JP2008069059A - SiC焼結体の接合体、SiC焼結体の接合体の接合方法 - Google Patents
SiC焼結体の接合体、SiC焼結体の接合体の接合方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本SiC焼結体の接合体は、B系焼結助剤を用いたSiC焼結体同士が、Siからなる接合部を介して接合され、接合部中のB濃度が1019atoms/cm3(500ppm)以上、1021atoms/cm3以下である。
【選択図】 図1
Description
2 SiC焼結体
3 接合部
Claims (5)
- B系焼結助剤を用いたSiC焼結体同士が、Siからなる接合部を介して接合され、この接合部中のB濃度が1019atoms/cm3(または、500ppm)以上、1021atoms/cm3以下であることを特徴とするSiC焼結体の接合体。
- 前記接合部中のB濃度は、SiC焼結体とSi層界面に近接するSi層中で高く、Si層界面から離れるにつれて低下することを特徴とする請求項1に記載のSiC焼結体の接合体。
- 前記接合部から得られたSiのラマンスペクトルの非対称性αが0.55≦α<1.0であることを特徴とする請求項1または2に記載のSiC焼結体の接合体。
- さらに、耐薬液性の高い領域としては、前記接合部から得られたSiのラマンスペクトルの非対称性αが0.60≦α<1.0であることを特徴とする請求項1または2に記載のSiC焼結体の接合体。
- 接合されるB系焼結助剤を用いたSiC焼結体の接合面に接合材としてのSiを介在させ、真空雰囲気あるいは非酸化雰囲気において熱処理し、SiC焼結体同士をSi接合し、このSi接合処理中に、SiC焼結体中のBをSi接合部中に拡散、濃縮し、Si接合部中のB濃度を1019atoms/cm3(または、500ppm)以上、1021atoms/cm3までの濃度に高めることを特徴とするSiC焼結体の接合体の接合方法。
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