり、電極素子と熱交換フィンの間の熱抵抗に関する記載がない。 Here, when the object to be controlled is a fluid such as air, heat exchange with the fluid is performed by the heat exchange fin, so it is necessary to reduce all the thermal resistance from the semiconductor element to the heat exchange fin. It is. However, in Patent Document 1, there is no description regarding the joining of the heat exchange plate and the heat exchange fin, that is, the thermal resistance between the semiconductor element and the heat exchange fin, that is, the thermal resistance between the electrode element and the heat exchange fin. There is no description.

熱交換フィンを備えた熱電変換装置においては、電極素子と熱交換フィンの間の熱抵抗に熱電変換装置の熱交換効率が依存するため、電極素子と熱交換板の間の熱抵抗ではなくて、電極素子と熱交換フィンの間の熱抵抗を低減する必要がある。さらに、半導体素子と接合されている面と反対の面側において電極素子間の絶縁を確保できる構成とする必要がある。 In a thermoelectric conversion device provided with a heat exchange fin, since the heat exchange efficiency of the thermoelectric conversion device depends on the thermal resistance between the electrode element and the heat exchange fin, it is not the thermal resistance between the electrode element and the heat exchange plate. It is necessary to reduce the thermal resistance between the element and the heat exchange fin. Furthermore, it is necessary to be able to ensure the insulation between the electrode elements on the side opposite to the surface joined to the semiconductor element.

本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、電極素子間の絶縁を確保しつつ電極素子と熱交換フィンとの間の熱抵抗を低減可能な熱電変換装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a thermoelectric conversion device capable of reducing the thermal resistance between the electrode element and the heat exchange fin while ensuring insulation between the electrode elements. To do.

本発明は上記目的を達成するため、以下の技術的手段を採用する。 In order to achieve the above object, the present invention employs the following technical means.

請求項１に記載の熱電変換装置（１）は、Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、隣接するＰ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と、外部の流体物と電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に介在させて電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを熱的に接続する熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを備え、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成し、電極素子（４ａ、４ｂ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって電極素子（４ａ、４ｂ）と熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを接合し、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に第２接着層（５ｃ、５ｄ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ、７ｂ）とを接合していることを特徴とする。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 1 is a thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged, which are adjacent to each other. Heat exchange between the electrode element (4a, 4b) for electrically connecting the P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series, and an external fluid and the electrode element (4a, 4b) And the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b). And a heat conductive member (6a, 6b) for thermally connecting the insulating layer to the joint surfaces (6g, 6h) joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conductive member (6a, 6b). (6e, 6f) is formed, and the first is formed between the electrode elements (4a, 4b) and the insulating layers (6e, 6f). By providing the deposition layers (5a, 5b), the electrode elements (4a, 4b) and the heat conducting members (6a, 6b) are joined, and the heat conducting members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b) The heat conductive members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b) are joined by providing the second adhesive layers (5c, 5d) between them.

この構成では、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成するため、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の接合面（６ｇ、６ｈ）において電極素子（４ａ、４ｂ）間の絶縁を確保できる。 In this configuration, in order to form the insulating layers (6e, 6f) on the joint surfaces (6g, 6h) joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conducting members (6a, 6b), the heat conducting members (6a, 6f) 6b) and insulation between the electrode elements (4a, 4b) can be secured at the joint surfaces (6g, 6h) of the electrode elements (4a, 4b).

また、この構成では、電極素子（４ａ、４ｂ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって電極素子（４ａ、４ｂ）と熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを接合し、第２接着層（５ｃ、５ｄ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ、７ｂ）とを接合する。このため、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の間には、第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）のみが熱抵抗として介在する。第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）が薄い層であるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間の熱抵抗を低減できる。 Further, in this configuration, the first adhesive layer (5a, 5b) is provided between the electrode element (4a, 4b) and the insulating layer (6e, 6f) to thereby form the electrode element (4a, 4b) and the heat conducting member ( 6a, 6b) and the second adhesive layers (5c, 5d) are provided to join the heat conducting members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b). Therefore, between the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b), the first adhesive layer (5a, 5b), the second adhesive layer (5c, 5d), and the insulating layer (6e, 6f). ) Only intervenes as thermal resistance. Since the first adhesive layer (5a, 5b), the second adhesive layer (5c, 5d) and the insulating layer (6e, 6f) are thin layers, the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) The thermal resistance between the two can be reduced.

これらの結果、電極素子（４ａ、４ｂ）間の絶縁を確保しつつ電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間の熱抵抗を低減可能な熱電変換装置（１）を提供できる。 As a result, the thermoelectric conversion device (1) capable of reducing the thermal resistance between the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) while ensuring insulation between the electrode elements (4a, 4b). Can provide.

請求項２に記載の熱電変換装置（１）は、第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）が導電性接着剤から形成されていることを特徴とする。これにより、第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）による熱抵抗をより低減できるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）の間の熱抵抗をより低減できる。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 2 is characterized in that the first adhesive layers (5a, 5b) and the second adhesive layers (5c, 5d) are formed of a conductive adhesive. Thereby, since the thermal resistance by the 1st adhesion layer (5a, 5b) and the 2nd adhesion layer (5c, 5d) can be reduced more, between electrode element (4a, 4b) and heat exchange fins (7a, 7b) Thermal resistance can be further reduced.

請求項３に記載の熱電変換装置（１）は、ペースト状の樹脂材料中に導電性フィラーを分散混合させて導電性接着剤が形成されていることを特徴とする。この構成では、導電性接着剤として実用化が先行しているフィラー系導電性接着剤を使用する。これにより、上述の効果が得られる熱電変換装置（１）を、より容易に提供できる。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 3 is characterized in that a conductive adhesive is formed by dispersing and mixing a conductive filler in a paste-like resin material. In this configuration, a filler-based conductive adhesive that has been put into practical use is used as the conductive adhesive. Thereby, the thermoelectric conversion apparatus (1) from which the above-mentioned effect is acquired can be provided more easily.

請求項４に記載の熱電変換装置（１）は、半田接合が可能な第２接着層（５ｃ、５ｄ）が形成され、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）上に形成された第２接着層（５ｃ、５ｄ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に半田層（８ａ、８ｂ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合し、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の絶縁層（６ｅ、６ｆ）と電極素子（４ａ、４ｂ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合していることを特徴とする。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 4, wherein the second adhesive layer (5c, 5d) capable of solder bonding is formed, and the second adhesive layer (6a, 6b) formed on the heat conductive member (6a, 6b). 5c, 5d) and the heat exchange fins (7a, 7b) by joining the heat conductive members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b) by providing the solder layers (8a, 8b), A first adhesive layer (5a, 5b) is provided between the insulating layers (6e, 6f) of the heat conducting members (6a, 6b) joined to the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b). Thus, the heat conducting members (6a, 6b) and the electrode elements (4a, 4b) are joined.

この構成では、半田層（８ａ、８ｂ）の熱抵抗が十分小さく無視できるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間には、第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）のみが熱抵抗として介在する。第１接着層（５ａ、５ｂ）と第２接着層（５ｃ、５ｄ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）が薄い層であるため、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の間の熱抵抗を低減できる。 In this configuration, since the thermal resistance of the solder layers (8a, 8b) is sufficiently small and can be ignored, the first adhesive layer (5a, 8b) is interposed between the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b). 5b), only the second adhesive layers (5c, 5d) and the insulating layers (6e, 6f) are interposed as thermal resistance. Since the first adhesive layer (5a, 5b), the second adhesive layer (5c, 5d) and the insulating layer (6e, 6f) are thin layers, the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) The thermal resistance between the two can be reduced.

また、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の絶縁層（６ｅ、６ｆ）と電極素子（４ａ、４ｂ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設け、これによって、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合している。即ち、半田層（８ａ、８ｂ）を設けた後に、半田の溶融温度よりも低い温度で乾燥、硬化させることによって第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けているため、第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって半田層を再溶融させることがない。また、半田層（８ａ、８ｂ）を設けた後に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けているため、半田層（８ａ、８ｂ）を設けることによって第１接着層（５ａ、５ｂ）が損なわれることがない。 The first adhesive layers (5a, 5b) are provided between the insulating layers (6e, 6f) of the heat conducting members (6a, 6b) joined to the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b). Thus, the heat conducting members (6a, 6b) and the electrode elements (4a, 4b) are joined together. That is, after providing the solder layers (8a, 8b), the first adhesive layers (5a, 5b) are provided by drying and curing at a temperature lower than the melting temperature of the solder. 5b) prevents the solder layer from being remelted. Further, since the first adhesive layers (5a, 5b) are provided after the solder layers (8a, 8b) are provided, the first adhesive layers (5a, 5b) are damaged by providing the solder layers (8a, 8b). It will not be.

これらの結果、電極素子（４ａ、４ｂ）間の絶縁を確保しつつ熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の間の熱抵抗を低減可能な熱電変換装置（１）を提供できる。 As a result, the thermoelectric conversion device (1) capable of reducing the thermal resistance between the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) while ensuring insulation between the electrode elements (4a, 4b). Can be provided.

請求項５に記載の熱電変換装置（１）は、ペースト状の樹脂材料中に導電フィラーとして銅フィラーを分散混合させた導電性接着剤から第２接着層（５ｃ、５ｄ）が形成されていることを特徴とする。これにより、安価な銅フィラーを含有する第２接着層（５ｃ、５ｄ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に半田層（８ａ、８ｂ）を設けることが可能になり、上述の効果を得ることができる。 In the thermoelectric conversion device (1) according to claim 5, the second adhesive layer (5c, 5d) is formed from a conductive adhesive in which a copper filler is dispersed and mixed as a conductive filler in a paste-like resin material. It is characterized by that. Thereby, it becomes possible to provide a solder layer (8a, 8b) between the second adhesive layer (5c, 5d) containing an inexpensive copper filler and the heat exchange fins (7a, 7b). Can be obtained.

請求項６に記載の熱電変換装置（１）は、Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、隣接するＰ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と、外部の流体物と電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に介在させて電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを熱的に接続する熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを備え、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成し、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間にロー付け層（９ａ、９ｂ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合し、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の絶縁層（６ｅ、６ｆ）と電極素子（４ａ、４ｂ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合していることを特徴とする。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 6 is a thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged, which are adjacent to each other. Heat exchange between the electrode element (4a, 4b) for electrically connecting the P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series, and an external fluid and the electrode element (4a, 4b) And the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b). And a heat conductive member (6a, 6b) for thermally connecting the insulating layer to the joint surfaces (6g, 6h) joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conductive member (6a, 6b). (6e, 6f) is formed, and the heat conducting members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b) The heat conduction member (6a, 6b) and the heat exchange fin (7a, 7b) are joined by providing the brazing layer (9a, 9b) on the heat conduction fin (7a, 7b) ( By providing the first adhesive layers (5a, 5b) between the insulating layers (6e, 6f) of 6a, 6b) and the electrode elements (4a, 4b), the heat conducting members (6a, 6b) and the electrode elements (4a) 4b).

この構成では、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成しているため、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の接合面（６ｇ、６ｈ）において電極素子（４ａ、４ｂ）間の絶縁を確保できる。 In this configuration, since the insulating layers (6e, 6f) are formed on the joint surfaces (6g, 6h) to be joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conducting member (6a, 6b), the heat conducting member ( Insulation between the electrode elements (4a, 4b) can be ensured at the joint surfaces (6g, 6h) of the electrode elements (4a, 4b).

また、この構成では、ロー付け層（９ａ、９ｂ）を設けることによって熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを接合し、電極素子（４ａ、４ｂ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって電極素子（４ａ、４ｂ）と熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを接合している。ロー付け層（９ａ、９ｂ）の熱抵抗が十分小さく無視できるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間には、第１接着層（５ａ、５ｂ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）のみが熱抵抗として介在する。
第１接着層（５ａ、５ｂ）と絶縁層（６ｅ、６ｆ）が薄い層であるため、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の間の熱抵抗を低減できる。 Further, in this configuration, by providing the brazing layers (9a, 9b), the heat exchange fins (7a, 7b) and the heat conducting members (6a, 6b) are joined, and the electrode elements (4a, 4b) and the insulating layer are joined. By providing the first adhesive layers (5a, 5b) between (6e, 6f), the electrode elements (4a, 4b) and the heat conducting members (6a, 6b) are joined. Since the thermal resistance of the brazing layer (9a, 9b) is sufficiently small and can be ignored, the first adhesive layer (5a, 5b) and the electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b) Only the insulating layers (6e, 6f) are interposed as thermal resistance.
Since the first adhesive layers (5a, 5b) and the insulating layers (6e, 6f) are thin layers, the thermal resistance between the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) can be reduced.

また、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の絶縁層（６ｅ、６ｆ）と電極素子（４ａ、４ｂ）との間にを第１接着層（５ａ、５ｂ）を設け、これによって、熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合している。即ち、ロー付け層（９ａ、９ｂ）を設けた後に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けているため、ロー付け層（９ａ、９ｂ）を設けるときの熱により第１接着層（５ａ、５ｂ）が損なわれることがない。 The first adhesive layers (5a, 5b) are provided between the insulating layers (6e, 6f) of the heat conducting members (6a, 6b) joined to the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b). ), Thereby joining the heat conducting members (6a, 6b) and the electrode elements (4a, 4b). That is, since the first adhesive layer (5a, 5b) is provided after the brazing layer (9a, 9b) is provided, the first adhesive layer (5a, 9b) is formed by heat when the brazing layer (9a, 9b) is provided. 5b) is not impaired.

請求項７に記載の熱電変換装置（１）は、Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、隣接するＰ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とに接合されてＰ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と，外部の流体物と電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを備え、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（７ｅ、７ｆ）に絶縁層（７ｃ、７ｄ）を形成し、電極素子（４ａ、４ｂ）と絶縁層（７ｃ、７ｄ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合していることを特徴とする。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 7 is a thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged and adjacent to each other. Electrode elements (4a, 4b) joined to the P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) to electrically connect the P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series. And heat exchange fins (7a, 7b) for exchanging heat between the external fluid and the electrode elements (4a, 4b). In the heat exchange fins (7a, 7b), the electrode elements (4a, 4b) Insulating layers (7c, 7d) are formed on the joining surfaces (7e, 7f) to be joined to the first adhesive layers (5a, 5b) between the electrode elements (4a, 4b) and the insulating layers (7c, 7d). ) To join the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) And wherein the door.

この構成では、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）において電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（７ｅ、７ｆ）に絶縁層（７ｃ、７ｄ）を形成しているため、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の接合面（７ｅ、７ｆ）において電極素子（４ａ、４ｂ）間の絶縁を確保できる。 In this configuration, since the insulating layers (7c, 7d) are formed on the joint surfaces (7e, 7f) to be joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat exchange fins (7a, 7b), the heat exchange fins ( 7a, 7b) and insulation between the electrode elements (4a, 4b) can be secured at the joint surfaces (7e, 7f) of the electrode elements (4a, 4b).

また、この構成では、電極素子（４ａ、４ｂ）と絶縁層（７ｃ、７ｄ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合している。このため、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と電極素子（４ａ、４ｂ）の間には、第１接着層（５ａ、５ｂ）と絶縁層（７ｃ、７ｄ）のみが熱抵抗として介在する。第１接着層（５ａ、５ｂ）、及び絶縁層（７ｃ、７ｄ）が薄い層であるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間の熱抵抗を低減できる。 Further, in this configuration, the first adhesive layer (5a, 5b) is provided between the electrode element (4a, 4b) and the insulating layer (7c, 7d) to thereby form the electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin ( 7a, 7b). Therefore, only the first adhesive layers (5a, 5b) and the insulating layers (7c, 7d) are interposed between the heat exchange fins (7a, 7b) and the electrode elements (4a, 4b) as thermal resistance. Since the first adhesive layers (5a, 5b) and the insulating layers (7c, 7d) are thin layers, the thermal resistance between the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) can be reduced. .

請求項８に記載の熱電変換装置（１）は、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）が固定される固定部材（１１ａ、１１ｂ）を備え、固定部材（１１ａ、１１ｂ）に前記接合面（７ｅ、７ｆ）が貫通可能な貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）を形成し、接合面（７ｅ、７ｆ）が固定部材（１１ａ、１１ｂ）の貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）を貫通して電極素子（４ａ、４ｂ）と接合され、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）が固定部材（１１ａ、１１ｂ）に固定された状態において、貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）における熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と固定部材（１１ａ、１１ｂ）との隙間を、シール部材（１１ｅ、１１ｆ）で封止していることを特徴とする。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 8 includes a fixing member (11a, 11b) to which the heat exchange fins (7a, 7b) are fixed, and the bonding surface (7e, 11b) is fixed to the fixing member (11a, 11b). 7f) form penetrating through holes (11c, 11d), and joining surfaces (7e, 7f) penetrate through the through holes (11c, 11d) of the fixing members (11a, 11b) to form electrode elements (4a, 4b). ) And the heat exchange fins (7a, 7b) are fixed to the fixing members (11a, 11b), the heat exchange fins (7a, 7b) and the fixing members (11a, 11b) in the through holes (11c, 11d). 11b) is sealed with seal members (11e, 11f).

この構成では、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）が固定部材（１１ａ、１１ｂ）に固定されるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを直接接合する構成において、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）の強度を増加させることができる。また、貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）における熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と固定部材（１１ａ、１１ｂ）との隙間を、シール部材（１１ｅ、１１ｆ）で封止する。これにより、熱交換フィン（７ａ，７ｂ）に発生した結露水がこの隙間から浸入して、電極素子（４ａ、４ｂ）や半導体素子（２、３）に付着することを防止できる。 In this configuration, since the heat exchange fins (7a, 7b) are fixed to the fixing members (11a, 11b), the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) are directly joined. The strength of the heat exchange fins (7a, 7b) can be increased. Moreover, the clearance gap between the heat exchange fin (7a, 7b) and fixing member (11a, 11b) in a through-hole (11c, 11d) is sealed with a sealing member (11e, 11f). Thereby, it can prevent that the dew condensation water which generate | occur | produced in the heat exchange fin (7a, 7b) permeates from this clearance gap, and adheres to an electrode element (4a, 4b) or a semiconductor element (2, 3).

請求項９に記載の熱電変換装置（１）は、導電性接着剤によって第１接着層（５ａ、５ｂ）が形成されていることを特徴とする。これにより、第１接着層（５ａ、５ｂ）による熱抵抗をより低減できるため、電極素子（４ａ、４ｂ）と熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間の熱抵抗をより低減できる。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 9 is characterized in that the first adhesive layers (5a, 5b) are formed of a conductive adhesive. Thereby, since the thermal resistance by the first adhesive layers (5a, 5b) can be further reduced, the thermal resistance between the electrode elements (4a, 4b) and the heat exchange fins (7a, 7b) can be further reduced.

請求項１０に記載の熱電変換装置（１）は、ペースト状の樹脂材料中に導電性フィラーを分散混合させて導電性接着剤が形成されていることを特徴とする。この構成では、導電性接着剤として実用化が先行しているフィラー系導電性接着剤を使用する。これにより、上述の効果が得られる熱電変換装置（１）を、より容易に提供できる。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 10 is characterized in that a conductive adhesive is formed by dispersing and mixing a conductive filler in a paste-like resin material. In this configuration, a filler-based conductive adhesive that has been put into practical use is used as the conductive adhesive. Thereby, the thermoelectric conversion apparatus (1) from which the above-mentioned effect is acquired can be provided more easily.

尚、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means of embodiment mentioned later.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態における熱電変換装置を図１ないし図３に基づいて説明する。 (First embodiment)
Hereinafter, a thermoelectric conversion device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

図１に主要な構成を示した熱電変換装置１は、車両に搭載される冷却装置もしくは加熱装置に適用される。例えば、車両用のシートの着座部内と背当部内とにそれぞれ熱電変換装置１を配設し、熱電変換装置１により冷却された冷風をシート表面から吹き出すシート空調装置として熱電変換装置１を利用する。従って、設置空間の狭い車両用のシート内に熱電変換装置１を搭載できるように、熱電変換装置１の小型化を図っている。 The thermoelectric conversion device 1 whose main configuration is shown in FIG. 1 is applied to a cooling device or a heating device mounted on a vehicle. For example, the thermoelectric conversion device 1 is disposed in each of a seat portion and a backrest portion of a vehicle seat, and the thermoelectric conversion device 1 is used as a seat air conditioner that blows out cool air cooled by the thermoelectric conversion device 1 from the seat surface. . Therefore, the thermoelectric conversion device 1 is downsized so that the thermoelectric conversion device 1 can be mounted in a vehicle seat having a small installation space.

図１ないし図３に示すように、熱電変換装置１は、Ｐ型半導体素子２、Ｎ型半導体素子３、電極素子４ａ、４ｂ、保持板４１、熱交換フィンである吸熱フィン７ａ，熱交換フィンである放熱フィン７ｂ、および熱伝導部材である熱伝導板６ａ、６ｂを備える。図１において、図示しない直流電源の正側端子を端子２０に接続し、負側端子を端子２１に接続し、端子２０、２１間に電流を流すことによって、熱電変換装置１を作動させる。 As shown in FIGS. 1 to 3, the thermoelectric conversion device 1 includes a P-type semiconductor element 2, an N-type semiconductor element 3, electrode elements 4 a and 4 b, a holding plate 41, heat absorption fins 7 a that are heat exchange fins, and heat exchange fins. Radiating fins 7b and heat conducting plates 6a and 6b which are heat conducting members. In FIG. 1, the thermoelectric conversion device 1 is operated by connecting a positive terminal of a DC power source (not shown) to the terminal 20, connecting a negative terminal to the terminal 21, and passing a current between the terminals 20 and 21.

Ｐ型半導体素子２とＮ型半導体素子３は、それぞれ、Ｂｉ−Ｔｅ系化合物から略直方体状の極小部品として形成され、図１に示すように、交互に略碁盤目状に複数配設される。半導体素子２、３は、図２に示すように、保持板４１によって保持され、半導体素子２、３の左端面と右端面が図２において左右方向へ保持板４１から突き出すように形成される。保持板４１は、絶縁材料（例えば、ガラスエポキシ、ＰＰＳ樹脂、ＬＣＰ樹脂もしくはＰＥＴ樹脂など）からなる矩形状に形成される。隣接する一対のＰ型半導体素子２とＮ型半導体素子３は、各々の左端面と右端面で電極素子４ａ、４ｂによって接合されて電気的に直列に接続される。 Each of the P-type semiconductor element 2 and the N-type semiconductor element 3 is formed as a substantially rectangular parallelepiped minimal component from a Bi—Te-based compound, and a plurality of them are alternately arranged in a substantially grid pattern as shown in FIG. . As shown in FIG. 2, the semiconductor elements 2 and 3 are held by a holding plate 41 so that the left end surface and the right end surface of the semiconductor elements 2 and 3 protrude from the holding plate 41 in the left-right direction in FIG. The holding plate 41 is formed in a rectangular shape made of an insulating material (for example, glass epoxy, PPS resin, LCP resin, or PET resin). A pair of adjacent P-type semiconductor element 2 and N-type semiconductor element 3 are joined by electrode elements 4a and 4b at their left end face and right end face and electrically connected in series.

電極素子４ａ、４ｂは、銅等の平板状の導電性金属から形成され、電極素子４ａは、隣接するＮ型半導体素子３からＰ型半導体素子２に向けて電流を流すための電極であり、電極素子４ｂは、隣接するＰ型半導体素子２からＮ型半導体素子３に向けて電流を流すための電極である。電極素子４ａ、４ｂと半導体素子２、３は、Ｓｎ−Ｓｂからなる半田によってその半田材料の融点以上の約２５０〜２６０℃に加熱されて半田接合される。 The electrode elements 4a and 4b are formed of a plate-like conductive metal such as copper, and the electrode element 4a is an electrode for passing a current from the adjacent N-type semiconductor element 3 to the P-type semiconductor element 2, The electrode element 4 b is an electrode for allowing a current to flow from the adjacent P-type semiconductor element 2 to the N-type semiconductor element 3. The electrode elements 4a and 4b and the semiconductor elements 2 and 3 are soldered to each other by being heated to about 250 to 260 ° C. above the melting point of the solder material by solder made of Sn—Sb.

ＰＮ接合部に電流を流すと、Ｎ−Ｐ接合部で吸熱現象が発生して、Ｐ−Ｎ接合部で発熱現象が発生する。これが熱電効果であり、電極素子４ａ、４ｂによって接合された半導体素子２，３において、電極素子４ａが吸熱側の電極であり、電極素子４ｂが放熱側の電極である。即ち、隣接する一対のＰ型半導体素子２とＮ型半導体素子３が電極素子４ａ、４ｂによって接合されることによって、１個の熱電素子が構成される。保持板４１と半導体電素子２、３と電極素子４ａ、４ｂとから、熱電素子基板１０が一体的に構成される。 When a current is passed through the PN junction, an endothermic phenomenon occurs at the NP junction, and an exothermic phenomenon occurs at the PN junction. This is a thermoelectric effect. In the semiconductor elements 2 and 3 joined by the electrode elements 4a and 4b, the electrode element 4a is an endothermic electrode and the electrode element 4b is a heat dissipation side electrode. That is, a pair of adjacent P-type semiconductor elements 2 and N-type semiconductor elements 3 are joined by the electrode elements 4a and 4b, thereby forming one thermoelectric element. The thermoelectric element substrate 10 is integrally formed from the holding plate 41, the semiconductor electric elements 2, 3 and the electrode elements 4a, 4b.

吸熱フィン７ａと放熱フィン７ｂは、外部の流体物である空気と電極素子４ａ、４ｂとの間で熱交換をさせる熱交換フィンであり、吸熱フィン７ａが吸熱側に配設され、放熱フィン７ｂが放熱フィン側に配設される。図１と図２に示す矢印Ｗは、空気の流れである風を示す。 The heat absorbing fins 7a and the heat radiating fins 7b are heat exchange fins for exchanging heat between air, which is an external fluid, and the electrode elements 4a and 4b. The heat absorbing fins 7a are disposed on the heat absorbing side, and the heat radiating fins 7b. Is disposed on the heat radiating fin side. The arrow W shown in FIG. 1 and FIG. 2 shows the wind which is a flow of air.

複数の吸熱フィン７ａは、１枚の金属の薄板を用いて吸熱ユニット７０ａとして所定の形状で一体的に形成される。例えば、板厚が０．０５〜０．２ｍｍ程度のアルミニウムの１枚の薄板を連続して折り曲げることによって、複数の吸熱フィン７ａが吸熱ユニット７０ａとして一体的に形成される。図１と図２に示すように、３個の吸熱ユニット７０ａが設けられる。これにより、一枚の板材を用いて一体的に複数の吸熱フィン７ａを形成することができるため、部品点数を低減できる。尚、各吸熱フィン７ａには、熱交換を促進させるためのルーバー７１ａが形成される。 The plurality of heat absorbing fins 7a are integrally formed in a predetermined shape as the heat absorbing unit 70a using a single metal thin plate. For example, a plurality of heat-absorbing fins 7a are integrally formed as a heat-absorbing unit 70a by continuously bending a single aluminum sheet having a thickness of about 0.05 to 0.2 mm. As shown in FIGS. 1 and 2, three heat absorption units 70a are provided. Thereby, since the several heat sink fin 7a can be integrally formed using one board | plate material, a number of parts can be reduced. Note that a louver 71a for promoting heat exchange is formed in each heat absorbing fin 7a.

吸熱フィン７ａと同様にして、複数の放熱フィン７ｂも、１枚の金属の薄板を用いて放熱ユニット７０ｂとして所定の形状で一体的に形成される。例えば、板厚が０．０５〜０．２ｍｍ程度のアルミニウムの１枚の薄板を連続して折り曲げることによって、複数の放熱フィン７ｂが放熱ユニット７０ｂとして一体的に形成される。図２に示すように、３個の放熱ユニット７０ｂが設けられる。これにより、一枚の板材を用いて一体的に複数の放熱フィン７ｂを形成することができるため、部品点数を低減できる。尚、各放熱フィン７ｂにも、熱交換を促進させるためのルーバー７１ｂが形成される。 Similarly to the heat absorbing fins 7a, the plurality of heat radiating fins 7b are also integrally formed in a predetermined shape as a heat radiating unit 70b using a single metal thin plate. For example, a plurality of heat radiation fins 7b are integrally formed as a heat radiation unit 70b by continuously bending a thin sheet of aluminum having a thickness of about 0.05 to 0.2 mm. As shown in FIG. 2, three heat radiating units 70b are provided. Thereby, since the several heat radiation fin 7b can be integrally formed using one board | plate material, a number of parts can be reduced. In addition, the louver 71b for promoting heat exchange is also formed in each radiation fin 7b.

熱伝導板６ａは、電極素子４ａと吸熱フィン７ａとの間に介在させて電極素子４ａと吸熱フィン７ａとを熱的に接続する熱伝導部材であり、熱伝導板６ｂは、電極素子４ｂと放熱フィン７ｂとの間に介在させて電極素子４ｂと放熱フィン７ｂとを熱的に接続する熱伝導部材である。熱伝導板６ａ、６ｂは、後述するように表面に絶縁層を有する金属の薄板を用いて所定の形状に形成される。 The heat conducting plate 6a is a heat conducting member that is interposed between the electrode element 4a and the heat absorbing fins 7a to thermally connect the electrode elements 4a and the heat absorbing fins 7a. The heat conducting plate 6b includes the electrode elements 4b and It is a heat conductive member that is interposed between the heat radiation fins 7b and thermally connects the electrode elements 4b and the heat radiation fins 7b. The heat conductive plates 6a and 6b are formed in a predetermined shape using a metal thin plate having an insulating layer on the surface as described later.

また、吸熱フィン７ａ側と放熱フィン７ｂ側との熱膨張差に起因する熱歪みを吸収して、この熱歪みによる応力が半導体素子２、３に作用することを抑えるため、応力緩衝用の曲げ部６ｃ、６ｄを熱伝導板６ａ、６ｂに形成する。図１において左右方向へ延びる２個の曲げ部６ｃが、熱伝導板６ａに形成され、放熱側においても同様に、２個の曲げ部６ｄが、熱伝導板６ａに形成される。 Further, in order to absorb the thermal strain caused by the thermal expansion difference between the heat absorbing fin 7a side and the heat radiating fin 7b side, and to suppress the stress due to the thermal strain from acting on the semiconductor elements 2 and 3, The parts 6c and 6d are formed on the heat conductive plates 6a and 6b. In FIG. 1, two bent portions 6c extending in the left-right direction are formed on the heat conducting plate 6a, and similarly, two bent portions 6d are formed on the heat conducting plate 6a on the heat dissipation side.

３個の吸熱ユニット７０ａは、図１と図２に示すように、２個の曲げ部６ｃによって互いに分離されて熱伝導板６ａに接合される。また、３個の放熱ユニット７０ｂは、図２に示すように、２個の曲げ部６ｄによって互いに分離されて熱伝導板６ｂに接合される。 As shown in FIGS. 1 and 2, the three heat absorption units 70a are separated from each other by two bent portions 6c and joined to the heat conducting plate 6a. Further, as shown in FIG. 2, the three heat radiating units 70b are separated from each other by the two bent portions 6d and joined to the heat conducting plate 6b.

図２において、エポキシ系もしくはシリコン系からなる樹脂のシール材２２によって、熱伝導板６ａ、６ｂの間をその全周に亘って水密可能に封止する。これにより、吸熱フィン７ａ側で発生した水滴が半導体素子２、３に浸入することを防止できる。尚、保持板４１を省略することが可能であり、曲げ部６ｃ、６ｄを図１において上下方向へ延びるように形成することが可能である。また、曲げ部６ｃ、６ｄの断面形状は、図２に示すように略半円形状に限らないで、略Ｕの字、略Ｖの字等で形成することができる。 In FIG. 2, between the heat conductive plates 6a and 6b is sealed in a watertight manner over the entire circumference by a resin sealing material 22 made of epoxy or silicon. Thereby, it is possible to prevent water droplets generated on the endothermic fin 7 a side from entering the semiconductor elements 2 and 3. The holding plate 41 can be omitted, and the bent portions 6c and 6d can be formed to extend in the vertical direction in FIG. Further, the cross-sectional shapes of the bent portions 6c and 6d are not limited to a substantially semicircular shape as shown in FIG. 2, but can be formed with a substantially U shape, a substantially V shape, or the like.

図３に示すように、電極素子４ａ、４ｂと半導体素子２、３を半田接合するにより、Ｐ型半導体素子２と電極素子４ａの間に半田層２ａが形成され、Ｐ型半導体素子２と電極素子４ｂの間に半田層２ｂが形成される。また、Ｎ型半導体素子３と電極素子４ａの間に半田層３ａが形成され、Ｎ型半導体素子３と電極素子４ｂの間に半田層３ｂが形成される。尚、図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図であり、図３を見易くするため、図３中において保持板４１を省略している。 As shown in FIG. 3, solder layers 2a are formed between the P-type semiconductor element 2 and the electrode element 4a by solder-joining the electrode elements 4a and 4b and the semiconductor elements 2 and 3, and the P-type semiconductor element 2 and the electrodes A solder layer 2b is formed between the elements 4b. A solder layer 3a is formed between the N-type semiconductor element 3 and the electrode element 4a, and a solder layer 3b is formed between the N-type semiconductor element 3 and the electrode element 4b. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 1, and the holding plate 41 is omitted in FIG.

熱伝導板６ａ、６ｂにおいて電極素子４ａ、４ｂと接合される接合面６ｇ、６ｈに絶縁層である酸化膜６ｅ、６ｆを形成する。例えば、板厚が０．２ｍｍ程度のアルミニウムの薄板から形成された熱伝導板６ａ、６ｂの全体にアルマイト処理を施すことによって、酸化膜６ｅ、６ｆが形成される。これにより、膜厚が数μｍ（マイクロ・メートル）から数十数μｍの酸化膜６ｅ、６ｆが、熱伝導板６ａ、６ｂの全表面に形成される。尚、アルマイト処理による酸化膜６ｅ、６ｆの代わりに、絶縁塗料による塗布膜、アルミナ等のセラミック塗布膜、蒸着等によるセラミック薄膜を形成することも可能である。 Oxide films 6e and 6f, which are insulating layers, are formed on bonding surfaces 6g and 6h to be bonded to the electrode elements 4a and 4b in the heat conductive plates 6a and 6b. For example, the oxide films 6e and 6f are formed by performing alumite treatment on the entire heat conductive plates 6a and 6b formed of an aluminum thin plate having a thickness of about 0.2 mm. As a result, oxide films 6e and 6f having a film thickness of several μm (micrometers) to several tens of μm are formed on the entire surface of the heat conductive plates 6a and 6b. In place of the oxide films 6e and 6f by the alumite treatment, a coating film by an insulating paint, a ceramic coating film such as alumina, and a ceramic thin film by vapor deposition can be formed.

半導体素子２，３と半田接合された電極素子４ａと酸化膜６ｅとの間に第１接着層５ａを設けることによって電極素子４ａと熱伝導板６ａとを接合し、半導体素子２，３と半田接合された電極素子４ｂと酸化膜６ｆとの間に第１接着層５ｂを設けることによって電極素子４ｂと熱伝導板６ｂとを接合する。また、熱伝導板６ａと吸熱フィン７ａとの間に第２接着層５ｃを設けることによって熱伝導板６ａと吸熱フィン７ａとを接合し、熱伝導板６ｂと放熱フィン７ｂとの間に第２接着層５ｄを設けることによって熱伝導板６ｂと放熱フィン７ｂとを接合する。 By providing the first adhesive layer 5a between the electrode element 4a soldered to the semiconductor elements 2 and 3 and the oxide film 6e, the electrode element 4a and the heat conductive plate 6a are joined, and the semiconductor elements 2 and 3 are soldered. By providing the first adhesive layer 5b between the joined electrode element 4b and the oxide film 6f, the electrode element 4b and the heat conductive plate 6b are joined. Further, the second adhesive layer 5c is provided between the heat conducting plate 6a and the heat absorbing fins 7a to join the heat conducting plate 6a and the heat absorbing fins 7a, and the second between the heat conducting plate 6b and the heat radiating fins 7b. By providing the adhesive layer 5d, the heat conductive plate 6b and the heat radiating fins 7b are joined.

第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄは、高熱伝導性を有する導電性接着剤から形成される。この導電性接着剤は、例えば、導電性フィラーである銀、銅，金等の金属フィラーを、ペースト状の樹脂材料であるエポキシ系やフェノール系の樹脂バインダ中に分散混合させてペースト状の導電性接着剤として形成される。例えば、金属フィラーの粒径は、５〜５，０００ｎｍ（ナノ・メートル）であり、この導電性接着剤の硬化温度は、１５０〜２００℃である。 The first adhesive layers 5a and 5b and the second adhesive layers 5c and 5d are formed of a conductive adhesive having high thermal conductivity. For example, this conductive adhesive is made by dispersing and mixing metal fillers such as silver, copper, and gold that are conductive fillers in an epoxy or phenolic resin binder that is a paste resin material. Formed as an adhesive. For example, the particle size of the metal filler is 5 to 5,000 nm (nanometer), and the curing temperature of the conductive adhesive is 150 to 200 ° C.

この導電性接着剤によって電極素子４ａ、４ｂを酸化膜６ｅ、６ｆに接着することによって、電極素子４ａ、４ｂと酸化膜６ｅ、６ｆとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設ける。また、この導電性接着剤によって熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ、７ｂとを接着することによって、熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ、７ｂとの間に第２接着層５ｃ、５ｄを設ける。 The first adhesive layers 5a and 5b are provided between the electrode elements 4a and 4b and the oxide films 6e and 6f by bonding the electrode elements 4a and 4b to the oxide films 6e and 6f with this conductive adhesive. Further, by bonding the heat conductive plates 6a, 6b and the heat exchange fins 7a, 7b with this conductive adhesive, the second adhesive layer 5c is interposed between the heat conductive plates 6a, 6b and the heat exchange fins 7a, 7b. 5d.

以上の構成では、熱伝導板６ａ、６ｂにおいて電極素子４ａ、４ｂと接合される接合面６ｇ、６ｈに酸化膜６ｅ、６ｆを形成しているため、熱伝導板６ａ、６ｂと電極素子４ａ、４ｂの接合面６ｇ、６ｈにおいて電極素子４ａ、４ｂ間の絶縁を確保できる。これにより、熱伝導板６ａ、６ｂを介して電極素子４ａ、４ｂ間で短絡が発生することを防止できる。 In the above configuration, since the oxide films 6e and 6f are formed on the bonding surfaces 6g and 6h that are bonded to the electrode elements 4a and 4b in the heat conductive plates 6a and 6b, the heat conductive plates 6a and 6b and the electrode elements 4a and 6f are formed. The insulation between the electrode elements 4a and 4b can be ensured at the joint surfaces 6g and 6h of 4b. Thereby, it can prevent that a short circuit generate | occur | produces between electrode element 4a, 4b via the heat conductive plates 6a and 6b.

また、酸化膜６ｅ、６ｆによって絶縁されているため、電極素子４ａ、４ｂから熱伝導板６ａ、６ｂを介して熱交換フィン７ａ、７ｂに電位が作用しない。このため、熱交換フィン７ａ、７ｂ間の短絡やマイグレーションの発生を防止できる。 In addition, since they are insulated by the oxide films 6e and 6f, no potential acts on the heat exchange fins 7a and 7b from the electrode elements 4a and 4b via the heat conductive plates 6a and 6b. For this reason, it is possible to prevent a short circuit or migration between the heat exchange fins 7a and 7b.

また、電極素子４ａ、４ｂと酸化膜６ｅ、６ｆとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって電極素子４ａ、４ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接合し、第２接着層５ｃ、５ｄを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ、７ｂとを接合する。この構成では、熱電効果により半導体素子２、３と電極素子４ａ、４ｂの接合部で発生した熱は、電極素子４ａ、４ｂ→第１接着層５ａ、５ｂ→酸化膜６ｅ、６ｆ→熱伝導板６ａ、６ｂのアルミニウム部分→酸化膜６ｅ、６ｆ→第２接着層５ｃ、５ｄ→熱交換フィン７ａ、７ｂという順に伝導する。 Further, by providing the first adhesive layers 5a and 5b between the electrode elements 4a and 4b and the oxide films 6e and 6f, the electrode elements 4a and 4b and the heat conductive plates 6a and 6b are joined, and the second adhesive layer 5c. By providing 5d, the heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b are joined. In this configuration, heat generated at the junction between the semiconductor elements 2 and 3 and the electrode elements 4a and 4b due to the thermoelectric effect is generated by the electrode elements 4a and 4b → the first adhesive layers 5a and 5b → the oxide films 6e and 6f → the heat conduction plate. Conduction is performed in the order of aluminum portions 6a and 6b → oxide films 6e and 6f → second adhesive layers 5c and 5d → heat exchange fins 7a and 7b.

ここで、電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ、７ｂの間には、第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄと酸化膜６ｅ、６ｆ以外に、熱抵抗となるような熱伝導率の小さな材料が存在しない。また、導電性接着剤から形成された第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄの熱伝導率が大きく、且つ、その厚さは非常に薄いため、これらの熱抵抗を低減できる。また、酸化膜６ｅ、６ｆの膜厚が数μｍから数十μｍと非常に薄いためこの熱抵抗を低減できる。即ち、電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとの間の熱抵抗を低減できる。 Here, between the electrode elements 4a and 4b and the heat exchange fins 7a and 7b, in addition to the first adhesive layers 5a and 5b, the second adhesive layers 5c and 5d, and the oxide films 6e and 6f, a thermal resistance is provided. There is no material with low thermal conductivity. In addition, the first adhesive layers 5a and 5b and the second adhesive layers 5c and 5d formed from the conductive adhesive have a large thermal conductivity and the thickness thereof is very thin, so that these thermal resistances can be reduced. . Further, since the oxide films 6e and 6f are as thin as several μm to several tens of μm, this thermal resistance can be reduced. That is, the thermal resistance between the electrode elements 4a and 4b and the heat exchange fins 7a and 7b can be reduced.

このため、電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ、７ｂの間で、効率よく熱伝導させて熱交換できるため、半導体素子２、３の吸熱面と放熱面の温度差を小さくできる。この結果、高い熱電効率で熱電変換装置１を作動させることができるため、熱電変換装置１の効率向上が可能になる。 For this reason, since heat exchange can be efficiently conducted between the electrode elements 4a and 4b and the heat exchange fins 7a and 7b, the temperature difference between the heat absorption surface and the heat dissipation surface of the semiconductor elements 2 and 3 can be reduced. As a result, since the thermoelectric conversion device 1 can be operated with high thermoelectric efficiency, the efficiency of the thermoelectric conversion device 1 can be improved.

また、複数の吸熱フィン７ａが一体的に形成された吸熱ユニット７０ａと、複数の放熱フィン７ｂが一体的に形成された放熱ユニット７０ｂとを、熱伝導板６ａ、６ｂに接着によって接合するため、部品点数の削減による作業性の向上が可能となる。 Moreover, in order to join the heat-absorbing unit 70a in which the plurality of heat-absorbing fins 7a are integrally formed and the heat-dissipating unit 70b in which the plurality of heat-radiating fins 7b are integrally formed to the heat conducting plates 6a and 6b by bonding, Workability can be improved by reducing the number of parts.

また、半導体素子２，３と電極素子４ａ、４ｂとを半田接合した後に、電極素子４ａ、４ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接着し、熱交換フィン７ａ、７ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接着する。ここで、１５０〜２００℃の接着温度が、２５０〜２６０℃の半田接合温度より充分に低いため、半田層２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂで再溶融等の不具合が発生しない。即ち、半導体素子２，３と電極素子４ａ、４ｂの接合部で不具合が発生しないように、電極素子４ａ、４ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接合でき、熱交換フィン７ａ、７ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接合できる。 Further, after the semiconductor elements 2 and 3 and the electrode elements 4a and 4b are joined by soldering, the electrode elements 4a and 4b and the heat conductive plates 6a and 6b are bonded, and the heat exchange fins 7a and 7b and the heat conductive plates 6a and 6b are bonded. And glue. Here, since the bonding temperature of 150 to 200 ° C. is sufficiently lower than the solder bonding temperature of 250 to 260 ° C., problems such as remelting do not occur in the solder layers 2a, 2b, 3a, and 3b. That is, the electrode elements 4a and 4b and the heat conducting plates 6a and 6b can be joined so that no trouble occurs at the joint between the semiconductor elements 2 and 3 and the electrode elements 4a and 4b, and the heat exchange fins 7a and 7b and the heat conducting fins. The plates 6a and 6b can be joined.

また、シール材２によって、熱伝導板６ａ、６ｂの間をその全周に亘って水密可能に封止する。これにより、吸熱フィン７ａ側で発生した水滴が半導体素子２、３に付着することを防止できる。このため、半導体素子２、３間の短絡や半導体素子２、３のマイグレーションを防止できるため、熱電変換装置１の信頼性を向上できる。 Moreover, the sealing material 2 seals between the heat conductive plates 6a and 6b so as to be watertight over the entire circumference. Thereby, it is possible to prevent water droplets generated on the endothermic fin 7 a side from adhering to the semiconductor elements 2 and 3. For this reason, since the short circuit between the semiconductor elements 2 and 3 and the migration of the semiconductor elements 2 and 3 can be prevented, the reliability of the thermoelectric conversion device 1 can be improved.

ここで、吸熱現象により吸熱フィン７ａ側の温度が低下し、発熱現象により放熱フィン７ｂ側の温度が上昇するため、吸熱フィン７ａ側と放熱フィン７ｂ側で温度差が生じる。このため、この両側で熱膨張差に起因する熱歪みが熱伝導板６ａ、６ｂに生じて、この熱歪みによる熱応力が半導体素子２、３に作用する。本実施形態では、応力緩衝用の曲げ部６ｃ、６ｄを熱伝導板６ａ、６ｂに形成しているため、曲げ部６ｃ、６ｄが変形することによって熱歪みによる熱応力が吸収、緩和される。このため、半導体素子２、３に作用する熱歪みによる熱応力を抑えることができ、熱電変換装置１の信頼性を向上できる。 Here, due to the endothermic phenomenon, the temperature on the endothermic fin 7a side decreases, and the temperature on the radiating fin 7b side increases due to the exothermic phenomenon, so a temperature difference occurs between the endothermic fin 7a side and the radiating fin 7b side. For this reason, thermal strain caused by the difference in thermal expansion occurs on both sides of the heat conducting plates 6 a and 6 b, and thermal stress due to the thermal strain acts on the semiconductor elements 2 and 3. In the present embodiment, since the stress buffering bent portions 6c and 6d are formed in the heat conductive plates 6a and 6b, the bending portions 6c and 6d are deformed to absorb and relieve thermal stress due to thermal strain. For this reason, the thermal stress by the thermal strain which acts on the semiconductor elements 2 and 3 can be suppressed, and the reliability of the thermoelectric conversion apparatus 1 can be improved.

尚、金属フィラーを分散混合させた導電性接着剤の代わりに、酸化亜鉛や酸化インジウム等の導電性を有する金属酸化物の微粒子や、導電性を有するカーボン微粒子等を、導電性フィラーとして分散混合させた導電性接着剤によって、第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄを形成することも可能である。また、導電性フィラーを分散混合させた導電性接着剤の代わりに、導電性ポリマーを使用した導電性接着剤によって、第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄを形成することも可能である。 In addition, instead of a conductive adhesive in which metal filler is dispersed and mixed, conductive metal oxide fine particles such as zinc oxide and indium oxide, conductive carbon fine particles, etc. are dispersed and mixed as conductive fillers. It is also possible to form the first adhesive layers 5a and 5b and the second adhesive layers 5c and 5d with the conductive adhesive. Alternatively, the first adhesive layers 5a and 5b and the second adhesive layers 5c and 5d may be formed by a conductive adhesive using a conductive polymer instead of the conductive adhesive in which the conductive filler is dispersed and mixed. Is possible.

また、導電性接着剤の代わりに非導電性の接着剤によって、第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄを形成することも可能である。この場合、非導電性の接着剤による接着層は熱抵抗となり得るが、第１接着層５ａ、５ｂと第２接着層５ｃ、５ｄが薄い層であるため、電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとの間の熱抵抗を低く抑えることができる。これにより、上述と同様の効果を得ることができる。 Further, the first adhesive layers 5a and 5b and the second adhesive layers 5c and 5d can be formed by a non-conductive adhesive instead of the conductive adhesive. In this case, the adhesive layer made of the non-conductive adhesive can be a heat resistance, but the first adhesive layers 5a, 5b and the second adhesive layers 5c, 5d are thin layers, and therefore the electrode elements 4a, 4b and the heat exchange fins The thermal resistance between 7a and 7b can be kept low. Thereby, the effect similar to the above can be acquired.

（第２実施形態）
第２実施形態では、図４に示すように、第２接着層５ｃ、５ｄと熱交換フィン７ａ，７ｂとの間に半田層８ａ、８ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとを接合する。このために、半田接合が可能な接着剤によって第２接着層（５ｃ、５ｄ）が形成され、半田接合が可能なように熱交換フィン７ａ，７ｂが形成される。例えば、安価なＣｕフィラーを分散混合させた導電性接着剤によって第２接着層５ｃ、５ｄが形成され、銅の薄板により熱交換フィン７ａ，７ｂが形成される。 (Second Embodiment)
In the second embodiment, as shown in FIG. 4, by providing solder layers 8a and 8b between the second adhesive layers 5c and 5d and the heat exchange fins 7a and 7b, the heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins are provided. 7a and 7b are joined. For this purpose, the second adhesive layers (5c, 5d) are formed by an adhesive that can be soldered, and the heat exchange fins 7a and 7b are formed so that the soldering can be performed. For example, the second adhesive layers 5c and 5d are formed by a conductive adhesive in which an inexpensive Cu filler is dispersed and mixed, and the heat exchange fins 7a and 7b are formed by a copper thin plate.

熱伝導板６ａ、６ｂ上に第２接着層５ｃ、５ｄを塗布・乾燥によって形成し、第２接着層５ｃ、５ｄと熱交換フィン７ａ，７ｂとの間に半田層８ａ、８ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとを接合する。この後、熱交換フィン７ａ，７ｂと接合した熱伝導板６ａ、６ｂの酸化膜６ｅ、６ｆと、半導体素子２，３と半田接合した電極素子４ａ、４ｂとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと電極素子４ａ、４ｂとを接合する。 By forming the second adhesive layers 5c, 5d on the heat conductive plates 6a, 6b by coating and drying, and providing the solder layers 8a, 8b between the second adhesive layers 5c, 5d and the heat exchange fins 7a, 7b. The heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b are joined. Thereafter, the first adhesive layer 5a between the oxide films 6e and 6f of the heat conductive plates 6a and 6b joined to the heat exchange fins 7a and 7b and the electrode elements 4a and 4b soldered to the semiconductor elements 2 and 3; By providing 5b, the heat conductive plates 6a and 6b and the electrode elements 4a and 4b are joined.

即ち、熱伝導板６ａ、６ｂ上に形成された第２接着層５ｃ、５ｄと熱交換フィン７ａ，７ｂとを半田接合した後に、熱伝導板６ａ、６ｂの酸化膜６ｅ、６ｆと電極素子４ａ、４ｂとを接着する。これにより、この半田接合の接合温度によって第１接着層５ａ、５ｂが損なわれることがない。 That is, after the second adhesive layers 5c and 5d formed on the heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b are soldered together, the oxide films 6e and 6f of the heat conductive plates 6a and 6b and the electrode element 4a. 4b is bonded. Thereby, the first adhesive layers 5a and 5b are not damaged by the bonding temperature of the solder bonding.

ここで、上述の例と同様に、半田接合温度が２５０〜２６０℃であり、接着温度が１５０〜２００℃である。即ち、１５０〜２００℃の接着温度が、２５０〜２６０℃の半田接合温度より充分に低いため、熱伝導板６ａ、６ｂの酸化膜６ｅ、６ｆと電極素子４ａ、４ｂとの接着によって、半田層２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂと半田層８ａ、８ｂで再溶融等の不具合が発生しない。つまり、半導体素子２，３と電極素子４ａ、４ｂの接合部で不具合が発生しないように、且つ、熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂの接合部で不具合が発生しないように、電極素子４ａ、４ｂと熱伝導板６ａ、６ｂとを接合できる。 Here, similarly to the above-described example, the solder bonding temperature is 250 to 260 ° C., and the bonding temperature is 150 to 200 ° C. That is, since the bonding temperature of 150 to 200 ° C. is sufficiently lower than the solder bonding temperature of 250 to 260 ° C., the solder layer is formed by bonding the oxide films 6 e and 6 f of the heat conducting plates 6 a and 6 b and the electrode elements 4 a and 4 b. 2a, 2b, 3a, 3b and the solder layers 8a, 8b do not cause problems such as remelting. That is, in order not to cause a problem at the junction between the semiconductor elements 2 and 3 and the electrode elements 4a and 4b, and to prevent a problem from occurring at the junction between the heat conducting plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b, The electrode elements 4a and 4b and the heat conductive plates 6a and 6b can be joined.

以上、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。 As mentioned above, also in 2nd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment is acquired.

（第３実施形態）
第３実施形態では、図５に示すように、熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとの間にロー付け層９ａ、９ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとを接合する。また、上述の例と同様に、熱伝導板６ａ、６ｂにおいて電極素子４ａ、４ｂと接合される接合面６ｇ、６ｈに絶縁層である酸化膜６ｅ、６ｆを形成する。熱交換フィン７ａ，７ｂと接合した熱伝導板６ａ、６ｂの酸化膜６ｅ、６ｆと電極素子４ａ、４ｂとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと電極素子４ａ、４ｂとを接合する。 (Third embodiment)
In the third embodiment, as shown in FIG. 5, the heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins are provided by providing brazing layers 9a and 9b between the heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b. 7a and 7b are joined. Similarly to the above-described example, oxide films 6e and 6f, which are insulating layers, are formed on the joint surfaces 6g and 6h joined to the electrode elements 4a and 4b in the heat conductive plates 6a and 6b. By providing the first adhesive layers 5a, 5b between the oxide films 6e, 6f of the heat conductive plates 6a, 6b joined to the heat exchange fins 7a, 7b and the electrode elements 4a, 4b, the heat conductive plates 6a, 6b and the electrodes The elements 4a and 4b are joined.

具体的に、アルミニウムの薄板から形成された熱伝導板６ａ、６ｂと、アルミニウムの薄板から形成された熱交換フィン７ａ，７ｂとを、ロー付け接合してロー付け層９ａ、９ｂを設ける。接合している熱伝導板６ａ、６ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂの全体にアルマイト処理を施して、これらの全表面に酸化膜６ｅ、６ｆ、７ｃ、７ｄを形成する。この後、熱交換フィン７ａ，７ｂと接合した熱伝導板６ａ、６ｂの酸化膜６ｅ、６ｆと、半導体素子２，３と半田接合した電極素子４ａ、４ｂとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって熱伝導板６ａ、６ｂと電極素子４ａ、４ｂとを接合する。 Specifically, the heat conduction plates 6a and 6b formed from an aluminum thin plate and the heat exchange fins 7a and 7b formed from an aluminum thin plate are brazed to provide the brazing layers 9a and 9b. The entire heat conductive plates 6a and 6b and the heat exchange fins 7a and 7b that are joined are subjected to anodizing to form oxide films 6e, 6f, 7c, and 7d on the entire surfaces thereof. Thereafter, the first adhesive layer 5a between the oxide films 6e and 6f of the heat conductive plates 6a and 6b joined to the heat exchange fins 7a and 7b and the electrode elements 4a and 4b soldered to the semiconductor elements 2 and 3; By providing 5b, the heat conductive plates 6a and 6b and the electrode elements 4a and 4b are joined.

即ち、ロー付け層９ａ、９ｂを設けた後に第１接着層５ａ、５ｂを設けるため、ロー付け層９ａ、９ｂを設けることによって第１接着層５ａ、５ｂが損なわれることがない。また、熱交換フィン７ａ，７ｂと熱伝導板６ａ、６ｂを、安価なロー付けで接合できる。 That is, since the first adhesive layers 5a and 5b are provided after the brazing layers 9a and 9b are provided, the first adhesive layers 5a and 5b are not damaged by providing the brazing layers 9a and 9b. Further, the heat exchange fins 7a and 7b and the heat conductive plates 6a and 6b can be joined with an inexpensive brazing.

以上、第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。 As mentioned above, also in 3rd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment is acquired.

（第４実施形態）
第４実施形態では、図６に示すように、第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとを接合する。また、熱交換フィン７ａ，７ｂにおいて電極素子４ａ、４ｂと接合される接合面７ｅ、７ｆに絶縁層である酸化膜７ｃ、７ｄを形成し、電極素子４ａ、４ｂと酸化膜７ｃ、７ｄとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって電極素子４ａ、４ｂと熱交換フィン７ａ，７ｂとを接合する。 (Fourth embodiment)
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the electrode elements 4a, 4b and the heat exchange fins 7a, 7b are joined by providing the first adhesive layers 5a, 5b. In addition, oxide films 7c and 7d, which are insulating layers, are formed on the joint surfaces 7e and 7f joined to the electrode elements 4a and 4b in the heat exchange fins 7a and 7b, and the electrode elements 4a and 4b and the oxide films 7c and 7d By providing the first adhesive layers 5a and 5b therebetween, the electrode elements 4a and 4b and the heat exchange fins 7a and 7b are joined.

具体的に、アルミニウムの薄板から形成された熱交換フィン７ａ，７ｂの全体にアルマイト処理を施して、熱交換フィン７ａ，７ｂの全表面に酸化膜７ｃ、７ｄを形成する。熱交換フィン７ａ，７ｂの酸化膜７ｃ、７ｄと電極素子４ａ、４ｂとの間に第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって熱交換フィン７ａ，７ｂと電極素子４ａ、４ｂとを接合する。 Specifically, the entire heat exchange fins 7a and 7b formed from aluminum thin plates are subjected to alumite treatment to form oxide films 7c and 7d on the entire surfaces of the heat exchange fins 7a and 7b. The heat exchange fins 7a, 7b and the electrode elements 4a, 4b are joined by providing the first adhesive layers 5a, 5b between the oxide films 7c, 7d of the heat exchange fins 7a, 7b and the electrode elements 4a, 4b.

また、熱交換フィン７ａ，７ｂの強度を増加させるために熱交換フィン７ａ，７ｂに固定される固定部材である固定板１１ａ、１１ｂを、熱伝導板６ａ、６ｂの代わりに設ける。接合面７ｅ、７ｆが固定板１１ａ、１１ｂを貫通して電極素子４ａ、４ｂと接合可能なように、接合面７ｅ、７ｆが貫通可能な貫通孔１１ｃ、１１ｄが固定板１１ａ、１１ｂに形成される。酸化膜７ｃ、７ｄが形成された熱交換フィン７ａ，７ｂと固定板１１ａ、１１ｂは、貫通孔１１ｃ、１１ｄで嵌合されて固定される。 Further, in order to increase the strength of the heat exchange fins 7a and 7b, fixing plates 11a and 11b which are fixing members fixed to the heat exchange fins 7a and 7b are provided instead of the heat conduction plates 6a and 6b. Through holes 11c and 11d through which the joining surfaces 7e and 7f can penetrate are formed in the fixing plates 11a and 11b so that the joining surfaces 7e and 7f penetrate the fixing plates 11a and 11b and can be joined to the electrode elements 4a and 4b. The The heat exchange fins 7a and 7b on which the oxide films 7c and 7d are formed and the fixing plates 11a and 11b are fitted and fixed through the through holes 11c and 11d.

この後、固定板１１ａ、１１ｂが固定された熱交換フィン７ａ，７ｂと電極素子４ａ、４ｂとを、第１接着層５ａ、５ｂを設けることによって接合する。尚、貫通孔１１ｃ、１１ｄにおける熱交換フィン７ａ，７ｂと固定板１１ａ、１１ｂとの隙間を、シール部材１１ｅ、１１ｆで封止する。これにより、吸熱フィン７ａに凝縮した結露水がこの隙間から浸入して、電極素子４ａ、４ｂや半導体素子２、３に付着することを防止できる。 Thereafter, the heat exchange fins 7a and 7b to which the fixing plates 11a and 11b are fixed are joined to the electrode elements 4a and 4b by providing the first adhesive layers 5a and 5b. The gaps between the heat exchange fins 7a and 7b and the fixing plates 11a and 11b in the through holes 11c and 11d are sealed with seal members 11e and 11f. Thereby, it is possible to prevent the condensed water condensed on the heat-absorbing fins 7a from entering through the gap and adhering to the electrode elements 4a and 4b and the semiconductor elements 2 and 3.

以上、第４実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。 As mentioned above, also in 4th Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment is acquired.

また、上述の例に限らず、これらの組み合わせや、他の種々の変形例が考えられる。 Moreover, not only the above-mentioned example but the combination of these and other various modifications can be considered.

図１は、本発明の第１実施形態による熱電変換装置１において吸熱側に配設される吸熱フィン７ａと半導体素子２，３の配列形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an arrangement of heat-absorbing fins 7a and semiconductor elements 2 and 3 arranged on the heat-absorbing side in the thermoelectric conversion device 1 according to the first embodiment of the present invention. 図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 図３は、本発明の第１実施形態による熱電変換装置１の部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view of the thermoelectric conversion device 1 according to the first embodiment of the present invention. 図４は、本発明の第２実施形態による熱電変換装置１の部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the thermoelectric conversion device 1 according to the second embodiment of the present invention. 図５は、本発明の第３実施形態による熱電変換装置１の部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the thermoelectric conversion device 1 according to the third embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第４実施形態による熱電変換装置１の部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the thermoelectric conversion device 1 according to the fourth embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１熱電変換装置、１０熱電素子基板、２Ｐ型半導体素子
２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ、８ａ、８ｂ半田層、３Ｎ型半導体素子
４ａ、４ｂ電極素子、４１保持板、５ａ、５ｂ第１接着層
５ｃ、５ｄ第２接着層、６ａ、６ｂ熱伝導板（熱伝導部材）
６ｃ、６ｄ曲げ部、６ｅ、６ｆ酸化膜（絶縁層）、６ｇ、６ｈ接合面
７ａ吸熱フィン（熱交換フィン）、７０ａ吸熱ユニット、７１ａ、７１ｂルーバ
７ｂ放熱フィン（熱交換フィン）、７０ｂ放熱ユニット
７ｃ、７ｄ酸化膜（絶縁層）、７ｅ、７ｆ接合面、９ａ、９ｂロー付け層
１１ａ、１１ｂ固定板（固定部材）、１１ｃ、１１ｄ貫通孔
１１ｅ、１１ｆ、２２シール部材、２０，２１端子、シール部材、Ｗ風 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thermoelectric conversion apparatus, 10 Thermoelectric element board | substrate, 2 P type semiconductor element 2a, 2b, 3a, 3b, 8a, 8b Solder layer, 3 N type semiconductor element 4a, 4b Electrode element, 41 Holding plate, 5a, 5b 1st adhesion | attachment Layer 5c, 5d Second adhesive layer, 6a, 6b Thermal conductive plate (thermal conductive member)
6c, 6d Bending part, 6e, 6f Oxide film (insulating layer), 6g, 6h Bonding surface 7a Heat absorption fin (heat exchange fin), 70a Heat absorption unit, 71a, 71b Louver 7b Heat radiation fin (heat exchange fin), 70b Heat radiation unit 7c, 7d Oxide film (insulating layer), 7e, 7f Bonding surface, 9a, 9b Brazing layer 11a, 11b Fixing plate (fixing member), 11c, 11d Through hole 11e, 11f, 22 Seal member, 20, 21 Terminal, Seal member, W style

Claims

Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、
隣接する前記Ｐ型半導体素子（２）と前記Ｎ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と，
外部の流体物と前記電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と、
前記電極素子（４ａ、４ｂ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に介在させて、該電極素子（４ａ、４ｂ）と該熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを熱的に接続する熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを備え、
前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において前記電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成し、
前記電極素子（４ａ、４ｂ）と前記絶縁層（６ｅ、６ｆ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって該電極素子（４ａ、４ｂ）と前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを接合し、
前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に第２接着層（５ｃ、５ｄ）を設けることによって該熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と該熱交換フィン（７ａ、７ｂ）とを接合していることを特徴とする熱電変換装置（１）。 A thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged,
An electrode element (4a, 4b) for electrically connecting the adjacent P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series;
Heat exchange fins (7a, 7b) for exchanging heat between an external fluid and the electrode elements (4a, 4b);
The electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b) are thermally connected by being interposed between the electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b). Heat conducting members (6a, 6b)
Insulating layers (6e, 6f) are formed on joint surfaces (6g, 6h) to be joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conducting members (6a, 6b),
By providing a first adhesive layer (5a, 5b) between the electrode element (4a, 4b) and the insulating layer (6e, 6f), the electrode element (4a, 4b) and the heat conducting member (6a, 6b),
By providing a second adhesive layer (5c, 5d) between the heat conductive member (6a, 6b) and the heat exchange fin (7a, 7b), the heat conductive member (6a, 6b) and the heat exchange fin The thermoelectric conversion device (1) characterized by joining (7a, 7b).

前記第１接着層（５ａ、５ｂ）と前記第２接着層（５ｃ、５ｄ）は、導電性接着剤から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱電変換装置（１）。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 1, wherein the first adhesive layer (5a, 5b) and the second adhesive layer (5c, 5d) are formed of a conductive adhesive.

ペースト状の樹脂材料中に導電性フィラーを分散混合させて前記導電性接着剤が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の熱電変換装置（１）。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 2, wherein the conductive adhesive is formed by dispersing and mixing conductive filler in a paste-like resin material.

半田接合が可能な前記第２接着層（５ｃ、５ｄ）が形成され、
前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）上に形成された前記第２接着層（５ｃ、５ｄ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に半田層（８ａ、８ｂ）を設けることによって該熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と該熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合し、
前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の前記絶縁層（６ｅ、６ｆ）と前記電極素子（４ａ、４ｂ）との間に前記第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって該熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と該電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の熱電変換装置（１）。 The second adhesive layer (5c, 5d) capable of soldering is formed,
A solder layer (8a, 8b) is provided between the second adhesive layer (5c, 5d) formed on the heat conducting member (6a, 6b) and the heat exchange fin (7a, 7b). Joining the heat conducting members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b),
The first adhesive layer (5a) between the insulating layers (6e, 6f) and the electrode elements (4a, 4b) of the heat conducting members (6a, 6b) joined to the heat exchange fins (7a, 7b). 5. The heat conducting member (6 a, 6 b) and the electrode element (4 a, 4 b) are joined by providing 5 b). Thermoelectric conversion device (1).

ペースト状の樹脂材料中に導電フィラーとして銅フィラーを分散混合させた導電性接着剤から前記第２接着層（５ｃ、５ｄ）が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の熱電変換装置（１）。 The thermoelectric conversion according to claim 4, wherein the second adhesive layer (5c, 5d) is formed from a conductive adhesive in which a copper filler is dispersed and mixed as a conductive filler in a paste-like resin material. Device (1).

Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、
隣接する前記Ｐ型半導体素子（２）と前記Ｎ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と，
外部の流体物と前記電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と、
前記電極素子（４ａ、４ｂ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間に介在させて、該電極素子（４ａ、４ｂ）と該熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを熱的に接続する熱伝導部材（６ａ、６ｂ）とを備え、
前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）において前記電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合
面（６ｇ、６ｈ）に絶縁層（６ｅ、６ｆ）を形成し、
前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）との間にロー付け層（９ａ、９ｂ）を設けることによって該熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と該熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合し、
前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と接合した前記熱伝導部材（６ａ、６ｂ）の前記絶縁層（６ｅ、６ｆ）と前記電極素子（４ａ、４ｂ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって該熱伝導部材（６ａ、６ｂ）と該電極素子（４ａ、４ｂ）とを接合していることを特徴とする熱電変換装置（１）。 A thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged,
An electrode element (4a, 4b) for electrically connecting the adjacent P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series;
Heat exchange fins (7a, 7b) for exchanging heat between an external fluid and the electrode elements (4a, 4b);
The electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b) are thermally connected by being interposed between the electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b). Heat conducting members (6a, 6b)
Insulating layers (6e, 6f) are formed on joint surfaces (6g, 6h) to be joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat conducting members (6a, 6b),
By providing brazing layers (9a, 9b) between the heat conductive members (6a, 6b) and the heat exchange fins (7a, 7b), the heat conductive members (6a, 6b) and the heat exchange fins ( 7a, 7b)
A first adhesive layer (5a, 6b) between the insulating layer (6e, 6f) and the electrode element (4a, 4b) of the heat conducting member (6a, 6b) joined to the heat exchange fin (7a, 7b). The thermoelectric conversion device (1), wherein the heat conducting member (6a, 6b) and the electrode element (4a, 4b) are joined by providing 5b).

Ｐ型半導体素子（２）とＮ型半導体素子（３）とが交互に複数配設された熱電変換装置（１）であって、
隣接する前記Ｐ型半導体素子（２）と前記Ｎ型半導体素子（３）とに接合されて該Ｐ型半導体素子（２）と該Ｎ型半導体素子（３）とを電気的に直列接続させる電極素子（４ａ、４ｂ）と，
外部の流体物と前記電極素子（４ａ、４ｂ）との間で熱交換をさせる熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを備え、
前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）において前記電極素子（４ａ、４ｂ）と接合される接合面（７ｅ、７ｆ）に絶縁層（７ｃ、７ｄ）を形成し、
前記電極素子（４ａ、４ｂ）と前記絶縁層（７ｃ、７ｄ）との間に第１接着層（５ａ、５ｂ）を設けることによって該電極素子（４ａ、４ｂ）と前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）とを接合していることを特徴とする熱電変換装置（１）。 A thermoelectric conversion device (1) in which a plurality of P-type semiconductor elements (2) and N-type semiconductor elements (3) are alternately arranged,
Electrodes joined to the adjacent P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) to electrically connect the P-type semiconductor element (2) and the N-type semiconductor element (3) in series Elements (4a, 4b);
Heat exchange fins (7a, 7b) for exchanging heat between an external fluid and the electrode elements (4a, 4b);
Insulating layers (7c, 7d) are formed on joint surfaces (7e, 7f) joined to the electrode elements (4a, 4b) in the heat exchange fins (7a, 7b),
By providing a first adhesive layer (5a, 5b) between the electrode element (4a, 4b) and the insulating layer (7c, 7d), the electrode element (4a, 4b) and the heat exchange fin (7a, 7b) are provided. Thermoelectric conversion device (1), characterized in that 7b) is joined.

前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）が固定される固定部材（１１ａ、１１ｂ）を備え、
前記固定部材（１１ａ、１１ｂ）に前記接合面（７ｅ、７ｆ）が貫通可能な貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）を形成し、
前記接合面（７ｅ、７ｆ）が前記固定部材（１１ａ、１１ｂ）の前記貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）を貫通して前記電極素子（４ａ、４ｂ）と接合され、
前記熱交換フィン（７ａ，７ｂ）が前記固定部材（１１ａ、１１ｂ）に固定された状態において、前記貫通孔（１１ｃ、１１ｄ）における該熱交換フィン（７ａ，７ｂ）と該固定部材（１１ａ、１１ｂ）との隙間を、シール部材（１１ｅ、１１ｆ）で封止していることを特徴とする請求項７に記載の熱電変換装置（１）。 A fixing member (11a, 11b) to which the heat exchange fins (7a, 7b) are fixed;
Forming through holes (11c, 11d) through which the joint surfaces (7e, 7f) can penetrate the fixing members (11a, 11b);
The joint surfaces (7e, 7f) penetrate the through holes (11c, 11d) of the fixing members (11a, 11b) and are joined to the electrode elements (4a, 4b).
In a state where the heat exchange fins (7a, 7b) are fixed to the fixing members (11a, 11b), the heat exchange fins (7a, 7b) and the fixing members (11a, 11d) in the through holes (11c, 11d) The thermoelectric conversion device (1) according to claim 7, wherein the gap with 11b) is sealed with a sealing member (11e, 11f).

導電性接着剤によって前記第１接着層（５ａ、５ｂ）が形成されていることを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載の熱電変換装置（１）。 The thermoelectric conversion device (1) according to any one of claims 6 to 8, wherein the first adhesive layer (5a, 5b) is formed of a conductive adhesive.

ペースト状の樹脂材料中に導電性フィラーを分散混合させて前記導電性接着剤が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の熱電変換装置（１）。 The thermoelectric conversion device (1) according to claim 9, wherein the conductive adhesive is formed by dispersing and mixing conductive filler in a paste-like resin material.