JP2010218895A - Film formation substrate, film forming method, and method of manufacturing light emitting device - Google Patents
Film formation substrate, film forming method, and method of manufacturing light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010218895A JP2010218895A JP2009064500A JP2009064500A JP2010218895A JP 2010218895 A JP2010218895 A JP 2010218895A JP 2009064500 A JP2009064500 A JP 2009064500A JP 2009064500 A JP2009064500 A JP 2009064500A JP 2010218895 A JP2010218895 A JP 2010218895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- light
- aluminum
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 198
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 290
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 86
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 15
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- CRLLGLJOPXYTLX-UHFFFAOYSA-N neodymium silver Chemical compound [Ag].[Nd] CRLLGLJOPXYTLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 541
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 46
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 33
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 26
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 17
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 3
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 3
- KWDDGUCSVPNQBN-UHFFFAOYSA-N C#CC1=CCC=CO1 Chemical compound C#CC1=CCC=CO1 KWDDGUCSVPNQBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 870075-87-9 Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-BQYQJAHWSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-N-[4-[4-[N-(9,9'-spirobi[fluorene]-2-yl)anilino]phenyl]phenyl]-9,9'-spirobi[fluorene]-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC=CC=C4C3=CC=2)C=C1 VUMVABVDHWICAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,2-tris(4-methylphenyl)-1-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C(C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 XMFUWUVTKIEZJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004215 2,4-difluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(F)C([H])=C1F 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOOBIWAELCOCHK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-propan-2-yl-6-[2-(4,4,10,10-tetramethyl-1-azatricyclo[7.3.1.05,13]trideca-5,7,9(13)-trien-7-yl)ethenyl]pyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound O1C(C(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 UOOBIWAELCOCHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHTFGAUAGUHKTP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-1-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C1=C(C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)C(C)(C)C KHTFGAUAGUHKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C=C21 WBPXZSIKOVBSAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOGDFDWINXIWHI-OWOJBTEDSA-N 4-[(e)-2-(4-aminophenyl)ethenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(N)C=C1 KOGDFDWINXIWHI-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(4-methylnaphthalen-1-yl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C)C2=CC=CC=C12 YTSGZCWSEMDTBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-phenylphenyl)-10-[10-(2-phenylphenyl)anthracen-9-yl]anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEYLQYLOSLLBTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)-2,3,5,6-tetraphenylphenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C1=CC=CC=C1 ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(10-phenylanthracen-9-yl)anthracene Chemical group C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 NBYGJKGEGNTQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005808 aromatic amination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N ctk3i0272 Chemical group C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C(=C(C=5C=CC=CC=5)C(C=5C=CC=CC=5)=C(C=5C=CC=CC=5)C=4C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 BHQBDOOJEZXHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 WOYDRSOIBHFMGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N n-Nitrosodimethylamine Chemical compound CN(C)N=O UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzothiazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1 GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本明細書に開示される発明は、成膜基板、成膜方法及び発光装置の作製方法に関する。 The invention disclosed in this specification relates to a deposition substrate, a deposition method, and a method for manufacturing a light-emitting device.
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへ応用されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。 Light-emitting elements using organic compounds having characteristics such as thin and light weight, high-speed response, and direct current low-voltage driving as light emitters are applied to next-generation flat panel displays. In particular, a display device in which light emitting elements are arranged in a matrix is considered to be superior to a conventional liquid crystal display device in that it has a wide viewing angle and excellent visibility.
発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子及び陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。 The light emitting mechanism of the light emitting element is such that when a voltage is applied with an EL layer sandwiched between a pair of electrodes, electrons injected from the cathode and holes injected from the anode are recombined at the emission center of the EL layer. It is said that when excitons are formed and the molecular excitons relax to the ground state, they emit energy and emit light. Singlet excitation and triplet excitation are known as excited states, and light emission is considered to be possible through either excited state.
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。 The EL layer included in the light-emitting element has at least a light-emitting layer. In addition, the EL layer can have a stacked structure including a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like in addition to the light-emitting layer.
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。 Further, EL materials for forming the EL layer are roughly classified into low molecular (monomer) materials and high molecular (polymer) materials. In general, a low molecular material is often formed using a vapor deposition method, and a high molecular material is often formed using an inkjet method or the like.
蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒータと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒータにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。 A vapor deposition apparatus used in the case of the vapor deposition method includes a substrate holder on which a substrate is installed, an EL material, that is, a crucible (or vapor deposition boat) enclosing the vapor deposition material, a heater for heating the EL material in the crucible, and an EL that sublimates. A shutter for preventing diffusion of the material, and the EL material heated by the heater is sublimated to form a film on the substrate.
しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。 However, in practice, in order to uniformly form a film, it is necessary to rotate the deposition target substrate and to keep the distance between the substrate and the crucible more than a certain value. In addition, when performing painting through a mask such as a metal mask using a plurality of EL materials, design a wide interval between different pixels and widen a partition made of an insulating material provided between the pixels. This is a major issue in increasing the fineness (increasing the number of pixels) of a light emitting device including a light emitting element and miniaturizing each display pixel pitch accompanying downsizing.
従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。 Therefore, in order to achieve higher definition as a flat panel display, it is required to solve these problems and improve productivity and cost reduction.
これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。 On the other hand, a method of forming an EL layer of a light emitting element by laser thermal transfer has been proposed (see Patent Document 1).
特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、レーザ光は高反射層では反射され、低反射層では吸収され熱に変換されることにより、低反射層上のＥＬ層が昇華及び転写される。
ハロゲンランプやフラッシュランプなどの光源を用いて、昇華温度が異なる２種類以上の材料が混合された材料層の成膜を行うと、光源の照射時間が長いため昇華温度の低い方の材料から先に昇華し、その後遅れて昇華温度の高い材料が昇華し被成膜基板に形成される。 When a light source such as a halogen lamp or a flash lamp is used to form a material layer in which two or more types of materials having different sublimation temperatures are mixed, the irradiation time of the light source is long, so that the material with the lower sublimation temperature is applied first. After that, a material having a high sublimation temperature is sublimated later and formed on the deposition substrate.
昇華温度の違いにより、被成膜基板上に均一でなく濃度勾配のついた混合層が形成されてしまうと、発光色などの特性に悪影響を与えてしまうという問題点が生じる恐れがある。 If a mixed layer with a non-uniform concentration gradient is formed on the deposition substrate due to a difference in sublimation temperature, there is a possibility that a problem of adversely affecting characteristics such as emission color may occur.
そこで本明細書に記載される発明において、転写基板上に形成した昇華温度の異なる材料を含む材料層を、光照射により被成膜基板上に成膜する方法において、材料層を被成膜基板上に均一な濃度になるように成膜することを課題の１つとする。 Therefore, in the invention described in this specification, in a method for forming a material layer including materials having different sublimation temperatures formed on a transfer substrate on a deposition substrate by light irradiation, the material layer is formed on the deposition substrate. One of the problems is to form a film with a uniform concentration on the top.
転写基板上に形成した昇華温度の異なる２種類以上の材料を混合した材料層上に、キャップ層を形成する。キャップ層を構成する材料としては、材料層に使用している材料よりも昇華温度の高い材料が望ましい。 A cap layer is formed on a material layer formed by mixing two or more materials having different sublimation temperatures formed on the transfer substrate. As a material constituting the cap layer, a material having a higher sublimation temperature than the material used for the material layer is desirable.
キャップ層を形成することにより、昇華温度の異なる２種類以上の材料を混合した材料を昇華させても、被成膜基板上にほぼ均一に混合された混合膜を成膜できる。 By forming the cap layer, even if a material obtained by mixing two or more materials having different sublimation temperatures is sublimated, a mixed film that is almost uniformly mixed can be formed on the deposition target substrate.
本発明の一様態は、基板上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成された材料層と、前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板に関する。 One embodiment of the present invention includes a light absorption layer formed over a substrate, a material layer formed over the light absorption layer, and a cap layer formed over the material layer. It is related with a substrate.
本発明の一様態は、基板上に形成され、開口部を有する反射層と、前記基板及び前記反射層上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成された材料層と、前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板に関する。 In one embodiment of the present invention, a reflective layer formed over a substrate and having an opening, a light absorption layer formed over the substrate and the reflective layer, a material layer formed over the light absorption layer, The present invention relates to a film formation substrate having a cap layer formed on the material layer.
本発明の一様態は、基板上に形成され、開口部を有する反射層と、前記基板及び前記反射層上に形成された断熱層と、前記断熱層上に形成された光吸収層と、前記光吸収層上に形成された材料層と、前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板に関する。 According to one aspect of the present invention, a reflective layer formed on a substrate and having an opening, a heat insulating layer formed on the substrate and the reflective layer, a light absorption layer formed on the heat insulating layer, The present invention relates to a film formation substrate comprising a material layer formed on a light absorption layer and a cap layer formed on the material layer.
前記キャップ層は、前記材料層よりも昇華温度が高い金属を用いて形成される。 The cap layer is formed using a metal having a higher sublimation temperature than the material layer.
前記キャップ層の材料は、前記材料層よりも昇華温度が高い無機化合物を用いて形成される。 The material of the cap layer is formed using an inorganic compound having a higher sublimation temperature than the material layer.
前記キャップ層の材料は、前記材料層よりも昇華温度が高い有機化合物を用いて形成される。 The material of the cap layer is formed using an organic compound having a higher sublimation temperature than the material layer.
前記キャップ層は、アルミニウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The cap layer includes one or more of aluminum, calcium fluoride, and lithium fluoride (LiF).
前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The light absorption layer includes any one or more of titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, and carbon.
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金といったアルミニウムを含む合金、銀−ネオジム合金といった銀を含む合金のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The reflective layer is any one of aluminum, silver, gold, platinum, copper, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, an alloy containing aluminum such as an aluminum-titanium alloy, and an alloy containing silver such as a silver-neodymium alloy, Or two or more are included.
前記断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層及び前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さい。 The thermal conductivity of the material used for the heat insulation layer is smaller than the thermal conductivity of the material used for the reflective layer and the light absorption layer.
前記断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The heat insulating layer includes one or more of titanium oxide, silicon oxide, silicon nitride oxide, zirconium oxide, and silicon carbide.
本発明の一様態は、第１の基板の第１の面上に、光吸収層と、昇華温度の異なる２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、前記材料層を昇華させることにより、前記第２の基板の第１の面上に、前記２種類以上のホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜することを特徴とする成膜方法に関する。 According to one embodiment of the present invention, a light absorption layer, a material layer including two or more kinds of host and guest materials having different sublimation temperatures, and a sublimation temperature higher than that of the material layer are provided on the first surface of the first substrate. Forming a cap layer of material, with a first surface of the second substrate facing the first surface of the first substrate and being a surface opposite to the first surface of the first substrate; By irradiating light from the second surface and sublimating the material layer, a mixed layer in which the two or more types of host and guest materials are mixed is formed on the first surface of the second substrate. The present invention relates to a film forming method.
また本発明の一様態は、第１の基板の第１の面上の第１の領域に反射層を形成し、前記反射層上、及び、前記第１の基板上の前記反射層が形成されていない第２の領域上に、光吸収層を形成し、前記光吸収層上に、昇華温度の異なる２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、前記第２の領域上の光吸収層上の、前記材料層を昇華させることにより、前記第２の基板の第１の面上に、前記２種類以上のホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜することを特徴とする成膜方法に関する。 According to one embodiment of the present invention, a reflective layer is formed in a first region on a first surface of a first substrate, and the reflective layer is formed on the reflective layer and on the first substrate. A light absorption layer is formed on the second region that is not, a material layer containing two or more kinds of host and guest materials having different sublimation temperatures on the light absorption layer, and a material having a higher sublimation temperature than the material layer A second layer which is a surface opposite to the first surface of the first substrate, with the first surface of the second substrate facing the first surface of the first substrate. By irradiating light from the surface of the second substrate and sublimating the material layer on the light absorption layer on the second region, the two or more types of hosts and the first surface of the second substrate are formed. The present invention relates to a film forming method characterized by forming a mixed layer in which a guest material is mixed.
また本発明の一様態は、第１の基板の第１の面上の第１の領域に反射層を形成し、前記反射層上、及び、前記第１の基板上の前記反射層が形成されていない第２の領域上に、光吸収層を形成し、前記光吸収層上に、昇華温度の異なる２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、第２の基板の第１の面上に、陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成し、前記第１の電極の端部と重なる、隔壁を形成し、第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、前記第２の領域上の光吸収層上の、前記材料層を昇華させることにより、前記第１の電極上に、前記２種類以上のホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜し、前記混合層上に、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法に関する。 According to one embodiment of the present invention, a reflective layer is formed in a first region on a first surface of a first substrate, and the reflective layer is formed on the reflective layer and on the first substrate. A light absorption layer is formed on the second region that is not, a material layer containing two or more kinds of host and guest materials having different sublimation temperatures on the light absorption layer, and a material having a higher sublimation temperature than the material layer Forming a cap layer, forming a first electrode which is one of an anode and a cathode on the first surface of the second substrate, and forming a partition wall which overlaps with an end of the first electrode; The first surface of the second substrate is opposed to the first surface of the first substrate, and light is irradiated from a second surface that is the surface opposite to the first surface of the first substrate. By sublimating the material layer on the light absorption layer on the second region, the two or more types of hosts and gates are formed on the first electrode. Forming a preparative material mixture layer is mixed, on the mixed layer, a process for fabricating a light-emitting device and forming a second electrode which is the other of the anode or cathode.
前記キャップ層は、アルミニウム、銀、フッ化カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The cap layer includes one or more of aluminum, silver, calcium fluoride, and lithium fluoride (LiF).
前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The light absorption layer includes any one or more of titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, and carbon.
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金といったアルミニウムを含む合金、銀−ネオジム合金といった銀を含む合金のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含む。 The reflective layer is any one of aluminum, silver, gold, platinum, copper, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, an alloy containing aluminum such as an aluminum-titanium alloy, and an alloy containing silver such as a silver-neodymium alloy, Or two or more are included.
前記２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちホスト材料は、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）であり、前記２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちゲスト材料は、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）である。 Of the material layers containing the two or more types of host and guest materials, the host material is 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), and the two types Of the above-described material layers containing the host and guest materials, the guest material is N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA). .
転写基板上に昇華温度の異なる材料を含む材料層を昇華させて、被成膜基板上に混合層を形成しても、昇華温度の異なる材料が分離することなくほぼ均一に成膜される。 Even when a material layer containing materials having different sublimation temperatures is sublimated on the transfer substrate to form a mixed layer on the film formation substrate, the materials having different sublimation temperatures are formed almost uniformly without separation.
また、以上により、発光色などの特性が安定で、信頼性の高い発光装置を作製することができる。 In addition, as described above, a highly reliable light-emitting device with stable characteristics such as emission color can be manufactured.
以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the invention disclosed in this specification will be described with reference to the drawings. However, the invention disclosed in this specification can be implemented in many different modes, and various changes can be made in form and details without departing from the spirit and scope of the invention disclosed in this specification. It will be readily understood by those skilled in the art. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in the drawings described below, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.
なお本明細書に開示された発明において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、表示装置、発光装置等を含む電気装置及びその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。 Note that in the invention disclosed in this specification, a semiconductor device refers to all elements and devices that function by using a semiconductor, and includes an electric device including an electronic circuit, a display device, a light-emitting device, and the like, and the electric device. The category is the electronic equipment.
［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）、図３、図４、図５、図６、図９、図１０、図１１、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）を用いて説明する。
[Embodiment 1]
This embodiment is described with reference to FIGS. 1A to 1D, 2A to 2D, FIGS. 3, 4, 5, 6, 9, 10, and 11. This will be described with reference to FIGS. 12 (A) to 12 (C).
図１（Ａ）において、支持基板である第１の基板１０１上に光吸収層１０３を形成する。
In FIG. 1A, a
なお、第１の基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などの他、モリブデン、タングステンからなる基板を用いることができる。
Note that as the
光吸収層１０３は、蒸着の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層１０３は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０３は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
The
また、光吸収層１０３に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。なお、光吸収層１０３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
Examples of a material that can be used for the
このように、照射される光の波長により、光吸収層１０３に好適な材料の種類は変化することから、適宜材料を選択する必要がある。
Thus, since the kind of material suitable for the
また、光吸収層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。
The
また、光吸収層１０３の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは１００ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚）であることが好ましい。特に、光吸収層１０３の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０３の膜厚を１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。
The thickness of the
なお、光吸収層１０３は、材料層１０４に含まれる蒸着材料の昇華温度まで加熱することができるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０４に含まれる蒸着材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
Note that as long as the
次いで光吸収層１０３上に、材料層１０４を形成し、材料層１０４上にさらにキャップ層１０５を形成する（図１（Ｂ）参照）。これにより成膜用基板が得られる。
Next, the
本実施の形態では、材料層１０４として、発光性の高い材料であるドーパント材料をゲスト材料として、発光材料を分散させる物質であるホスト材料にゲスト材料分散させた構成を用いる。すなわち、材料層１０４としてホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成する。またホスト材料とゲスト材料を積層した構成を用いてもよい。
In this embodiment, the
なお、材料層１０４として、２種類以上のホスト材料とゲスト材料を用いてもよいし、さらに２種類以上のホスト材料とゲスト材料を積層した構成を用いてもよい。
Note that as the
以下にホスト材料とゲスト材料の例を挙げる。例えば青色〜青緑色の発光は、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセンなどをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などのスチリルアリーレン誘導体や、９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ビス（２−ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などのアントラセン誘導体から得ることができる。 Examples of the host material and guest material are given below. For example, blue to blue-green light emission is dispersed in a suitable host material using perylene, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene (abbreviation: TBP), 9,10-diphenylanthracene, etc. as a guest material. To obtain. In addition, styrylarylene derivatives such as 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (abbreviation: DPVBi), 9,10-di-2-naphthylanthracene (abbreviation: DNA), 9,10-bis It can be obtained from an anthracene derivative such as (2-naphthyl) -2-t-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA).
また、青色発光のゲスト材料としては、スチリルアミン誘導体が好ましく、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）や、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）スチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｓ）などが挙げられる。特にＹＧＡ２Ｓは、４５０ｎｍ付近にピークを有しており好ましい。また、ホスト材料としては、アントラセン誘導体が好ましく、９，１０−ビス（２−ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）が好適である。特に、ＣｚＰＡは電気化学的に安定であるため好ましい。 In addition, as the blue light emitting guest material, a styrylamine derivative is preferable, and N, N′-bis [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-diphenylstilbene-4,4′- Examples include diamine (abbreviation: YGA2S) and N, N′-diphenyl-N, N′-bis (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) stilbene-4,4′-diamine (abbreviation: PCA2S). It is done. In particular, YGA2S is preferable because it has a peak in the vicinity of 450 nm. As the host material, an anthracene derivative is preferable, and 9,10-bis (2-naphthyl) -2-t-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA) or 9- [4- (10-phenyl-9-) is preferable. Anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA) is preferred. In particular, CzPA is preferable because it is electrochemically stable.
例えば青緑色〜緑色の発光は、クマリン３０、クマリン６などのクマリン系色素や、ビス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジナト］ピコリナトイリジウム（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（２−フェニルピリジナト）アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、上述のペリレンやＴＢＰを５ｗｔ％以上の高濃度で適当なホスト材料に分散させることによっても得られる。また、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＴＺ）２、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）クロロガリウム（Ｇａ（ｍｑ）２Ｃｌ）などの金属錯体からも得ることができる。 For example, blue-green to green light is emitted from coumarin dyes such as coumarin 30 and coumarin 6, bis [2- (2,4-difluorophenyl) pyridinato] picolinatoiridium (abbreviation: FIrpic), bis (2-phenylpyri). Dinat) acetylacetonatoiridium (Ir (ppy) 2 (acac)) or the like is used as a guest material and dispersed in a suitable host material. It can also be obtained by dispersing the above-described perylene or TBP in a suitable host material at a high concentration of 5 wt% or more. It can also be obtained from metal complexes such as BAlq, Zn (BTZ) 2, bis (2-methyl-8-quinolinolato) chlorogallium (Ga (mq) 2Cl).
また、青緑色〜緑色の発光層のゲスト材料としては、アントラセン誘導体が効率の高い発光が得られるため好ましい。例えば、９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノ）フェニル−Ｎ−フェニル］アミノフェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ＤＰＡＢＰＡ）を用いることにより、高効率な青緑色発光が得られる。また、２位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体は高効率な緑色発光が得られるため好ましく、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）が特に長寿命であり好適である。 As a guest material for the blue-green to green light-emitting layer, an anthracene derivative is preferable because highly efficient light emission can be obtained. For example, by using 9,10-bis {4- [N- (4-diphenylamino) phenyl-N-phenyl] aminophenyl} -2-tert-butylanthracene (abbreviation: DPABPA), highly efficient blue-green Luminescence is obtained. An anthracene derivative in which an amino group is substituted at the 2-position is preferable because highly efficient green light emission can be obtained, and N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazole-3 is preferable. An amine (abbreviation: 2PCAPA) is particularly preferable because of its long life.
これらのホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、先に述べたＣｚＰＡが電気化学的に安定であるため好ましい。また、緑色発光と青色発光を組み合わせ、青色から緑色の波長領域に２つのピークを持つ発光素子を作製する場合（例えば、前述した実施の形態１に示す第２の発光素子を作製する場合）、青色発光層のホストにＣｚＰＡのような電子輸送性のアントラセン誘導体を用い、緑色発光層のホストにＮＰＢのようなホール輸送性の芳香族アミン化合物を用いると、青色発光層と緑色発光層との界面で発光が得られるため好ましい。すなわちこの場合、２ＰＣＡＰＡのような緑色発光材料のホストとしては、ＮＰＢののような芳香族アミン化合物が好ましい。 As these host materials, anthracene derivatives are preferable, and CzPA described above is preferable because it is electrochemically stable. Further, when green light emission and blue light emission are combined to produce a light-emitting element having two peaks in the blue to green wavelength region (for example, when the second light-emitting element shown in the first embodiment described above is produced), When an electron transporting anthracene derivative such as CzPA is used for the host of the blue light emitting layer and a hole transporting aromatic amine compound such as NPB is used for the host of the green light emitting layer, the blue light emitting layer and the green light emitting layer It is preferable because light emission can be obtained at the interface. That is, in this case, an aromatic amine compound such as NPB is preferable as the host of the green light emitting material such as 2PCAPA.
例えば黄色〜橙色の発光は、ルブレン、４−（ジシアノメチレン）−２−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−６−メチル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エチニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、ビス［２−（２−チエニル）ピリジナト］アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト）アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。特に、ゲスト材料としてルブレンのようなテトラセン誘導体が、高効率かつ化学的に安定であるため好ましい。 For example, yellow to orange light emission is obtained from rubrene, 4- (dicyanomethylene) -2- [p- (dimethylamino) styryl] -6-methyl-4H-pyran (abbreviation: DCM1), 4- (dicyanomethylene) -2. -Methyl-6- (9-julolidyl) ethynyl-4H-pyran (abbreviation: DCM2), bis [2- (2-thienyl) pyridinato] acetylacetonatoiridium (Ir (thp) 2 (acac)), bis (2 -Phenylquinolinato) acetylacetonatoiridium (Ir (pq) 2 (acac)) or the like is used as a guest material and dispersed in a suitable host material. In particular, a tetracene derivative such as rubrene is preferable as a guest material because it is highly efficient and chemically stable.
この場合のホスト材料としては、ＮＰＢのような芳香族アミン化合物が好ましい。他のホスト材料としては、ビス（８−キノキリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ２）やビス［２−シンナモイル−８−キノリノラト］亜鉛（略称：Ｚｎｓｑ２）などの金属錯体を用いることができる。 In this case, the host material is preferably an aromatic amine compound such as NPB. As another host material, a metal complex such as bis (8-quinolinolato) zinc (abbreviation: Znq2) or bis [2-cinnamoyl-8-quinolinolato] zinc (abbreviation: Znsq2) can be used.
例えば橙色〜赤色の発光は、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［２−（ジュロリジン−９−イル）エチニル］−４Ｈ−ピランＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エチニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、ビス［２−（２−チエニル）ピリジナト］アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。ビス（８−キノキリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ２）やビス［２−シンナモイル−８−キノリノラト］亜鉛（略称：Ｚｎｓｑ２）などの金属錯体からも得ることができる。赤色発光を示すゲスト材料としては、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［２−（ジュロリジン−９−イル）エチニル］−４Ｈ−ピランＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エチニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、｛２−イソプロピル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、｛２，６−ビス［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）のような４Ｈ−ピラン誘導体が高効率であり、好ましい特に、ＤＣＪＴＩ、ＢｉｓＤＣＪＴＭは、６２０ｎｍ付近に発光ピークを有するため好ましい。 For example, light emission of orange to red is caused by 4- (dicyanomethylene) -2,6-bis [p- (dimethylamino) styryl] -4H-pyran (abbreviation: BisDCM), 4- (dicyanomethylene) -2,6- Bis [2- (julolidin-9-yl) ethynyl] -4H-pyran DCM1), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (9-julolidyl) ethynyl-4H-pyran (abbreviation: DCM2), bis [2- (2-Thienyl) pyridinato] acetylacetonatoiridium (Ir (thp) 2 (acac)), etc. is used as a guest material and dispersed in a suitable host material. It can also be obtained from a metal complex such as bis (8-quinolinolato) zinc (abbreviation: Znq2) or bis [2-cinnamoyl-8-quinolinolato] zinc (abbreviation: Znsq2). As guest materials that exhibit red light emission, 4- (dicyanomethylene) -2,6-bis [p- (dimethylamino) styryl] -4H-pyran (abbreviation: BisDCM), 4- (dicyanomethylene) -2,6 -Bis [2- (julolidin-9-yl) ethynyl] -4H-pyran DCM1), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (9-julolidyl) ethynyl-4H-pyran (abbreviation: DCM2), {2-Isopropyl-6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H -Pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCJTI), {2,6-bis [2- (2,3,6,7-tetrahydro-8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl) 1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: BisDCJTM) is highly efficient and is particularly preferable. DCJTI and BisDCJTM are preferable because they have an emission peak near 620 nm.
なお、上記の構成において、適当なホスト材料としては、発光性の有機化合物よりも発光色が短波長のものであるか、またはエネルギーギャップの大きいものであればよい。具体的には、上述した例に代表されるホール輸送材料や電子輸送材料から適宜選択することができる。また、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）などを使用しても良い。 Note that in the above structure, a suitable host material may be any material that emits light with a shorter wavelength or has a larger energy gap than the light-emitting organic compound. Specifically, it can be appropriately selected from hole transport materials and electron transport materials represented by the examples described above. In addition, 4,4′-bis (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-carbazolyl) triphenylamine (abbreviation: TCTA), 1,3,5- Tris [4- (N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: TCPB) or the like may be used.
キャップ層１０５を構成する材料としては、材料層１０４に使用している材料よりも昇華温度の高い材料が望ましい。キャップ層１０５を構成する材料としては、金属、無機化合物、有機化合物を用いることができる。またキャップ層１０５は、２種類以上の材料を積層したものであっても、２種類以上の材料を混合したものであってもよい。
As a material constituting the
キャップ層１０５を構成する材料として金属を用いた場合は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などを用いることができる。キャップ層１０５を構成する材料として無機化合物を用いた場合は、例えば、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などを用いることができる。またあるいは、これらの材料を複数組み合わせて用いてもよい。
When a metal is used as the material constituting the
キャップ層１０５の形成方法としては、湿式法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、材料層１０４にダメージを与えない真空蒸着法がより望ましい。
Examples of a method for forming the
キャップ層１０５の膜厚としては、キャップ層１０５及び材料層１０４の材料によって異なるが、キャップ層１０５にアルミニウム（Ａｌ）を用いた場合では、５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
The film thickness of the
次いで、被成膜基板である第２の基板１１１の一方の面を、第１の基板１０１の材料層１０４及びキャップ層１０５を形成した面と対向させる。そして第２の基板１１１の他方の面から、光１０７の照射を行う（図１（Ｃ）参照）。光１０７は、光吸収層１０３に吸収される。光吸収層１０３に吸収された光から熱が発生し、この熱により材料層１０４の蒸着材料が昇華する。
Next, one surface of the
本実施の形態では、光１０７の例としてレーザ光を用いる。レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。 In this embodiment mode, laser light is used as an example of the light 107. Laser light includes Ar laser, Kr laser, excimer laser and other gas lasers, single crystal YAG, YVO4, forsterite (Mg2SiO4), YAlO3, GdVO4, or polycrystalline (ceramic) YAG, Y2O3, YVO4, YAlO3, Laser, glass laser, ruby laser, alexandrite laser, Ti: sapphire using GdVO4 as a medium with one or more of Nd, Yb, Cr, Ti, Ho, Er, Tm, Ta added as a dopant A laser oscillated from one or a plurality of solid lasers such as a laser and a fiber laser can be used. Moreover, the second harmonic or the third harmonic oscillated from the solid-state laser can also be used. Note that the use of a solid-state laser whose laser medium is solid has the advantage that a maintenance-free state can be maintained for a long time and the output is relatively stable.
また、上述したレーザは、パルスレーザ、連続発振（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）レーザなどを用いることができる。なお、パルスレーザの場合には、例えば、数Ｈｚ〜数１００ｋＨＺの周波数だけでなく、１ＭＨｚ以上の周波数のレーザ光を用いることができる。また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。 As the above-described laser, a pulse laser, a continuous wave (CW: continuous-wave) laser, or the like can be used. In the case of a pulse laser, for example, a laser beam having a frequency of 1 MHz or more can be used as well as a frequency of several Hz to several hundred kHz. The shape of the laser spot is preferably linear or rectangular.
また光１０７としてレーザ光以外の光では、ランプ光が挙げられる。ランプ光を用いる場合には、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で大面積への照射が可能である。また、発光させる時間の間隔を変えることによって、光の照射量の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。 As the light 107, lamp light can be used as light other than laser light. When lamp light is used, a flash lamp (such as a xenon flash lamp or a krypton flash lamp), a discharge lamp such as a xenon lamp or a metal halide lamp, or a heating lamp such as a halogen lamp or a tungsten lamp can be used. The flash lamp can irradiate a large area in a short time (0.1 to 10 milliseconds). In addition, the amount of light irradiation can be controlled by changing the time interval of light emission. Moreover, since the flash lamp has a long life and low power consumption during light emission standby, the running cost can be kept low.
また、光１０７の照射は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、処理室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。 The irradiation with the light 107 is preferably performed in a reduced-pressure atmosphere. Therefore, it is preferable to set the atmosphere in the processing chamber to 5 × 10 −3 Pa or less, preferably 10 −6 Pa to 10 −4 Pa.
光吸収層１０３に吸収された光から得られた熱により、材料層１０４の蒸着材料が昇華し、第２の基板１１１の表面、すなわち、第１の基板１０１に対向した面に、ホスト材料とゲスト材料が混合された混合層１０８が形成される。なおキャップ層１０５は光吸収層１０３上に残存する（図１（Ｄ）参照）。
The vapor deposition material of the
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）では、光吸収層１０３のみを形成した場合の成膜基板及び成膜方法を示していたが、反射層１０２を形成した場合の成膜基板及び成膜方法について、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を用いて説明する。
1A to 1D show the film formation substrate and the film formation method when only the
第１の基板１０１上に、反射層１０２及び光吸収層１０３を形成する（図２（Ａ）参照）。
The
反射層１０２は、光１０７を照射する際、光吸収層１０３に選択的に光１０７を照射し、それ以外の部分に照射される光を反射させる層である。よって、反射層１０２は、光１０７に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
The
また、反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金）、または銀を含む合金（銀−ネオジム合金）などを用いることができる。
Examples of a material that can be used for the
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光１０７が反射層１０２を透過することを抑制することができる。
Note that the
次いで図１（Ｂ）に示す工程と同様に、光吸収層１０３上に材料層１０４及びキャップ層１０５を形成する（図２（Ｂ）参照）。これにより成膜用基板が得られる。
Next, similarly to the process illustrated in FIG. 1B, the
次いで図１（Ｃ）に示す工程と同様に、第２の基板１１１の一方の面を、第１の基板１０１の材料層１０４及びキャップ層１０５を形成した面と対向させる。そして第２の基板１１１の他方の面から、光１０７の照射を行う（図２（Ｃ）参照）。光１０７は、光吸収層１０３に吸収され、反射層１０２では反射される。光吸収層１０３に吸収された光から熱が発生し、この熱により光吸収層１０３上の材料層１０４の材料が昇華する。
Next, similarly to the process illustrated in FIG. 1C, one surface of the
光吸収層１０３に吸収された光から得られた熱により、材料層１０４の材料が昇華し、第２の基板１１１の表面に混合層１０８が形成される。一方、反射層１０２上の材料層１０４は、昇華せずに残存する。キャップ層１０５は光吸収層１０３及び反射層１０２上に残存する（図１（Ｄ）参照）。
With the heat obtained from the light absorbed by the
ここで、キャップ層１０５の存在の有無の効果と、キャップ層１０５の材料の差異、キャップ層１０５の厚さについて、図３、図４、図５、図６、図９、図１０、図１１を用いて説明する。
Here, the effects of the presence or absence of the
図３、図４、図５、図６に、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを示す。ＰＬスペクトルは、励起波長の光を照射して、混合層１０８から放出される光の波長と光の強度を表したスペクトルである。
3, FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 6 show photoluminescence (PL) spectra. The PL spectrum is a spectrum that represents the wavelength and intensity of light emitted from the
本実施の形態では、材料層１０４として、ゲスト材料として２ＰＣＡＰＡ、ホスト材料としてＣｚＰＡを用いる。真空中（真空度１０−３Ｐａ）時の２ＰＣＡＰＡの昇華温度は２６０℃、ＣｚＰＡの昇華温度は２１０℃である。このため、２１０℃から２６０℃に昇温するのに時間差が生じると、ＣｚＰＡが先に昇華して、後から２ＰＣＡＰＡが昇華する。
In this embodiment, 2PCAPA is used as the guest material and CzPA is used as the host material for the
図３には、キャップ層１０５を用いず光照射を行い昇華させた混合層１０８のＰＬスペクトル（細い実線）、光照射を行う前の材料層１０４のＰＬスペクトル（太い実線）が示されている。
FIG. 3 shows the PL spectrum (thin solid line) of the
材料層１０４のＰＬスペクトル（太い実線）は５２０ｎｍ付近のピークＢしか有していないが、光１０７を照射することにより材料層１０４を昇華させて基板１１１に成膜すると、４５０ｎｍ付近のピークＡ及び５２０ｎｍ付近のピークＢという２つのピークが発生してしまう。これは、ゲスト材料とホスト材料が光１０７の照射の際に、光吸収層１０３が光１０７を吸収し熱に変わり、昇温する過程で昇華温度の低いＣｚＰＡが先に昇華してしまい、昇華温度の高い２ＰＣＡＰＡが後から昇華ことによって、混合層１０８中に濃度勾配ができるために発生する。
Although the PL spectrum (thick solid line) of the
図４は、キャップ層１０５がない場合のＰＬスペクトル（細い実線）と、キャップ層１０５としてアルミニウム（Ａｌ）膜を膜厚５ｎｍで形成し、光照射後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い破線）、キャップ層１０５としてアルミニウム（Ａｌ）膜を膜厚１０ｎｍで形成し、光照射後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い点線）を示している。
FIG. 4 shows a PL spectrum without the cap layer 105 (thin solid line), and a PL spectrum (thin broken line) of the
図４では、キャップ層１０５としてのアルミニウム膜が形成されていると、光照射後の混合層１０８のＰＬスペクトルはピークＡとピークＢの２つのピークに***せず、１つのピークのみが存在する。これはゲスト材料である２ＰＣＡＰＡとホスト材料であるＣｚＰＡが分離せず、ほぼ均一に混合されているということである。
In FIG. 4, when an aluminum film is formed as the
また、アルミニウム膜の膜厚が５ｎｍであっても１０ｎｍであっても、ＰＬスペクトルの形状は変わらない。 Moreover, the shape of the PL spectrum does not change even if the film thickness of the aluminum film is 5 nm or 10 nm.
図５は、キャップ層１０５がない場合の光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い実線）と、キャップ層１０５としてフッ化カルシウム（ＣａＦ２）膜を膜厚５ｎｍで形成し、光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い一点破線）、キャップ層１０５としてフッ化カルシウム（ＣａＦ２）膜を膜厚１０ｎｍで形成し、光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い二点波線）を示している。
FIG. 5 shows a PL spectrum (thin solid line) of the
図５では、キャップ層１０５なしのＰＬスペクトルと比較して、ホスト材料（ピークＡ）の発光が抑制されている。これはゲスト材料をホスト材料がキャップ層１０５なしの場合より混ざっていることを示す。
In FIG. 5, the emission of the host material (peak A) is suppressed as compared with the PL spectrum without the
また、フッ化カルシウム膜の膜厚が５ｎｍであっても１０ｎｍであっても、ＰＬスペクトルの形状は変わらない。 Further, the shape of the PL spectrum does not change even if the thickness of the calcium fluoride film is 5 nm or 10 nm.
図６では、キャップ層１０５がない場合の光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い実線）と、キャップ層１０５としてアルミニウム（Ａｌ）膜を膜厚１０ｎｍで形成し、光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い点線）と、キャップ層１０５としてフッ化カルシウム（ＣａＦ２）膜を膜厚１０ｎｍで形成し、光照射した後の混合層１０８のＰＬスペクトル（細い二点波線）を示す。
In FIG. 6, the PL spectrum (thin solid line) of the
図６に示されるように、同じ膜厚でも、アルミニウム膜の方がフッ化カルシウム膜よりもホスト材料からの発光（ピークＡ）が減少し、アルミニウム膜の方が、キャップ層１０５としてより機能していることが分かる。
As shown in FIG. 6, even with the same film thickness, the aluminum film emits less light (peak A) from the host material than the calcium fluoride film, and the aluminum film functions more as the
次いで、図９、図１０、図１１は、ＴｏＦ−ＳＩＭＳデータである。このＴｏＦ−ＳＩＭＳデータは、サンプルを斜めに切削することで表面と膜中の深さ方向の濃度分布を測定したものである。 Next, FIGS. 9, 10, and 11 are ToF-SIMS data. This ToF-SIMS data is obtained by measuring the concentration distribution in the depth direction in the surface and in the film by cutting the sample obliquely.
図９、図１０、図１１において、横軸は測定位置、縦軸は二次イオン強度である。 9, 10, and 11, the horizontal axis represents the measurement position, and the vertical axis represents the secondary ion intensity.
ＴｏＦ−ＳＩＭＳの測定において、試料をどのように切断するかを図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）を用いて説明する。第１の層１２５，第２の層１２４、第３の層１２３、第４の層１２２及び表面１２１を有する積層構造体（図１２（Ａ）参照）を、線１２７に沿って切断する（図１２（Ｂ）参照）。
In the measurement of ToF-SIMS, how to cut the sample will be described with reference to FIGS. A stacked structure including the
線１２７に沿って切断された積層構造体は、表面１２１、及び、第１の層１２５，第２の層１２４、第３の層１２３、第４の層１２２の斜面が露出される。表面１２１、並びに、露出された第１の層１２５，第２の層１２４、第３の層１２３、第４の層１２２を上から見た図が図１２（Ｃ）である。図９〜図１１は、それぞれ図１２（Ｃ）のＴｏＦ−ＳＩＭＳデータである。なお図９〜図１１において、それぞれ領域Ｃは被成膜基板である基板１１１側の領域、領域Ｂは膜中の領域、領域Ａは表面である。
In the stacked structure cut along the
図９はキャップ層１０５を設けた場合、図１０はキャップ層１０５を設けない場合のＴｏＦ−ＳＩＭＳデータである。図１２（Ｃ）に示す測定位置をＸ軸とし、二次イオン強度をＹ軸とする。図９及び図１０においては、基板１１１に転写された混合層１０８のＴｏＦ−ＳＩＭＳデータを示している。
9 shows ToF-SIMS data when the
図９において、膜中の領域Ｂに、ホスト材料であるＣｚＰＡのピークが見られる。しかし領域Ｂと領域Ａの境界付近（ｘ＝１３０μｍ付近）にて、二次イオン強度が下がりその後一定になっている。 In FIG. 9, a peak of CzPA, which is a host material, is observed in region B in the film. However, near the boundary between the region B and the region A (x = 130 μm), the secondary ion intensity decreases and thereafter becomes constant.
一方、ゲスト材料である２ＰＣＡＰＡは、領域Ｃ及び領域Ｂでは、二次イオン強度が上昇し、領域Ａでは一定の強度を保っていることが分かる。 On the other hand, in the case of 2PCAPA, which is a guest material, the secondary ion intensity increases in the region C and the region B, and a constant strength is maintained in the region A.
すなわち、領域Ａでは、ホスト材料であるＣｚＰＡとゲスト材料である２ＰＣＡＰＡが、一定の濃度で混在していることを示している。 That is, in region A, it is shown that CzPA as the host material and 2PCAPA as the guest material are mixed at a constant concentration.
図１０においては、領域ＢにおいてＣｚＰＡのピークが見られる。一方、２ＰＣＡＰＡは、領域Ｃ及び領域Ｂでは二次イオン強度は低く、領域Ｂと領域Ａの境界付近である距離２００μｍ付近〜１６０μｍ付近で二次イオン強度が上昇する。領域Ａでは、２ＰＣＡＰＡの二次イオン強度はほぼ一定である。 In FIG. 10, a CzPA peak is observed in the region B. On the other hand, 2PCAPA has a low secondary ion intensity in the region C and the region B, and the secondary ion intensity increases in the vicinity of the distance of 200 μm to 160 μm, which is near the boundary between the region B and the region A. In region A, the secondary ionic strength of 2PCAPA is almost constant.
図１０からは、ＣｚＰＡのピークと２ＰＣＡＰＡのピークがずれており、基板１１１に近い領域ＣではＣｚＰＡが多く、表面に近い領域Ａでは２ＰＣＡＰＡが多いということが分かる。これは昇華温度のより低いＣｚＰＡが先に昇華してしまい、昇華温度がより高い２ＰＣＡＰＡがＣｚＰＡより遅れて昇華したことを意味する。このようにゲスト材料とホスト材料が分離してしまうと、発光色などのＥＬ特性に悪影響を与えてしまう。
From FIG. 10, it can be seen that the peak of CzPA and the peak of 2PCAPA are deviated, and that there is much CzPA in the region C close to the
なお比較のために、図１（Ａ）に示す材料層１０４のＴｏＦ−ＳＩＭＳデータを図１１に示す。材料層１０４はＣｚＰＡと２ＰＣＡＰＡの混合層である。
For comparison, FIG. 11 shows ToF-SIMS data of the
図１１に示されるように、領域Ａ〜領域Ｃにおいて、ＣｚＰＡと２ＰＣＡＰＡは両方ともほぼ同じ二次イオン強度を保っている。すなわち、キャップ層１０５が存在しない状態で昇華工程を行うと、図１０に示されるように、ホスト材料であるＣｚＰＡとゲスト材料である２ＰＣＡＰＡが分離してしまう。しかしながら、キャップ層１０５を設けると、図９に示されるように、昇華工程を経てもホスト材料であるＣｚＰＡとゲスト材料である２ＰＣＡＰＡの混合状態を改善させることができる。これによりＥＬ特性を向上させることができる。
As shown in FIG. 11, in regions A to C, both CzPA and 2PCAPA maintain substantially the same secondary ion intensity. That is, when the sublimation process is performed in a state where the
次いで、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を用いて、第１の基板１０１上に光吸収層１０３だけではなく、反射層１０２を形成し、第２の基板１１１上に混合層１０８を選択的に形成する方法について説明する。
Next, using FIG. 2A to FIG. 2D, not only the
第１の基板１０１上に、選択的に反射層１０２を形成し、反射層１０２上、及び、基板１０１の反射層１０２が形成されていない領域上に、光吸収層１０３を形成する（図２（Ａ）参照）。なお、図２（Ａ）では反射層１０２上に光吸収層１０３を形成したが、光吸収層１０３を選択的に形成し、光吸収層１０３上、及び、基板１０１の光吸収層１０３が形成されていない領域上に反射層１０２を形成してもよい。
A
反射層１０２は、図２（Ｃ）に示す光１０７を照射する際、光吸収層１０３に選択的に光を照射し、それ以外の部分に照射される光を反射させる層である。よって、反射層１０２は、光１０７に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０２は、照射される光１０７に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
The
また、反射層１０２に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金）、または銀を含む合金（銀−ネオジム合金）などを用いることができる。
Examples of a material that can be used for the
なお、反射層１０２は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０２の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光１０７が反射層１０２を透過することを抑制することができる。
Note that the
次いで、光吸収層１０３上に、材料層１０４及びキャップ層１０５を形成する（図２（Ｂ）参照）。なお反射層１０２が光吸収層１０３上に形成されている場合は、反射層１０２上に材料層１０４及びキャップ層１０５を形成する。
Next, the
次いで、被成膜基板である第２の基板１１１の一方の面を、第１の基板１０１の材料層１０４及びキャップ層１０５を形成した面と対向させる。そして第２の基板１１１の他方の面から、光１０７の照射を行う（図２（Ｃ）参照）。光１０７は、反射層１０２で反射され、光吸収層１０３に吸収される。光吸収層１０３に吸収された光から熱が発生し、この熱により光吸収層１０３上の材料層１０４の材料が昇華する。反射層１０２上の材料層１０４の材料は、昇華されず反射層１０２上に残存する。
Next, one surface of the
光１０７の照射により、光吸収層１０３上の材料層１０４の蒸着材料が昇華して、第２の基板１１１上に混合層１０８が形成される。反射層１０２上の材料層１０４の材料は昇華されず、反射層１０２に対応する第２の基板１１１の領域には、混合層１０８は形成されない（図２（Ｄ）参照）。
By irradiation with
また、図１８（Ａ）〜図１８（Ｄ）を用いて、第１の基板１０１上に光吸収層１０３だけではなく、反射層１０２及び断熱層１０９を形成し、第２の基板１１１上に混合層１０８を選択的に形成する方法について説明する。
18A to 18D, not only the
第１の基板１０１上に、選択的に反射層１０２を形成し、反射層１０２上に断熱層１０９を形成する（図１８（Ａ）参照）。
A
断熱層１０９は、反射層１０２の上に形成される材料層１０４が加熱され、昇華するのを抑制するための層である。断熱層１０９としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし断熱層１０９は、反射層１０２及び光吸収層１０３に用いた材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。
The
断熱層１０９は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層１０９の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。断熱層１０９を１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０２が加熱された場合でも、反射層１０２の上に位置する材料層１０４に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。
The
また、断熱層１０９は、反射層１０２が形成されない領域には形成されない。断熱層１０９形成する際には、断熱層１０９となる材料膜を基板１０１及び反射層１０２上に形成し、反射層１０２上以外の領域の材料膜を除去すればよい。このようにして断熱層１０９を形成するには、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、断熱層１０９の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。
Further, the
次いで、基板１０１及び断熱層１０９上に光吸収層１０３を形成する。次いで、光吸収層１０３上に材料層１０４、材料層１０４上にキャップ層１０５を形成する。以上のようにして、成膜用基板が作製される（図１８（Ｂ）参照）。
Next, the
次いで、被成膜基板である第２の基板１１１の一方の面を、第１の基板１０１の材料層１０４及びキャップ層１０５を形成した面と対向させる。そして第２の基板１１１の他方の面から、光１０７の照射を行う（図１８（Ｃ）参照）。光１０７は、反射層１０２で反射され、光吸収層１０３に吸収される。光吸収層１０３に吸収された光から熱が発生し、この熱により光吸収層１０３上の材料層１０４の材料が昇華する。反射層１０２上の材料層１０４の材料は、反射層１０２で光１０７が反射され、かつ、断熱層１０９で熱が遮断されるため、昇華されず反射層１０２上に残存する。
Next, one surface of the
光１０７の照射により、光吸収層１０３上の材料層１０４の材料が昇華して、第２の基板１１１上に混合層１０８が形成される。反射層１０２上の材料層１０４の材料は昇華されず、反射層１０２に対応する第２の基板１１１の領域には、混合層１０８は形成されない（図１８（Ｄ）参照）。
By irradiation with
［実施の形態２］
本実施の形態では、実施の形態１で示した混合層の作製方法を用いて、発光装置の作製方法について、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）、図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）を用いて説明する。
[Embodiment 2]
In this embodiment, a method for manufacturing a light-emitting device using the method for manufacturing a mixed layer described in
まず実施の形態１に基づいて、図２（Ａ）〜図２（Ｂ）に示すキャップ層１０５の作製までの作製工程を行う。
First, based on
基板１１１上に、電極１３１を形成する。電極１３１は、発光装置の陽極あるいは陰極の一方となる。
An
発光装置は、陽極または陰極の一方、あるいは両方を透光性を有する導電膜で形成する必要がある。陽極または陰極のうち、発光層を含む有機物層の下に透光性を有する導電膜、有機物層の上に遮光性を有する導電膜を形成する場合は、発光装置は下面射出の発光装置となる。逆に、陽極または陰極のうち、発光層を含む有機物層の下に遮光性を有する導電膜、有機物層の上に透光性を有する導電膜を形成する場合は、発光装置は上面射出の発光装置となる。陽極及び陰極の両方を透光性を有する導電膜で形成する場合は、発光装置は両面射出の発光装置となる。 In a light-emitting device, one or both of an anode and a cathode needs to be formed using a light-transmitting conductive film. When a light-transmitting conductive film is formed under an organic material layer including a light-emitting layer and a light-shielding conductive film is formed over the organic material layer, the light-emitting device is a bottom emission light-emitting device. . On the other hand, in the case of forming a light-shielding conductive film under the organic layer including the light-emitting layer of the anode or the cathode and a light-transmitting conductive film over the organic layer, the light-emitting device emits light from the top. It becomes a device. In the case where both the anode and the cathode are formed using a light-transmitting conductive film, the light emitting device is a dual emission light emitting device.
透光性を有する陽極の材料として、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や酸化インジウム−酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））、ケイ素もしくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）、などの導電性金属酸化物膜を用いることができる。 As a material for a light-transmitting anode, indium oxide (In 2 O 3), indium oxide-tin oxide alloy (In 2 O 3 —SnO 2; Indium Tin Oxide (ITO)), indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium oxide -Zinc oxide (IZO), indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide, indium oxide zinc oxide alloy (In2O3-ZnO), zinc oxide (ZnO), and further increase the transmittance and conductivity of visible light Therefore, a conductive metal oxide film such as zinc oxide (ZnO: Ga) to which gallium (Ga) is added can be used.
これらの材料をスパッタ法、真空蒸着法、ゾル−ゲル法などを用いて形成すればよい。 These materials may be formed using a sputtering method, a vacuum evaporation method, a sol-gel method, or the like.
例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。 For example, indium oxide-zinc oxide (IZO) can be formed by a sputtering method using a target in which 1 to 20 wt% of zinc oxide is added to indium oxide. Further, indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide can be formed by a sputtering method using a target containing 0.5 to 5 wt% tungsten oxide and 0.1 to 1 wt% zinc oxide with respect to indium oxide. it can.
透光性を有する陰極を形成する場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そのような物質の薄膜と上述のような透光性を有する導電膜との積層構造を用いることによって作製することができる。 In the case of forming a light-transmitting cathode, an ultra-thin film of a material having a low work function such as aluminum is used, or a laminated structure of a thin film of such a substance and a light-transmitting conductive film as described above is used. It can be manufactured by using.
また、陰極と後述する電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な透光性を有する導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。 In addition, by providing an electron injection layer between the cathode and the electron transport layer described later, various translucency such as indium oxide-tin oxide containing ITO, silicon, or silicon oxide, regardless of the size of the work function. An electroconductive material having the above can be used as the cathode. These conductive materials can be formed by a sputtering method, an inkjet method, a spin coating method, or the like.
また遮光性を有する導電膜を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、及びマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
When a light-shielding conductive film is used as the cathode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (specifically, 3.8 eV or less) can be used. Specific examples of such a cathode material include elements belonging to
また、遮光性を有する導電膜を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物などを用いることが好ましい。 In the case of using a light-shielding conductive film as an anode, it is preferable to use a metal, an alloy, a conductive compound, a mixture thereof, or the like having a high work function (specifically, 4.0 eV or more).
例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の材料を選択することができる。 For example, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd ) Or a nitride of a metal material (for example, titanium nitride). Further, by providing the above-described composite material in contact with the anode, the material of the electrode can be selected regardless of the work function.
また、基板１１１としては、ガラス基板、石英基板、半導体基板、セラミック基板等を用いればよい。ただし、下方射出の発光装置及び両面射出の発光装置の作製する場合は、基板１１１も透光性の基板である必要がある。このような透光性の基板として、ガラス基板や石英基板を用いればよい。
As the
基板１１１上に、電極１３１の端部と重なるように、隔壁１３２を形成する。隔壁１３２は、画素ごとに混合層１０８を分離するために形成され、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることができる。
A
無機材料として、例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、ダイヤモンド状炭素（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ（ＤＬＣ））のいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いることができる。また、有機材料として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、シロキサンのうちいずれか１つ、あるいは、２つ以上の積層構造を用いればよい。 As the inorganic material, for example, any one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide containing nitrogen, and diamond-like carbon (DLC), or a stacked structure of two or more can be used. As the organic material, any one of polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, resist, benzocyclobutene, and siloxane, or a stacked structure of two or more may be used.
シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、あるいは、置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料を出発原料として形成される。また、置換基としてフルオロ基を用いてもよく、さらに置換基として、少なくとも水素を含む有機基及びフルオロ基とを用いてもよい。 Siloxane has a skeletal structure composed of a bond of silicon (Si) and oxygen (O) and contains at least hydrogen as a substituent, or at least one of fluorine, an alkyl group, and aromatic hydrocarbon as a substituent. A polymer material having a seed is formed as a starting material. Further, a fluoro group may be used as a substituent, and an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent.
基板１０１のキャップ層１０５が形成された面と、基板１１１の隔壁１３２が形成された面を対向させ、基板１０１のキャップ層１０５が形成されていない面から、光１０７の照射を行う（図１３（Ａ）参照）。
The surface of the
光１０７の照射により、光吸収層１０３上の材料層１０４の材料が昇華して、電極１３１上に混合層１０８が形成される。反射層１０２上の材料層１０４の材料は昇華されない（図１３（Ｂ）参照）。
By irradiation with
次いで、混合層１０８上に、陽極あるいは陰極の他方となる電極１３３を形成する（図１３（Ｃ）参照）。以上により、陽極と陰極に挟まれた発光層を有する発光装置を作製することができる。
Next, an
また、基板１１１上の異なる場所に３種類の発光色の異なる発光層をそれぞれ形成する場合について、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）、図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）、図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）を用いて説明する。
FIGS. 14A to 14C, FIGS. 15A to 15D, and FIGS. 15A to 15D each illustrate the case where three types of light emitting layers having different emission colors are formed at different locations on the
まず、実施の形態１において図２（Ａ）に示す基板１０１を３枚用意する。ただし、それぞれの基板には、発光色の異なる発光層を形成するための材料を含む材料層が形成されている。
First, three
具体的には、赤色発光を示す混合層１０８Ｒを形成するための材料層１０４Ｒを有する基板１０１Ｒと、緑色発光を示す混合層１０８Ｇを形成するための材料層１０４Ｇを有する基板１０１Ｇと、青色発光を示す混合層１０８Ｂを形成するための材料層１０４Ｂを有する基板１０１Ｂとを用意する。
Specifically, a
基板１０１Ｒ上において、混合層１０８Ｒが形成されない領域に対応して、反射層１０２Ｒが形成され、混合層１０８Ｒが形成される領域に対応する領域には、反射層１０２Ｒは形成されない。反射層１０２Ｒ上には光吸収層１０３Ｒが形成されるので、基板１０１Ｒ上の混合層１０８Ｒが形成される領域に対応する領域には、光吸収層１０３Ｒのみが形成される。
On the
また、基板１０１Ｇ上において、混合層１０８Ｇが形成されない領域に対応して、反射層１０２Ｇが形成され、混合層１０８Ｇが形成される領域に対応する領域には、反射層１０２Ｇは形成されない。反射層１０２Ｇ上には光吸収層１０３Ｇが形成されるので、基板１０１Ｇ上の混合層１０８Ｇが形成される領域に対応する領域には、光吸収層１０３Ｇのみが形成される。
In addition, on the
また、基板１０１Ｂ上において、混合層１０８Ｂが形成されない領域に対応して、反射層１０２Ｂが形成され、混合層１０８Ｂが形成される領域に対応する領域には、反射層１０２Ｂは形成されない。反射層１０２Ｂ上には光吸収層１０３Ｂが形成されるので、基板１０１Ｂ上の混合層１０８Ｂが形成される領域に対応する領域には、光吸収層１０３Ｂのみが形成される。
Further, on the
以下、赤の画素Ｒに対応する混合層１０８Ｒ、緑の画素Ｇに対応する混合層１０８Ｇ、青の画素Ｂに対応する混合層１０８Ｂの順に形成する例を示すが、各色の発光層を形成する順番は以下に限定されないものである。
Hereinafter, an example in which the
まず基板１０１Ｒのキャップ層１０５が形成された面と、基板１１１の隔壁１３２が形成された面を対向させ、基板１０１Ｒの、光吸収層１０３Ｒ、及び材料層１０４Ｒが形成されていない面から光１０７を照射する（図１４（Ａ）参照）。
First, the surface of the
光吸収層１０３Ｒが照射された光１０７を吸収することにより、材料層１０４Ｒが加熱される。これにより材料層１０４Ｒに含まれる材料が昇華され、基板１１１上に形成された、赤の画素Ｒに対応する電極１３１上に混合層１０８Ｒが形成される（図１４（Ｂ）参照）。
The
混合層１０８Ｒが形成された後、基板１０１Ｒを基板１１１と離れた場所へ移動させる。
After the
次いで、基板１０１Ｇのキャップ層１０５が形成された面と、基板１１１の隔壁１３２が形成された面を対向させ、基板１０１Ｇの、光吸収層１０３Ｇ、及び材料層１０４Ｇが形成されていない面から光１０７を照射する（図１４（Ｃ）参照）。
Next, the surface of the
なお、基板１０１Ｇに形成された材料層１０４Ｇは、基板１０１Ｒ上に形成された材料層１０４Ｒよりも１画素分ずらした位置に形成されている。
Note that the
光吸収層１０３Ｇが照射された光１０７を吸収することにより、材料層１０４Ｇが加熱される。これにより材料層１０４Ｇに含まれる材料が昇華され、基板１１１上に形成された、緑の画素Ｇに対応する電極１３１上に混合層１０８Ｇが形成される（図１５（Ａ）参照）。
The light
混合層１０８Ｇが形成された後、基板１０１Ｇを基板１１１と離れた場所へ移動させる。
After the
次いで、基板１０１Ｂのキャップ層１０５が形成された面と、基板１１１の隔壁１３２が形成された面を対向させ、基板１０１Ｂの、光吸収層１０３Ｂ、及び材料層１０４Ｂが形成されていない面から光１０７を照射する（図１５（Ｂ）参照）。
Next, the surface of the
なお、基板１０１Ｂに形成された材料層１０４Ｂは、基板１０１Ｒ上に形成された材料層１０４Ｒよりも２画素分ずらした位置に形成されている。
Note that the
光吸収層１０３Ｂが照射された光１０７を吸収することにより、材料層１０４Ｂが加熱される。これにより材料層１０４Ｂに含まれる材料が昇華され、基板１１１上に形成された、青の画素Ｂに対応する電極１３１上に混合層１０８Ｂが形成される（図１５（Ｃ）参照）。
The
混合層１０８Ｂが形成された後、基板１０１Ｂを基板１１１と離れた場所へ移動させる。
After the
次いで、混合層１０８Ｒ、混合層１０８Ｇ、混合層１０８Ｂそれぞれの上に、陽極あるいは陰極の他方である電極１３３を形成する（図１５（Ｄ）参照）。
Next, an
以上より、同一基板上に異なる発光色を示す発光層を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。 As described above, a light-emitting device capable of full color display can be formed by forming light-emitting layers having different emission colors over the same substrate.
図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）を用いて、混合層１０８Ｒ、混合層１０８Ｇ、混合層１０８Ｂの形状及び配置の方法について述べる。
The shape and arrangement method of the
図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は、混合層１０８Ｒ、混合層１０８Ｇ、混合層１０８Ｂそれぞれの形状を矩形とした例である。図１６（Ａ）は、同じ発光色となる発光層が隣り合うように連続的に（いわゆるライン状に）形成した例である。一方図１６（Ｂ）は、同じ発光色となる発光層が隣り合わないように形成した例である。
16A and 16B are examples in which the shapes of the
また、図１６（Ｃ）に示すように、混合層１０８Ｒ、混合層１０８Ｇ、混合層１０８Ｂそれぞれの形状を多角形、例えば六角形としてもよい。図１６（Ｃ）においては、同じ発光色となる発光層が隣り合わないように配置している。
Further, as shown in FIG. 16C, the shapes of the
以上により、陽極と陰極に挟まれた、赤色を発光する発光層、緑色を発光する発光層、青色を発光する発光層を有する、フルカラー発光装置を作製することができる。 As described above, a full-color light emitting device including a light emitting layer that emits red light, a light emitting layer that emits green light, and a light emitting layer that emits blue light sandwiched between an anode and a cathode can be manufactured.
［実施の形態３］
本実施の形態では、発光層に加えてキャリア輸送層、キャリア注入層を形成した発光装置の作製方法を、図１７（Ａ）〜図１７（Ｄ）を用いて説明する。
[Embodiment 3]
In this embodiment, a method for manufacturing a light-emitting device in which a carrier transport layer and a carrier injection layer are formed in addition to the light-emitting layer will be described with reference to FIGS.
まず実施の形態１及び実施の形態２に基づいて、基板１１１上に電極１３１及び隔壁１３２を形成する（図１７（Ａ）参照）。
First, based on
電極１３１が陽極の場合、電極１３１上に順に、正孔注入層、正孔輸送層、混合層１０８、電子輸送層、電子注入層、陰極として電極１３３を形成すればよい。また電極１３１が陰極である場合、電極１３１上に順に、電子注入層、電子輸送層、混合層１０８、正孔輸送層、正孔注入層、陽極として電極１３３を形成すればよい。
In the case where the
本実施の形態では、電極１３１を陽極、電極１３３を陰極として、電極１３１、正孔注入層１４１、正孔輸送層１４２、混合層１０８、電子輸送層１４３、電子注入層１４４、電極１３３を積層することにより発光装置を作製する。
In this embodiment mode, the
電極１３１上の、隣り合う隔壁１３２に囲まれた領域に、正孔注入層１４１及び正孔輸送層１４２を形成する（図１７（Ｂ）参照）。
A
例えば、正孔注入層１４１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
For example, for the
また、正孔注入層１４１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを用いることができる。
As the hole-injecting
正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることにより形成することができる。 The layer containing a substance having a high hole-transport property and a substance having an electron-accepting property includes, for example, a material layer in which a layer containing a substance having a high hole-transport property and a layer containing a substance having an electron-accepting property are stacked. It can be formed by using a deposition substrate.
正孔注入層１４１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
As a substance having an electron accepting property used for the
正孔注入層１４１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層１４１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
As the substance having a high hole-transport property used for the hole-
例えば、正孔注入層１４１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
For example, as an aromatic amine compound that can be used for the
正孔注入層１４１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
As a carbazole derivative that can be used for the hole-
また、正孔注入層１４１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
Examples of the carbazole derivative that can be used for the hole-
また、正孔注入層１４１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。 Examples of aromatic hydrocarbons that can be used for the hole injection layer 141 include 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 2-tert- Butyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene, 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 2-tert-butyl-9,10-bis (4-phenylphenyl) ) Anthracene (abbreviation: t-BuDBA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-) BuAnth), 9,10-bis (4-methyl-1-naphthyl) anthracene (abbreviation: DMNA), 9,10-bis [2 (1-naphthyl) phenyl] -2-tert-butyl-anthracene, 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di ( 1-naphthyl) anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 9,9′-bianthryl, 10,10′-diphenyl-9,9′-bianthryl, 10,10′-bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl, 10,10′-bis [(2,3,4,5,6-pentaphenyl) phenyl] -9,9′-bianthryl , Anthracene, tetracene, rubrene, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene, and the like. In addition, pentacene, coronene, and the like can also be used. Thus, it is more preferable to use an aromatic hydrocarbon having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and having 14 to 42 carbon atoms.
なお、正孔注入層１４１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
Note that the aromatic hydrocarbon which can be used for the
これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることで、正孔注入層１４１を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、電極１３１上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または蒸着温度が高い場合が多いためである。このような構成の蒸着源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く昇華させることができる。また、蒸着して形成した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、本実施の形態の成膜用基板成膜方法を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。
The hole-injecting
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層１４１を正孔輸送層として用いてもよい。 In addition, a layer including a substance having a high hole-transport property and a substance having an electron-accepting property has excellent hole-transport properties as well as a hole-injection property. It may be used as a transport layer.
また、正孔輸送層１４２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
The
正孔輸送層１４２を形成後、実施の形態１及び実施の形態２に基づいて、混合層１０８を形成する（図１７（Ｃ）参照）。実施の形態２に基づいて、赤の発光色を発光する混合層１０８Ｒ、緑の発光色を発光する混合層１０８Ｇ、青の発光色を発光する混合層１０８Ｂ、をそれぞれ形成してもよい。
After forming the
次いで混合層１０８上に、電子輸送層１４３、電子注入層１４４を形成し、電子注入層１４４上に電極１３３を形成する（図１７（Ｄ）参照）。
Next, an electron-
電子輸送層１４３は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
The electron-
また、電子注入層１４４としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、陰極である電極１３３からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
As the
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は必要に応じて形成すればよく、必ずしも全て形成しなくてもよい。 The hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be formed as necessary, and all of them are not necessarily formed.
［実施の形態４］
実施の形態１〜実施の形態３で述べた発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を、図７（Ａ）〜図７（Ｅ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す。
[Embodiment 4]
As electronic devices to which the light-emitting device described in any of
図７（Ａ）は表示装置であり、筐体２０１、支持台２０２、表示部２０３、スピーカ部２０４、ビデオ入力端子２０５等を含む。実施の形態１〜実施の形態３を用いて形成される発光装置をその表示部２０３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。
FIG. 7A illustrates a display device, which includes a
図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体２１１、筐体２１２、表示部２１３、キーボード２１４、外部接続ポート２１５、マウス２１６等を含む。なお、コンピュータは、実施の形態１〜実施の形態３をを用いて形成される発光装置をその表示部２１３に用いることにより作製される。
FIG. 7B illustrates a computer, which includes a
図７（Ｃ）はビデオカメラであり、本体２２１、表示部２２２、筐体２２３、外部接続ポート２２４、リモコン受信部２２５、受像部２２６、バッテリ２２７、音声入力部２２８、操作キー２２９、接眼部２３１等を含む。なお、ビデオカメラは、実施の形態１〜実施の形態３をを用いて形成される発光装置をその表示部２２２に用いることにより作製される。
FIG. 7C illustrates a video camera, which includes a
図７（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部２４１、傘２４２、可変アーム２４３、支柱２４４、台２４５、電源２４６を含む。なお、卓上照明器具は、実施の形態１〜実施の形態３を用いて形成される発光装置を照明部２４１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。
FIG. 7D illustrates a table lamp, which includes a
ここで、図７（Ｅ）は携帯電話であり、本体２５１、筐体２５２、表示部２５３、音声入力部２５４、音声出力部２５５、操作キー２５６、外部接続ポート２５７、アンテナ２５８等を含む。なお、携帯電話は、実施の形態１〜実施の形態３を用いて形成される発光装置をその表示部２５３に用いることにより作製される。
Here, FIG. 7E illustrates a mobile phone, which includes a
また、図８（Ａ）も携帯電話であり、図８（Ａ）が正面図、図８（Ｂ）が背面図、図８（Ｃ）が展開図である。本体３０１は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。
8A is also a mobile phone, FIG. 8A is a front view, FIG. 8B is a rear view, and FIG. 8C is a development view. The
本体３０１は、筐体３０２及び筐体３０３の二つの筐体で構成されている。筐体３０２には、表示部３０４、スピーカ３０５、マイクロフォン３０６、操作キー３０７、ポインティングデバイス３０８、カメラ用レンズ３０９、外部接続端子３１０、イヤホン端子３１１等を備え、筐体３０３には、キーボード３１２、外部メモリスロット３１３、カメラ用レンズ３１４、ライト３１５等を備えている。また、アンテナは筐体３０２内部に内蔵されている。
The
また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。 In addition to the above structure, a non-contact IC chip, a small recording device, or the like may be incorporated.
表示部３０４には、上記実施例に示される表示装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部３０４と同一面上にカメラ用レンズ３０９を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部３０４をファインダとし、カメラ用レンズ３１４及びライト３１５で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカ３０５、及びマイクロフォン３０６は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。
The
操作キー３０７では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体３０２と筐体３０３（図８（Ａ））は、スライドし、図８（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード３１２、ポインティングデバイス３０８を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子３１０はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット３１３に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。
With the
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。 In addition to the above functions, an infrared communication function, a television reception function, or the like may be provided.
なお、上述した携帯電話は、実施の形態１〜実施の形態３を用いて形成される発光装置をその表示部３０４に用いることにより作製される。
Note that the above-described mobile phone is manufactured by using the light-emitting device formed by using
以上のようにして、実施の形態１〜実施の形態３で述べた発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。このように発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
As described above, an electronic device or a lighting fixture can be obtained by using the light-emitting device described in any of
１０１ 基板
１０１Ｂ 基板
１０１Ｇ 基板
１０１Ｒ 基板
１０２ 反射層
１０２Ｂ 反射層
１０２Ｇ 反射層
１０２Ｒ 反射層
１０３ 光吸収層
１０３Ｂ 光吸収層
１０３Ｇ 光吸収層
１０３Ｒ 光吸収層
１０４ 材料層
１０４Ｂ 材料層
１０４Ｇ 材料層
１０４Ｒ 材料層
１０５ キャップ層
１０７ 光
１０８ 混合層
１０８Ｂ 混合層
１０８Ｇ 混合層
１０８Ｒ 混合層
１０９ 断熱層
１１１ 基板
１２１ 表面
１２２ 層
１２３ 層
１２４ 層
１２５ 層
１２７ 線
１３１ 電極
１３２ 隔壁
１３３ 電極
１４１ 正孔注入層
１４２ 正孔輸送層
１４３ 電子輸送層
１４４ 電子注入層
２０１ 筐体
２０２ 支持台
２０３ 表示部
２０４ スピーカ部
２０５ ビデオ入力端子
２１１ 本体
２１２ 筐体
２１３ 表示部
２１４ キーボード
２１５ 外部接続ポート
２１６ マウス
２２１ 本体
２２２ 表示部
２２３ 筐体
２２４ 外部接続ポート
２２５ リモコン受信部
２２６ 受像部
２２７ バッテリ
２２８ 音声入力部
２２９ 操作キー
２３１ 接眼部
２４１ 照明部
２４２ 傘
２４３ 可変アーム
２４４ 支柱
２４５ 台
２４６ 電源
２５１ 本体
２５２ 筐体
２５３ 表示部
２５４ 音声入力部
２５５ 音声出力部
２５６ 操作キー
２５７ 外部接続ポート
２５８ アンテナ
３０１ 本体
３０２ 筐体
３０３ 筐体
３０４ 表示部
３０５ スピーカ
３０６ マイクロフォン
３０７ 操作キー
３０８ ポインティングデバイス
３０９ カメラ用レンズ
３１０ 外部接続端子
３１１ イヤホン端子
３１２ キーボード
３１３ 外部メモリスロット
３１４ カメラ用レンズ
３１５ ライト
101
Claims (22)
前記光吸収層上に形成された材料層と、
前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板。 A light absorption layer formed on the substrate;
A material layer formed on the light absorbing layer;
A film forming substrate comprising a cap layer formed on the material layer.
前記基板および前記反射層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された材料層と、
前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板。 A reflective layer formed on the substrate and having an opening;
A light absorbing layer formed on the substrate and the reflective layer;
A material layer formed on the light absorbing layer;
A film forming substrate comprising a cap layer formed on the material layer.
前記基板および前記反射層上に形成された断熱層と、
前記断熱層上に形成された光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された材料層と、
前記材料層上に形成されたキャップ層を有することを特徴とする成膜用基板。 A reflective layer formed on the substrate and having an opening;
A heat insulating layer formed on the substrate and the reflective layer;
A light absorption layer formed on the heat insulating layer;
A material layer formed on the light absorbing layer;
A film forming substrate comprising a cap layer formed on the material layer.
前記キャップ層は、前記材料層よりも昇華温度が高い金属を用いて形成されることを特徴とする成膜用基板。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The film-forming substrate, wherein the cap layer is formed using a metal having a sublimation temperature higher than that of the material layer.
前記キャップ層は、前記材料層よりも昇華温度が高い無機化合物を用いて形成されることを特徴とする成膜用基板。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The film-forming substrate, wherein the cap layer is formed using an inorganic compound having a higher sublimation temperature than the material layer.
前記キャップ層は、前記材料層よりも昇華温度が高い有機化合物を用いて形成されることを特徴とする成膜用基板。 In any one of Claims 1 to 3,
The film formation substrate, wherein the cap layer is formed using an organic compound having a higher sublimation temperature than the material layer.
前記キャップ層は、アルミニウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜用基板。 In any one of Claims 1 to 6,
The film formation substrate, wherein the cap layer includes one or more of aluminum, calcium fluoride, and lithium fluoride (LiF).
前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜用基板。 In any one of Claims 1 thru | or 7,
The light absorption layer includes titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, carbon, or two or more of them. Substrate.
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金といったアルミニウムを含む合金、銀−ネオジム合金といった銀を含む合金のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜用基板。 In claim 2 or claim 3,
The reflective layer is any one of aluminum, silver, gold, platinum, copper, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, an alloy containing aluminum such as an aluminum-titanium alloy, and an alloy containing silver such as a silver-neodymium alloy, Alternatively, a film forming substrate including two or more.
前記断熱層に用いる材料の熱伝導率は、前記反射層および前記光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする成膜用基板。 In claim 3,
A film formation substrate, wherein a material used for the heat insulating layer has a thermal conductivity smaller than a material used for the reflective layer and the light absorption layer.
前記断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、炭化珪素のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜用基板。 In claim 3,
The film-forming substrate is characterized in that the heat insulating layer includes one or more of titanium oxide, silicon oxide, silicon nitride oxide, zirconium oxide, and silicon carbide.
第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、
前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、前記材料層を昇華させることにより、前記第２の基板の第１の面上に、前記２種類以上からなるホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜することを特徴とする成膜方法。 On the first surface of the first substrate, a light absorption layer, a material layer containing two or more types of host and guest materials having different sublimation temperatures, and a cap layer made of a material having a sublimation temperature higher than the material layer are formed. And
The first surface of the second substrate is opposed to the first surface of the first substrate;
By irradiating light from a second surface opposite to the first surface of the first substrate and sublimating the material layer, the second surface is formed on the first surface of the second substrate. A film forming method comprising forming a mixed layer in which a host and a guest material composed of more than one kind are mixed.
前記反射層上、及び、前記第１の基板上の前記反射層が形成されていない第２の領域上に、光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に、昇華温度の異なる２種類以上からなるホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、
第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、
前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、
前記第２の領域上の光吸収層上の、前記材料層を昇華させることにより、前記第２の基板の第１の面上に、前記２種類以上からなるホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜することを特徴とする成膜方法。 Forming a reflective layer in a first region on the first surface of the first substrate;
Forming a light absorbing layer on the reflective layer and on the second region on the first substrate where the reflective layer is not formed;
On the light absorption layer, a material layer containing a host and a guest material composed of two or more different sublimation temperatures, and a cap layer of a material having a higher sublimation temperature than the material layer,
The first surface of the second substrate is opposed to the first surface of the first substrate;
Irradiating light from a second surface opposite to the first surface of the first substrate;
A mixture in which the two or more kinds of host and guest materials are mixed on the first surface of the second substrate by sublimating the material layer on the light absorption layer on the second region. A film forming method comprising forming a layer.
前記キャップ層は、アルミニウム、銀、フッ化カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜方法。 In any one of Claims 12 to 13,
The film forming method, wherein the cap layer includes one or more of aluminum, silver, calcium fluoride, and lithium fluoride (LiF).
前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜方法。 In any one of Claims 12 thru | or 14,
The light absorption layer includes titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, carbon, or two or more of them. Method.
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金といったアルミニウムを含む合金、銀−ネオジム合金といった銀を含む合金のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする成膜方法。 In claim 13,
The reflective layer is any one of aluminum, silver, gold, platinum, copper, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, an alloy containing aluminum such as an aluminum-titanium alloy, and an alloy containing silver such as a silver-neodymium alloy, Alternatively, a film forming method including two or more.
前記２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちホスト材料は、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）であり、
前記２種類以上のホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちゲスト材料は、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）であることを特徴とする成膜方法。 In any one of Claims 12 to 16,
Of the material layers containing the two or more types of host and guest materials, the host material is 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA),
Among the material layers containing two or more kinds of host and guest materials, the guest material is N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA ).
前記反射層上、及び、前記第１の基板上の前記反射層が形成されていない第２の領域上に、光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に、昇華温度の異なる２種類以上からなるホスト及びゲスト材料を含む材料層と、前記材料層より昇華温度の高い材料のキャップ層を形成し、
第２の基板の第１の面上に、陽極あるいは陰極の一方である第１の電極を形成し、
前記第１の電極の端部と重なる、隔壁を形成し、
第２の基板の第１の面を、前記第１の基板の第１の面と対向させ、
前記第１の基板の第１の面と反対の面である第２の面から光を照射し、
前記第２の領域上の光吸収層上の、前記材料層を昇華させることにより、前記第１の電極上に、前記２種類以上からなるホスト及びゲスト材料が混合された混合層を成膜し、
前記混合層上に、陽極あるいは陰極の他方である第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 Forming a reflective layer in a first region on the first surface of the first substrate;
Forming a light absorbing layer on the reflective layer and on the second region on the first substrate where the reflective layer is not formed;
On the light absorption layer, a material layer containing a host and a guest material composed of two or more different sublimation temperatures, and a cap layer of a material having a higher sublimation temperature than the material layer,
Forming a first electrode which is one of an anode and a cathode on a first surface of a second substrate;
Forming a partition that overlaps an end of the first electrode;
The first surface of the second substrate is opposed to the first surface of the first substrate;
Irradiating light from a second surface opposite to the first surface of the first substrate;
By sublimating the material layer on the light absorption layer on the second region, a mixed layer in which the two or more types of host and guest materials are mixed is formed on the first electrode. ,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein a second electrode which is the other of an anode and a cathode is formed on the mixed layer.
前記キャップ層は、アルミニウム、銀、フッ化カルシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 In claim 18,
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the cap layer includes one or more of aluminum, silver, calcium fluoride, and lithium fluoride (LiF).
前記光吸収層は、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンのいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 In claim 18 or claim 19,
The light absorption layer includes any one or two or more of titanium nitride, tantalum nitride, molybdenum nitride, tungsten nitride, chromium nitride, manganese nitride, molybdenum, titanium, tungsten, and carbon. Manufacturing method.
前記反射層は、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、アルミニウム−チタン合金といったアルミニウムを含む合金、銀−ネオジム合金といった銀を含む合金のいずれか１つ、あるいは２つ以上を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。 In any one of claims 18 to 20,
The reflective layer is any one of aluminum, silver, gold, platinum, copper, an aluminum-titanium alloy, an aluminum-neodymium alloy, an alloy containing aluminum such as an aluminum-titanium alloy, and an alloy containing silver such as a silver-neodymium alloy, Alternatively, a method for manufacturing a light-emitting device including two or more.
前記２種類以上からなるホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちホスト材料は、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）であり、
前記２種類以上からなるホスト及びゲスト材料を含む材料層のうちゲスト材料は、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）であることを特徴とする発光装置の作製方法。 In any one of Claims 18 to 21,
Of the material layers containing the two or more types of host and guest material, the host material is 9- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA),
Among the material layers containing the host and guest materials composed of two or more kinds, the guest material is N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA). A method for manufacturing a light-emitting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009064500A JP5143064B2 (en) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | Method for manufacturing light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009064500A JP5143064B2 (en) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | Method for manufacturing light emitting device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010218895A true JP2010218895A (en) | 2010-09-30 |
| JP2010218895A5 JP2010218895A5 (en) | 2012-01-19 |
| JP5143064B2 JP5143064B2 (en) | 2013-02-13 |
Family
ID=42977497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009064500A Expired - Fee Related JP5143064B2 (en) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | Method for manufacturing light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5143064B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011070774A (en) * | 2009-09-23 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film formation method, light-emitting element and light-emitting device |
| CN102443763A (en) * | 2010-10-15 | 2012-05-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Covering element with anti-fingerprint coating and preparation method thereof |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184581A (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic luminescent element |
| JP2003077658A (en) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | Donor film for manufacturing organic el element and substrate for organic el element |
| JP2006123546A (en) * | 2004-10-19 | 2006-05-18 | Samsung Sdi Co Ltd | Manufacturing method of donor substrate and organic electroluminescence display apparatus |
| JP2006309995A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | Substrate for transfer, manufacturing method for display device, and display device |
| JP2008066147A (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method |
| JP2008257907A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Sony Corp | Manufacturing method of transcription substrate and organic electroluminescent element |
| JP2008308685A (en) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Composition, process for production of thin film, and process for production of light-emitting element |
-
2009
- 2009-03-17 JP JP2009064500A patent/JP5143064B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184581A (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic luminescent element |
| JP2003077658A (en) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sharp Corp | Donor film for manufacturing organic el element and substrate for organic el element |
| JP2006123546A (en) * | 2004-10-19 | 2006-05-18 | Samsung Sdi Co Ltd | Manufacturing method of donor substrate and organic electroluminescence display apparatus |
| JP2006309995A (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | Substrate for transfer, manufacturing method for display device, and display device |
| JP2008066147A (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Pattern forming method by vapor deposition, and method of manufacturing color conversion filter substrate and color organic el element including the vapor deposition method |
| JP2008257907A (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Sony Corp | Manufacturing method of transcription substrate and organic electroluminescent element |
| JP2008308685A (en) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Composition, process for production of thin film, and process for production of light-emitting element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011070774A (en) * | 2009-09-23 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film formation method, light-emitting element and light-emitting device |
| CN102443763A (en) * | 2010-10-15 | 2012-05-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Covering element with anti-fingerprint coating and preparation method thereof |
| CN102443763B (en) * | 2010-10-15 | 2015-03-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Covering element with anti-fingerprint coating and preparation method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5143064B2 (en) | 2013-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5112257B2 (en) | Deposition substrate | |
| JP5394048B2 (en) | Deposition substrate | |
| JP5247410B2 (en) | Vapor deposition substrate, vapor deposition substrate manufacturing method, and vapor deposition method | |
| JP5112281B2 (en) | Deposition substrate | |
| JP5132516B2 (en) | Deposition substrate | |
| JP5180012B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| US7919340B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
| JP2009120946A (en) | Deposition method and method for manufacturing light emitting device | |
| JP5469950B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| JP2009272301A (en) | Manufacturing method for light-emitting device | |
| JP2009283455A (en) | Method of manufacturing evaporation donor substrate, and method of manufacturing light-emitting device | |
| JP5159689B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| JP5538642B2 (en) | Film forming method and light emitting element manufacturing method | |
| JP5143064B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
| JP5111427B2 (en) | Film forming substrate and film forming method | |
| JP5695337B2 (en) | Laser irradiation device | |
| JP5361690B2 (en) | Deposition substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111128 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120511 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120622 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121120 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |