JP2008066147A - Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method - Google Patents
Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008066147A JP2008066147A JP2006243384A JP2006243384A JP2008066147A JP 2008066147 A JP2008066147 A JP 2008066147A JP 2006243384 A JP2006243384 A JP 2006243384A JP 2006243384 A JP2006243384 A JP 2006243384A JP 2008066147 A JP2008066147 A JP 2008066147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- vapor deposition
- laser
- color conversion
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 172
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 236
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000002585 base Substances 0.000 description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 10
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 8
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 8
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- -1 sulforhodamine Chemical compound 0.000 description 7
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 5
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M Patent blue Chemical compound [Na+].C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 SJEYSFABYSGQBG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000980 acid dye Substances 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 2
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000982 direct dye Substances 0.000 description 2
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXWHZJXKTHGHQF-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-6-(butylamino)benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound O=C1N(CCCC)C(=O)C2=CC=CC3=C2C1=CC=C3NCCCC DXWHZJXKTHGHQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCGDWIWUQDHQLK-UHFFFAOYSA-N 2-morpholin-4-yl-5-nitrobenzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1N1CCOCC1 PCGDWIWUQDHQLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHUXLDXYURVLX-UHFFFAOYSA-N 2h-pyrrolo[3,4-c]pyrrole-4,6-dione Chemical class N1C=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 NKHUXLDXYURVLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMUXSMXIQBNMGZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydrocoumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)CCC2=C1 VMUXSMXIQBNMGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- PZCJXCHQNYYOHU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(1-ethyl-2H-pyridin-2-yl)buta-1,3-dienyl]-N,N-dimethylaniline Chemical compound C(C)N1C(C=CC=C1)C=CC=CC1=CC=C(C=C1)N(C)C PZCJXCHQNYYOHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NURUHMMUJFXYDY-UHFFFAOYSA-M 4-[4-(1-ethylpyridin-1-ium-2-yl)buta-1,3-dienyl]-n,n-dimethylaniline;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CC[N+]1=CC=CC=C1C=CC=CC1=CC=C(N(C)C)C=C1 NURUHMMUJFXYDY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQLZTPSAVDHUKS-UHFFFAOYSA-N 6-amino-2-(2,4-dimethylphenyl)benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound CC1=CC(C)=CC=C1N(C1=O)C(=O)C2=C3C1=CC=CC3=C(N)C=C2 FQLZTPSAVDHUKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANORACDFPHMJSX-UHFFFAOYSA-N 64339-18-0 Chemical compound [Cl-].OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 ANORACDFPHMJSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N coumarin 153 Chemical compound C12=C3CCCN2CCCC1=CC1=C3OC(=O)C=C1C(F)(F)F VSSSHNJONFTXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;n-methyl-n-[(1,3,3-trimethylindol-1-ium-2-yl)methylideneamino]aniline Chemical compound COS([O-])(=O)=O.C[N+]=1C2=CC=CC=C2C(C)(C)C=1/C=N/N(C)C1=CC=CC=C1 LPQMOFIXRVVOSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- MYIOYATURDILJN-UHFFFAOYSA-N rhodamine 110 Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(N)=CC2=[O+]C2=CC(N)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O MYIOYATURDILJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N safranin O Chemical compound [Cl-].C12=CC(N)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、蒸着材料のパターン形成方法に関する。特に本発明は、レーザーを用いた蒸着によるパターンを形成方法に関する。本発明はさらに、このパターン形成方法を含む色変換フィルタ基板およびカラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for forming a pattern of a vapor deposition material. In particular, the present invention relates to a method for forming a pattern by vapor deposition using a laser. The present invention further relates to a color conversion filter substrate including this pattern forming method and a method for manufacturing a color organic EL element.
表示装置に適用される発光素子の一例として、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機ＥＬ素子が知られている。有機ＥＬ素子は、薄膜の自発光型素子であり、低駆動電圧、高解像度、高視野角といった優れた特徴を有することから、それらの実用化に向けて様々な検討がなされている。 As an example of a light-emitting element applied to a display device, an organic EL element having a thin film laminated structure of an organic compound is known. Organic EL elements are thin-film self-luminous elements and have excellent characteristics such as low drive voltage, high resolution, and high viewing angle. Therefore, various studies have been made for their practical application.
有機ＥＬ素子は、例えば、陽極を形成したガラス基板の上に、有機ＥＬ層としての正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次形成され、さらに、電子注入層上に陰極が形成された構造を有する。 In the organic EL element, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer as an organic EL layer are sequentially formed on a glass substrate on which an anode is formed. It has a structure in which a cathode is formed on the injection layer.
有機ＥＬ素子を用いた表示パネルの製造工程において、有機ＥＬ層などはウエットプロセスに適さないために、蒸着を用いて成膜されており、マスクを用いてその形状を制御していた（特許文献１）。 In a manufacturing process of a display panel using an organic EL element, an organic EL layer or the like is formed using vapor deposition because it is not suitable for a wet process, and its shape is controlled using a mask (Patent Literature). 1).
しかしながら、蒸着パターンが高精細になるとマスクで微細なパターンを作成することは困難になる。例えば、マスクの製造に関しては、開口部が小さくなりすぎるとマスクの製造時にエッチングが困難となる。また、開口部が大きくなりすぎて、パターンとパターンの間隔が狭くなりすぎると強度不足になる。さらに、高精細になればなるほどマスクと蒸着位置との位置あわせ精度も厳しくなる。これらのことから、マスク蒸着法の限界は２００ｐｐｉと言われている。 However, when the vapor deposition pattern becomes high definition, it becomes difficult to create a fine pattern with a mask. For example, regarding the manufacture of the mask, if the opening becomes too small, etching becomes difficult during the manufacture of the mask. Further, if the opening becomes too large and the interval between the patterns becomes too narrow, the strength becomes insufficient. Furthermore, the higher the definition, the more accurate the alignment accuracy between the mask and the vapor deposition position. From these facts, the limit of the mask vapor deposition method is said to be 200 ppi.
また、マスクを用いた蒸着材料の成膜においてはマスクにパーティクルが付着することがあり、パーティクルによるパターンの乱れが生じることがある。 Further, in the deposition of a deposition material using a mask, particles may adhere to the mask, and the pattern may be disturbed by the particles.
そこでマスクレスで蒸着材料を微細なパターンに蒸着するための方法が求められている。例えば、蒸着材料のパターン形成方法として、レーザー加熱によって有機材料をベース基板からデバイス基板に転写する方法（ＬＩＴＩ）が知られている。 Therefore, a method for depositing a deposition material in a fine pattern without a mask is required. For example, a method (LITI) of transferring an organic material from a base substrate to a device substrate by laser heating is known as a method for forming a deposition material pattern.
例えば、特開２００５−５１９２号公報（特許文献２）では蒸着円盤を回転させ、ベース膜と基板を離間し、レーザービームを照射して蒸着材料を蒸発させる蒸着材料のパターン形成方法が開示されている。 For example, Japanese Patent Laying-Open No. 2005-5192 (Patent Document 2) discloses a pattern formation method for a vapor deposition material in which a vapor deposition disk is rotated, a base film and a substrate are separated from each other, and a laser beam is irradiated to evaporate the vapor deposition material. Yes.
特開２００５−１００９３９号公報（特許文献３）、または特開２００２−７５６３６号公報（特許文献４）ではレーザーを走査して熱転写法によりカラー調節層等を形成している。これらの方法は、レーザーを走査するため、走査時間がかかるという問題がある。 In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-100939 (Patent Document 3) or Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-75636 (Patent Document 4), a laser is scanned and a color adjustment layer or the like is formed by a thermal transfer method. These methods have a problem that it takes time to scan because the laser is scanned.
また、特開平９−１６７６８４号公報（特許文献５）は、有機ＥＬ層を塗布したドナーシート内にパターン化した光吸収層を形成し、強いブランケット光源にさらしてパターンを転写する手法が開示されている(００１７段落等）。しかしながら、この手法では加熱した光吸収層は、パターン外の周辺にも影響を及ぼして、パターン外の有機ＥＬ層を昇華若しくは蒸発させるため、微細化したパターンを形成することが困難であった。 Japanese Patent Laid-Open No. 9-167684 (Patent Document 5) discloses a method of forming a patterned light absorption layer in a donor sheet coated with an organic EL layer and transferring the pattern by exposure to a strong blanket light source. (0017 paragraph etc.). However, in this method, the heated light absorption layer also affects the periphery outside the pattern, and the organic EL layer outside the pattern is sublimated or evaporated, so that it is difficult to form a fine pattern.
上述のように、従来のマスクを用いたパターニング方法では高精細なパターニングが困難であった。また、これらのＬＩＴＩ方法では一定の面積をパターニングするのに、走査を繰り返してパターニングを行わなければならず、スループットが低かった。 As described above, high-definition patterning is difficult with a conventional patterning method using a mask. Further, in these LITI methods, in order to pattern a certain area, patterning must be performed by repeating scanning, and the throughput is low.
本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、透光性支持体上に、パターニングしたレーザー反射層および断熱層と、レーザー吸収層および蒸着材料薄膜を含むベース膜を形成した蒸着用基板に、光学系を介してレーザー光を蒸着材料に面で照射し、蒸着材料を蒸着することにより高精細なパターニングを行う蒸着法を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above points, and a deposition substrate in which a patterned laser reflecting layer and a heat insulating layer, and a base film including a laser absorbing layer and a deposition material thin film are formed on a translucent support. In addition, the present invention provides a vapor deposition method in which high-definition patterning is performed by irradiating a vapor deposition material with a surface through an optical system and vapor depositing the vapor deposition material.
したがって、本発明の目的は、レーザーを用いる近接蒸着法による、高精細で所定の膜厚を有し、上記問題のないパターニングが可能な、蒸着方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a vapor deposition method having a high-definition and predetermined film thickness and capable of patterning without the above-mentioned problems by a proximity vapor deposition method using a laser.
また、本発明の目的は、上記蒸着方法を用いた色変換フィルタ基板またはカラー有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 Moreover, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the color conversion filter board | substrate or color organic EL element which used the said vapor deposition method.
本発明の第１の態様は、蒸着材料のレーザー蒸着法である。具体的には、本発明の蒸着方法は、（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程を含む。この蒸着方法では、蒸着材料が、色変換機能を有する蒸着材料であることが好ましい。 The first aspect of the present invention is a laser vapor deposition method of a vapor deposition material. Specifically, the vapor deposition method of the present invention provides (1) a translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface, and the first surface of the translucent support. (A) a step of forming a base film by sequentially forming (a) a patterned laser reflection layer, (b) a patterned heat insulation layer, (c) a laser absorption layer, and (d) a vapor deposition material; A substrate is arranged apart from the first surface of the translucent support, laser light is irradiated from the second surface of the translucent support, and the laser reflection layer and the heat insulation layer are not formed. Depositing a portion of the vapor deposition material onto the substrate and forming a pattern of the vapor deposition material on the substrate. In this vapor deposition method, the vapor deposition material is preferably a vapor deposition material having a color conversion function.
本発明の第２の態様は、上記レーザー蒸着方法を利用した色変換フィルタ基板の製造方法である。具体的には、本発明の色変換基板の製造方法は、（ａ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。本発明では、蒸着した色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、工程（ａ）および（ｃ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することができる。 A second aspect of the present invention is a method for manufacturing a color conversion filter substrate using the laser vapor deposition method. Specifically, in the method for producing a color conversion substrate of the present invention, (a) a translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and the translucent support of the translucent support is prepared. On the first surface, (a) a patterned laser reflecting layer, (b) a patterned heat insulating layer, (c) a laser absorbing layer, and (d) a vapor deposition material having a color conversion function are sequentially formed to form a base film. (B) providing a color filter substrate on which one or more types of color filter layers are formed, (c) separating the color from the first surface of the translucent support. Disposing a filter substrate, irradiating laser light from the second surface of the translucent support, and applying a vapor deposition material having the color conversion function in a portion where a laser reflective layer and a heat insulating layer are not formed to the color filter Evaporate on the substrate to form a color conversion layer pattern Characterized in that it comprises a step. In the present invention, a pattern of a different type of color conversion layer is formed by repeating steps (a) and (c) for a vapor deposition material having a color conversion function different from the vapor deposition material having a color conversion function. can do.
本発明の第３の態様は、上記レーザー蒸着方法を利用したカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。具体的には、本発明の製造方法は、（ｉ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。本発明では、蒸着した色変換機能を有する蒸着材料とは異なる種類の色変換機能を有する蒸着材料について、前記工程（ｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことで、異なる種類の色変換層のパターンを形成することができる。 A third aspect of the present invention is a method for manufacturing a color organic EL element using the laser vapor deposition method. Specifically, in the manufacturing method of the present invention, (i) a translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and the first surface of the translucent support is prepared. A step of forming a base film by sequentially depositing (a) a patterned laser reflecting layer, (b) a patterned heat insulating layer, (c) a laser absorbing layer, and (d) a vapor deposition material having a color conversion function. And (ii) providing at least a pair of electrodes and an organic EL element substrate sandwiched between these electrodes and having an organic layer formed on the substrate; (iii) a first of the translucent support The organic EL element substrate is arranged apart from the surface, the surface of the translucent support is irradiated with laser light from the second surface, and the color conversion function of the portion where the laser reflecting layer and the heat insulating layer are not formed is provided. A vapor deposition material having a color conversion layer is deposited on the organic EL element substrate. Characterized in that it comprises a step of forming a turn. In the present invention, by repeating the steps (i) and (iii) for a vapor deposition material having a color conversion function different from the vapor deposition material having a color conversion function, a pattern of a different type of color conversion layer can be obtained. Can be formed.
本発明の方法によれば、従来のマスクを用いた蒸着による蒸着材料の成膜の限界よりも高精彩なパターン形成が可能である。また、本発明では、レーザー光の面照射により従来のＬＩＴＩ法よりもスキャン回数が低減され、スループットが高くなるメリットがある。 According to the method of the present invention, it is possible to form a pattern with higher definition than the limit of deposition of a vapor deposition material by vapor deposition using a conventional mask. Further, the present invention has an advantage that the number of scans is reduced and the throughput is increased by the surface irradiation of the laser light as compared with the conventional LITI method.
また、本発明の方法は、ベース膜に断熱層を含むことにより、ベース膜に予め形成したパターン外へ熱が拡散せず、熱の影響を遮断することができる。このため、所望する微細なパターンを形成できる。 In addition, the method of the present invention includes a heat insulating layer in the base film, so that heat does not diffuse out of the pattern previously formed in the base film, and the influence of heat can be blocked. For this reason, a desired fine pattern can be formed.
本発明は、（Ｉ）蒸着材料のレーザー蒸着方法、並びに、この蒸着方法を用いた（ＩＩ）色変換フィルタ基板の製造方法、および（ＩＩＩ）カラー有機ＥＬ素子の製造方法に関する。 The present invention relates to (I) a laser vapor deposition method of a vapor deposition material, (II) a method for producing a color conversion filter substrate using this vapor deposition method, and (III) a method for producing a color organic EL element.
以下に本発明を、適宜図面を参照しながら説明する。まず第１の態様である（Ｉ）蒸着材料のレーザー蒸着方法について説明する。 The present invention will be described below with reference to the drawings as appropriate. First, the laser vapor deposition method of (I) vapor deposition material which is the first aspect will be described.
図１（Ａ）〜（Ｄ）および図２（Ａ）〜（Ｂ）は、本発明のレーザー蒸着方法を説明するための図である。この方法は、（１）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（図１）と、（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程（図２）を含む。 FIGS. 1A to 1D and FIGS. 2A to 2B are diagrams for explaining the laser vapor deposition method of the present invention. In this method, (1) a translucent support having a first surface and a second surface opposite thereto is prepared, and (a) patterning is performed on the first surface of the translucent support. A step of forming a base film by sequentially forming a laser reflecting layer, (a) a patterned heat insulating layer, (c) a laser absorbing layer, and (d) a vapor deposition material, (FIG. 1), (2) A substrate is disposed apart from the first surface of the optical support, and laser light is irradiated from the second surface of the translucent support so that the laser reflection layer and the heat insulation layer are not formed. The method includes the step of depositing the deposition material on the substrate and forming a pattern of the deposition material on the substrate (FIG. 2).
特に、本発明では、レーザー光源と透光性支持体間に光学系（例えばレンズなど）を配置し、この光学系を介してレーザー光を透光性支持体の第２の面に面照射し、広い面積のＬＩＴＩを一度に行うものである。本明細書において、「面照射」とは、上述のように、レーザー光源からのレーザー光を、光学系を通して拡散させ、透過性支持体の第２の面全面にレーザー光を照射することをいう。このように面照射することで、従来のようなレーザー光を走査することにより、パターンを転写する場合と比べ、転写のスループットが高まる。 In particular, in the present invention, an optical system (for example, a lens) is disposed between the laser light source and the translucent support, and laser light is irradiated onto the second surface of the translucent support through the optical system. A large area LITI is performed at a time. In this specification, “surface irradiation” means that the laser light from the laser light source is diffused through the optical system as described above, and the entire second surface of the transparent support is irradiated with the laser light. . By irradiating the surface in this way, scanning throughput is increased by scanning the laser beam as in the prior art as compared with the case of transferring the pattern.
また、本発明では、透光性支持体上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）蒸着材料を順次成膜してベース膜を前もって形成しておく。さらに、蒸着材料が成膜される基板と透光性支持体は離間して配置され、透光性支持体の第２の面（ベース膜の形成されていない面（裏面とも称する））全面にレーザービームを照射し、蒸着材料を基板上に蒸着してパターンを形成する。 In the present invention, (a) a patterned laser reflecting layer, (b) a patterned heat insulating layer, (c) a laser absorbing layer, and (d) a vapor deposition material are sequentially formed on the translucent support. A base film is formed in advance. Further, the substrate on which the vapor deposition material is deposited and the translucent support are arranged apart from each other, and the second surface of the translucent support (the surface on which the base film is not formed (also referred to as the back surface)) is entirely formed. A pattern is formed by irradiating a laser beam and depositing a deposition material on the substrate.
第１の工程（図１（Ａ）〜（Ｄ））は、第１の面１０４とこれに対向する第２の面１０６を有する透光性支持体１０２の第１の面に、パターニングしたレーザー反射層１１０、パターニングした断熱層１１２、レーザー吸収層１１４、および蒸着材料１１６を順次成膜してベース膜１０８を形成する工程である。ベース膜１０８は、図１（Ｄ）に示すように、透光性支持体上に、パターニングされたレーザー反射層１１０および断熱層１１２を含み、この断熱層上と、レーザー反射層および断熱層が形成されていない透光性支持体上（すなわち、透光性支持体の第１の面の全面）にレーザー吸収層１１４および蒸着材料１１６を含む。
In the first step (FIGS. 1A to 1D), a patterned laser is formed on the first surface of the
透光性支持体１０２は、照射されるレーザー光を透過するものであれば特に限定されない。例えばガラス基板、石英基板、プラスチックなどの高分子材料からなる基板等を用いることができる。高分子材料を用いる場合、透明基板は剛直であっても可撓性であってもよい。透光性支持体は使用するレーザー光に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上の透過率を有することがさらに好ましい。
The
レーザー反射層１１０は、レーザーを反射してレーザー吸収層および蒸着材料にレーザーが到達して、これらの層が加熱されるのを防ぐ役割を持つ。レーザー反射層は、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇなどのレーザー光に対する反射率の高い材料で形成されることが好ましい。
The
本発明におけるレーザー反射層１１０は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
The laser
断熱層は、レーザー光による熱がレーザー吸収層へ伝達されるのを阻止し、レーザー反射層とあわせて蒸着材料が加熱されるのを防ぐ役割を持つ。断熱層の材料としては、０．２Ｗ／ｍ・ｋ程度の低い熱伝導率を有するものが好ましい。例えば、好ましい材料として、ポリイミド、シリコーン樹脂、テフロン（登録商標）、ポリカーボネート等の熱伝導率の低い高融点ポリマーを挙げることができる。 The heat insulation layer has a role of preventing heat from the laser light from being transmitted to the laser absorption layer and preventing the vapor deposition material from being heated together with the laser reflection layer. As a material for the heat insulating layer, a material having a low thermal conductivity of about 0.2 W / m · k is preferable. For example, preferable materials include high melting point polymers having low thermal conductivity such as polyimide, silicone resin, Teflon (registered trademark), and polycarbonate.
本発明における断熱層１１２は、好ましくは１００μｍ以下の膜厚を有する。
The
レーザー反射層１１０および断熱層１１２は、蒸着が行われる基板上で、蒸着材料の所望のパターが形成できるように予めパターニングされている。すなわち、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、透光性支持体１０２の第１の面１０４上に、蒸着材料の蒸着パターンで開口部を有するようにパターニングされる。
The
これらの層の成膜法は、使用する材料に合わせて適宜選択すればよく、いずれの方法で成膜してもよい。例えば、レーザー反射層１１０は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法などの乾式プロセスにより、透光性支持体全面にレーザー反射層の材料を堆積させ、フォトリソグラフィー法などによりパターニングを行うことで成膜することができる。また、断熱層は、スピンコート法や上記のような乾式プロセスにより、所望の材料を堆積した後、フォトリソグラフィー法などによりパターニングを行うことで成膜することができる。
The method for forming these layers may be appropriately selected according to the material to be used, and may be formed by any method. For example, the laser
レーザー吸収層１１４は、レーザー光を吸収して熱に変換し、この熱を蒸着材料に伝達し、蒸着材料を昇華または蒸発させるための層である。レーザー吸収層の材料は、蒸着材料よりも融点の高い材料であればよい。レーザー吸収層の材料には、例えば炭素のような無機材料、クロムのような金属などを例に挙げることができる。
The
レーザー吸収層１１４は、例えば、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法などの乾式プロセスで成膜することができる。図１（Ｃ）に示すように、レーザー吸収層は、断熱層上且つ透光性支持体の全面に成膜される。
The
本発明におけるレーザー吸収層１１４は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
The
レーザー吸収層の上には、基板に蒸着させたい蒸着材料の層１１６が形成される。蒸着材料は、図１（Ｄ）に示すように、レーザー吸収層上全面に成膜される。蒸着材料の成膜は、蒸着法などの従来の方法により成膜することができる。
On the laser absorption layer, a
本発明における蒸着材料の層１１６は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚を有する。
The
本発明のレーザー蒸着方法では、使用できる蒸着材料は、レーザー照射によるレーザー吸収層からの熱で昇華または蒸発されるものであれば特に限定されない。例えば、後述する有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層に使用される各種有機材料、色変換機能を有する材料などを蒸着材料として使用することができる。 In the laser vapor deposition method of the present invention, usable vapor deposition materials are not particularly limited as long as they can be sublimated or evaporated by heat from the laser absorption layer by laser irradiation. For example, various organic materials used for an organic EL layer of an organic EL element to be described later, a material having a color conversion function, and the like can be used as a deposition material.
特に、本発明では、色変換機能を有する材料（本明細書では色変換材料とも称する）を蒸着材料として用いることが好ましい。以下に色変換機能を有する材料について概略を説明する。 In particular, in the present invention, it is preferable to use a material having a color conversion function (also referred to as a color conversion material in this specification) as an evaporation material. The outline of the material having a color conversion function will be described below.
色変換機能を有する材料は、後述するカラー有機ＥＬ素子の色変換フィルタ基板の一部として用いられる場合、有機ＥＬ層で発光される近紫外領域ないし可視領域の光、特に青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる波長の可視光を蛍光として発光するものである。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも青色（Ｂ）領域、緑色（Ｇ）領域および赤色（Ｒ）領域の光を放出する独立した色変換機能を有する材料が用いられる。以下、このような色変換機能を有する材料を用いて形成される層を色変換層と称する。また、本明細書において、色変換フィルタ層の用語を用いるが、この用語は、カラーフィルタ層、色変換層、およびカラーフィルタ層と色変換層との積層体の総称として用いる。 When a material having a color conversion function is used as a part of a color conversion filter substrate of a color organic EL element to be described later, light in the near ultraviolet region or visible region emitted from the organic EL layer, particularly in a blue or blue-green region. It absorbs light and emits visible light of different wavelengths as fluorescence. In order to enable full color display, a material having an independent color conversion function that emits light of at least a blue (B) region, a green (G) region, and a red (R) region is used. Hereinafter, a layer formed using such a material having a color conversion function is referred to as a color conversion layer. In this specification, the term “color conversion filter layer” is used, and this term is used as a general term for a color filter layer, a color conversion layer, and a laminate of a color filter layer and a color conversion layer.
色変換機能を有する材料（色変換材料）として、有機蛍光色素がある。有機蛍光色素の例としては、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上、さらに緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上を挙げることができる。これらの材料は、光源として青色ないし青緑色領域の光を発光する有機ＥＬ層を用いる場合、有機ＥＬ層からの光を単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光を得ようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまうため、これらを補償するのに好適である。 As a material having a color conversion function (color conversion material), there is an organic fluorescent dye. Examples of the organic fluorescent dye include at least one fluorescent dye that emits fluorescence in at least the red region, and one or more fluorescent dyes that emit fluorescence in the green region. In the case of using an organic EL layer that emits light in a blue or blue-green region as a light source, when these materials attempt to obtain light in the red region by simply passing the light from the organic EL layer through a red filter, Since there is little light of this wavelength, it becomes very dark output light, which is suitable for compensating these.
このような有機蛍光色素を用い、有機ＥＬ素子と組み合わせることにより、青色ないし青緑色領域の光を、蛍光色素によって赤色領域の光に変換して、十分な強度を有する赤色領域の光の出力が可能となる。発光体から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えばローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウムパークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などが挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も蛍光性があれば使用することができる。
By using such an organic fluorescent dye and combining it with an organic EL element, light in the blue or blue-green region is converted into light in the red region by the fluorescent dye, and light in the red region having sufficient intensity is output. It becomes possible. Examples of fluorescent dyes that absorb blue to blue-green light emitted from the luminescent material and emit fluorescence in the red region include rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101,
発光体から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノ−クマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などが挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も蛍光性があれば使用することができる。 Examples of fluorescent dyes that absorb blue to blue-green light emitted from a light emitter and emit green light include 3- (2′-benzothiazolyl) -7-diethylamino-coumarin (coumarin 6), 3- (2′-Benzimidazolyl) -7-diethylamino-coumarin (coumarin 7), 3- (2′-N-methylbenzimidazolyl) -7-diethylamino-coumarin (coumarin 30), 2,3,5,6-1H, 4H -Coumarin-based dyes such as tetrahydro-8-trifluoromethylquinolidine (9,9a, 1-gh) coumarin (coumarin 153), or basic yellow 51 which is a coumarin dye-based dye, solvent yellow 11, solvent yellow 116 And naphthalimide dyes. Furthermore, various dyes (direct dyes, acid dyes, basic dyes, disperse dyes, etc.) can be used if they are fluorescent.
さらに、本発明では、１種または複数種の色変換材料を含んだ蒸着材料を用いることもできる。例えば、色変換材料は、いわゆるホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料を含むものを包含する。 Furthermore, in this invention, the vapor deposition material containing the 1 type or multiple types of color conversion material can also be used. For example, the color conversion material includes a material including two kinds of color conversion materials constituting a so-called host / guest type.
複数種の色変換材料を用いる場合、複数種の色変換材料を所定の比率で混合した予備混合物をあらかじめ作製し、その予備混合物を用いて共蒸着を行ってもよい。あるいはまた、複数種の色変換材料を別個の加熱部位に配置し、それぞれの色変換材料を別個に加熱して共蒸着を行ってもよい。特に複数種の色変換材料の間に特性（蒸着速度、蒸気圧など）の大きな差が存在する場合、後者の方法が有効である。 When a plurality of types of color conversion materials are used, a preliminary mixture obtained by mixing a plurality of types of color conversion materials at a predetermined ratio may be prepared in advance, and co-evaporation may be performed using the preliminary mixture. Alternatively, a plurality of types of color conversion materials may be disposed in separate heating portions, and each color conversion material may be separately heated to perform co-evaporation. The latter method is particularly effective when there is a large difference in characteristics (evaporation rate, vapor pressure, etc.) among a plurality of types of color conversion materials.
ホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料（第１色素および第２色素）を含む場合、以下のものを例として挙げることができる。 When two types of color conversion materials (first dye and second dye) constituting the host / guest type are included, the following can be cited as examples.
第１色素は、色変換層への入射光、好ましくは有機ＥＬ素子の発する青色から青緑色の光を吸収し、吸収したエネルギーを第２色素に移動させる色素である。したがって、第１色素の吸収スペクトルが有機ＥＬ素子の発光スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の吸収極大と有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。また、第１色素の発光スペクトルが第２色素の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の発光スペクトルの極大と第２色素の吸収極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。本発明において第１色素として好適に用いることができる色素は、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素を含む。あるいはまた、ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素を、第１色素として用いてもよい。第１色素は、色変換材料の総構成分子数を基準として９０重量％以上、好ましくは、９０〜９９．９９重量％の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、色変換層の入射光を十分に吸収して、吸収した光エネルギーを第２色素へとエネルギー移動することが可能となる。 The first dye absorbs light incident on the color conversion layer, preferably blue to blue-green light emitted from the organic EL element, and transfers the absorbed energy to the second dye. Therefore, it is desirable that the absorption spectrum of the first dye overlaps with the emission spectrum of the organic EL element, and the absorption maximum of the first dye overlaps with the maximum of the emission spectrum of the organic EL element. It is more desirable. Further, it is desirable that the emission spectrum of the first dye overlaps with the absorption spectrum of the second dye, and the maximum of the emission spectrum of the first dye overlaps with (or coincides with) the absorption maximum of the second dye. It is more desirable. Dyes that can be suitably used as the first dye in the present invention include 3- (2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6), 3- (2-benzimidazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 7), Contains coumarin dyes such as coumarin 135. Alternatively, naphthalimide dyes such as Solvent Yellow 43 and Solvent Yellow 44 may be used as the first dye. The first dye is desirably present in an amount of 90% by weight or more, preferably 90 to 99.99% by weight, based on the total number of constituent molecules of the color conversion material. By existing in such a concentration range, it is possible to sufficiently absorb the incident light of the color conversion layer and transfer the absorbed light energy to the second dye.
第２色素は、第１色素から移動されるエネルギーを受容し、光を放射させる色素である。ここで、前述のように、第１色素の発光スペクトルが第２色素の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、第１色素の発光スペクトルの極大と第２色素の吸収極大とが重なっている（または一致している）ことがより望ましい。したがって、第２色素が放射する光は、第１色素が吸収する光よりも長波長である。本発明において第２色素として好適に用いることができる色素は、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１、（Ｉ））、ＤＣＭ−２（II）、およびＤＣＪＴＢ（III）などのシアニン色素；４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（IV）、ルモゲンＦレッド、ナイルレッド（Ｖ）などを含む。あるいはまた、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素、またはピリジン１などのピリジン系色素を用いてもよい。 The second dye is a dye that receives energy transferred from the first dye and emits light. Here, as described above, it is desirable that the emission spectrum of the first dye overlaps with the absorption spectrum of the second dye, and the maximum of the emission spectrum of the first dye and the absorption maximum of the second dye overlap ( Or is consistent). Therefore, the light emitted by the second dye has a longer wavelength than the light absorbed by the first dye. Dyes that can be suitably used as the second dye in the present invention are 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM-1, (I)), DCM- Cyanine dyes such as 2 (II) and DCJTB (III); 4,4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene (IV), lumogen F red, Nile red (V), etc. are included. Alternatively, xanthene dyes such as rhodamine B and rhodamine 6G, or pyridine dyes such as pyridine 1 may be used.
第２色素の濃度の下限は、後述する工程で色変換層を形成した際に、十分な変換光強度が得られることを条件として、第１および第２色素の種類、あるいは目的とする用途に依存して変化し得る。一般的には、本発明の色変換材料における第２色素の好ましい濃度は、該色変換材料の全重量を基準にして、１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜５重量％の範囲内である。 The lower limit of the concentration of the second dye is the kind of the first and second dyes or the intended use, provided that sufficient converted light intensity is obtained when the color conversion layer is formed in the process described later. It can vary depending on the situation. In general, the preferred concentration of the second dye in the color conversion material of the present invention is 10% by weight or less, preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably based on the total weight of the color conversion material. It is in the range of 0.1 to 5% by weight.
ホスト・ゲスト型を構成する２種類の色変換材料（第１色素および第２色素）を含む場合の別の例としては、以下のものを挙げることができる。すなわち、ホスト材料（第１色素）としては、ＢＡＰＰ、ＣｚＰＰ、ＣｚＢＰなどのような高分子量ペリレン系材料（特願２００４−１１５４４１号公報（特許文献６））、アリールアミノ基が結合したアザフルオランテン骨格を有するアザ芳香族化合物（特開２００３−２１２８７５号公報（特許文献７））、アミノ基と結合したフルオランテン骨格を有する縮合芳香族化合物（特開２００３−２３８５１６号公報（特許文献８））、アミノ基を有するトリフェニレン芳香族化合物（特開２００３−８１９２４号公報（特許文献９））、または、アミノ基を有するペリレン系芳香族化合物（国際公開第２００３／０４２８６８号パンフレット（特許文献１０））を挙げることができる。一方、ゲスト材料（第２色素）としては、ＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなどのジシアニン系色素；１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジウム−パークロレート（ピリジン−１）等のピリジン系材料；ローダミン系のキサンテン系材料；オキサジン系材料；クマリン系色素；アクリジン色素；その他の縮合芳香族環材料（ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、チアジアゾールの類縁複素環骨格が縮環したベンゾイミダゾール化合物、ポルフィリン誘導体化合物、キナクリドン系化合物、ビス（アミノスチル）ナフタレン化合物など）を挙げることができる。 As another example in the case of including two types of color conversion materials (first dye and second dye) constituting the host / guest type, the following can be mentioned. That is, as a host material (first dye), a high molecular weight perylene-based material (Japanese Patent Application No. 2004-115441 (Patent Document 6)) such as BAPP, CzPP, and CzBP, and azafluorane to which an arylamino group is bonded. Aza aromatic compound having a ten skeleton (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-212875 (Patent Document 7)), a condensed aromatic compound having a fluoranthene skeleton bonded to an amino group (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-238516 (Patent Document 8)) A triphenylene aromatic compound having an amino group (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-81924 (Patent Document 9)), or a perylene-based aromatic compound having an amino group (International Publication No. 2003/042868 (Patent Document 10)). Can be mentioned. On the other hand, as a guest material (second dye), dicyanine dyes such as DCM-1, DCM-2, and DCJTB; 1-ethyl-2- (4- (p-dimethylaminophenyl) -1,3-butadienyl) -Pyridine-based materials such as pyridium-perchlorate (pyridine-1); rhodamine-based xanthene-based materials; oxazine-based materials; coumarin-based dyes; acridine dyes; other condensed aromatic ring materials (diketopyrrolo [3,4-c] Pyrrole derivatives, benzimidazole compounds condensed with an analogous heterocyclic skeleton of thiadiazole, porphyrin derivative compounds, quinacridone compounds, bis (aminostil) naphthalene compounds, and the like.
本発明でホスト・ゲスト型の蒸着材料を用いて、カラー有機ＥＬ素子の色変換層を形成する場合、光を発する色素は第２色素であるので、第２色素が濃度消光を起こさないことが重要である。第２色素が濃度消光を起こすと、色変換の効率が低下するからである。本発明の色変換材料における第２色素の濃度の上限は、濃度消光を起こさないことを条件として、第１および第２色素の種類に依存して変化し得る。このような範囲内の濃度で第２色素を用いることによって、濃度消光を防止すると同時に、十分な変換光強度を得ることが可能となる。色変換層における好ましい第１色素および第２色素の濃度は、先に色変換材料の説明で述べた濃度範囲である。すなわち、ゲスト材料の含有量は、色変換材料の全重量を基準にして１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、より好ましくは０．１〜５重量％の範囲内である。 In the present invention, when a color conversion layer of a color organic EL element is formed using a host / guest type vapor deposition material, since the dye emitting light is the second dye, the second dye may not cause concentration quenching. is important. This is because when the second dye undergoes concentration quenching, the efficiency of color conversion decreases. The upper limit of the density | concentration of the 2nd pigment | dye in the color conversion material of this invention can change depending on the kind of 1st and 2nd pigment | dye, on the condition that density | concentration quenching does not raise | generate. By using the second dye at a concentration within such a range, it is possible to prevent concentration quenching and at the same time obtain a sufficient converted light intensity. The preferred concentration of the first dye and the second dye in the color conversion layer is the concentration range described above in the description of the color conversion material. That is, the content of the guest material is 10% by weight or less, preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight, based on the total weight of the color conversion material.
第２の工程（図２（Ａ）〜（Ｂ））は、透光性支持体の第２の面１０６からレーザー光を照射し、基板１２０上に蒸着材料１１６のパターンを形成する工程である。この工程では、まず、透光性支持体を、基板とは離間しているが近接した位置に配置し、透光性支持体の第２の面１０６側からレーザー光を、光学系１２２を介して面照射する。レーザー光は、レーザー吸収層１１４において吸収され、熱を発生する波長を含むものを用いればよいが、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、色素レーザーなどを用いることができる。また、レーザーのパルスエネルギー密度は０．１〜１Ｊ／ｃｍ２である。
The second step (FIGS. 2A to 2B) is a step of forming a pattern of the
また、離間して配置される透光性支持体と基板間の距離は、好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。 In addition, the distance between the translucent support and the substrate disposed separately is preferably 100 μm to 500 μm.
本発明では１種類のレーザー光源１２４を用いて、透光性支持体の第２の面１０６から透光性支持体全面を面照射するように構成される。この面照射により、透光性支持基板上の、レーザー反射層および断熱層の形成されていない領域のレーザー吸収層でレーザー光が吸収され、熱に変換されて、蒸着材料を昇華または蒸発させる。これにより、基板１２０上に蒸着材料のパターンが形成される。このように、本発明では、ベース膜の裏面より光学系で広げられたレーザー光が、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分でのみ蒸着材料を蒸発させて、基板に蒸着材料を蒸着させる（図２（Ａ））。このようにして、図２（Ｂ）に示すようなパターニングされた蒸着材料が基板１２０上に形成される。
In the present invention, one type of
蒸着材料をレーザー蒸着によって体積させる基板１２０は、蒸着材料が堆積できるものであれば特に限定されない。ガラス基板、石英、プラスチックなどの高分子材料からなる基板、あるいは、後述するカラーフィルタ基板または有機ＥＬ素子などを例として挙げることができる。
There is no particular limitation on the
また、本発明で用いる光学系１２２は、レーザー光を面照射させることができるものであれば特に限定されない。例えば、レンズまたはレンズの組み合わせを用いて、レーザー光を面照射できるようにしたものなど、従来から面照射用に通常用いられるものを用いればよい。また、透光性支持体へレーザー光が斜め照射するのを防止する必要がある場合には、光学系は、レーザー光が透光性支持体へ垂直に入射するような機構（凹レンズと凸レンズの組み合わせなど）を含んでいてもよい。
In addition, the
本発明では、基板、ベース膜が形成されている透光性支持体、レーザー出射装置などは、減圧可能な真空チャンバー（図示せず）を有する装置内の、該真空チャンバ内に支持されている。 In the present invention, a substrate, a translucent support on which a base film is formed, a laser emitting device, and the like are supported in the vacuum chamber in a device having a vacuum chamber (not shown) that can be decompressed. .
本発明では、蒸着材料を所定の膜厚で形成するために、必要に応じて同じパターンを形成できる透光性支持体を用いて、蒸着を繰り返すこともできる。 In this invention, in order to form vapor deposition material with a predetermined film thickness, vapor deposition can also be repeated using the translucent support body which can form the same pattern as needed.
さらに、図示していないが、既に蒸着した材料とは異なる蒸着材料を用いて、別途調製した透光性支持体を基板の別の位置に離間配置して、上記のようなレーザーによる蒸着を行うことで、異なる材料からなる別の蒸着材料のパターンを形成することもできる。 Further, although not shown in the drawing, a vapor-deposited material different from the previously vapor-deposited material is used, and a separately prepared translucent support is arranged at a different position on the substrate, and the above-described vapor deposition is performed. Thereby, the pattern of another vapor deposition material which consists of a different material can also be formed.
本発明の第２の形態は、（ＩＩ）色変換フィルタ基板の製造方法である。この製造方法は、（ａ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、（ア）パターニングしたレーザー反射層、（イ）パターニングした断熱層、（ウ）レーザー吸収層、および（エ）色変換機能を有する蒸着材料を順次成膜してベース膜を形成する工程と、（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。 The second aspect of the present invention is (II) a method for manufacturing a color conversion filter substrate. In this manufacturing method, (a) a translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and (a) patterning is performed on the first surface of the translucent support. A step of forming a base film by sequentially forming a laser reflection layer, (a) a patterned heat insulation layer, (c) a laser absorption layer, and (d) a deposition material having a color conversion function, and (b) one type Or a step of providing a color filter substrate on which a plurality of types of color filter layers are formed, and (c) the color filter substrate is disposed apart from the first surface of the translucent support, and the translucent support is provided. A laser beam is irradiated from the second surface of the body, and a vapor deposition material having the color conversion function is deposited on the color filter substrate in a portion where the laser reflecting layer and the heat insulating layer are not formed, and a pattern of the color conversion layer is formed. Including a step of forming
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の色変換フィルタ基板の製造工程を示す図である。本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、工程（ａ）は、先に本発明の第１の形態で説明した工程（１）と同じであり、本発明の第１の形態と同じ手順をとることができる。但し、第１の実施形態において、蒸着材料として色変換材料を成膜しておき、複数の異なる種類の色変換層を形成する場合には、目的の種類の色変換材料（例えば、１１６ａまたは１１６ｂ）を含むベース膜を成膜した透光性支持体を作成しておく。以下では、工程（ｂ）および（ｃ）について説明する。 3A to 3C are views showing a manufacturing process of the color conversion filter substrate of the present invention. In the method for manufacturing a color conversion filter substrate of the present invention, the step (a) is the same as the step (1) described in the first embodiment of the present invention, and the same procedure as that of the first embodiment of the present invention is performed. Can take. However, in the first embodiment, when a color conversion material is deposited as an evaporation material and a plurality of different types of color conversion layers are formed, the target type of color conversion material (for example, 116a or 116b) is used. ) Is prepared in advance. Below, process (b) and (c) are demonstrated.
工程（ｂ）において、基板２１０の上に１つまたは複数種のカラーフィルタ層２００を形成する（図３（Ａ）。図３においては、３種のカラーフィルタ層２００（ａ，ｂ，ｃ）を形成した例を示した。カラーフィルタ層２００は、フラットパネルディスプレイ用材料として市販されている任意の材料を用い、該材料に対応した既知の方法によって塗布およびパターン化を行うことによって形成することができる。また、任意選択的であるが、カラーフィルタ層の上に、可視域における透明性、電気絶縁性、ならびに水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有するポリマー材料からなる平坦化層２２０を形成して、その上面を平坦化してもよい。
In step (b), one or a plurality of types of color filter layers 200 are formed on the substrate 210 (FIG. 3A). In FIG. 3, the three types of color filter layers 200 (a, b, c) are formed. The color filter layer 200 is formed by coating and patterning by using a known method corresponding to the material using any material commercially available as a flat panel display material. Also, optionally, a
次に、工程（ｃ）（図３（Ｂ））に従って、得られたカラーフィルタ層を形成した基板に工程（ａ）で成膜した色変換材料を蒸着し、色変換フィルタ層を形成する。 Next, according to the step (c) (FIG. 3B), the color conversion material formed in the step (a) is vapor-deposited on the substrate on which the obtained color filter layer has been formed to form a color conversion filter layer.
パターン化された色変換層２３０ａは、１つまたは複数種のカラーフィルタ層２００のいずれかと対応する位置に形成される。例えば、図３に示した構成例では、色変換層２３０ａ（たとえば、赤色）は、カラーフィルタ層２００ａ（たとえば、赤色）に対応する位置に形成されている。
The patterned
本発明では、工程（ｃ）を複数回繰り返すことで所定の膜厚を有する色変換層のパターンを形成することができる（図３（Ｃ））。さらに、別の色変換材料１１６ｂを含むベース膜を透光性支持体に形成したものを使用して、工程（ｃ）を繰り返すことで、別の色変換層（例えば、緑色変換層または必要であれば青色変換層）を形成することができる（図３（Ｃ）；図２（Ｃ）では緑色変換層２３０ｂを形成した例を示した。）。
In the present invention, the pattern of the color conversion layer having a predetermined film thickness can be formed by repeating the step (c) a plurality of times (FIG. 3C). Further, by using a base film containing another
なお、図３では、１つのサブピクセルについてのみ図示したが、同一の色変換材料を蒸着させるべき複数のサブピクセルに対しても、ベース膜を予めパターニングすることで、同時に色変換材料を蒸着することができる。 Although only one subpixel is illustrated in FIG. 3, the color conversion material is simultaneously deposited by patterning the base film in advance for a plurality of subpixels on which the same color conversion material is to be deposited. be able to.
本発明における色変換層２３０は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有する。 The color conversion layer 230 in the present invention preferably has a thickness of 1000 nm or less, more preferably 200 nm to 500 nm.
本発明の色変換フィルタ基板の製造方法の各工程の諸条件（色変換材料の種類やベース膜等の成膜条件等）は、第１の実施形態で先に説明した通りである。 The conditions of each step of the method for manufacturing the color conversion filter substrate of the present invention (such as the type of color conversion material and the film forming conditions such as the base film) are as described above in the first embodiment.
本発明の製造方法で得られた色変換フィルタ基板は、例えば、貼り合わせ型のカラー有機ＥＬ素子の色変換フィルタ基板として使用することができる。 The color conversion filter substrate obtained by the production method of the present invention can be used, for example, as a color conversion filter substrate for a bonded color organic EL element.
本発明の第３の形態（ＩＩＩ）はカラー有機ＥＬ素子の製造方法である。この製造方法は、（ｉ）第１の面とこれに対向する第２の面を有する透光性支持体を準備し、この透光性支持体の第１の面上に、パターニングしたレーザー反射層および断熱層と、レーザー吸収層および色変換機能を有する蒸着材料を含むベース膜を成膜する工程と、（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。 The third embodiment (III) of the present invention is a method for producing a color organic EL device. In this manufacturing method, (i) a translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and a patterned laser reflection is formed on the first surface of the translucent support. (Ii) at least a pair of electrodes and an organic layer sandwiched between these electrodes on the substrate; and a step of forming a base film including a layer and a heat insulating layer, a laser absorption layer, and a vapor deposition material having a color conversion function. Providing the formed organic EL element substrate; (iii) disposing the organic EL element substrate spaced apart from the first surface of the translucent support; and second surface of the translucent support. A step of forming a pattern of the color conversion layer by irradiating the surface with laser light and evaporating the evaporation material having the color conversion function on the portion where the laser reflection layer and the heat insulation layer are not formed on the organic EL element substrate. It is characterized by including.
図４（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造工程を示す図である。本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法では、工程（ｉ）は、先に本発明の第１の形態で説明した工程（１）と同じであり、本発明の第１の形態と同じ手順をとることができる。但し、第１の実施形態において、蒸着材料として色変換材料を成膜しておき、複数の異なる種類の色変換層を形成する場合には、目的の種類の色変換材料（例えば、１１６ａまたは１１６ｂ）を含むベース膜を成膜した透光性支持体を作成しておく。以下では、工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）について説明する。図４では、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ素子基板を形成する場合の例である。 4 (A) to 4 (C) are diagrams showing a manufacturing process of the color organic EL element of the present invention. In the method for manufacturing a color organic EL device of the present invention, the step (i) is the same as the step (1) described in the first embodiment of the present invention, and the same procedure as that of the first embodiment of the present invention is performed. Can take. However, in the first embodiment, when a color conversion material is deposited as an evaporation material and a plurality of different types of color conversion layers are formed, the target type of color conversion material (for example, 116a or 116b) is used. ) Is prepared in advance. Below, process (ii) and (iii) are demonstrated. FIG. 4 shows an example of forming an active matrix organic EL element substrate.
基板３１０は、上記本発明の第１の形態で説明したものと同様の材料を用いて形成してもよい。しかしながら、基板３１０は光の経路とはならないため、シリコンなどの半導体あるいはセラミックのような光学的に不透明な材料を基板３１０として用いることができる。
The
工程（ｉｉ）においては、最初に、基板３１０の上にスイッチング素子３００を形成する（図４（Ａ））。スイッチング素子３００は、ＴＦＴ、ＭＩＭのような当該技術において知られている任意の構造であってもよい。スイッチング素子３００は任意の既知の方法で形成することができる。任意選択的であるが、スイッチング素子３００と反射電極３０２とを接続する端子部分を除いて、スイッチング素子３００を覆ってその上面を平坦化する平坦化絶縁膜３０４を形成してもよい。平坦化絶縁膜３０４は、当該技術において知られている任意の材料および方法を用いて形成することができる。
In step (ii), first, the switching
反射電極３０２は、本実施形態のカラー有機ＥＬ素子の独立した発光部を画定する電極であり、複数の部分電極から構成され、該部分電極のそれぞれはスイッチング素子３００と１対１に接続される。反射電極３０２は、高反射率の金属（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなど）、アモルファス合金（ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなど）、微結晶性合金（ＮｉＡｌなど）を用いて、蒸着法などのドライプロセスによって形成することができる。また、任意選択的であるが、反射電極３０２の複数の部分電極の間隙に、絶縁性金属酸化物（ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＯｘなど）あるいは絶縁性金属窒化物（ＡｌＮ、ＳｉＮなど）などを用いて、絶縁膜（図示せず）を形成してもよい。
The
次いで、反射電極３０２の上に有機ＥＬ層３２０を形成する。有機ＥＬ層３２０は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、有機ＥＬ素子基板は陰極および陽極を含めて下記のような層構造からなるものが採用される。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構成において、陽極および陰極は、反射電極３０２または透明電極３３０のいずれかである。
Next, the
(1) Anode / organic light emitting layer / cathode (2) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode (3) Anode / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / organic Light emitting layer / electron injection layer / cathode (5) Anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode (6) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / Cathode (7) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode In the above layer structure, the anode and the cathode are either the
有機ＥＬ層３２０を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。また、有機ＥＬ層３２０を構成する各層は、蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。たとえば、青色から青緑色の発光を得るための有機発光層の材料としては、たとえばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。
As a material of each layer constituting the
正孔注入層の材料としては、Ｐｃ類（ＣｕＰｃなどを含む）またはインダンスレン系化合物などを用いることができる。正孔輸送層は、トリアリールアミン部分構造、カルバゾール部分構造、オキサジアゾール部分構造を有する材料を用いて形成することができる。用いることができる材料は、好ましくは、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＭＴＤＡＰＢ（ｏ−，ｍ−，ｐ−）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡなどを含む。 As a material for the hole injection layer, Pc (including CuPc) or indanthrene compounds can be used. The hole transport layer can be formed using a material having a triarylamine partial structure, a carbazole partial structure, or an oxadiazole partial structure. Materials that can be used preferably include TPD, [alpha] -NPD, MTDAPB (o-, m-, p-), m-MTDATA, and the like.
電子輸送層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体；ＰＢＤ、ＴＰＯＢのようなオキサジアゾール誘導体；ＴＡＺのようなトリアゾール誘導体；以下に示す構造を有するもののようなトリアジン誘導体；フェニルキノキサリン類；ＢＭＢ−２Ｔのようなチオフェン誘導体などを用いることができる。電子注入層の材料としては、Ａｌｑ３のようなアルミニウム錯体、あるいはアルカリ金属ないしアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムのキノリノール錯体などを用いることができる。 Materials for the electron transport layer include aluminum complexes such as Alq 3 ; oxadiazole derivatives such as PBD and TPOB; triazole derivatives such as TAZ; triazine derivatives such as those having the structure shown below; phenylquinoxalines; A thiophene derivative such as BMB-2T can be used. As the material for the electron injection layer, an aluminum complex such as Alq 3 or an aluminum quinolinol complex doped with an alkali metal or an alkaline earth metal can be used.
続いて、有機ＥＬ層３２０の上に、透明電極３３０を形成する。透明電極３３０は、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してＦ、Ｓｂなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いて形成することができる。透明電極３３０は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成され、好ましくはスパッタ法を用いて形成される。
Subsequently, a
上記のようにして形成された、反射電極、有機ＥＬ層および透明電極は、平坦化層および／またはパッシベーション層３４０によって保護されてもよい。平坦化層およびパッシベーション層の材料には、公知のものが使用される。例えば、平坦化層としては、ポリマー材料を用いる場合には、イミド変性シリコーン樹脂、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂、フッ素系樹脂、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を挙げることができる。また、パッシベーション層は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。パッシベーション層として、上記平坦化層で述べた種々のポリマー材料を用いることもできる。平坦化層およびパッシベーション層の形成方法は特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成できる。平坦化層およびパッシベーション層の膜厚等の条件は従来の通りである。
The reflective electrode, the organic EL layer, and the transparent electrode formed as described above may be protected by the planarization layer and / or the
なお、本発明は、上述のアクティブ型のカラー有機ＥＬ素子のみではなく、パッシブ型のカラー有機ＥＬ素子も製造することができる。この場合には、工程（ｉｉ）において、例えば図５に示すような、パッシブ型の有機ＥＬ素子基板４００を形成すればよい。この有機ＥＬ素子基板４００は、例えば、以下のように製造することができる。基板４１０の上にストライプ状の第１電極４１２をフォトリソグラフィー法等の従来の方法で形成する。次いで、上述のように有機ＥＬ層４１４を形成し、第１電極と交差する方向に透明な第２電極４１６をフォトリソグラフィー法等の従来の方法で形成する。パッシブ型の有機ＥＬ素子基板を製造する際には、第１電極、有機ＥＬ層および透明電極は、平坦化層および／またはパッシベーション層４２０によって保護することが好ましい。平坦化層およびパッシベーション層の材料には、上述のような公知のものが使用できる。
In addition, this invention can manufacture not only the above-mentioned active color organic EL element but a passive color organic EL element. In this case, in the step (ii), a passive organic
次に、工程（ｉｉｉ）に従って、得られた有機ＥＬ素子基板に工程（ｉ）で成膜した色変換材料をレーザー蒸着する（図４（Ｂ）〜（Ｃ））。 Next, according to the step (iii), the color conversion material formed in the step (i) is laser-deposited on the obtained organic EL element substrate (FIGS. 4B to 4C).
パターン化された色変換層２３０ａは、１つまたは複数種の画素のいずれかと対応する位置に形成される。例えば、図４に示した構成例では、色変換層２３０ａ（たとえば、赤色）は、１つの画素（たとえば、赤色）に対応する位置に形成されている。
The patterned
本発明では、工程（ｉｉｉ）を複数回繰り返すことで所定の膜厚を有する色変換層のパターンを形成することができる。さらに、別の色変換材料１１６ｂを含むベース膜を透光性支持体に形成したものを使用して、工程（ｉｉｉ）を繰り返すことで、別の色変換層（例えば、緑色変換層または必要であれば青色変換層）を形成することができる（図４（Ｃ）；図４（Ｃ）では緑色変換層２３０ｂを形成した例を示した。）。
In the present invention, the pattern of the color conversion layer having a predetermined film thickness can be formed by repeating step (iii) a plurality of times. Furthermore, by using a base film containing another
本発明における色変換層２３０は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚を有する。 The color conversion layer 230 in the present invention preferably has a thickness of 1000 nm or less, more preferably 200 nm to 500 nm.
なお、図４では、１つのサブピクセルについてのみ図示したが、同一の色変換材料を蒸着させるべき複数のサブピクセルに対しても、ベース膜を予めパターニングすることで、同時に色変換材料を蒸着することができる。 Although only one subpixel is illustrated in FIG. 4, the color conversion material is simultaneously deposited by patterning the base film in advance for a plurality of subpixels on which the same color conversion material is to be deposited. be able to.
本発明のカラー有機ＥＬ素子では、必要に応じて、成膜された色変換層の上にさらにカラーフィルタ層等の必要な層を形成し、色変換フィルタ層としてもよい。カラーフィルタ層等の形成は、従来の手順を用いればよい。 In the color organic EL device of the present invention, if necessary, a necessary layer such as a color filter layer may be further formed on the formed color conversion layer to form a color conversion filter layer. A conventional procedure may be used to form the color filter layer and the like.
本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法の各工程の諸条件（色変換材料の種類やベース膜等の成膜条件等）は、第１の実施形態または第２の実施形態で先に説明した通りである。 The conditions of each step of the manufacturing method of the color organic EL element of the present invention (the type of color conversion material, the film forming conditions such as the base film, etc.) were described above in the first embodiment or the second embodiment. Street.
これまでに説明した本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法は、トップエミッション方式のアクティブ型およびパッシブ型カラー有機ＥＬ素子を作製する場合の例であるが、本発明のカラー有機ＥＬ素子の製造方法はこれらに限定されない。例えば、本発明の第２の態様で得られた色変換フィルタ基板と、上述のアクティブ型の有機ＥＬ素子基板を貼り合わせることによってもトップエミッション方式のカラー有機ＥＬ素子を製造することができる。さらに、本発明の第２の態様で得られた色変換フィルタ基板の基板２１０を透明基板とし、この色変換フィルタ基板上に、上述のような平坦化層およびパッシベーション層およびパッシブ型有機ＥＬ素子を順次形成することで、ボトムエミッション方式のパッシブ型カラー有機ＥＬ素子を形成することができる。
The manufacturing method of the color organic EL element of the present invention described so far is an example of manufacturing a top emission type active type and passive type color organic EL element, but the manufacturing method of the color organic EL element of the present invention. Is not limited to these. For example, a top emission type color organic EL element can also be produced by bonding the color conversion filter substrate obtained in the second aspect of the present invention and the above-mentioned active organic EL element substrate. Further, the
（実施例１）
４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）、０．７ｍｍｔのガラス基板にベース膜を形成した。まず、フォトリソグラフィーでＡｇからなる反射層１００ｎｍ、および、ポリイミドからなる断熱層２μｍを形成した。レーザー反射層および断熱層の間は３０μｍとしてパターニングした。その上にＣｒからなるレーザー吸収層１００ｎｍをスパッタ法で形成し、次いで、ＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を３００ｎｍ蒸着により形成した。
(Example 1)
A base film was formed on a glass substrate of 400 cm 2 (length 200 mm × width 200 mm) and 0.7 mmt. First, a reflective layer 100 nm made of Ag and a heat insulating layer 2 μm made of polyimide were formed by photolithography. The space between the laser reflecting layer and the heat insulating layer was patterned to 30 μm. A laser absorption layer 100 nm made of Cr was formed thereon by sputtering, and then CzPP (polymeric perylene material): DCJTB (5 mass%) was formed by 300 nm vapor deposition.
あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向してベース膜を形成した透光性支持体を保持した。ＴＦＴ基と透光性支持体間の距離を２５０μｍとした。ＴＦＴ基板および支持体を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。 A 400 cm 2 (length 200 mm × width 200 mm) TFT substrate on which an OLED was formed in advance was held in a vacuum vessel, and a translucent support having a base film formed on the TFT substrate was held. The distance between the TFT group and the translucent support was 250 μm. After installing the TFT substrate and the support, the vacuum vessel was depressurized to 10 −3 Pa or less.
レーザーを照射する（図４のように光学系によりレーザー光を面照射させた）（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）と、レーザー反射層および断熱層のついていない部分のＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）が加熱され、蒸発してＴＦＴ基板に蒸着された。このときのパターン幅は３２μｍであった。 When laser irradiation is performed (laser light is irradiated on the surface by an optical system as shown in FIG. 4) (excimer laser: 0.54 J / cm 2 ), CzPP (polymer perylene) in a portion where the laser reflecting layer and the heat insulating layer are not attached. Material): DCJTB (5 mass%) was heated, evaporated and deposited on the TFT substrate. The pattern width at this time was 32 μm.
このように本発明ではメタルマスクの限界（２００ｐｐｉ＝４０μｍ幅）以下のパターンを形成することが可能であった。 As described above, in the present invention, it was possible to form a pattern having a metal mask limit (200 ppi = 40 μm width) or less.
（比較例１）
４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）、０．７ｍｍｔのガラス基板上にＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を３００ｎｍの膜圧で蒸着した。すなわち、レーザー反射層、断熱層およびレーザー吸収層を形成せずに、実施例１と同様にＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を形成した。
(Comparative Example 1)
CzPP (polymeric perylene material): DCJTB (5 mass%) was vapor-deposited at a film pressure of 300 nm on a 400 cm 2 (length 200 mm × width 200 mm), 0.7 mmt glass substrate. That is, CzPP (polymer perylene material): DCJTB (5 mass%) was formed in the same manner as in Example 1 without forming the laser reflection layer, the heat insulation layer, and the laser absorption layer.
あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向して、ＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）を成膜した上記ガラス基板を保持した。ＴＦＴ基板とガラス基板間の距離を２５０μｍとした。両基板を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。 A TFT substrate of 400 cm 2 (length 200 mm × width 200 mm) on which an OLED was formed in advance was held in a vacuum vessel, and CzPP (polymer perylene material): DCJTB (5 mass%) was formed to face the TFT substrate. The glass substrate was held. The distance between the TFT substrate and the glass substrate was 250 μm. After installing both substrates, the vacuum vessel was depressurized to 10 −3 Pa or less.
レーザー光源は光学系を用いることなく、ベース膜の裏面より照射（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）して、３２μｍのパターンをＴＦＴ基板上に転写した。レーザー光源を移動させ次のパターンを転写した。この動作を繰り返し、４００ｃｍ２基板のパターンをすべて形成した。 The laser light source was irradiated from the back surface of the base film (excimer laser: 0.54 J / cm 2 ) without using an optical system, and a 32 μm pattern was transferred onto the TFT substrate. The laser light source was moved to transfer the next pattern. This operation was repeated to form all 400 cm 2 substrate patterns.
比較例１の場合、４００ｃｍ２上のパターン形成時間は実施例１のパターン形成時間の５倍の時間を要した。 In the case of Comparative Example 1, the pattern formation time on 400 cm 2 required 5 times the pattern formation time of Example 1.
このように実施例１の方法を用いればメタルマスクの限界以下のパターンが形成可能であり、且つ、スループットを高くすることができる。 Thus, if the method of Example 1 is used, a pattern below the limit of the metal mask can be formed, and the throughput can be increased.
（比較例２）
ポリイミドからなる断熱層を形成しなかった以外実施例１と同様にベース膜を形成した。次いで、あらかじめＯＬＥＤを形成した４００ｃｍ２（縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ）のＴＦＴ基板を真空容器内に保持し、ＴＦＴ基板に対向して、上述のようにベース膜を形成した透光性支持体を保持した。ＴＦＴ基板と透光性支持体間の距離を２５０μｍとした。基板および支持体を設置後、真空容器を減圧し、１０−３Ｐａ以下とした。
(Comparative Example 2)
A base film was formed in the same manner as in Example 1 except that the heat insulating layer made of polyimide was not formed. Next, a 400 cm 2 (length 200 mm × width 200 mm) TFT substrate on which an OLED is formed in advance is held in a vacuum container, and the translucent support on which the base film is formed as described above is held facing the TFT substrate. did. The distance between the TFT substrate and the translucent support was 250 μm. After installing the substrate and the support, the vacuum vessel was depressurized to 10 −3 Pa or less.
レーザーを照射する（図４のように光学系を介して面照射した）（エキシマレーザー：０．５４Ｊ／ｃｍ２）と、レーザー反射層の形成されていない部分のＣｚＰＰ（高分子ペリレン材料）：ＤＣＪＴＢ（５質量％）が加熱され、蒸発してＴＦＴ基板に蒸着された。 When laser irradiation is performed (surface irradiation is performed through an optical system as shown in FIG. 4) (excimer laser: 0.54 J / cm 2 ), CzPP (polymer perylene material) in a portion where a laser reflecting layer is not formed: DCJTB (5% by mass) was heated, evaporated and deposited on the TFT substrate.
しかしながら、この比較例のようにポリイミドからなる断熱層を形成しなかった構成では、レーザー反射層により形成されているパターン以外の部分で一部蒸着材料が転写され、パターン不良が生じた。これは断熱層を形成せず、反射層だけでベース膜をパターニングすると、レーザー光による熱が蒸着材料の転写部分以外にも伝達され、断熱が不十分となるためであると考えられる。 However, in the configuration in which the heat insulating layer made of polyimide was not formed as in this comparative example, a part of the vapor deposition material was transferred at a portion other than the pattern formed by the laser reflecting layer, resulting in a pattern defect. This is considered to be because if the base film is patterned only with the reflective layer without forming the heat insulating layer, the heat from the laser light is transmitted to other than the transferred portion of the vapor deposition material, and the heat insulation becomes insufficient.
１０２ 透光性支持体
１０４ 第１の面
１０６ 第２の面
１０８ ベース膜
１１０ レーザー反射層
１１２ 断熱層
１１４ レーザー吸収層
１１６ 蒸着材料
１２０、２１０、３１０、４１０ 基板
２２０ 平坦化層
２３０、２３０ａ、２３０ｂ 色変換層
２００ａ、２００ｂ、２００ｃ カラーフィルタ層
３００ スイッチング素子
３０２ 反射電極
３０４ 平坦化絶縁膜
３２０、４１４ 有機ＥＬ層
３３０ 透明電極
３４０、４２０ 平坦化層および／またはパッシベーション層
４００ 有機ＥＬ素子基板
４１２ 第１電極
４１６ 第２電極
102
Claims (6)
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）蒸着材料
（２）前記透光性支持体の第１の面に離間して基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記蒸着材料を前記基板に蒸着させ、前記基板上に蒸着材料のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするレーザー蒸着方法。 (1) A translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and the following layers are sequentially formed on the first surface of the translucent support: Forming a base film;
(A) Patterned laser reflecting layer (b) Patterned heat insulating layer (c) Laser absorbing layer, and (d) Vapor deposition material (2) A substrate is disposed apart from the first surface of the translucent support. The laser beam is irradiated from the second surface of the translucent support, the portion of the vapor deposition material where the laser reflecting layer and the heat insulating layer are not formed is vapor-deposited on the substrate, and the vapor deposition material is deposited on the substrate. A laser vapor deposition method comprising a step of forming a pattern.
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）色変換機能を有する蒸着材料
（ｂ）１種または複数種のカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板を提供する工程と、
（ｃ）前記透光性支持体の第１の面に離間して前記カラーフィルタ基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記カラーフィルタ基板に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする色変換フィルタ基板の製造方法。 (A) A translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and the following layers are sequentially formed on the first surface of the translucent support: Forming a base film;
(A) Patterned laser reflection layer (b) Patterned heat insulation layer (c) Laser absorption layer, and (d) Vapor deposition material having color conversion function (b) Color filter formed with one or more color filter layers Providing a substrate; and
(C) The color filter substrate is disposed apart from the first surface of the translucent support, the surface of the translucent support is irradiated with laser light from the second surface, the laser reflection layer and the heat insulation A method for producing a color conversion filter substrate, comprising: depositing a vapor deposition material having a color conversion function in a portion where a layer is not formed on the color filter substrate to form a pattern of a color conversion layer.
（ア）パターニングしたレーザー反射層
（イ）パターニングした断熱層
（ウ）レーザー吸収層、および
（エ）色変換機能を有する蒸着材料
（ｉｉ）少なくとも、一対の電極とこれらの電極間に挟持され有機層が基板上に形成された有機ＥＬ素子基板を提供する工程と、
（ｉｉｉ）前記透光性支持体の第１の面に離間して有機ＥＬ素子基板を配置し、前記透光性支持体の第２の面からレーザー光を面照射し、レーザー反射層および断熱層が形成されていない部分の前記色変換機能を有する蒸着材料を前記有機ＥＬ素子基板上に蒸着させ、色変換層のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするカラー有機ＥＬ素子の製造方法。 (I) A translucent support having a first surface and a second surface facing the first surface is prepared, and the following layers are sequentially formed on the first surface of the translucent support: Forming a base film;
(A) Patterned laser reflection layer (b) Patterned heat insulation layer (c) Laser absorption layer, and (d) Vapor deposition material having color conversion function (ii) At least a pair of electrodes and organic sandwiched between these electrodes Providing an organic EL element substrate having a layer formed on the substrate;
(Iii) An organic EL element substrate is disposed apart from the first surface of the translucent support, and laser light is irradiated from the second surface of the translucent support, and the laser reflection layer and the heat insulation A method for producing a color organic EL element comprising a step of vapor-depositing a vapor deposition material having a color conversion function in a portion where no layer is formed on the organic EL element substrate to form a pattern of a color conversion layer .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006243384A JP2008066147A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006243384A JP2008066147A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008066147A true JP2008066147A (en) | 2008-03-21 |
Family
ID=39288671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006243384A Withdrawn JP2008066147A (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008066147A (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009123692A (en) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device, and substrate for evaporation |
| JP2009174048A (en) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Evaporation doner substrate, method for manufacturing evaporation doner substrate, and method for manufacturing light-emitting device |
| WO2009099002A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009272301A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device |
| JP2009277649A (en) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film deposition method, and manufacturing method for light-emitting element |
| JP2009277651A (en) * | 2008-04-14 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Deposition substrate and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009277606A (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film-forming method and production method of light-emitting device |
| JP2010034022A (en) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Sony Corp | Donor substrate, and manufacturing method of display |
| JP2010062143A (en) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of fabricating light emitting device |
| JP2010086840A (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Toray Ind Inc | Patterning method, and device manufacturing method using the same |
| JP2010121207A (en) * | 2008-10-20 | 2010-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Deposition substrate, method for depositing film and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2010153173A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate for film-formation, and method of manufacturing light emitting device |
| JP2010199095A (en) * | 2008-06-25 | 2010-09-09 | Sony Corp | Donor substrate and manufacturing method of display device |
| JP2010218895A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film formation substrate, film forming method, and method of manufacturing light emitting device |
| WO2010122937A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and film formation substrate |
| KR100994500B1 (en) | 2008-11-03 | 2010-11-15 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Apparatus for organic thin film formation |
| JP2011023731A (en) * | 2009-09-15 | 2011-02-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method and device for manufacturing microstructure |
| JP2011124124A (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate for deposition, method of manufacturing the same, and method of manufacturing light emitting element |
| WO2013041336A1 (en) * | 2011-09-19 | 2013-03-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Transfer masks for the local vapour deposition of substrates and a process for the production thereof |
| US8734915B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film-formation method and manufacturing method of light-emitting device |
| JP2020057605A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Self light-emitting display device |
-
2006
- 2006-09-07 JP JP2006243384A patent/JP2008066147A/en not_active Withdrawn
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9444051B2 (en) | 2007-10-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate |
| JP2013033752A (en) * | 2007-10-23 | 2013-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Deposition method |
| KR101547168B1 (en) | 2007-10-23 | 2015-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Method of manufacturing light-emitting device and evaporation donor substrate |
| JP2009123692A (en) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device, and substrate for evaporation |
| US9159923B2 (en) | 2007-12-26 | 2015-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation donor substrate, method for manufacturing the same, and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009174048A (en) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Evaporation doner substrate, method for manufacturing evaporation doner substrate, and method for manufacturing light-emitting device |
| WO2009099002A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
| US8821963B2 (en) | 2008-02-04 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing light-emitting device |
| US8734915B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film-formation method and manufacturing method of light-emitting device |
| JP2009272301A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method for light-emitting device |
| US8653543B2 (en) | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition substrate and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009277651A (en) * | 2008-04-14 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Deposition substrate and method for manufacturing light-emitting device |
| JP2009277649A (en) * | 2008-04-15 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film deposition method, and manufacturing method for light-emitting element |
| JP2009277606A (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film-forming method and production method of light-emitting device |
| US8377848B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-02-19 | Sony Corporation | Donor substrate and method of manufacturing display |
| JP4600569B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | Method for manufacturing donor substrate and display device |
| JP2010034022A (en) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Sony Corp | Donor substrate, and manufacturing method of display |
| JP2010199095A (en) * | 2008-06-25 | 2010-09-09 | Sony Corp | Donor substrate and manufacturing method of display device |
| JP2010062143A (en) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of fabricating light emitting device |
| JP2010086840A (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Toray Ind Inc | Patterning method, and device manufacturing method using the same |
| JP2010121207A (en) * | 2008-10-20 | 2010-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Deposition substrate, method for depositing film and method for manufacturing light-emitting device |
| US8486736B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
| KR100994500B1 (en) | 2008-11-03 | 2010-11-15 | 엘아이지에이디피 주식회사 | Apparatus for organic thin film formation |
| JP2010153173A (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate for film-formation, and method of manufacturing light emitting device |
| JP2010218895A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film formation substrate, film forming method, and method of manufacturing light emitting device |
| WO2010122937A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and film formation substrate |
| US8618568B2 (en) | 2009-04-22 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and film formation substrate |
| JP2010257630A (en) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of light-emitting device and substrate for deposition |
| JP2011023731A (en) * | 2009-09-15 | 2011-02-03 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method and device for manufacturing microstructure |
| KR101412181B1 (en) * | 2009-09-15 | 2014-06-25 | 폰 아르데네 게엠베하 | Method and device for locally depositing a material on a substrate |
| JP2011124124A (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Substrate for deposition, method of manufacturing the same, and method of manufacturing light emitting element |
| CN103958724A (en) * | 2011-09-19 | 2014-07-30 | 冯·阿德纳有限公司 | Transfer masks for the local vapour deposition of substrates and a process for the production thereof |
| JP2014531512A (en) * | 2011-09-19 | 2014-11-27 | フオン・アルデンネ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | TRANSFER MASK FOR DEPOSITION ON A SPECIFIC LOCATION OF A SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE TRANSFER MASK |
| KR101485842B1 (en) | 2011-09-19 | 2015-01-26 | 폰 아르데네 게엠베하 | Transfer masks for the local vapour deposition of substrates and a process for the production thereof |
| WO2013041336A1 (en) * | 2011-09-19 | 2013-03-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Transfer masks for the local vapour deposition of substrates and a process for the production thereof |
| JP2020057605A (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Self light-emitting display device |
| US11228012B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-01-18 | Lg Display Co., Ltd. | Self light-emitting display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008066147A (en) | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method | |
| TWI532229B (en) | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer | |
| KR101308203B1 (en) | Method of manufacturing an organic el display | |
| TWI280815B (en) | Organic EL display and its production method | |
| KR100495703B1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof and display used this light emitting device | |
| CN1898993A (en) | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including a color conversion element | |
| TW200914898A (en) | Color conversion filter and manufacturing method of the organic EL display | |
| JPWO2004036960A1 (en) | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
| KR20080110754A (en) | Light emitting device | |
| KR101095250B1 (en) | Organic el device and method of manufacturing same | |
| JP2007207656A (en) | Organic el-display | |
| JP2007164123A (en) | Color filter with color conversion function, organic el display and producing method thereof | |
| CN1902771A (en) | Thermal transfer of light-emitting dendrimers | |
| CN1898996A (en) | Method of making an electroluminescent device including a color filter | |
| TW201002123A (en) | Organic el display and manufacturing method thereof | |
| JP2009164117A (en) | Organic el device and method of manufacturing the same | |
| WO2009104563A1 (en) | Organic el display and manufacturing method thereof | |
| JP2008140621A (en) | Organic el display and its manufacturing method | |
| JP2008103256A (en) | Organic el light emitting device, and its manufacturing method | |
| KR101797959B1 (en) | Forming method for organic patterns and manufacturing method for organic light emitting display | |
| JP2009288476A (en) | Method of manufacturing color conversion substrate, method of manufacturing color conversion filter substrate, and method of manufacturing organic electroluminescent device | |
| WO2009099009A1 (en) | Organic el display and manufacturing method of the same | |
| JP4303031B2 (en) | Method for manufacturing substrate for organic electroluminescence device | |
| JP2008053202A (en) | Manufacturing method of organic el display | |
| JP2007172948A (en) | Organic el element and manufacturing method of same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080313 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091008 |