JP2008060301A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】共振器長が大きい半導体レーザ素子を有し、かつ、パッケージの外形形状および外形寸法が従来と略同一である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向において、第1リード2における半導体レーザ素子1の搭載部10が、第2リード3と重なっている部分を有すると共に、第1リード2と第2リード3とが電気接続しないように、第1リード2と第2リード3とを樹脂部材5で一体に保持する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向において、第1リード2における半導体レーザ素子1の搭載部10が、第2リード3と重なっている部分を有すると共に、第1リード2と第2リード3とが電気接続しないように、第1リード2と第2リード3とを樹脂部材5で一体に保持する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、光ディスクに光を照射する光源として使用されれば好適な半導体レーザ装置に関する。
従来、半導体レーザ装置としては、特開2005−311147号公報(特許文献1)に記載されたものがある。
図12は、この半導体レーザ装置の平面図である。
この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子101と、第1リード102と、信号出力用の3つの第2リード103と、樹脂部107とを備える。上記第1リード102は、搭載部102aと、リード部102bとを有し、半導体レーザ素子101は、搭載部102bにサブマウント部材108を介して搭載されている。また、上記樹脂部107は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂材料からなり、上記3つの第2リード103を一体に保持している。
この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子101におけるサブマウント部材108側とは反対側の上面と、サブマウント部材108との間に電圧を印加することにより、半導体レーザ素子101に電力を供給するようになっている。このように半導体レーザ素子101に電力を供給することによって、半導体レーザ素子101から図12の紙面における上方にレーザ光を出射するようになっている。
図12に示すように、上記従来の半導体レーザ装置では、レーザ光の光軸方向において、上記第1リード102の上記搭載部102aにおけるリード部102b側の縁は、第2リード103の半導体レーザ素子101側の端よりも半導体レーザ素子101側に位置している。
ここで、最近では、半導体レーザ素子のハイパワー化に伴ってレーザチップ共振器長が長くなってきている。しかしながら、上記従来の半導体レーザ装置では、上記レーザ光の光軸方向において、上記搭載部102aにおけるリード部102b側の縁が、第2リード103の半導体レーザ素子101側の端よりも半導体レーザ素子101側に位置しているから、レーザチップ共振器長が1500μmまでの半導体レーザ素子101しか、半導体レーザ装置に搭載できないという問題がある。
特開2005−311147号公報(第1図)
特開2003−31885号公報
特開平6−45692号公報
そこで、本発明の課題は、共振器長が大きい半導体レーザ素子を有し、かつ、パッケージの外形形状および外形寸法が従来と略同一にすることが可能である半導体レーザ装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子をサブマウント部材を介して搭載する搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、
少なくとも1つの第2リードと、
上記第1リードと上記第2リードとを、上記第1リードと上記第2リードとが電気接続していない状態で一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部材と
を備え、
平面図において、上記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向から見て、上記搭載部は、上記第2リードと重なっている部分を有している。
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子をサブマウント部材を介して搭載する搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、
少なくとも1つの第2リードと、
上記第1リードと上記第2リードとを、上記第1リードと上記第2リードとが電気接続していない状態で一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部材と
を備え、
平面図において、上記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向から見て、上記搭載部は、上記第2リードと重なっている部分を有している。
尚、上記搭載部は、第1リードにおける半導体レーザ素子を搭載可能である部分のことを言う。
本発明によれば、平面図において、半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向から見て、上記搭載部は、上記第2リードと重なっている部分を有しているから、従来の構成、すなわち、レーザ光の光軸方向において、搭載部における第2リード側の縁が、第2リードの半導体レーザ素子側の端よりも半導体レーザ素子側に位置している構成と比較して、半導体レーザ素子の上記光軸方向の寸法を格段に大きくすることができる。そして、半導体レーザ素子の共振器長を1500μmより大きくすることができて、レーザ発振の負荷を小さくすることができ、レーザ光の出力を高くすることができる。
また、一実施形態では、上記搭載部における上記半導体レーザ素子の搭載面は、
略矩形状の第1部分と、
上記第1部分に上記光軸方向に連なると共に、上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が上記第1部分の幅方向の寸法よりも小さい第2部分と
を有し、
平面図において、上記第2部分は、上記光軸方向と直交する方向から見て、上記第2リードと重なっている部分を有すると共に、上記サブマウント部材と接触している部分を有している。
略矩形状の第1部分と、
上記第1部分に上記光軸方向に連なると共に、上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が上記第1部分の幅方向の寸法よりも小さい第2部分と
を有し、
平面図において、上記第2部分は、上記光軸方向と直交する方向から見て、上記第2リードと重なっている部分を有すると共に、上記サブマウント部材と接触している部分を有している。
また、一実施形態では、上記第1リードの上記リード部は、第1部分と、この第1部分に略平行に延在する第2部分とを有している。
また、一実施形態では、上記第1リードおよび上記第2リードの夫々は、上記保持部材を貫通しており、
上記第1リードおよび上記第2リードのうちの少なくとも一つにおける上記保持部材を貫通している部分は、屈曲している部分を有している。
上記第1リードおよび上記第2リードのうちの少なくとも一つにおける上記保持部材を貫通している部分は、屈曲している部分を有している。
また、一実施形態では、上記第1リードの上記リード部は、上記搭載部における上記半導体レーザ素子を搭載する搭載面に連なると共に、上記搭載面の法線に平行でない法線を有する第1表面部を有している。
また、一実施形態では、上記第1リードの上記リード部における上記半導体レーザ素子側の面は、上記第2リードにおける上記半導体レーザ素子側の面と同一平面上に位置する第2表面部を有している。
また、一実施形態では、上記第1表面部は、上記保持部材によって被覆されている。
また、一実施形態では、上記第2部分の上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が、800μm以上である。
また、一実施形態では、上記搭載部における上記半導体レーザ素子の搭載面の法線方向に上記搭載部に対して間隔をおいて対向するように配置されると共に、絶縁性材料からなる蓋部を有している。
また、一実施形態では、上記搭載部の上記半導体レーザ素子側とは反対側の表面におけるその表面の法線方向に対する上記半導体レーザ素子の射影部分が、露出しており、上記射影部分には、所定の熱伝導率以上の熱伝導率を有する放熱部材が接触している。
また、別のアスペクトによれば、この発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子をサブマウント部材を介して搭載する搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、
少なくとも1つの第2リードと、
上記第1リードと上記第2リードとを絶縁した状態で一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部材と
を備え、
上記第1リードの上記リード部に連なる上記搭載部の一部に関して、上記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の少なくとも片側に、上記第2リードの一部が位置している。
また、一実施形態では、
上記搭載部は、
略矩形状の第1部分と、
上記第1部分に上記光軸方向に連なると共に、上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が上記第1部分の幅方向の寸法よりも小さい第2部分と
を有し、
上記第2部分の少なくとも片側に、上記第2リードの一部が位置しており、かつ、
上記第2部分は、上記サブマウント部材と接触している部分を有している。
また、別のアスペクトによれば、この発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子をサブマウント部材を介して搭載する搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、
少なくとも1つの第2リードと、
上記第1リードと上記第2リードとを絶縁した状態で一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部材と
を備え、
上記第1リードの上記リード部に連なる上記搭載部の一部に関して、上記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の少なくとも片側に、上記第2リードの一部が位置している。
また、一実施形態では、
上記搭載部は、
略矩形状の第1部分と、
上記第1部分に上記光軸方向に連なると共に、上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が上記第1部分の幅方向の寸法よりも小さい第2部分と
を有し、
上記第2部分の少なくとも片側に、上記第2リードの一部が位置しており、かつ、
上記第2部分は、上記サブマウント部材と接触している部分を有している。
本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向において、搭載部が、上記第2リードと重なっている部分を有しているから、半導体レーザ素子の上記光軸方向の寸法を格段に大きくすることができて、半導体レーザ素子の共振器長を1500μmより大きくすることができる。したがって、レーザ発振の負荷を小さくすることができて、レーザ光の出力を高くすることができる。
以下、本発明を図示の形態により詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。
図1は、本発明の第1実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。
図1に示すように、この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子1と、第1リード2と、第2リード3と、サブマウント部材4と、保持部材としての樹脂部材5とを備える。
半導体レーザ素子1の共振器長は、パッケージの形状および寸法が同程度である従来の半導体レーザ装置が有する半導体レーザ素子の共振器長よりも大きく、具体的には、1500μmよりも大きな値になっている。第1リード2および第2リード3は、金属材料からなり導電性を有している。具体的には、第1実施形態では、第1リード2および第2リード3は、銅合金に銀メッキを施して形成されている。尚、メッキとして、他の金属、例えば、金メッキを用いてもよいことは言うまでもない。
上記第1リード2は、搭載部10と、リード部11とを有する。上記半導体レーザ素子1は、サブマウント部材4を介して搭載部10に搭載されている。上記樹脂部材5は、絶縁性材料の一例としての非導電性樹脂からなっている。ここで、非電導性樹脂としては、例えば、LCP(液晶ポリマー)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、または、PPA(ポリフタルアミド)等がある。上記樹脂部材5は、第1リード2と2つの第2リード3とを、第1リード2と各第2リード3とが電気接続していない状態(電気的に導通しない状態)で一体に保持していると共に、2つの第2リード3を、2つの第2リード3が互いに電気的に導通しない状態で、一体に保持している。この実施形態では、上記第1リード1のみで、樹脂部材5と、半導体レーザ素子1を搭載する板状の搭載部10の接合強度を確保できるようになっている。
図1において、上記搭載部10の半導体レーザ素子1の搭載面25は、半導体レーザ素子1のレーザ光の出射方向の一方の側を除いて、樹脂部材5に囲まれている。上記搭載部10の半導体レーザ素子1の搭載面25は、略矩形状の第1部分15と、第2部分16とを有する。上記第1部分15の縦方向は、半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向(図1に矢印Aで示す)に略一致している。上記第2部分16は、第1部分15の長手方向の一端の幅方向の略中央部に上記光軸方向に連なっている。上記第1部分15の幅は、第2部分16における光軸方向Aに垂直な方向の最大の幅(第1実施形態では、800μm以上に設定)よりも大きくなっている。
上記半導体レーザ素子1は、上記搭載面25の第1部分15および第2部分16に亘って搭載されている。すなわち、上記第1部分15および第2部分16の夫々は、サブマウント部材4を介して半導体レーザ素子1の一部が搭載されている部分を有している。
図1及び2に示す平面図において、第2部分16は、上記光軸方向Aと直交する方向において、第2リード3の一端部3aと重なっている部分を有している。すなわち、上記搭載部10の搭載面25の第2部分16を有する部分に関して、上記半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の両側に、上記第2リード3の一端部3aが位置している。図1に示すように、第2部分16と第2リード3の一端部3aとは、図1の平面図においてL字状の形状を有する樹脂部材5の一部分によって離間されている。第1リード2および第2リード3の夫々は、樹脂部材5を貫通している。
尚、図1において、参照番号8および9は、金属ワイヤを示している。金属ワイヤ8は、半導体レーザ素子1の上面と、一方の第2リード3とを電気接続しており、金属ワイヤ9は、サブマウント部材4と第1リード2とを電気接続している。第1リード2と、上記一方の第2リード3との間に電圧を印加することによって、半導体レーザ素子1を駆動するようになっている。
図2は、半導体レーザ装置のフレーム部である第1および第2リード2,3のみの平面図である。
上記第1リード2の上記リード部11は、搭載部10に光軸方向に連なる屈曲部20と、この屈曲部20に光軸方向に連なる二股部27とを有する。上記二股部27は、屈曲部20に光軸方向に連なる基部28と、この基部28から突出する第1部分21と、上記基部28から突出すると共に、上記第1部分21に略平行に延在する第2部分22とを有している。上記第1リード2の上記リード部11の屈曲部20の表面24は、搭載部10における半導体レーザ素子1側の搭載面25に対して、図2の紙面に関して手前側に鋭角の角度(>0°)をなして屈曲している。また、上記第1リード2の上記リード部11の二股部27の表面29は、搭載面25と略平行である。また、上記二股部27の表面29は、第2リード3の表面30と同一平面上に位置している。また、2つの第2リード3の夫々は、上記搭載面25の第1部分15の縦方向に延在しており、また、搭載面25の第1部分15の幅方向に屈曲している屈曲部50を有している。上記第1リード2および第2リード3の夫々は、図2および4に示すように、屈曲部20,50を有し、鍵状の形状をしている。
図3は、図1において半導体レーザ素子1およびサブマウント部材4以外の部分を示している図である。図2および図3に示すように、第1リード2の屈曲部20および各第2リード3の屈曲部50は、樹脂部材5によって覆われている。
図4は、図3のBB線断面図である。また、図5は、図3のCC線断面図である。
図4に示すように、上記第1リード2は、樹脂部材5を貫通しており、第1リード2における樹脂部材5を貫通している部分は、上記屈曲部20を有している。すなわち、屈曲部20における半導体レーザ素子側の面40は、樹脂部材5によって被覆されている。屈曲部20における半導体レーザ素子側の面40は、第1表面部を構成している。
また、図5に示すように、上記搭載部10と第2リード3とは、樹脂部材5の一部によって離間されている。搭載面25と、第2リード3における樹脂部材5から露出している側の露出面41とは、略平行になっている。また、上記露出面41は、搭載面25よりも搭載面25の法線方向(矢印Fで示す)の半導体レーザ素子側に位置している。
図6は、図3の状態を図3に矢印Dで示す方向からみたときの側面図であり、図7は、図3の状態を図3に矢印Eで示す方向からみたときの正面図である。
図6に示す側面図において、上記第1リード2の上記リード部11は、第2リード3によって隠れた状態になっている。また、図7に示すように、上記第2リード部3おける半導体レーザ素子側の表面30は、第1および第2部分21,22の半導体レーザ素子1側の表面50と同一平面上にあり、第2リード3おける半導体レーザ素子1側とは反対側の表面42は、第1および第2部分21,22の半導体レーザ素子1側とは反対側の表面と同一平面上にある。このようにして、第1実施形態の発明のパッケージが、従来パッケージと略同一の外形形状および外形寸法となるようにしている。具体的には、例えば、半導体レーザ装置の幅方向の寸法は、1200μmになっている。
上記第1リード2の上記リード部11の二股部27は、第2リード3における半導体レーザ素子1側の面と同一平面上に位置している。上記リード部11の二股部27の半導体レーザ素子1側の面は、第2表面部を構成している。
上記第1実施形態の半導体レーザ装置によれば、図1および2の平面図において、半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向に直交する方向において、搭載部10は、第2リード3と重なっている部分を有しているから、従来の構成、すなわち、レーザ光の光軸方向において、搭載部における第2リード側の縁が、第2リードの半導体レーザ素子側の端よりも半導体レーザ素子側に位置している構成と比較して、搭載部10の上記光軸方向の寸法を格段に大きくすることができて、半導体レーザ素子1の上記光軸方向の寸法を格段に大きくすることができる。したがって、半導体レーザ素子の共振器長を1500μmより大きくすることができて、レーザ発振の負荷を小さくすることができ、レーザ光の出力を高くすることができる。
また、上記第1実施形態の半導体レーザ装置によれば、図12に示す従来例の半導体レーザ装置と比較して、パッケージの外形形状および外形寸法を変更せずに共振器長の長い半導体レーザ素子を搭載することができる。すなわち、パッケージの外形形状、および、パッケージの外形寸法を変更する必要がないから、量産する際に新規設備を必要とせず、かつ、従来と同じ方法で、半導体レーザ装置をピックアップに搭載することができる。
また、上記第1実施形態の半導体レーザ装置によれば、第1リード2における樹脂部材5によって覆われている部分は、屈曲部20を有していて、第1リード2の全てが同一平面上にないから、第1リード2が、樹脂部材5(樹脂モールド部)より容易に抜け落ちにくくなる。また、同様に、各第2リード3における樹脂部材5によって覆われている部分も、屈曲部50を有していて、一直線でないから、各第2リード3が、樹脂部材5(樹脂モールド部)より容易に抜け落ちにくくなる。別の言葉でいうと、第1リード3および第2リード3は、鍵状の形状を有しているから、絶縁性材料からなる樹脂部材5から容易に脱落することがないのである。
(第2実施形態)
図8は、本発明の第2実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。
図8は、本発明の第2実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。
第2実施形態の半導体レーザ装置は、蓋部としての樹脂キャップ部60を有している点が、第1実施形態の半導体レーザ装置と異なっている。
第2実施形態の半導体レーザ装置では、第1実施形態の半導体レーザ装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付してそれらの説明を省略する。また、第2実施形態の半導体レーザ装置では、第1実施形態の半導体レーザ装置と共通の作用効果については説明を省略し、第1実施形態の半導体レーザ装置と異なる構成、作用効果についてのみ説明を行う。
図8に示すように、第2実施形態では、搭載部における半導体レーザ素子の搭載面の法線方向に搭載部に対して間隔をおいて対向するように、樹脂キャップ部60を配置している。この樹脂キャップ部60は、絶縁性材料を有する樹脂からなっている。
第2実施形態の半導体レーザ装置によれば、フレームパッケージに、保護板の役目をする樹脂キャップ部60が取り付けられているから、半導体レーザ素子を保護することができる。
(第3実施形態)
図9は、本発明の第3実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。また、図10は、図9の半導体レーザ装置を図9に矢印Gで示す方向からみたときの側面図であり、図11は、図9を図9に矢印Hで示す方向からみたときの正面図である。
図9は、本発明の第3実施形態の半導体レーザ装置の平面図である。また、図10は、図9の半導体レーザ装置を図9に矢印Gで示す方向からみたときの側面図であり、図11は、図9を図9に矢印Hで示す方向からみたときの正面図である。
第3実施形態の半導体レーザ装置は、放熱部材70を有する点のみが、第2実施形態の半導体レーザ装置と異なる。
第3実施形態の半導体レーザ装置では、第1、第2実施形態の半導体レーザ装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略する。また、第3実施形態の半導体レーザ装置では、第1、第2実施形態の半導体レーザ装置と共通の作用効果については説明を省略することにし、第1、第2実施形態の半導体レーザ装置と異なる構成、作用効果についてのみ説明を行うことにする。
図10および図11に示すように、第3実施形態の半導体レーザ装置が有するフレームパッケージは、搭載部10の裏面が露出している。上記搭載部10の裏面には、放熱部材(放熱ブロック)70が接着されて取り付けられている。放熱部材70の熱伝導率は、搭載部10の熱伝導率よりも大きくなっている。すなわち、搭載部10の半導体レーザ素子側とは反対側の裏面におけるその裏面の法線方向に対する半導体レーザ素子の射影部分は、露出しており、上記射影部分には、所定の熱伝導率である搭載部の熱伝導率以上の熱伝導率を有する放熱部材70が接触している。第3実施形態のように、上記射影部分に、所定の熱伝導率である搭載部の熱伝導率以上の熱伝導率を有する放熱部材70を接着させると、半導体レーザ素子で発生した熱を効率よく放熱することができる。尚、第3実施形態では、樹脂キャップ60を有する半導体レーザ装置に放熱部材70を設置したが、第1実施形態に示す樹脂キャップを有さない半導体レーザ装置に放熱部材を設置しても良いことは、言うまでもないことである。
上記実施形態では、上記第1リード2の上記リード部11に連なる上記搭載部10の一部に関して、上記半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の両側に上記第2リード3,3の一部3a,3aが位置していたが、上記搭載部10の一部に関して、第2リードが上記半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の片側のみに位置していてもよい。
上記実施形態では、上記第1リード2の上記リード部11に連なる上記搭載部10の一部に関して、上記半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の両側に上記第2リード3,3の一部3a,3aが位置していたが、上記搭載部10の一部に関して、第2リードが上記半導体レーザ素子1が出射するレーザ光の光軸方向と直交する方向の片側のみに位置していてもよい。
1 半導体レーザ素子
2 第1リード
3 第2リード
4 サブマウント部材
5 樹脂部材
10 搭載部
11 リード部
15 第1部分
16 第2部分
20,50 屈曲部
21 第1リード部
22 第2リード部
25 搭載面
60 樹脂キャップ部
70 放熱部材
2 第1リード
3 第2リード
4 サブマウント部材
5 樹脂部材
10 搭載部
11 リード部
15 第1部分
16 第2部分
20,50 屈曲部
21 第1リード部
22 第2リード部
25 搭載面
60 樹脂キャップ部
70 放熱部材
Claims (10)
- 半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子をサブマウント部材を介して搭載する搭載部と、この搭載部に連なって延びるリード部とを有する第1リードと、
第2リードと、
上記第1リードと上記第2リードとを、上記第1リードと上記第2リードとが電気接続していない状態で一体に保持すると共に、絶縁性材料からなる保持部材と
を備え、
上記半導体レーザ素子が出射するレーザ光の光軸方向において、上記搭載部は、上記第2リードと重なっている部分を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記搭載部における上記半導体レーザ素子の搭載面は、
長手方向が上記光軸方向に略一致している矩形状の第1部分と、
上記第1部分に上記光軸方向に連なると共に、上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法が上記第1部分の幅方向の寸法よりも小さい第2部分と
を有し、
上記第2部分は、上記光軸方向において上記第2リードと重なっている部分を有すると共に、上記サブマウント部材と接触している部分を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記リード部は、第1リード部と、この第1リード部に略平行に延在する第2リード部とを有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記第1リードおよび上記第2リードの夫々は、上記保持部材を貫通しており、
上記第1リードおよび上記第2リードのうちの少なくとも一つにおける上記保持部材を貫通している部分は、屈曲している部分を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項3に記載の半導体レーザ装置において、
上記リード部は、上記搭載部における上記半導体レーザ素子を搭載する搭載面に連なると共に、上記搭載面の法線に平行でない法線を有する第1表面部を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項5に記載の半導体レーザ装置において、
上記リード部における上記半導体レーザ素子側の面は、上記第2リードにおける上記半導体レーザ素子側の面と同一平面上に位置する第2表面部を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項5に記載の半導体レーザ装置において
上記第1表面部は、上記保持部材によって被覆されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項2に記載の半導体レーザ装置において、
上記第2部分の上記光軸方向に垂直な方向の最大の寸法は、800μm以上であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記搭載部における上記半導体レーザ素子の搭載面の法線方向に上記搭載部に対して間隔をおいて対向するように配置されると共に、絶縁性材料からなる蓋部を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
上記搭載部の上記半導体レーザ素子側とは反対側の表面におけるその表面の法線方向に対する上記半導体レーザ素子の射影部分は、露出しており、
上記射影部分には、所定の熱伝導率以上の熱伝導率を有する放熱部材が接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。
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