JP2008066324A - 磁気検出装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁気検出素子10は絶縁保護層30で覆われ、前記絶縁保護層30は、前記磁気検出素子10上を覆うアルミナ層31と前記アルミナ層31上を覆うシリカ層32とで構成される。以上により、本実施形態では、従来に比べて耐熱性及び耐水性を適切に向上でき、前記磁気検出素子10の特性を劣化させることなく、磁気感度に優れた信頼性の高い磁気検出装置1を実現できる。
【選択図】図2
Description
基板上に、外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気検出素子を備えるセンサ構成部と、前記センサ構成部に接続され、前記磁気検出素子の電気抵抗の変化に基づく電位の変化を検出する検出回路と、を有し、
前記磁気検出素子上は絶縁保護層で覆われ、前記絶縁保護層は、前記磁気検出素子上を覆うアルミナ(Al2O3)層と、前記アルミナ層上を覆うシリカ(SiO2)層とで構成されることを特徴とするものである。
(a) 前記基板上に、複数組の前記検出回路及び前記センサ構成部を形成する工程、
(b) 各磁気検出素子上をアルミナ(Al2O3)層で覆うとともに、前記アルミナ層上をシリカ(SiO2)で覆う工程、
(c) 前記シリカ層が露出した状態で、前記基板を各組ごとに、冷却水を噴射しながらダイシングし、個々にチップ化する工程、
(d) チップ化された各磁気検出装置をパッケージ化する工程、
を有することを特徴とするものである。
(a−1) 前記基板上に、複数組の前記検出回路を形成する工程、
(a−2) 前記検出回路上を絶縁層で覆う工程、
(a−3) 前記絶縁層上に複数組の前記センサ構成部を形成し、各センサ構成部と各検出回路とを導通接続させる工程。
下からPtMn(200)/CoFe(14)/Ru(8.7)/CoFe(12)/Cu(21)/CoFe(10)/NiFe(20)/Ta(50)の順であった。なお括弧書きは膜厚で単位はÅである。
前記磁気検出素子上を、膜厚が1000Åのアルミナ(Al2O3)層で覆うとともに、前記アルミナ層上を膜厚が3000Åのシリカ(SiO2)層で覆った。
(比較例1)
前記磁気検出素子上を、膜厚が4000Åのシリカ(SiO2)層で覆った。
(比較例2)
前記磁気検出素子上を、膜厚が4000Åのアルミナ(Al2O3)層で覆った。
2、44 基板
3 検出回路
4 センサ構成部
15、16、18、19 電極層
17 リード層
10 磁気検出素子
20 固定抵抗素子
30 絶縁保護層
31 アルミナ層
32 シリカ層
34 モールド樹脂
35 配線層
36〜38 能動素子
39 抵抗器
40 絶縁層
41 絶縁下面層
42 レジスト層
43 絶縁上面層
45 穴
50 設置台
51 ダイシングブレード
52 ノズル
53 磁気検出装置集合体
W 冷却水
Claims (8)
- 基板上に、外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気検出素子を備えるセンサ構成部と、前記センサ構成部に接続され、前記磁気検出素子の電気抵抗の変化に基づく電位の変化を検出する検出回路と、を有し、
前記磁気検出素子上は絶縁保護層で覆われ、前記絶縁保護層は、前記磁気検出素子上を覆うアルミナ(Al2O3)層と、前記アルミナ層上を覆うシリカ(SiO2)層とで構成されることを特徴とする磁気検出装置。 - 前記センサ構成部は、前記磁気検出素子に直列に接続され、外部磁界により電気抵抗が変化しない固定抵抗素子を有し、前記固定抵抗素子上も、前記絶縁保護層で覆われている請求項1記載の磁気検出装置。
- 前記磁気検出素子、あるいは、前記固定抵抗素子、または、前記磁気検出素子及び前記固定抵抗素子と、前記検出回路とを接続する導電性の接続層上も、前記絶縁保護層で覆われる請求項1または2に記載の磁気検出装置。
- 前記基板上に、前記検出回路が形成され、前記検出回路上は絶縁層で覆われ、前記絶縁層上に前記センサ構成部が設けられ、前記絶縁層上の前記センサ構成部と前記基板上の前記検出回路とが導通接続されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気検出装置。
- 基板上に、外部磁界により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気検出素子を備えるセンサ構成部と、前記センサ構成部に接続され、前記磁気検出素子の電気抵抗の変化に基づく電位の変化を検出する検出回路と、を有する磁気検出装置の製造方法において、
(a) 前記基板上に、複数組の前記検出回路及び前記センサ構成部を形成する工程、
(b) 各磁気検出素子上をアルミナ(Al2O3)層で覆うとともに、前記アルミナ層上をシリカ(SiO2)で覆う工程、
(c) 前記シリカ層が露出した状態で、前記基板を各組ごとに、冷却水を噴射しながらダイシングし、個々にチップ化する工程、
(d) チップ化された各磁気検出装置をパッケージ化する工程、
を有することを特徴とする磁気検出装置の製造方法。 - 前記(a)工程を以下の工程により行う請求項5記載の磁気検出装置の製造方法。
(a−1) 前記基板上に、複数組の前記検出回路を形成する工程、
(a−2) 前記検出回路上を絶縁層で覆う工程、
(a−3) 前記絶縁層上に複数組の前記センサ構成部を形成し、各センサ構成部と各検出回路とを導通接続させる工程。 - 前記センサ構成部は、前記磁気検出素子に直列に接続され、外部磁界により電気抵抗が変化しない固定抵抗素子を有し、前記(b)工程時に、前記固定抵抗素子上も、前記アルミナ層で覆い、さらに、前記アルミナ層上を前記シリカ層で覆う請求項5または6に記載の磁気検出装置の製造方法。
- 前記(b)工程時に、前記磁気検出素子、あるいは、前記固定抵抗素子、または、前記磁気検出素子及び前記固定抵抗素子と、前記検出回路とを接続する導電性の接続層上も、前記アルミナ層で覆い、さらに、前記アルミナ層上を前記シリカ層で覆う請求項5ないし7のいずれかに記載の磁気検出装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006239188A JP4485499B2 (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
US11/678,812 US20080054894A1 (en) | 2006-09-04 | 2007-02-26 | Magnetic detection device having element provided with multi-layered protection layer and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006239188A JP4485499B2 (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066324A true JP2008066324A (ja) | 2008-03-21 |
JP4485499B2 JP4485499B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=39150572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006239188A Active JP4485499B2 (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 磁気検出装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080054894A1 (ja) |
JP (1) | JP4485499B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013045851A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Daido Steel Co Ltd | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1403421B1 (it) * | 2010-12-23 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetoresistivo integrato, in particolare sensore magnetoresistivo triassiale e suo procedimento di fabbricazione |
FR3003950B1 (fr) * | 2013-03-28 | 2016-11-18 | Inst Nat Sciences Appliquees Lyon | Dispositif d'imagerie en champ proche et lointain dans le domaine des micro-ondes |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4670322A (en) * | 1983-12-05 | 1987-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Metal oxide magnetic substance and a magnetic film consisting thereof and their uses |
KR100683321B1 (ko) * | 2000-05-15 | 2007-02-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 센서 소자 및 그의 제조 방법 |
US6512369B2 (en) * | 2001-05-22 | 2003-01-28 | Delphi Technologies, Inc. | Temperature compensated voltage divider with a magnetoresistor and a reference resistor |
JP2004247408A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Sony Precision Technology Inc | 磁気検出センサ |
JP2004363157A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
WO2005024861A1 (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 磁気バイアス膜およびこれを用いた磁気センサ |
JP4739963B2 (ja) * | 2006-01-18 | 2011-08-03 | アルプス電気株式会社 | 車載用gmr角度センサ |
JP4689516B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-05-25 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出装置 |
-
2006
- 2006-09-04 JP JP2006239188A patent/JP4485499B2/ja active Active
-
2007
- 2007-02-26 US US11/678,812 patent/US20080054894A1/en not_active Abandoned
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---|---|---|---|---|
JP2013045851A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Daido Steel Co Ltd | 薄膜磁気センサ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080054894A1 (en) | 2008-03-06 |
JP4485499B2 (ja) | 2010-06-23 |
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A621 | Written request for application examination |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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