JP2008060216A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくともドレイン領域の直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の高濃度領域と、ソース領域とチャネル領域との間に、チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の閾値電圧調整用高濃度領域とを形成する。その形成は、イオン注入法により行う。
【選択図】 図2
Description
Claims (4)
- 半導体基板表面の一導電型のソース領域およびドレイン領域と、該ソース領域およびドレイン領域間の逆導電型のチャネル領域と、少なくとも該チャネル領域表面にゲート酸化膜を介して形成したゲート電極と、前記ソース領域、前記ドレイン領域にそれぞれ接続するソース電極と、ドレイン電極とを備えた半導体装置において、
少なくとも前記ドレイン領域の直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の第1の半導体領域と、
前記ソース領域と前記チャネル領域との間に、該チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の第2の半導体領域とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記ソース領域と前記第2の半導体領域との間に、該ソース領域より不純物濃度の低い一導電型のソース拡張領域と、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に、該ドレイン領域より不純物濃度の低い一導電型のドレイン拡張領域とを、あるいは前記ドレイン拡張領域のみを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 素子分離領域で区画された逆導電型の半導体領域の少なくともドレイン形成予定領域直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の第1の半導体領域を形成する工程と、
ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する工程と、
ソース形成予定領域側から前記ゲート電極直下の前記半導体領域中に、斜イオン打ち込みを行い、前記ゲート電極直下のドレイン形成予定領域側の前記半導体領域をチャネル領域として残し、該チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の第2の半導体領域を形成する工程と、
前記ソース形成予定領域にソース領域を形成する工程と、
前記ドレイン形成予定領域にドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース電極に接続するソース電極、前記ドレイン電極に接続するドレイン電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート電極をマスクとして使用し、前記半導体領域にドレイン拡張領域を、あるいはさらに前記第2の半導体領域にソース拡張領域を形成した後、前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成し、該ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして使用し、前記ソース領域および前記ドレイン領域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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