JP2008060446A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に導電性部材を配置する工程と、前記導電性部材の上に薄膜抵抗体を設ける工程と、前記薄膜抵抗体の上に絶縁膜を設ける工程と、前記薄膜抵抗体と前記絶縁膜上に設けられる金属配線とを接続するための接続孔を、前記導電性部材の配置された上方領域の前記絶縁膜に設ける工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図1
Description
[1]基板上に導電性部材を配置する工程と、前記導電性部材の上に薄膜抵抗体を設ける工程と、前記薄膜抵抗体の上に絶縁膜を設ける工程と、前記薄膜抵抗体と前記絶縁膜上に設けられる金属配線とを接続するための接続孔を、前記導電性部材の配置された上方領域の前記絶縁膜に設ける工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
[2]上記[1]において、導電性部材の少なくとも薄膜抵抗体と接触する部分の側面に順テーパーを設ける工程、または、前記薄膜抵抗体と接触する部分の側面にサイドウォールを形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
[3]上記[2]において、導電性部材の側面に順テーパーを設ける工程が、イオンスパッタ、及び/または、反応性イオンエッチングによりテーパーを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[4]上記[2]において、導電性部材の側面にサイドウォールを形成する工程が、犠牲膜の堆積とそのエッチバックによりサイドウォールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
[5]薄膜抵抗体と、該薄膜抵抗体の上に設けられる絶縁膜層を介して配される金属配線とを接続するための接続孔が形成される領域における前記薄膜抵抗体の下部に、薄膜抵抗体と電気的に導通された導電性部材が配置され、前記接続孔の底部が前記薄膜抵抗体に到達、または、これを貫通して前記導電性部材に到達して設けられていることを特徴とする半導体装置。
[6]上記[5]において、導電性部材の少なくとも薄膜抵抗体と接触する部分の側面に順テーパーが形成、または、前記薄膜抵抗体と接触する部分の側面にサイドウォールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
2、6 層間膜
3 導電性部材
4 レジストマスク
5 薄膜抵抗体
7、8 接続孔
9、10 プラグ
11 金属配線
12 プラズマTEOS膜
13 プラズマ窒化膜
Claims (6)
- 基板上に導電性部材を配置する工程と、
前記導電性部材の上に薄膜抵抗体を設ける工程と、
前記薄膜抵抗体の上に絶縁膜を設ける工程と、
前記薄膜抵抗体と前記絶縁膜上に設けられる金属配線とを接続するための接続孔を、前記導電性部材の配置された上方領域の前記絶縁膜に設ける工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 導電性部材の少なくとも薄膜抵抗体と接触する部分の側面に順テーパーを設ける工程、または、前記薄膜抵抗体と接触する部分の側面にサイドウォールを形成する工程
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 導電性部材の側面に順テーパーを設ける工程が、イオンスパッタ、及び/または、反応性イオンエッチングによりテーパーを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 導電性部材の側面にサイドウォールを形成する工程が、犠牲膜の堆積とそのエッチバックによりサイドウォールを形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 薄膜抵抗体と、該薄膜抵抗体の上に設けられる絶縁膜層を介して配される金属配線とを接続するための接続孔が形成される領域における前記薄膜抵抗体の下部に、薄膜抵抗体と電気的に導通された導電性部材が配置され、
前記接続孔の底部が前記薄膜抵抗体に到達、または、これを貫通して前記導電性部材に到達して設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 導電性部材の少なくとも薄膜抵抗体と接触する部分の側面に順テーパーが形成、または、前記薄膜抵抗体と接触する部分の側面にサイドウォールが形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
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2006
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