JP2003165961A - 半導体装置組立用マスクシート - Google Patents
半導体装置組立用マスクシートInfo
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Abstract
して、ワイヤーボンディング不良、モールド樹脂のはみ
出し、粘着剤の糊残りを抑制し、安定してQFN等の半
導体パッケージを生産することができるマスクシートを
提供することにある。 【解決手段】 耐熱性基材上に粘着剤層を設けてなり、
該粘着剤層が粘着剤100体積部に対してフィラーを5
〜50体積部含有するリードフレームに剥離可能に貼着
する半導体装置組立用マスクシート。
Description
t Non-lead)タイプの半導体装置の製造に使用されるマ
スクシートに関する。すなわち、本発明は半導体チップ
を金属のリードフレームに搭載し樹脂封止して半導体装
置を組み立てる際に、リードフレームをモールド樹脂か
らマスクするために使用する半導体装置組立用マスクシ
ートに関する。
今日、電子機器には更なる小型化、薄型化、多機能化が
要求されている。この要求を実現するには、電子部品の
小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部
品の高密度実装技術が必要となる。そこで従来のQFP
(Quad Flat Package)およびSOP(Small Outline P
ackage)等の周辺実装型に代わって、CSP(Chip Siz
e Package)と呼ばれる面実装型のものが高密度実装可
能なICパッケージとして脚光を浴びている。またその
中でも、特にQFN(Quad Flat Non-lead)と呼ばれる
タイプのものは、従来のリードフレーム、ワイヤーボン
ディング、樹脂封止(モールド)の技術および装置によ
って作製できるために、主に100ピン以下の小端子型
パッケージの作製に使用されている。このQFNは次の
ようにして作製される。すなわち、図1に示したように
リードフレーム1の片面に、耐熱性基材3上に粘着剤層
2が形成されたマスクシートを、例えば加熱下に圧着し
て貼着する。ついで、そのリードフレームの反対面に半
導体チップ5を搭載し、金ワイヤー4によりリードと半
導体チップを接続する(図2)。次にモールド樹脂6に
よって樹脂封止した後(図3)、リードフレームからマ
スクシートを剥がし(図4)、最後に切断して個片化す
る(図5)。このようにQFNの製造工程は、リードフ
レームに半導体チップを搭載する「ダイアタッチ工程」、
半導体チップとリードフレームを金ワイヤーで接合する
「ワイヤーボンド工程」、半導体チップを保護するために
エポキシ系樹脂で封止する「樹脂封止(モールド)工
程」、マスクシートをリードフレームから剥がす「剥離工
程」、上記封止物をブレードカッターにて個片化する「ダ
イシング工程」に別れている。
用のマスクシートとしては、耐熱性フィルムにアクリル
系粘着剤または天然ゴムやSBR等のゴムを主体とした
ゴム系粘着剤を塗布したものが使用されている。しかし
ながら、アクリル系粘着剤の場合は、半導体チップをリ
ードフレームに接合するダイアタッチ工程において高温
処理されるため、該粘着剤が熱により分解をはじめ、そ
の分解物がリードフレームを汚染し金ワイヤー接合不良
の原因になり、また樹脂封止(モールド)工程において
は、粘着剤とリードフレームとの接着力が弱くなり、外
部接続リード部分にモールド樹脂がはみ出す現象である
「モールドフラッシュ」が発生するという問題があっ
た。またゴム系粘着剤の場合は、該粘着剤とモールド樹
脂及び/又はリードフレームとの接着力が強く、マスク
シートをパッケージから剥がし難くなり、そのためゴム
系粘着剤がリードフレームに残ってしまう現象である
「糊残り」が発生するという問題およびリードフレーム
が変形する問題があった。また、従来はシリコーン粘着
剤も使用されていた。 しかしシリコーン粘着剤は高温
で処理されるワイヤーボンド及び樹脂封止工程において
弾性率及び接着力が低くなる傾向にあった。ワイヤーボ
ンド工程においては150〜250℃の熱と60〜12
0kHzの超音波を併用して金ワイヤーを半導体チップ
のパッド部及びリードフレームにそれぞれ融着してい
る。しかしリードフレームに接しているシリコーン粘着
剤が150〜250℃の温度下では低弾性化するために
超音波を吸収しやすくなり、リードフレームと金ワイヤ
ーの接続不良を起こしていた。また、150〜200℃
の熱と5〜10GPaの圧力が付与される樹脂封止工程
においては、シリコーン粘着剤はリードフレームとの接
着力の低下が著しく、樹脂封止の圧力で粘着剤がリード
フレームから剥がれ、モールドフラッシュが発生し、そ
れにより個片化されたパッケージとそれを搭載する基板
との接続不良が発生していた。
な問題を解決することを目的としてなされたものであ
る。すなわち、本発明の目的は、半導体装置の組み立て
に際して、ワイヤーボンディング不良、モールド樹脂の
はみ出し、粘着剤の糊残りを抑制し、安定してQFN等
の半導体パッケージを生産することができるマスクシー
トを提供することにある。
行った結果、特定の粘着剤を用いてマスクシートを作製
することによって、上記の問題を解決することができる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明の半導体装置組立用マスクシートは、耐熱性基材
上に粘着剤層を設けてなり、該粘着剤層が粘着剤100
体積部に対してフィラーを5〜50体積部含有すること
を特徴とする。
シート(以下、マスクシートと略す)は、支持体となる
耐熱性基材上に粘着剤層を積層したものである。QFN
等の半導体装置を作製する際、マスクシートは、ダイア
タッチ工程、ワイヤーボンド工程および樹脂封止工程等
で150〜250℃の雰囲気に曝され、耐熱性基材の線
膨張係数が急激に増加するため、金属よりなるリードフ
レームとの熱膨張差が大きくなる。その場合、室温に戻
したときに耐熱性基材とリードフレームとの熱膨張差に
より反りが発生し、それが原因となって、ダイアタッチ
工程の後、反りが発生し、後工程である樹脂封止工程に
おいてモールド金型の位置決めピンにリードフレームを
セットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が生じ
やすい。したがって、耐熱性基材の150〜250℃に
おける線膨張係数は、5〜50ppm/℃が好ましく、
特に10〜40ppm/℃であることが好ましい。
工程後にモールド樹脂及びリードフレームから剥離する
が、その際に粘着剤層がモールド樹脂及びリードフレー
ムに残らないようにするため、耐熱性基材と粘着剤層と
の接着力をSa、モールド樹脂及びリードフレームと粘
着剤層との接着力をSbとした場合にSa/Sb≧1.
5であることが好ましい。Sa/Sbが1.5より小さ
い場合は剥離した際に粘着剤層がリードフレーム側に残
り糊残りが発生しやすくなる。なお、耐熱性基材に粘着
剤層を形成する前に、耐熱性基材の粘着剤層を設ける面
にコロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等の耐熱
性基材と粘着剤層との接着力Saを高くするような処理
を予め施すことが好ましい。このような耐熱性基材とし
ては耐熱性フィルムおよび金属箔などが挙げられる。耐
熱性基材として耐熱性フィルムを用いた場合は、前記リ
ードフレームとの熱膨張差から生じるリードフレームと
の位置ずれ不良の問題を防ぐため、該耐熱性フィルムの
ガラス転移温度(以下、Tgと略す)は150℃以上で
あることが好ましい。これらの耐熱条件を満たす具体的
な耐熱性フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミド、
ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケト
ン、トリアセチルセルロース等のフィルムがあげられ
る。
合は、前記リードフレームとの熱膨張差から生じる問題
が生じにくいため好ましく、このような金属箔として
は、金、銀、銅、白金、アルミ、マグネシウム、チタ
ン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜
鉛、パラジウム、カドミウム、インジウム、錫、鉛等、
及びこれらの金属を主成分とした合金等が使用でき、圧
延金属箔でも電解金属箔でもよい。また、これらの金属
及び合金上にメッキを施したものも使用できる。この中
でも特に銅箔が前記線膨張係数を満足するために好まし
い。銅箔としては特に粘着剤層との接着力が大きいため
に電解銅箔が好ましく、電解銅箔の粗化面側に粘着剤層
を設ける方が好ましい。
次のようにして求めることができる。すなわち、耐熱性
基材を250℃で1時間加熱した後、加熱後の耐熱性基
材を5×25mmにカットし、TMA(Thermal
Mechanical AnlayZer 、真空理工
社製;TM9300)に装着する。次に荷重1gで15
0から250℃までを3℃/minの昇温速度で昇温し
たときのサンプルの伸びを計測し、下記式により求める
ことができる。 線膨張係数=ΔL/L・Δt [ΔL:サンプルの伸びた長さ(250℃のときの長さ
−150℃のときの長さ)、L:サンプルのもとの長
さ、Δt:測定温度差(250℃−150℃)]
は、上記耐熱性基材と同様に、ダイアタッチ工程、ワイ
ヤーボンド工程、樹脂封止工程における熱履歴に対し
て、分解、劣化等の変化が少なく、安定した粘着力を持
つことが必要である。また、マスクシートがリードフレ
ームから剥離可能であるためには、マスクシートにおけ
る粘着剤層の耐熱性基材に対する接着力が、モールド樹
脂およびリードフレームに対する接着力よりも大きいこ
とが必要である。このような条件を満足する粘着剤層を
構成する粘着剤としては、アクリル系粘着剤または天然
ゴムやSBR等のゴムを主体としたゴム系粘着剤でもよ
いが、シリコーン系粘着剤が耐環境特性にすぐれている
ため好ましい。
態から過酸化物を使用する有機過酸化物硬化タイプと白
金触媒を用いる付加反応タイプに分かれるが、有機過酸
化物は、その反応過程でラジカルの残査である低分子の
有機物が発生し、リードフレームを汚染するため、付加
反応タイプのシリコーン系粘着剤の方が本発明において
好ましく用いられる。具体的なシリコーン系粘着剤とし
ては、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、お
よびポリアルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル
水素シロキサンを主成分とするもの等が好ましいものと
してあげられる。さらに、例えば、ポリオルガノシロキ
サンを主体とするシリコーン生ゴムとトリメチルシロキ
シケイ酸を主体とするシリコーンレジンとを結合させて
得られるものをあげることができる。
着剤100体積部に対して5〜50体積部のフィラーを
含有させる。更にフィラーの含有量は10〜40体積部
が好ましい。含有量が5体積部未満である場合は、弾性
率、接着力の向上が少ないため、ワイヤーボンド不良や
モールドフッラシュが発生する。一方50体積部を超え
る場合は逆に粘着剤層の凝集力が低下し接着力が低下し
てモールドフッラシュが発生する。フィラーとしては、
無機または有機フィラーが挙げられる。無機フィラーと
しては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウ
ム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、
窒化珪素、窒化棚素、硼化チタン、硼化タングステン、
炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブ
デン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化ア
ルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、
三酸化アンチモン又はこれ等の表面をトリメチルシロキ
シル基等で処理したもの等があげられ、有機フィラーと
しては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイ
ミド、ナイロン、シリコーン等があげられる。これらの
フィラーの中でも特にシリカが粘着剤の弾性率を制御し
てワイヤーボンド不良やモールドフッラシュの発生を防
ぐことができるため好ましい。
は、150〜250℃における弾性率が0.05MPa
以上、好ましくは0.07MPa以上、更に好ましくは
0.1MPa以上である。0.05MPaより低い場合
では、ワイヤーボンド工程において金ワイヤーの接続不
良を生じるという問題が発生しやすい。この場合の弾性
率の測定は後述する実施例の条件にて弾性率測定装置
(haake社製 商品名:レオストレス)で測定した
値である。
としては、耐熱性基材上に直接粘着剤の溶液を塗布し、
乾燥させるキャスティング方法、および離型性フィルム
上に一旦粘着剤の溶液を塗布し、乾燥させ、形成された
粘着剤層を耐熱性基材上に転写するラミネート方法が使
用される。粘着剤層の膜厚は、3〜30μmであること
が好ましい。
必要に応じて保護フィルムを設けることができる。保護
フィルムとしては、離型性を有するフィルム、例えばポ
リエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート等のフィルム、及びその表面をシリ
コーン樹脂またはフッ素化合物で離型処理したフィルム
が使用できる。該保護フィルムはリードフレームに貼着
する際に剥離される。
るが、本発明はこれらの実施例によって限定されるもの
ではない。 [実施例1] (粘着剤層形成用塗布液の調製)ポリアルキルアルケニ
ルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃
度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シ
リコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。次
にフィラーとしてシリカ(日本シリカ工業社製 商品
名:Nipsil LP)を上記粘着剤100体積部に対して20
体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着剤層形成用
塗布液を得た。 (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用
し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さ
が8μmになるように塗布し、160℃で15分間乾燥
後、140℃で24時間硬化させて本発明のマスクシー
トを得た。
ルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃
度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シ
リコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。次
にフィラーとしてアルミナを上記粘着剤100体積部に
対して20体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着
剤層形成用塗布液を得た。 (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用
し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さ
が8μmになるように塗布し、160℃で15分間乾燥
後、140℃で24時間硬化させて本発明のマスクシー
トを得た。
ルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃
度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シ
リコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。次
にフィラーとしてシリカ(日本シリカ工業社製 商品
名:Nipsil LP)を上記粘着剤100体積部に対して20
体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着剤層形成用
塗布液を得た。 (マスクシートの作製)耐熱性基材として、3/4オン
スの電解銅箔(三井金属鉱業社製 商品名:3EC−VLP、
厚さ:25μm)を使用し、該電解銅箔の粗化面側に上
記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが8μmになる
ように塗布し、160℃で15分間乾燥後、140℃で
24時間硬化させて本発明のマスクシートを得た。
含有させない以外は同様にして比較用のマスクシートを
得た。
インキ社製 商品名:エピクロンHP−7200)、エ
ポキシ硬化剤(日本化薬社製 商品名:カヤハードTP
M)、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(日本合
成ゴム社製 商品名:PNR−1H)を重量比で45:1
5:40で混合し、フィラーを含有しない粘着剤層形成
用塗布液を得た。 (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用
し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さ
が8μmになるように塗布し、130℃で5分間乾燥さ
せて、比較用のマスクシートを作製した。
含有量を、粘着剤100体積部に対して55体積部にし
た以外は同様にして比較用のマスクシートを得た。
作製したマスクシートを下記の通り評価した。 [弾性率の測定]実施例1〜3及び比較例1〜3で得た
粘着剤層形成用塗布液を離型性フィルム上に塗布し上記
実施例、比較例と同様な乾燥条件にて乾燥後、厚さ1m
mになるように積層して粘着剤層を得た。次にダイアタ
ッチ工程の接着条件である175℃で2時間熱処理し
た。そのサンプルを7mmφにカットし、離型性フィル
ムを剥離後、弾性率測定装置(haake社製 商品
名:レオストレス)で周波数:1Hz、昇温速度:3℃
/min、温度範囲:150〜300℃、荷重:10N
の条件で測定した。
1〜3で作成したマスクシートを1cm幅にカットし、
銅材(三菱メテックス社製 商品名:MF−202)及
びそれに金メッキした50mm×100mm×0.25
mmtの平板に圧着した。そして、180℃の雰囲気下
で圧着したサンプルについて一方を平板に対して90°
方向に引き剥がした時の接着力を測定した。この場合、
実用上必要とされる銅材への接着力は、金メッキの有無
を問わず10g/cm以上である。
較例1〜3で作製したマスクシートを外寸200×60
mmのQFN用リードフレーム(Au−Pd−Niメッ
キCuリードフレーム、4×16個の64個マトリック
ス配列、パッケージサイズ10×10mm、84ピン)
にラミネートした。その後エポキシ系ダイアタッチ材で
アルミ蒸着のダミーチップ(3mm□、厚さ0.4m
m)をリードフレームのダイパット部に接着し、ワイヤ
ーボンダー(カイジョー社製 商品名:FB131)で
温度:210℃、周波数:100kHz、荷重:150g
f、時間:10msec/ピンの条件にてリードピン先
端とダミーチップを金ワイヤーで接続したときのリード
側接続不良数を確認した。
ドしたリードフレームをエポキシ系モールド樹脂(ビフ
ェニルエポキシ系、フィラー量:88重量%)で温度:
180℃、圧力:10MPa、時間:3分間の条件でトラ
ンスファーモールド(金型成型)した。その後マスクシー
ト面を顕微鏡で観察しリードピン、ダイパッドの部分に
モールド材が漏れているパッケージの数量を計測した。
における弾性率の最小値を示し、ワイヤーボンドはパッ
ケージ1個分のリードピン84本についてチップとワイ
ヤーボンディングした時の発生した接続不良数を示し、
モールドフラッシュは64個のパッケージ中、モールド
樹脂の漏れにより不良の発生した個数を示す。表1から
明らかなように、本発明のマスクシートは、金メッキの
有無を問わず銅材への接着力が強く、ワイヤーボンドや
モールドフラッシュにおける評価についても問題がなか
った。また、リードフレーム及びモールド樹脂からマス
クシートを剥離してもリードフレーム及びモールド樹脂
に糊残りは生じていなかった。これに対して比較例1〜
3の全てにおいて銅や金メッキに対して接着力が弱く、
ワイヤーボンドにおける接続不良、モールドフラッシュ
におけるモールド樹脂の漏れが発生していた。
れ、ワイヤーボンド時の弾性率が高いため不良が殆ど発
生せず、またモールド時の粘着剤層の接着力が強いため
モールド封止時の樹脂漏れを防ぐ事ができる。また粘着
剤層が高分子樹脂を多く含有しており、粘着剤層の凝集
力が強く、剥離時に糊残りを発生しにくく、そのためQ
FNタイプの半導体装置のマスクシートとして好適であ
る。
態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
ある。
ある。
Claims (8)
- 【請求項1】 耐熱性基材上に粘着剤層を設けてなり、
該粘着剤層が粘着剤100体積部に対してフィラーを5
〜50体積部含有することを特徴とするリードフレーム
に剥離可能に貼着する半導体装置組立用マスクシート。 - 【請求項2】 前記耐熱性基材の150〜250℃にお
ける線膨張係数が5〜50ppm/℃であることを特徴
とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシー
ト。 - 【請求項3】 前記耐熱性基材が耐熱性フィルムであっ
て、該耐熱性フィルムのガラス転位温度が150℃以上
であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組
立用マスクシート。 - 【請求項4】 前記耐熱性基材が金属箔であることを特
徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシー
ト。 - 【請求項5】 前記耐熱性基材が粗化面を有する電解銅
箔であり、且つ粗化面側に粘着剤層を設けることを特徴
とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシー
ト。 - 【請求項6】 前記フィラーがシリカであることを特徴
とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシー
ト。 - 【請求項7】 前記粘着剤層の150〜250℃におけ
る弾性率が0.05MPa以上であることを特徴とする
請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 - 【請求項8】 前記粘着剤層の厚さが3〜30μmであ
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用
マスクシート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001363221A JP3779601B2 (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 半導体装置組立用マスクシート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001363221A JP3779601B2 (ja) | 2001-11-28 | 2001-11-28 | 半導体装置組立用マスクシート |
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Publication Number | Publication Date |
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JP3779601B2 JP3779601B2 (ja) | 2006-05-31 |
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ID=19173598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005053975A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Three M Innovative Properties Co | 耐熱マスキングテープ |
CN100452332C (zh) * | 2007-01-05 | 2009-01-14 | 江苏长电科技股份有限公司 | 集成电路或分立器件引线框架上涂胶装片的方法 |
JP2014063971A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物及びそれを利用したマスキングテープ |
KR20190111911A (ko) | 2017-02-02 | 2019-10-02 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20200118811A (ko) | 2018-02-12 | 2020-10-16 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20220160680A (ko) | 2020-05-26 | 2022-12-06 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
CN115491136A (zh) * | 2022-09-21 | 2022-12-20 | 江门市优彼思半导体材料有限公司 | 一种掩模带及其制备方法 |
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-
2001
- 2001-11-28 JP JP2001363221A patent/JP3779601B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005053975A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Three M Innovative Properties Co | 耐熱マスキングテープ |
US7641967B2 (en) | 2003-08-06 | 2010-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Heat resistant masking tape |
JP4610168B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-01-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 耐熱マスキングテープ |
CN100452332C (zh) * | 2007-01-05 | 2009-01-14 | 江苏长电科技股份有限公司 | 集成电路或分立器件引线框架上涂胶装片的方法 |
JP2014063971A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Toray Advanced Materials Korea Inc | モールドアンダーフィル工程のマスキングテープ用粘着剤組成物及びそれを利用したマスキングテープ |
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