JP2008103256A - Organic el light emitting device, and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はパターニングされた色変換層の製造方法に関する。詳細には、本発明は、レーザーアブレーションによるパターニング工程を含む色変換層の製造方法に関する。さらに、本発明は、該色変換層の製造方法を含む有機ＥＬ素子の製造方法、ならびに当該製造方法によって製造された有機ＥＬ素子に関する。 The present invention relates to a method for producing a patterned color conversion layer. Specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a color conversion layer including a patterning step by laser ablation. Furthermore, this invention relates to the manufacturing method of the organic EL element containing the manufacturing method of this color conversion layer, and the organic EL element manufactured by the said manufacturing method.
表示装置に適用される発光素子の一例として、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機ＥＬ素子が知られている。有機ＥＬ素子は、薄膜の自発光型素子であり、低駆動電圧、高解像度、および低い視野角依存性といった優れた特徴を有する。このことから、有機ＥＬ素子およびそれを用いた表示装置（有機ＥＬ発光装置）の実用化に向けて様々な検討がなされている。 As an example of a light-emitting element applied to a display device, an organic EL element having a thin film laminated structure of an organic compound is known. The organic EL element is a thin-film self-luminous element and has excellent characteristics such as low drive voltage, high resolution, and low viewing angle dependency. For this reason, various studies have been made toward practical application of organic EL elements and display devices (organic EL light-emitting devices) using the same.
有機ＥＬ発光装置をマルチカラーまたはフルカラー化する方法として、近年では色変換方式が検討されている。この色変換方式では、発光源として有機ＥＬ素子を用い、その発光域の光を吸収し、可視光領域の蛍光を発光する蛍光材料を波長変換部（色変換層）として用いる（たとえば、特許文献１および２参照）。この方式では、白色以外の発光を行う有機ＥＬ素子を利用可能であるため、より輝度の高い有機ＥＬ素子を光源に適用することができる。また、従来、色変換方式では、青緑色の発光を行う有機ＥＬ素子が用いられてきたが、色純度の向上を目的として純青色の発光を行う有機ＥＬ素子の利用も検討されている（たとえば、特許文献３〜５参照）。 In recent years, a color conversion method has been studied as a method for making an organic EL light emitting device multicolor or full color. In this color conversion method, an organic EL element is used as a light source, a fluorescent material that absorbs light in the light emission region and emits fluorescence in the visible light region is used as a wavelength conversion unit (color conversion layer) (for example, Patent Documents). 1 and 2). In this method, since an organic EL element that emits light other than white can be used, an organic EL element having higher luminance can be applied to the light source. Conventionally, in the color conversion method, an organic EL element that emits blue-green light has been used, but the use of an organic EL element that emits pure blue light for the purpose of improving color purity is also being studied (for example, And Patent Documents 3 to 5).
有機ＥＬ発光装置において所望の位置に色変換層を設けるためには、全面に均一に設けられた色変換層をパターニングする方法が検討されてきた。色変換層のパターニング方法としては、（１）無機蛍光体の場合と同様に、蛍光色素を液状のレジスト（光反応性ポリマー）中に分散させ、これをスピンコート法などで成膜した後、蛍光色素／レジスト膜そのものをフォトリソグラフィー法でパターニングする方法（たとえば、特許文献２および６参照）、あるいは（２）塩基性バインダーと蛍光材料（蛍光色素または蛍光顔料）との分散物を成膜し、その上にフォトレジストをパターン状に形成して、パターン状フォトレジストをマスクとして塩基性バインダー／蛍光材料膜を酸性水溶液でエッチングする方法（特許文献７参照）などのウエット法が提案されてきている。
In order to provide a color conversion layer at a desired position in an organic EL light emitting device, a method of patterning a color conversion layer that is uniformly provided on the entire surface has been studied. As a patterning method for the color conversion layer, (1) the fluorescent dye is dispersed in a liquid resist (photoreactive polymer) as in the case of the inorganic phosphor, and this is formed by spin coating or the like, A method of patterning the fluorescent dye / resist film itself by photolithography (for example, see
ウエット法によるパターニングは、溶媒または水溶液等を現像液として用いるため、溶剤および水に弱い色変換層を含む有機ＥＬ素子の製造においては、保護層を設けるなどの多くの複雑な工程が必要であり、他の方法が望まれていた。 Since patterning by the wet method uses a solvent or an aqueous solution as a developing solution, many complicated processes such as providing a protective layer are required in the production of an organic EL device including a color conversion layer that is weak to the solvent and water. Other methods were desired.
上記のウエット法以外の方法としては、マスクを用いた蒸着法によって、色変換層をパターン状に形成する方法が提案されている（たとえば、特許文献８参照）。しかしながら、マスクを用いた蒸着では高精細なパターニングに限界がある。蒸着パターンが高精細になるとマスクで微細なパターンを作成することは困難になる。たとえば、マスクの開口部が小さくなりすぎるとエッチングによるマスク作製が不可能となり、開口部間の間隔が狭くなりすぎると作製したマスクの強度が不足する。また、高精細になればなるほど、マスクと被製膜基板（有機ＥＬ素子）との位置合わせ精度も厳しくなってくるという問題がある。これらのことから、マスク蒸着法の限界は２００ｐｐｉと言われている。さらに、マスク成膜においてはマスクにパーティクルが付着することがあり、パーティクルによるパターンの乱れが生じることがある。そこでマスクを使用することなしに、蒸着材料の微細パターンの形成方法が求められている。たとえば、それらの蒸着材料パターンの形成方法としてレーザー光によって金属電極および有機材料をパターニングする方法が提案されている（たとえば、特許文献９および１０参照）。しかしながら、色変換層のレーザー光パターニングによる製造方法、特に複数種（２種またはそれ以上）の色変換層のレーザー光によるパターニングによる製造方法は未だ知られていない。 As a method other than the above wet method, a method of forming a color conversion layer in a pattern by a vapor deposition method using a mask has been proposed (see, for example, Patent Document 8). However, vapor deposition using a mask has a limit in high-definition patterning. When the deposition pattern becomes high definition, it becomes difficult to create a fine pattern with a mask. For example, if the opening of the mask becomes too small, the mask cannot be manufactured by etching. If the distance between the openings is too narrow, the strength of the manufactured mask is insufficient. In addition, there is a problem that as the definition becomes higher, the alignment accuracy between the mask and the film formation substrate (organic EL element) becomes stricter. From these facts, the limit of the mask vapor deposition method is said to be 200 ppi. Furthermore, in the mask film formation, particles may adhere to the mask, and the pattern may be disturbed by the particles. Therefore, there is a demand for a method for forming a fine pattern of a vapor deposition material without using a mask. For example, a method of patterning a metal electrode and an organic material with a laser beam has been proposed as a method for forming these vapor deposition material patterns (see, for example, Patent Documents 9 and 10). However, a method for producing a color conversion layer by laser beam patterning, in particular, a method for producing plural types (two or more) of color conversion layers by laser beam patterning is not yet known.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、蒸着によって形成される複数種（層）の色変換層の高精細なレーザーパターニング方法を提供することを目的とする。さらに、当該方法を用いた有機ＥＬ発光装置の製造方法、得られる有機ＥＬ発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a high-definition laser patterning method for multiple types (layers) of color conversion layers formed by vapor deposition. Furthermore, it aims at providing the manufacturing method of the organic electroluminescent light-emitting device using the said method, and the organic electroluminescent light-emitting device obtained.
本発明の第１の態様である、有機ＥＬ素子と、異なるパターン形状を有する複数種の色変換層とを含む有機ＥＬ発光装置の製造方法は、（１）有機ＥＬ素子を形成する工程と、（２）蒸着法によって前記複数種の色変換層の１つを形成する工程と、（３）レーザー光を用いて前記複数種の色変換層の１つをパターニングする工程と、（４）工程（３）において使用されるレーザー光を吸収する保護層を形成する工程とを含み、複数種の色変換層を形成するために工程（２）および（３）を反復し、工程（３）の後に工程（２）を行う場合には、工程（３）と工程（２）との間で工程（４）を実施することを条件とすることを特徴とする。ここで、複数種の色変換層は、青色光を緑色光に変換する第１の色変換層、および青色光を赤色光に変換する第２の色変換層であってもよい。また、保護層は、ＳｉＮ、ＩＺＯおよびＩＴＯからなる群から選択される材料から形成されてもよく、および／または１００〜５００ｎｍの膜厚を有してもよい。 The manufacturing method of the organic EL light-emitting device including the organic EL element and the plurality of types of color conversion layers having different pattern shapes, which is the first aspect of the present invention, includes (1) a step of forming the organic EL element; (2) a step of forming one of the plurality of types of color conversion layers by a vapor deposition method; (3) a step of patterning one of the plurality of types of color conversion layers using laser light; and (4) a step. Forming a protective layer that absorbs the laser light used in (3), repeating steps (2) and (3) to form a plurality of types of color conversion layers, When performing the step (2) later, it is a condition that the step (4) is performed between the step (3) and the step (2). Here, the plurality of types of color conversion layers may be a first color conversion layer that converts blue light into green light, and a second color conversion layer that converts blue light into red light. The protective layer may be formed from a material selected from the group consisting of SiN, IZO and ITO, and / or may have a thickness of 100 to 500 nm.
本発明の第２の態様である有機ＥＬ発光装置は、有機ＥＬ素子と、パターン形状を有する第１色変換層と、レーザー光によって第１色変換層とは異なるパターン形状にパターニングされる第２色変換層と、保護層とを含み、前記保護層が前記レーザー光を吸収する材料から形成され、および前記保護層が第１色変換層と第２色変換層との間に配置されていることを特徴とする。ここで、第１色変換層は青色光を緑色光に変換する層であってもよく、第２色変換層は青色光を赤色光に変換する層であってもよい。また、保護層は、ＳｉＮ、ＩＺＯおよびＩＴＯからなる群から選択される材料から形成されていてもよく、および／または１００〜５００ｎｍの膜厚を有してもよい。 The organic EL light emitting device according to the second aspect of the present invention includes an organic EL element, a first color conversion layer having a pattern shape, and a second pattern patterned by a laser beam into a pattern shape different from the first color conversion layer. A color conversion layer; and a protective layer, wherein the protective layer is formed of a material that absorbs the laser light, and the protective layer is disposed between the first color conversion layer and the second color conversion layer. It is characterized by that. Here, the first color conversion layer may be a layer that converts blue light into green light, and the second color conversion layer may be a layer that converts blue light into red light. The protective layer may be formed from a material selected from the group consisting of SiN, IZO and ITO, and / or may have a thickness of 100 to 500 nm.
前述のような構成を採ることによって、蒸着によって形成される複数種の色変換層のそれぞれをパターニングする際に、当該層以外に色変換層に対して悪影響を及ぼすことなしに、高精細なレーザー光によるパターニングが可能となる。特に、本方法は、蒸着によって形成される色変換層を高精細にパターニングすることが可能である。したがって、このレーザーパターニング方法は、高精細表示が可能な有機ＥＬ発光装置を製造する上で極めて有用である。 By adopting the configuration as described above, when patterning each of a plurality of types of color conversion layers formed by vapor deposition, a high-definition laser can be used without adversely affecting the color conversion layer other than the layer. Patterning by light becomes possible. In particular, the present method can pattern a color conversion layer formed by vapor deposition with high definition. Therefore, this laser patterning method is extremely useful in manufacturing an organic EL light emitting device capable of high-definition display.
以下、本発明について図面を参照して説明する。図１は、本発明の製造方法によって得られる有機ＥＬ発光装置の構成例を示す図である。図１の有機ＥＬ発光装置は、基板とは反対側に光を取り出すトップエミッション型であり、基板１０の上に、一対の電極（反射電極２２、透明電極２６）に挟持された有機ＥＬ層２４を含む有機ＥＬ素子２０、第１色変換層３２、第１保護層４２、第２色変換層３４および第２保護層４４が積層された構造を有する。ここで、第２色変換層３４は、第１色変換層３２とは異なるパターン形状を有する。しかしながら、本発明はトップエミッション型に限定されるものではなく、透明な基板を通して光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置にも適応可能である。また、図１では２種の色変換層を用いた例を示したが、３種以上の色変換層を用いることも可能である。
The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an organic EL light-emitting device obtained by the manufacturing method of the present invention. The organic EL light emitting device of FIG. 1 is a top emission type that extracts light to the side opposite to the substrate, and the
本発明における基板１０は、その上に積層される層の形成に用いられる条件（溶媒、温度等）に耐えるものであるべきであり、および寸法安定性に優れていることが好ましい。基板１０として用いることができる透明材料は、ガラス、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、プロピオニルセルロース、ブチリルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース、ニトロセルロース等のセルロースエステル；ポリアミド；ポリカーボネート；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ−１，４−シクロヘキサンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン−１，２−ジフェノキシエタン−４，４’−ジカルボキシレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；ポリスチレン；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン；ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂；ポリカーボネート；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルケトン；ポリエーテルイミド；ポリオキシエチレン；ノルボルネン樹脂などの高分子材料であってもよい。高分子材料を用いる場合、基板１０は剛直であっても可撓性であってもよい。基板１０を通して光を取り出すボトムエミッション型の場合には、基板１０は可視光に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、８６％以上の透過率を有することがさらに好ましい。あるいはまた、基板１０の反対側に光を取り出すトップエミッション型の場合には、基板１０として、シリコン、セラミックなどの不透明な材料を用いてもよい。また、後述するアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ発光装置を形成する場合には、各発光部に対応する複数のスイッチング素子（ＴＦＴなど）およびスイッチング素子を駆動するための配線を基板１０に配設してもよい。
The
本発明の有機ＥＬ素子２０は、反射電極２２／有機ＥＬ層２４／透明電極２６の積層構造を有する。ボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置を形成する場合には、有機ＥＬ素子２０は、透明電極２６／有機ＥＬ層２４／反射電極２２の積層構造を有する。
The
反射電極２２は、高反射率の金属（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなど）、アモルファス合金（ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなど）、微結晶性合金（ＮｉＡｌなど）を用いて、蒸着法またはスパッタ法などのドライプロセスによって形成することができる。反射電極２２を陽極（正孔注入電極）として使用する場合、前述の高反射率材料からなる反射層と、正孔注入効率を向上させるための導電性透明金属酸化物層との積層構造を有する反射電極２２を用いてもよい。
The
一方、透明電極２６は、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物に対してＦ、Ｓｂなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いて形成することができる。透明電極は蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法などのドライプロセスを用いて形成され、好ましくはスパッタ法を用いて形成される。透明電極２６を陰極として用いる場合、有機ＥＬ層２４との界面に陰極バッファ層を設けて、電子注入効率を向上させることができる。陰極バッファ層の材料としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓなどのアルカリ金属、Ｂａ、Ｓｒなどのアルカリ土類金属またはそれらを含む合金、希土類金属、あるいはそれら金属のフッ化物などを用いることができるが、それらに限定されるものではない。陰極バッファ層の膜厚は、駆動電圧および透明性等を考慮して適宜選択することができるが、通常の場合には１０ｎｍ以下であることが好ましい。
On the other hand, the
本発明の有機ＥＬ素子２０は、独立して制御される複数の発光部を有してもよい。たとえば、反射電極２２および透明電極２６の両方を複数のストライプ状部分電極から形成し、反射電極２２を構成するストライプ状部分電極が延びる方向と透明電極２６を構成するストライプ状部分電極が延びる方向とを交差（好ましくは直交）させて、パッシブマトリクス駆動される独立した複数の発光部を有する有機ＥＬ素子２０を形成することができる。あるいはまた、基板１０に近い電極（図１においては反射電極２２）を複数の発光部に対応する部分電極に分割して形成し、該部分電極のそれぞれを基板１０上に設けることができるスイッチング素子と接続し、ならびに基板１０から遠い電極（図１においては反射電極２２）を共通電極として機能する一体型の電極として形成することによって、アクティブマトリクス駆動型の複数の発光部を有する有機ＥＬ素子２０を形成してもよい。さらに、上記いずれの構成においても、複数の部分電極から電極を形成する場合には、絶縁性金属酸化物（ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＯｘなど）あるいは絶縁性金属窒化物（ＡｌＮ、ＳｉＮなど）などを用いて、該複数の部分電極の間隙に絶縁膜を形成してもよい。
The
反射電極２２と透明電極２６との間に有機ＥＬ層２４を形成する。有機ＥＬ層は少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には有機ＥＬ素子は陰極および陽極を含めて以下のような層構造からなるものが採用される。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／有機注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構成において、陽極および陰極は反射電極２２または透明電極２６のいずれかである。
An
(1) Anode / organic light emitting layer / cathode (2) Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode (3) Anode / organic light emitting layer / electron injection layer / cathode (4) Anode / hole injection layer / organic Light emitting layer / electron injection layer / cathode (5) Anode / hole transport layer / organic light emitting layer / organic injection layer / cathode (6) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer / Cathode (7) Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode In the above layer configuration, the anode and cathode are either the
有機ＥＬ層２４を構成する各層の材料としては、公知のものが使用される。また、有機ＥＬ層２４を構成する各層は、蒸着などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。たとえば、青色の発光を得るための有機発光材料の材料としては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルアミン系化合物、シラン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。
As the material of each layer constituting the
本発明における色変換層は、有機ＥＬ層からの発光の少なくとも一部を吸収し、別の波長の光を放射する層である。色変換層は、１種または複数種の色変換色素から形成される層であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ〜１μｍの膜厚を有する。色変換層は、蒸着法（抵抗加熱および電子ビーム加熱を含む）によって形成される。複数種の色変換色素を用いて色変換層を形成する場合、複数種の色変換色素を所定の比率で混合した予備混合物をあらかじめ作製し、その予備混合物を用いて共蒸着を行ってもよい。あるいはまた、複数種の色変換色素を別個の加熱部位に配置し、それぞれの色変換色素を別個に加熱して共蒸着を行ってもよい。特に複数種の色変換色素の間に特性（蒸着速度、蒸気圧など）の大きな差が存在する場合、後者の方法が有効である。 The color conversion layer in the present invention is a layer that absorbs at least a part of light emitted from the organic EL layer and emits light of another wavelength. The color conversion layer is a layer formed from one or more kinds of color conversion dyes, and preferably has a thickness of 1 μm or less, more preferably 200 nm to 1 μm. The color conversion layer is formed by a vapor deposition method (including resistance heating and electron beam heating). When forming a color conversion layer using a plurality of types of color conversion dyes, a preliminary mixture obtained by mixing a plurality of types of color conversion dyes at a predetermined ratio may be prepared in advance, and co-evaporation may be performed using the preliminary mixture. . Alternatively, a plurality of types of color conversion dyes may be disposed in separate heating portions, and the respective color conversion dyes may be separately heated to perform co-evaporation. In particular, the latter method is effective when there is a large difference in characteristics (evaporation rate, vapor pressure, etc.) among a plurality of types of color conversion dyes.
色変換層を単一の色変換色素から形成する場合、色変換色素は有機ＥＬ素子２０の発する光の青色成分を吸収し、異なる波長域の光成分を放射する色素であることが望ましい。したがって、色変換色素の吸収スペクトルが有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大と重なっていることが望ましく、色変換色素の吸収極大と有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大とが重なっている（一致している）ことがより望ましい。本発明において色変換層を形成する単一の色変換色素として好適にもちいることができる色素は、３−（２−ベンゾチアゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素、またはソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素を含む。
When the color conversion layer is formed from a single color conversion dye, the color conversion dye is preferably a dye that absorbs a blue component of light emitted from the
あるいはまた、色変換層を２種の色変換色素から形成する場合、第１色変換色素は有機ＥＬ素子の発する光の青色成分を吸収し、吸収したエネルギーを第２色素に移動させるため色素である。したがって、第１色変換色素の吸収スペクトルが有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大と重なっていることが望ましく、第１色変換色素の吸収極大と有機ＥＬ素子の発光スペクトルの極大とが重なっている（一致している）ことがより望ましい。また、第１色変換色素の発光スペクトルが第２色変換色素の吸収スペクトルと重なり合っていることが望ましく、第１色変換色素の発光スペクトルの極大と第２色変換色素の吸収極大とが重なっている（一致している）ことがより望ましい。本発明において第１色変換色素として好適に用いることができる色素は、前述のクマリン系色素およびナフタルイミド系色素を含む。第１色変換色素は、色変換層の総質量を基準として９０％以上、好ましくは９０〜９９．９９質量％の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、色変換層に入射する光を十分に吸収して、吸収した光エネルギーを第２色変換色素へとエネルギー移動することが可能となる。 Alternatively, when the color conversion layer is formed from two kinds of color conversion dyes, the first color conversion dye absorbs the blue component of the light emitted from the organic EL element and transfers the absorbed energy to the second dye. is there. Therefore, it is desirable that the absorption spectrum of the first color conversion dye overlaps with the maximum of the emission spectrum of the organic EL element, and the absorption maximum of the first color conversion dye overlaps with the maximum of the emission spectrum of the organic EL element ( Is more desirable). Further, it is desirable that the emission spectrum of the first color conversion dye overlaps with the absorption spectrum of the second color conversion dye, and the maximum of the emission spectrum of the first color conversion dye overlaps with the absorption maximum of the second color conversion dye. It is more desirable to be (match). Dyes that can be suitably used as the first color conversion dye in the present invention include the aforementioned coumarin dyes and naphthalimide dyes. The first color conversion dye is preferably present in an amount of 90% or more, preferably 90 to 99.99% by mass, based on the total mass of the color conversion layer. By existing in such a concentration range, it is possible to sufficiently absorb the light incident on the color conversion layer and transfer the absorbed light energy to the second color conversion dye.
第２色変換色素は、第１色変換色素から移動されるエネルギーを受容し、光を放出する色素である。ここで、前述のように、第２色変換色素の吸収スペクトルが第１色変換色素の発光スペクトルと重なり合っていることが望ましく、第２色変換色素の吸収極大が第１色変換色素の発光スペクトルの極大と重なっている（一致している）ことがより望ましい。本発明において第２色変換色素として好適に用いることができる色素は、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１、（Ｉ））、ＤＣＭ−２（II）、およびＤＣＪＴＢ（III）などのシアニン色素；４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ―ジアザ−ｓ−イミダセン（IV）、ルモゲンＦレッド、ナイルレッド（Ｖ）などを含む。あるいはまた、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素、またはピリジン１などのピリジン系色素を含む。 The second color conversion dye is a dye that receives energy transferred from the first color conversion dye and emits light. Here, as described above, it is desirable that the absorption spectrum of the second color conversion dye overlaps with the emission spectrum of the first color conversion dye, and the absorption maximum of the second color conversion dye is the emission spectrum of the first color conversion dye. It is more desirable that it overlaps (coincides) with the local maximum. Dyes that can be suitably used as the second color conversion dye in the present invention are 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM-1, (I)), Cyanine dyes such as DCM-2 (II) and DCJTB (III); 4,4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a-diaza-s-imidacene (IV) , Lumogen F Red, Nile Red (V) and the like. Alternatively, xanthene dyes such as rhodamine B and rhodamine 6G, or pyridine dyes such as pyridine 1 are included.
以上のような２種の色変換色素を用いた場合、単一の色変換色素を使用した場合に比較して入力である有機ＥＬ素子の発光と出力である色変換層による変換光との波長差を大きくすることができ、特に青色光を赤色光のような長波長域の光に変換するのに有利である。第２色変換色素の含有量は、使用する第１および第２色変換色素の種類、所望される変換光強度（変換効率）、あるいは目的とする用途に依存して変化し得る。一般的には、本発明の色変換層における第２色変換色素の好ましい濃度は、色変換層の総質量を基準にして、１０質量％以下、好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．１〜５質量％の範囲内である When using the two types of color conversion dyes as described above, the wavelength of the light emitted from the organic EL element that is the input and the converted light from the color conversion layer that is the output, compared to the case where a single color conversion dye is used. The difference can be increased, and is particularly advantageous for converting blue light into light having a long wavelength range such as red light. The content of the second color conversion dye can vary depending on the types of the first and second color conversion dyes used, the desired conversion light intensity (conversion efficiency), or the intended application. In general, the preferred concentration of the second color conversion dye in the color conversion layer of the present invention is 10% by mass or less, preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably based on the total mass of the color conversion layer. Is in the range of 0.1-5% by mass
本発明における保護層（４２、４４）は、その上に形成される色変換層のパターニングに用いられるレーザー光から、その下に形成された色変換層を保護するための層である。保護層を形成する材料は、可視領域では透明であり、紫外領域で吸収を有することが望ましい。また、有機ＥＬ素子２０からの光の損失を発生させないために、保護層を形成する材料は、有機ＥＬ層中の有機発光層と同等またはそれ以上である１．８以上の屈折率を有することが望ましい。本発明において保護層の形成に使用できる材料は、ＳｉＮ、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）およびＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）を含む。複数の部分電極からなる反射電極２２または透明電極２６に接触する位置に保護層を設ける場合には、保護層を絶縁性材料で形成する必要がある。この場合には、ＳｉＮを使用するか、あるいは酸素含有量を増大させて絶縁性としたＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）またはＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）を使用することができる。色変換層のパターニングに用いられるレーザー光を十分に吸収するためには、保護層は１００〜５００ｎｍの膜厚を有することが好ましい。保護層の形成には、ドライプロセスであるスパッタ法またはＣＶＤ法を用いることができる。スパッタ法は、高周波スパッタ法であっても、マグネトロンスパッタ法であってもよい。また、ＣＶＤ法は、プラズマＣＶＤ法であることが望ましい。本工程におけるプラズマの発生手段としては、高周波電力（容量結合型または誘導結合型のいずれであってもよい）、ＥＣＲ、ヘリコン波などの当該技術で知られている任意の手段を用いてもよい。また、高周波電力として、工業用周波数（１３．５６ＭＨｚ）の電力に加えて、ＵＨＦまたはＶＨＦ領域の周波数の電力を用いることも可能である。
The protective layers (42, 44) in the present invention are layers for protecting the color conversion layer formed thereunder from laser light used for patterning the color conversion layer formed thereon. The material forming the protective layer is preferably transparent in the visible region and has absorption in the ultraviolet region. In addition, in order not to cause loss of light from the
次に、図２および図３を参照して、図１に示した構成の有機ＥＬ発光装置を製造するための本発明の製造方法を説明する。本発明の製造方法は、（１）有機ＥＬ素子を形成する工程と、（２）蒸着法によって前記複数種の色変換層の１つを形成する工程と、（３）レーザー光を用いて色変換層をパターニングする工程と、（４）工程（３）において使用されるレーザー光を吸収する保護層を形成する工程とを含み、複数種の色変換層を形成するために工程（２）および（３）を反復し、複数種の色変換層のそれぞれは異なる形状にパターニングされ、工程（３）の後に工程（２）を行う場合には、工程（３）と工程（２）との間で工程（４）を実施することを条件とすることを特徴とする。 Next, the manufacturing method of the present invention for manufacturing the organic EL light emitting device having the configuration shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. The manufacturing method of the present invention includes (1) a step of forming an organic EL element, (2) a step of forming one of the plurality of color conversion layers by vapor deposition, and (3) color using laser light. Patterning the conversion layer; and (4) forming a protective layer that absorbs the laser light used in step (3), including steps (2) and (2) for forming a plurality of types of color conversion layers. When (3) is repeated and each of the plurality of types of color conversion layers is patterned into different shapes, and step (2) is performed after step (3), between step (3) and step (2) The method is characterized in that the step (4) is performed.
最初に、工程（１）の有機ＥＬ素子２０の形成について説明する。有機ＥＬ素子２０は、ドライプロセス（形成する層の種類に応じて、蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ法が用いられる）によって反射電極２２、有機ＥＬ層２４、透明電極２６を順に形成することによって、実施される。
First, formation of the
次いで、所望される数の色変換層を形成するために、工程（２）〜工程（４）を反復して実施する。まず、第１色変換層３２および第１保護層４２の形成を図２を参照して説明する。
Next, in order to form the desired number of color conversion layers, the steps (2) to (4) are repeated. First, the formation of the first
工程（２）において、図２（ａ）に示すように、蒸着法を用いて第１色変換層３２を全面に形成する。蒸着法は、抵抗加熱方式であってもよいし、電子ビーム加熱方式であってもよい。
In step (2), as shown in FIG. 2A, the first
工程（３）において、第１色変換層３２に対してレーザー光を照射し、その際に生じるアブレーション現象を利用して、第１色変換層３２のパターニングを行う。本工程において用いることができるレーザーは、１０ｎｍ〜４００ｎｍの波長のレーザー光を発振できるものであれば、いずれのものであってもよい。使用できるレーザーは、たとえば、炭酸ガスレーザー、一酸化炭素レーザー、ＨＦレーザー、ヨウ素レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＬＦレーザー、アレクサンドライトレーザー、半導体レーザー、色素レーザー、窒素レーザー、エキシマレーザー、Ｘ線レーザー、自由電子レーザーなどを含む。また、非線形光学結晶を用いて得られる高調波を放射するレーザーを使用することもできる。これらの中でも、安定性の観点から産業用として用いられているレーザーが好ましく、またレーザー光のビーム径を縮小して微細加工を可能にするとの観点から波長のより短いレーザーが好ましい。特に、活性媒体としてＫｒＦを用いるエキシマレーザー（発振波長２４８ｎｍ）は、熱分解よりも分子鎖の切断による分解効果が高いことによって、熱的な寄与の少ないアブレーション現象による加工を行うことができるという点で好ましい。
In the step (3), the first
レーザー光の照射は、０．８Ｊ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．１〜０．５Ｊ／ｃｍ２の範囲内のエネルギー密度で実施することが望ましい。エネルギー密度をこの範囲内に設定することによって、第１色変換層３２をアブレーション除去する際にその下にある層（有機ＥＬ素子２０の各構成層、基板１０など）への影響なしに、第１色変換層３２のパターニングを実施することができる。
Laser light irradiation, 0.8 J / cm 2 or less, more preferably be carried out at an energy density in the range of 0.1~0.5J / cm 2. By setting the energy density within this range, when the first
複数の発光部を有する有機ＥＬ素子を用いる場合、本工程において、第１色変換層３２が複数の発光部の一部に対応して配置される様にパターニングを実施する。そして、第１色変換層３２が配置された位置が第１の色の光を放射する画素ないし副画素となる。
In the case where an organic EL element having a plurality of light emitting portions is used, patterning is performed in this step so that the first
工程（４）において、図２（ｃ）に示すように、パターン化された第１色変換層３２を覆って第１保護層４２を形成する。本工程は、後に第２色変換層３４のパターニングをさらに実施するため、必須の工程である。本工程は、前述のようにドライプロセスであるスパッタ法またはＣＶＤ法を用いて実施することができる。
In step (4), as shown in FIG. 2C, a first
次に、第２色変換層３４および第２保護層４４の形成を図３を参照して説明する。図３（ａ）に示すように、工程（２）を実施して、蒸着法によって第１保護層４２の表面全面にわたって第２色変換層３４を形成する。第２色変換層３４は、第１色変換層３２とは異なる材料を蒸着することによって形成される。したがって、第２色変換層３４は、有機ＥＬ素子２０の発光の一部を吸収して、第１色変換層３２とは異なる色の光を放射する。
Next, the formation of the second
そして、図３（ｂ）に示すように、工程（３）を実施して、第２色変換層３４をパターニングする。本工程において、パターン形状の第１色変換層３２とパターン形状の第２色変換層との間に第１保護層４２が配置された構造が形成される。第１色変換層３２のパターニングに用いることができるレーザーを、本工程においても使用することができる。レーザー光の照射は、０．５Ｊ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．１〜０．３Ｊ／ｃｍ２の範囲内のエネルギー密度で実施することが望ましい。エネルギー密度をこの範囲内に設定することによって、第２色変換層のレーザー光を照射された部分における発熱がその周囲に悪影響を及ぼすことを防止しつつ、第２色変換層３４のパターニングを実施することができる。また、第１色変換層３２は第１保護層４２に覆われているため、レーザー光の照射による損傷を受けない。
And as shown in FIG.3 (b), a process (3) is implemented and the 2nd
本工程においては、第２色変換層３４を、第１色変換層３２とは異なるパターン形状にパターニングする。具体的には、基板垂直方向から見て、第２色変換層３４を第１色変換層３２と重ならない位置に配置するようにパターニングすることが望ましい。また、第１色変換層３２の場合と同様に、複数の発光部を有する有機ＥＬ素子を用いる場合には、第２色変換層３４が複数の発光部の一部に対応して配置する。そして、第２色変換層３２が配置された位置が第２の色の光を放射する画素ないし副画素となる。本発明において、複数の発光部を有する有機ＥＬ素子を用いる場合に、該複数の発光部の一部を第１色変換層３２および第２色変換層３４のいずれにも対応しないようにしてもよい。そのような色変換層に対応しない発光部が、第３の色の光を放射する画素ないし副画素となる。
In this step, the second
最後に、必要に応じて、図３（ｃ）に示すように、工程（４）を実施して、パターニングされた第２色変換層３４を覆って第２保護層４４を形成する。図１の構成においては、さらなる色変換層のパターニングを実施しないので、第２保護層４４を形成しなくてもよい。本工程を実施する場合には、第１保護層４２の形成と同様に実施することができる。
Finally, as shown in FIG. 3C, step (4) is performed as necessary to form a second
前述の例においては、２種のパターニングされた色変換層を設けて、３種の色の光を放射する画素ないし副画素を有する有機ＥＬ発光装置の製造について説明したが、工程（２）〜工程（４）をさらに繰り返して、３種以上の色変換層を設けてもよい。３種以上の色変換層のそれぞれは、基板垂直方向から見て、他の色変換層と重ならない位置に配置することが望ましい。また、工程（４）は、工程（３）の後に工程（２）（および、引き続いて工程（３））を反復する場合に、工程（３）に続いて実施することが必須であるが、最後の色変換層のパターニング（工程（３））の後には実施しても実施しなくてもよい任意選択の工程となる。 In the above-described example, the manufacturing of the organic EL light emitting device having the pixels or sub-pixels that emit the light of three colors by providing two kinds of patterned color conversion layers has been described. Step (4) may be further repeated to provide three or more color conversion layers. Each of the three or more color conversion layers is desirably arranged at a position that does not overlap with the other color conversion layers when viewed from the direction perpendicular to the substrate. In addition, when the step (4) is repeated after the step (3) and the step (2) (and then the step (3)) is repeated, it is essential that the step (4) is performed following the step (3). After the final color conversion layer patterning (step (3)), this is an optional step that may or may not be performed.
また、ボトムエミッション型であって、２種のパターニングされた色変換層を設けた有機ＥＬ発光装置の製造においては、基板の上への第１色変換層の形成（工程（２）および工程（３））、第１保護層の形成（工程（４））、第２色変換層の形成（工程（２）および工程（３））、第２保護層の形成（工程（４））、および有機ＥＬ素子の形成（工程（１））の順で実施される。なお、この場合にも第２保護層の形成は任意選択の工程であるが、有機ＥＬ素子の各構成層の保護の観点から実施した方が好ましい工程である。また、ボトムエミッション型においても、３種以上のパターン化された色変換層を設けてもよい。この場合にも、３種以上の色変換層のそれぞれは、異なるパターン形状にパターニングすること、より具体的には基板垂直方向から見て他の色変換層と重ならない位置に配置することが望ましい。 Further, in the manufacture of an organic EL light emitting device that is a bottom emission type and provided with two kinds of patterned color conversion layers, the first color conversion layer is formed on the substrate (step (2) and step ( 3)), formation of the first protective layer (step (4)), formation of the second color conversion layer (step (2) and step (3)), formation of the second protective layer (step (4)), and It implements in order of formation (process (1)) of an organic EL element. In this case as well, the formation of the second protective layer is an optional step, but it is preferable that the second protective layer be implemented from the viewpoint of protecting each constituent layer of the organic EL element. Also in the bottom emission type, three or more types of patterned color conversion layers may be provided. Also in this case, it is desirable that each of the three or more color conversion layers be patterned into different pattern shapes, more specifically, disposed at a position that does not overlap with the other color conversion layers when viewed from the substrate vertical direction. .
［実施例１］
ガラス基板上に、Ａｒ雰囲気中、３００Ｗのスパッタパワーを印加するＤＣスパッタ法を用いて、膜厚１００ｎｍのＣｒＢからなる反射層を形成した。次いで、ターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０％ＺｎＯ）を用いたＡｒ雰囲気中でのＤＣスパッタ法を用いて、膜厚２０ｎｍのＩＺＯ膜を形成した。得られた反射層およびＩＺＯ膜をパターニングして、反射電極を得た。
[Example 1]
A reflective layer made of CrB having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate by using a DC sputtering method in which a sputtering power of 300 W was applied in an Ar atmosphere. Next, an IZO film having a thickness of 20 nm was formed by DC sputtering in an Ar atmosphere using IZO (In 2 O 3 -10% ZnO) as a target. The obtained reflective layer and IZO film were patterned to obtain a reflective electrode.
次に、反射電極が形成されたガラス基板を蒸着装置に移動し、有機ＥＬ層を形成した。成膜に際して真空槽内圧を１×１０−５Ｐａまで減圧した。有機ＥＬ層は、膜厚８０ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）からなる正孔注入層、膜厚２０ｎｍの４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）からなる正孔輸送層、膜厚４０ｎｍの４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）からなる有機発光層、および膜厚２０ｎｍのアルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノリン）錯体（Ａｌｑ３）からなる電子輸送層からなる４層構成とした。次いで、真空を破ることなしに、有機ＥＬ層が形成されたガラス基板をスパッタ装置に移動した。ターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０％ＺｎＯ）を用いたＡｒ雰囲気（圧力０．３Ｐａ）中でのスパッタ法によって、膜厚１００ｎｍのＩＺＯ膜からなる透明電極を形成した。 Next, the glass substrate on which the reflective electrode was formed was moved to a vapor deposition apparatus to form an organic EL layer. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −5 Pa. The organic EL layer is a hole injection layer made of copper phthalocyanine (CuPc) with a thickness of 80 nm, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) with a thickness of 20 nm. ), A 40 nm-thick 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) organic light-emitting layer, and a 20 nm-thick aluminum tris (8-hydroxyquinoline) complex A four-layer structure composed of an electron transport layer made of (Alq 3 ) was adopted. Next, the glass substrate on which the organic EL layer was formed was moved to a sputtering apparatus without breaking the vacuum. A transparent electrode made of an IZO film having a thickness of 100 nm was formed by sputtering in an Ar atmosphere (pressure 0.3 Pa) using IZO (In 2 O 3 -10% ZnO) as a target.
次に、蒸着法を用いて、東洋インキ製ＴＹＲ−３０１Ｈ：ＴＹＲ−３０３Ｄからなる膜厚２００ｎｍの第１色変換層を透明電極全面に形成した。ＴＹＲ−３０１Ｈは第１色変換層の総質量の９５質量％を構成し、ＴＹＲ−３０１Ｈは第１色変換層の総質量の５質量％を構成した。引き続いて、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）を、照射エネルギー密度０．５Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数１００Ｈｚ、パルス幅１５ｎｓの条件でライン状に照射して第１色変換層のパターニングを実施した。第１色変換層は、複数のストライプ状部分にパターニングされ、各ストライプの幅は３２μｍであり、隣接するストライプ間の間隔は１０μｍであった。 Next, a first color conversion layer having a thickness of 200 nm made of Toyo Ink TYR-301H: TYR-303D was formed on the entire surface of the transparent electrode by vapor deposition. TYR-301H constituted 95% by mass of the total mass of the first color conversion layer, and TYR-301H constituted 5% by mass of the total mass of the first color conversion layer. Subsequently, patterning of the first color conversion layer was performed by irradiating KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) in a line shape under the conditions of an irradiation energy density of 0.5 J / cm 2 , a repetition frequency of 100 Hz, and a pulse width of 15 ns. The first color conversion layer was patterned into a plurality of stripe portions, the width of each stripe was 32 μm, and the interval between adjacent stripes was 10 μm.
次に、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、パターニングした第１色変換層の上に、膜厚約３００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させて第１保護膜を得た。この際に、雰囲気を流量５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４ガスおよび流量２００ｓｃｃｍのＮ２ガスの混合ガスとし、ＲＦ印加電力を１５０Ｗ、基板ステージ温度を６０℃とした。別途、ガラス基板上に同条件で形成したＳｉＮ膜の透明波長領域（透過率が８０％以上である領域）および屈折率を測定したところ、第１表に記載の数値が得られた。 Next, using a parallel plate type plasma CVD apparatus, a SiN film having a thickness of about 300 nm was deposited on the patterned first color conversion layer to obtain a first protective film. At this time, the atmosphere was a mixed gas of SiH 4 gas having a flow rate of 50 sccm and N 2 gas having a flow rate of 200 sccm, the RF applied power was 150 W, and the substrate stage temperature was 60 ° C. Separately, when the transparent wavelength region (region having a transmittance of 80% or more) and the refractive index of the SiN film formed on the glass substrate under the same conditions were measured, the numerical values shown in Table 1 were obtained.
次いで、蒸着法を用いて、東洋インキ製ＴＹＲ−３０１Ｈからなる膜厚２００ｎｍの第１色変換層を第１保護層全面に形成した。引き続いて、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）を、照射エネルギー密度０．３Ｊ／ｃｍ２、繰り返し周波数１００Ｈｚ、パルス幅１５ｎｓの条件でライン状に照射して第２色変換層のパターニングを実施した。パターニングは、基板垂直方向から見て第２色変換層がストライプ状の第１色変換層に重ならないように実施した。第２色変換層は、複数のストライプ状部分にパターニングされ、各ストライプの幅は３２μｍであり、隣接するストライプ間の間隔は１０μｍであった。本実施例においては、ＳｉＮがＫｒＦエキシマレーザー光の波長２４８ｎｍにおいて吸収を有するために、パターニングの際に、レーザー光による第１色変換層の損傷は全く発生しなかった。 Next, a first color conversion layer having a thickness of 200 nm made of Toyo Ink TYR-301H was formed on the entire surface of the first protective layer by vapor deposition. Subsequently, patterning of the second color conversion layer was performed by irradiating KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) in a line shape under the conditions of an irradiation energy density of 0.3 J / cm 2 , a repetition frequency of 100 Hz, and a pulse width of 15 ns. The patterning was performed so that the second color conversion layer did not overlap the stripe-shaped first color conversion layer when viewed from the substrate vertical direction. The second color conversion layer was patterned into a plurality of stripe portions, the width of each stripe was 32 μm, and the interval between adjacent stripes was 10 μm. In this example, since SiN has absorption at a wavelength of 248 nm of KrF excimer laser light, the first color conversion layer was not damaged at all by the laser light during patterning.
［比較例１］
ＳｉＮからなる保護層に代えて、０．５Ｐａの圧力下、１ｋＷのスパッタパワーを印加するスパッタ法によって、膜厚３００ｎｍのＳｉＯ２からなる保護層を形成したことを除いて実施例１と同様にして、有機ＥＬ発光装置を作製した。別途、ガラス基板上に同条件で形成したＳｉＯ２膜の透明波長領域および屈折率を測定したところ、第１表に記載の数値が得られた。本比較例においては、ＳｉＯ２がＫｒＦエキシマレーザー光の波長２４８ｎｍにおいて吸収を持たないために、第２色変換層のパターニングの際に、アブレーションによる第１色変換層の損傷が発生した。
[Comparative Example 1]
Instead of the protective layer made of SiN, a protective layer made of SiO 2 having a thickness of 300 nm was formed by a sputtering method in which a sputtering power of 1 kW was applied under a pressure of 0.5 Pa. Thus, an organic EL light emitting device was produced. Separately, when the transparent wavelength region and refractive index of the SiO 2 film formed on the glass substrate under the same conditions were measured, the numerical values shown in Table 1 were obtained. In this comparative example, SiO 2 has no absorption at a wavelength of 248 nm of KrF excimer laser light, and thus the first color conversion layer was damaged by ablation during patterning of the second color conversion layer.
［実施例２］
ＳｉＮからなる保護層に代えて、ターゲットとしてＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−１０％ＺｎＯ）を用い、０．３Ｐａの圧力下、１ｋＷのスパッタパワーを印加するスパッタ法によって、膜厚３００ｎｍのＩＺＯからなる保護層を形成したことを除いて実施例１と同様にして、有機ＥＬ発光装置を作製した。別途、ガラス基板上に同条件で形成したＩＺＯ膜の透明波長領域および屈折率を測定したところ、第１表に記載の数値が得られた。本実施例においては、ＩＺＯがＫｒＦエキシマレーザー光の波長２４８ｎｍにおいて吸収を有するために、第２色変換層のパターニングの際に、第１色変換層の損傷が発生しなかった。
[Example 2]
Instead of a protective layer made of SiN, IZO (In 2 O 3 -10% ZnO) is used as a target, and a sputtering method is applied with a sputtering power of 1 kW under a pressure of 0.3 Pa. An organic EL light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that a protective layer was formed. Separately, when the transparent wavelength region and refractive index of the IZO film formed on the glass substrate under the same conditions were measured, the numerical values shown in Table 1 were obtained. In this example, since IZO has absorption at a wavelength of 248 nm of KrF excimer laser light, the first color conversion layer was not damaged during the patterning of the second color conversion layer.
［比較例２］
ＳｉＮからなる保護層に代えて、０．５Ｐａの圧力下、０．８ｋＷのスパッタパワーを印加するスパッタ法によって、膜厚３００ｎｍのＡｌ２Ｏ３からなる保護層を形成したことを除いて実施例１と同様にして、有機ＥＬ発光装置を作製した。別途、ガラス基板上に同条件で形成したＡｌ２Ｏ３膜の透明波長領域および屈折率を測定したところ、第１表に記載の数値が得られた。本比較例においては、Ａｌ２Ｏ３がＫｒＦエキシマレーザー光の波長２４８ｎｍにおいて吸収を持たないために、第２色変換層のパターニングの際に、アブレーションによる第１色変換層の損傷が発生した。
[Comparative Example 2]
Example except that instead of the protective layer made of SiN, a protective layer made of Al 2 O 3 having a thickness of 300 nm was formed by a sputtering method in which a sputtering power of 0.8 kW was applied under a pressure of 0.5 Pa. In the same manner as in Example 1, an organic EL light emitting device was produced. Separately, when the transparent wavelength region and refractive index of the Al 2 O 3 film formed on the glass substrate under the same conditions were measured, the numerical values shown in Table 1 were obtained. In this comparative example, since Al 2 O 3 did not absorb at a wavelength of 248 nm of KrF excimer laser light, damage to the first color conversion layer due to ablation occurred during patterning of the second color conversion layer.
１０ 基板
２０ 有機ＥＬ素子
２２ 反射電極
２４ 有機ＥＬ層
２６ 透明電極
３２ 第１色変換層
３４ 第２色変換層
４２ 第１保護層
４４ 第２保護層
DESCRIPTION OF
Claims (8)
（１）有機ＥＬ素子を形成する工程と、
（２）蒸着法によって前記複数種の色変換層の１つを形成する工程と、
（３）レーザー光を用いて前記複数種の色変換層の１つをパターニングする工程と、
（４）工程（３）において使用されるレーザー光を吸収する保護層を形成する工程と
を含み、
複数種の色変換層を形成するために工程（２）および（３）を反復し、
工程（３）の後に工程（２）を行う場合には、工程（３）と工程（２）との間で工程（４）を実施することを条件とする
ことを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 An organic EL light-emitting device manufacturing method including an organic EL element and a plurality of types of color conversion layers having different pattern shapes,
(1) forming an organic EL element;
(2) forming one of the plurality of types of color conversion layers by vapor deposition;
(3) patterning one of the plurality of types of color conversion layers using laser light;
(4) forming a protective layer that absorbs the laser light used in step (3),
Repeating steps (2) and (3) to form a plurality of color conversion layers;
When the step (2) is performed after the step (3), the organic EL light emitting device is characterized in that the step (4) is performed between the step (3) and the step (2). Manufacturing method.
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