JP2008053478A - Lead frame, package component, manufacturing method thereof, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame wherein a resin scarcely flows over grooves even when the resin leaked from a mold cavity is concentrated to a local area of the grooves upon a molding process. <P>SOLUTION: The lead frames 6 and 7 have an electrical connection region 12 to which a connection member is connected or on which an optical semiconductor device is mounted. Annular resin guiding grooves 14 and 15 surrounding the electrical connection region 12 are formed in one main surface of the lead frames 6 and 7, and each of the resin guiding groove 14 and 15 has an opening 17 opened in the one main surface of the lead frames 6 and 7 and has a V-shaped cross section. The width of each of the resin guiding grooves 14 and 15 becomes smaller as proceeding toward the deep recess ends 14a, 15a from the opening 17, and the deep recess ends 14a and 15a of the respective resin guiding grooves 14 and 15 are acute. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気的接続領域を備えたリードフレームと、リードフレームを樹脂モールドして一体成形して製造されるパッケージ部品と、パッケージ部品を備えた半導体装置と、前記パッケージ部品の製造方法とに関するものであり、特にリードフレームを樹脂でモールドする際に、電気的接続領域への樹脂バリの侵入防止に関する。   The present invention relates to a lead frame having an electrical connection region, a package component manufactured by integrally molding a lead frame by resin molding, a semiconductor device including the package component, and a method for manufacturing the package component. In particular, the present invention relates to prevention of resin burrs from entering an electrical connection region when a lead frame is molded with resin.

従来の半導体装置としては、電気的接続部材が接続される電気的接続領域をリードフレームに形成し、電気的接続領域の周辺に溝を形成し、樹脂封止の際に生じる樹脂バリをその溝へ落とし込むことによって、電気的接続領域へのバリの侵入を防いでいた（例えば下記特許文献１参照）。   As a conventional semiconductor device, an electrical connection region to which an electrical connection member is connected is formed in a lead frame, a groove is formed around the electrical connection region, and resin burrs generated during resin sealing are formed in the groove. The burrs are prevented from entering the electrical connection region by, for example, the following Patent Document 1.

図９は、前記特許文献１に記載された従来の半導体装置５０を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図、（ｃ）は溝の拡大断面図である。
この半導体装置５０は、半導体素子５１と、リードフレーム５２，５３と、リードフレーム５２，５３に形成された電気的接続領域５４と、半導体素子５１と電気的接続領域５４とを電気的に接続する電気的接続部材５５（ワイヤー）と、樹脂により成形された筐体５６とを有している。 FIG. 9 shows a conventional semiconductor device 50 described in Patent Document 1, wherein (a) is a plan view, (b) is an XX cross-sectional view in (a), and (c) is a groove. It is an expanded sectional view.
The semiconductor device 50 electrically connects the semiconductor element 51, the lead frames 52 and 53, the electrical connection region 54 formed in the lead frames 52 and 53, and the semiconductor element 51 and the electrical connection region 54. It has an electrical connection member 55 (wire) and a housing 56 formed of resin.

前記筐体５６は、対向する一対のリードフレーム５２，５３を包含しており、開口した中空部５７を有している。リードフレーム５２，５３は中空部５７の底面上に配置され、半導体素子５１と電気的接続領域５４とは中空部５７内に露出している。各リードフレーム５２，５３の一主面にはそれぞれ環状の溝５８が形成されており、溝５８の内側領域を前記電気的接続領域５４としている。半導体素子５１は一方のリードフレーム５２の電気的接続領域５４に載置され、半導体素子５１から他方のリードフレーム５３の電気的接続領域５４へ電気的接続部材５５（ワイヤー）をワイヤーボンディングしている。前記溝５８の断面形状は四角形状に形成されている。   The housing 56 includes a pair of opposing lead frames 52 and 53 and has an open hollow portion 57. The lead frames 52 and 53 are disposed on the bottom surface of the hollow portion 57, and the semiconductor element 51 and the electrical connection region 54 are exposed in the hollow portion 57. An annular groove 58 is formed on one main surface of each of the lead frames 52 and 53, and the inner area of the groove 58 serves as the electrical connection area 54. The semiconductor element 51 is placed on the electrical connection region 54 of one lead frame 52, and an electrical connection member 55 (wire) is wire-bonded from the semiconductor element 51 to the electrical connection region 54 of the other lead frame 53. . The cross section of the groove 58 is formed in a square shape.

これによると、半導体装置５０を製造する際、モールド工程において、リードフレーム５２，５３をモールド型（図示せず）で挟持して、筐体５６を型取ったキャビティーに流動状態の樹脂を注入する。この時、キャビティーから漏洩する樹脂が溝５８に流れ込むため、樹脂が電気的接続領域５４まで侵入して樹脂バリとなることを防止することができる。これにより、後の工程で電気的接続領域５４と電気的接続部材５５（ワイヤー）との良好なボンダビリティー（ボンディングの良し悪し）を得ることが出来る。
特許第３６９５４３４号公報 According to this, when manufacturing the semiconductor device 50, in the molding process, the lead frames 52 and 53 are sandwiched between mold dies (not shown), and the resin in a fluid state is injected into the cavity where the housing 56 is molded. To do. At this time, since the resin leaking from the cavity flows into the groove 58, it is possible to prevent the resin from entering the electrical connection region 54 and becoming a resin burr. As a result, good bondability (good or bad bonding) between the electrical connection region 54 and the electrical connection member 55 (wire) can be obtained in a later step.
Japanese Patent No. 3695434

しかしながら、前記従来の構成では、モールド工程の際に、モールド型（図示せず）のキャビティーから電気的接続領域５４の方向へ漏洩する樹脂が溝５８の局所（一部分）に集中した場合、前記樹脂が溝５８の局所から溝５８の周方向へスムーズに拡がり難く、このため、前記樹脂が溝５８を局所的に越えて電気的接続領域５４へ浸入し易かった。したがって、電気的接続領域５４に樹脂バリとして残留するという課題が依然として残されていた。   However, in the conventional configuration, when the resin leaking from the cavity of the mold (not shown) in the direction of the electrical connection region 54 is concentrated in a local portion (a part) of the groove 58 during the molding process, It is difficult for the resin to spread smoothly from the local area of the groove 58 in the circumferential direction of the groove 58. For this reason, the resin easily enters the electrical connection region 54 locally beyond the groove 58. Therefore, the problem of remaining as a resin burr in the electrical connection region 54 still remains.

本発明は、モールド工程の際に、モールド型のキャビティーから漏洩する樹脂が溝の局所（一部分）に集中した場合でも、樹脂が溝を越え難いリードフレームおよびパッケージ部品および半導体装置およびパッケージ部品の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention provides a lead frame, package component, semiconductor device, and package component in which the resin does not easily cross the groove even when the resin leaking from the mold cavity is concentrated at a part (part) of the groove during the molding process. An object is to provide a manufacturing method.

前記従来の課題を解決するために、本第１発明におけるリードフレームは、
接続部材が接続されるか又は半導体素子が搭載される電気的接続領域を有するリードフレームであって、
リードフレームの一主面に、電気的接続領域を囲む樹脂誘導溝が形成され、
樹脂誘導溝はリードフレームの一主面に開口する開口部を有し、
樹脂誘導溝の幅が樹脂誘導溝の開口部から樹脂誘導溝の奥端に向かうほど縮小し、
樹脂誘導溝の奥端が尖っているものである。 In order to solve the conventional problem, the lead frame in the first invention is:
A lead frame having an electrical connection region to which a connection member is connected or a semiconductor element is mounted,
A resin guide groove surrounding the electrical connection region is formed on one main surface of the lead frame,
The resin guide groove has an opening that opens on one main surface of the lead frame,
The width of the resin guide groove decreases from the opening of the resin guide groove toward the back end of the resin guide groove,
The inner end of the resin guide groove is sharp.

これによると、モールド工程の際、モールド型のキャビティーから電気的接続領域の方向へ漏洩する樹脂は開口部から樹脂誘導溝内に流れ込む。この際、樹脂誘導溝の幅が縮小している奥端部において毛細管現象がより顕著に（強く）起こり、この毛細管現象によって、樹脂は、樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。したがって、樹脂が樹脂誘導溝の局所（一部分）に集中した場合でも、前記のように毛細管現象によって樹脂が樹脂誘導溝の周方向へスムーズに拡がるため、樹脂が樹脂誘導溝を越え難くなり、樹脂の電気的接続領域への侵入を防止することができる。   According to this, in the molding process, the resin leaking from the mold cavity toward the electrical connection region flows into the resin guide groove from the opening. At this time, the capillary phenomenon occurs more significantly (strongly) at the back end portion where the width of the resin guide groove is reduced, and by this capillary phenomenon, the resin is smoothly guided and spreads in the circumferential direction of the resin guide groove, It collects in a wide range in the circumferential direction in the resin guide groove. Accordingly, even when the resin is concentrated locally (partly) in the resin guide groove, the resin spreads smoothly in the circumferential direction of the resin guide groove due to the capillary phenomenon as described above, so that the resin is difficult to cross the resin guide groove. Can be prevented from entering the electrical connection region.

本第２発明におけるリードフレームは、樹脂誘導溝は断面形状がＶ形状であるものである。
本第３発明におけるリードフレームは、樹脂誘導溝は、断面形状が四角形状の溝本体部と、断面形状がＶ形状である樹脂誘導部とで構成され、
溝本体部は樹脂誘導溝の開口部側に形成され、
樹脂誘導部は、樹脂誘導溝の奥端部側に形成されて、全周にわたり溝本体部に連通しており、
溝本体部の幅が樹脂誘導部の幅よりも大きいものである。 In the lead frame according to the second invention, the resin guide groove has a V-shaped cross section.
In the lead frame according to the third aspect of the present invention, the resin guide groove is composed of a groove body portion having a square cross-sectional shape and a resin guide portion having a V-shaped cross section.
The groove body is formed on the opening side of the resin guide groove,
The resin guide part is formed on the back end side of the resin guide groove and communicates with the groove body part over the entire circumference.
The width of the groove body is larger than the width of the resin guiding portion.

これによると、溝本体部よりも樹脂誘導部において毛細管現象がより顕著に（強く）起こるため、開口部から樹脂誘導溝内に流れ込んだ樹脂は、樹脂誘導部における毛細管現象によって、樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。この際、溝本体部は断面形状が四角形状であるため、より多量の樹脂を樹脂誘導溝内に溜めることが可能になり、これによって、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。   According to this, since the capillary phenomenon occurs more remarkably (strongly) in the resin guiding portion than in the groove main body portion, the resin flowing into the resin guiding groove from the opening portion is caused by the capillary phenomenon in the resin guiding portion. It is smoothly guided in the circumferential direction and spreads, and accumulates in a wide range in the circumferential direction in the resin guiding groove. At this time, since the cross-sectional shape of the groove main body is square, it becomes possible to store a larger amount of resin in the resin guide groove, thereby more reliably preventing the resin from entering the electrical connection region. can do.

本第４発明におけるリードフレームは、樹脂誘導溝の奥端部の角度が９０°以下であるものである。
これによると、樹脂誘導溝の奥端部において確実かつ十分な毛細管現象が発生する。 In the lead frame according to the fourth aspect of the invention, the angle of the back end of the resin guide groove is 90 ° or less.
According to this, a certain and sufficient capillary action occurs at the back end of the resin guide groove.

本第５発明におけるリードフレームは、樹脂誘導溝の内側方又は外側方に樹脂溜め部が形成され、
前記樹脂溜め部が樹脂誘導溝に連通しているものである。 In the lead frame of the fifth invention, a resin reservoir is formed on the inner side or the outer side of the resin guide groove,
The resin reservoir is in communication with the resin guide groove.

これによると、開口部から樹脂誘導溝内に流れ込んだ樹脂は、毛細管現象によって樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。さらに、樹脂誘導溝内の樹脂が樹脂溜め部に流れ込むことにより、樹脂が樹脂誘導溝内から溢れ出るのを防止することができ、これによって、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。   According to this, the resin that has flowed into the resin guide groove from the opening is smoothly guided and expanded in the circumferential direction of the resin guide groove by a capillary phenomenon, and accumulated in a wide range in the circumferential direction in the resin guide groove. Furthermore, the resin in the resin guide groove flows into the resin reservoir, so that the resin can be prevented from overflowing from the resin guide groove, thereby more reliably intruding the resin into the electrical connection region. Can be prevented.

本第６発明におけるリードフレームは、複数の樹脂誘導溝が同心状に配設されているものである。
これによると、樹脂は、先ず、最外側の樹脂誘導溝に流れ込むが、最外側の樹脂誘導溝から溢れ出した場合でも、次に、最外側の樹脂誘導溝の内側に形成されている樹脂誘導溝に流れ込む。このため、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。 The lead frame according to the sixth aspect of the invention has a plurality of resin guide grooves arranged concentrically.
According to this, the resin first flows into the outermost resin guide groove, but even if it overflows from the outermost resin guide groove, the resin guide formed inside the outermost resin guide groove is next. It flows into the groove. For this reason, the penetration | invasion to the electrical connection area | region of resin can be prevented more reliably.

本第７発明におけるパッケージ部品は、前記第１発明から第６発明のいずれかに記載のリードフレームを備えたパッケージ部品であって、
リードフレームに樹脂製の筐体が装着され、
筐体は開口した中空状の収容部を有し、
リードフレームは収容部の底面上に配置され、
電気的接続領域と樹脂誘導溝とが収容部内に露出しているものである。 A package component according to the seventh invention is a package component comprising the lead frame according to any one of the first to sixth inventions,
A resin casing is attached to the lead frame,
The housing has an open hollow housing portion,
The lead frame is arranged on the bottom surface of the housing part,
The electrical connection region and the resin guide groove are exposed in the housing portion.

本第８発明における半導体装置は、前記第７発明に記載のパッケージ部品を備えた半導体装置であって、
複数のリードフレームに筐体が装着され、
いずれかのリードフレームの電気的接続領域に半導体素子が搭載され、
半導体素子と別のリードフレームの電気的接続領域とが接続部材を介して電気的に接続されているものである。 A semiconductor device according to the eighth invention is a semiconductor device comprising the package component according to the seventh invention,
A housing is attached to multiple lead frames,
A semiconductor element is mounted on the electrical connection region of any lead frame,
The semiconductor element and an electrical connection region of another lead frame are electrically connected via a connection member.

本第９発明におけるパッケージ部品の製造方法は、前記第７発明に記載のパッケージ部品の製造方法であって、
固定金型と樹脂誘導溝形成用のパンチを有する可動金型との間にリードフレームをセットし、可動金型を可動させてリードフレームの一主面をパンチで押圧して樹脂誘導溝を形成するパンチ工程と、
筐体の形状に合致するキャビティーが設けられたモールド型にリードフレームを狭持し、加熱熔融状態の樹脂を樹脂注入口からキャビティー内へ注入して充填するモールド工程とを有するものである。 A method for manufacturing a package component according to the ninth invention is the method for manufacturing a package component according to the seventh invention, wherein:
A lead frame is set between the fixed mold and a movable mold having a punch for forming a resin guide groove, and the movable mold is moved to press one main surface of the lead frame with a punch to form a resin guide groove. Punching process,
A mold step in which a lead frame is sandwiched between mold molds provided with cavities that match the shape of the casing, and a resin in a heated and melted state is injected into the cavities from the resin injection port and filled. .

これによると、モールド工程の際、モールド型のキャビティーから漏洩する樹脂が樹脂誘導溝の局所（一部分）に集中した場合でも、樹脂が樹脂誘導溝を越え難くなり、樹脂の電気的接続領域への侵入を防止することができる。   According to this, even when the resin leaking from the mold cavity during the molding process is concentrated on a part (part) of the resin guide groove, it becomes difficult for the resin to cross the resin guide groove, leading to the resin electrical connection region. Can be prevented from entering.

本第１０発明におけるパッケージ部品の製造方法は、パンチ工程の前に、リードフレームに鍍金を施す鍍金工程を有するものである。
これによると、鍍金により、リードフレームの腐食を防止することができる。また、鍍金工程後にパンチ工程を実施するため、パンチ工程において樹脂誘導溝の表面の鍍金が剥がれて素材が露出し、樹脂誘導溝の表面に金属酸化膜が形成される。金属酸化膜と樹脂との濡れ性は良好であるため、モールド工程において、樹脂誘導溝と樹脂との毛細管現象が良好に保たれ、樹脂は毛細管現象によって樹脂誘導溝の円周方向へスムーズに拡がる。 The method for manufacturing a package component according to the tenth aspect of the present invention includes a plating process for plating a lead frame before the punching process.
According to this, corrosion of the lead frame can be prevented by plating. In addition, since the punching process is performed after the plating process, the plating on the surface of the resin guiding groove is peeled off in the punching process to expose the material, and a metal oxide film is formed on the surface of the resin guiding groove. Since the wettability between the metal oxide film and the resin is good, the capillary phenomenon between the resin guide groove and the resin is kept good in the molding process, and the resin spreads smoothly in the circumferential direction of the resin guide groove by the capillary phenomenon. .

以上のように、本発明は、樹脂が樹脂誘導溝を越えて電気的接続領域へ侵入するのを防止することができるため、電気的接続領域への樹脂バリの発生を防止でき、製造歩留まりの低下や電気接続の信頼性を損なうことがない半導体装置とする事が可能となる。   As described above, the present invention can prevent the resin from entering the electrical connection region beyond the resin guide groove, thereby preventing the occurrence of resin burrs in the electrical connection region and improving the production yield. It is possible to obtain a semiconductor device that does not deteriorate or impair the reliability of electrical connection.

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
先ず、実施の形態１を図１〜図６に基いて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
First, the first embodiment will be described with reference to FIGS.

図１に示すように、１は半導体装置の一例である光半導体装置であり、パッケージ部品２と光半導体素子３（半導体素子の一例）とを備えている。
図２に示すように、前記パッケージ部品２は、所定の間隙を保って対向する一対のリードフレーム６，７と、両リードフレーム６，７に装着された樹脂製の筐体８とを備えている。筐体８は、上面が開口した中空状の収容部９を有する、四角箱状の部材である。両リードフレーム６，７は収容部９の底面上に配置されており、リードフレーム６，７の相反する先端部は筐体８の外側方へ突出している。 As shown in FIG. 1, reference numeral 1 denotes an optical semiconductor device which is an example of a semiconductor device, and includes a package component 2 and an optical semiconductor element 3 (an example of a semiconductor element).
As shown in FIG. 2, the package component 2 includes a pair of lead frames 6, 7 facing each other with a predetermined gap, and a resin casing 8 mounted on both the lead frames 6, 7. Yes. The housing 8 is a square box-shaped member having a hollow housing portion 9 whose upper surface is open. Both lead frames 6, 7 are disposed on the bottom surface of the housing portion 9, and the opposite ends of the lead frames 6, 7 protrude outward of the housing 8.

尚、筐体８の材質である樹脂としては、例えば、エポキシ、フェノール、メラミン、アクリル、尿素樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル等の熱硬化性樹脂が使用されている。   In addition, as resin which is the material of the housing | casing 8, thermosetting resins, such as an epoxy, a phenol, a melamine, an acryl, a urea resin, unsaturated polyester, an alkyd, a polyimide, a polyamide, a polyether, are used, for example.

図３に示すように、前記各リードフレーム６，７は銅又は銅を含む合金を材質としている。各リードフレーム６，７の一主面にはそれぞれ、電気的接続領域１２と、電気的接続領域１２を取り囲む円環状の樹脂誘導溝１４，１５とが形成されている。図２に示すように、これら電気的接続領域１２と樹脂誘導溝１４，１５とは収容部９内に露出している。   As shown in FIG. 3, each of the lead frames 6 and 7 is made of copper or an alloy containing copper. An electrical connection region 12 and annular resin guide grooves 14 and 15 surrounding the electrical connection region 12 are formed on one main surface of each lead frame 6 and 7, respectively. As shown in FIG. 2, the electrical connection region 12 and the resin guide grooves 14 and 15 are exposed in the housing portion 9.

図３に示すように、両樹脂誘導溝１４，１５は、同心円状に、内外二重に形成されている。各樹脂誘導溝１４，１５はそれぞれリードフレーム６，７の一主面に開口する開口部１７を有し、各樹脂誘導溝１４，１５の断面形状はそれぞれＶ形状であり、各樹脂誘導溝１４，１５の幅が開口部１７から各樹脂誘導溝１４，１５の奥端部１４ａ，１５ａに向かうほど次第に縮小し、各樹脂誘導溝１４，１５の奥端部１４ａ，１５ａが尖っている。尚、各樹脂誘導溝１４，１５の奥端部１４ａ，１５ａの角度αは９０°以下である。   As shown in FIG. 3, both resin guide grooves 14 and 15 are formed concentrically and double inside and outside. Each resin guide groove 14, 15 has an opening 17 that opens on one main surface of the lead frames 6, 7, and each resin guide groove 14, 15 has a V-shaped cross section. , 15 gradually decreases from the opening 17 toward the inner ends 14a, 15a of the resin guide grooves 14, 15, and the inner ends 14a, 15a of the resin guide grooves 14, 15 are pointed. The angle α of the back end portions 14a, 15a of the resin guide grooves 14, 15 is 90 ° or less.

また、図１に示すように、前記光半導体素子３は一方のリードフレーム６（いずれかのリードフレームの一例）の電気的接続領域１２に搭載されている。この光半導体素子３には接続部材１９の一端が接続され、接続部材１９の他端が他方のリードフレーム７（別のリードフレームの一例）の電気的接続領域１２に接続されている。これにより、光半導体素子３と他方のリードフレーム７の電気的接続領域１２とが接続部材１９を介して電気的に接続される。尚、前記接続部材１９としては、例えば金や銅等からなるワイヤーが用いられる。また、収容部９に光透過性樹脂（図示せず）を充填することにより、安定した信頼性を確保することができる。   As shown in FIG. 1, the optical semiconductor element 3 is mounted on an electrical connection region 12 of one lead frame 6 (an example of one of the lead frames). One end of a connection member 19 is connected to the optical semiconductor element 3, and the other end of the connection member 19 is connected to the electrical connection region 12 of the other lead frame 7 (an example of another lead frame). As a result, the optical semiconductor element 3 and the electrical connection region 12 of the other lead frame 7 are electrically connected via the connection member 19. As the connecting member 19, a wire made of, for example, gold or copper is used. Moreover, stable reliability can be ensured by filling the accommodating portion 9 with a light transmissive resin (not shown).

次に、図２に示したパッケージ部品２の製造方法を図４，図５に基いて説明する。
図４に示すように、先ず、パンチ工程において、プレス加工装置を用いてリードフレーム６，７に樹脂誘導溝１４，１５を形成する。すなわち、プレス加工装置は固定金型２５と可動金型２６とを有しており、可動金型２６には樹脂誘導溝形成用の突起したパンチ２７が備えられている。 Next, a method for manufacturing the package component 2 shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 4, first, in the punching process, the resin guide grooves 14 and 15 are formed in the lead frames 6 and 7 by using a press working apparatus. That is, the press working apparatus has a fixed mold 25 and a movable mold 26, and the movable mold 26 is provided with a protruding punch 27 for forming a resin guide groove.

図４（ａ）に示すように、前記固定金型２５と可動金型２６との間に一対のリードフレーム６，７をセットし、可動金型２６を下動させて両リードフレーム６，７の一主面をパンチ２７で押圧して樹脂誘導溝１４，１５を形成する。これにより、図４（ｂ）に示すように、樹脂誘導溝１４，１５を有するリードフレーム６，７が完成する。   As shown in FIG. 4 (a), a pair of lead frames 6 and 7 are set between the fixed mold 25 and the movable mold 26, and the movable mold 26 is moved downward so that both lead frames 6 and 7 are moved. Then, the resin guide grooves 14 and 15 are formed by pressing one main surface with the punch 27. As a result, as shown in FIG. 4B, lead frames 6 and 7 having resin guiding grooves 14 and 15 are completed.

その後、図５に示すように、モールド工程において、モールド型３０を用いて筐体８を樹脂成形する。すなわち、図５（ａ）に示すように、モールド型３０には、筐体８の形状に合致するキャビティー３１（空隙）と、外部からキャビティー３１内へ樹脂Ｒを注入する樹脂注入口３２とが設けられている。   Thereafter, as shown in FIG. 5, the housing 8 is resin-molded using a mold 30 in the molding step. That is, as shown in FIG. 5A, in the mold 30, a cavity 31 (gap) that matches the shape of the housing 8 and a resin injection port 32 that injects the resin R into the cavity 31 from the outside. And are provided.

一対のリードフレーム６，７をモールド型３０で狭持し、樹脂供給機構（図示せず）を用いて、図５（ｂ）に示すように、加熱熔融状態の樹脂Ｒを樹脂注入口３２からキャビティー３１内へ注入して充填する。   A pair of lead frames 6 and 7 are held between mold molds 30 and a resin supply mechanism (not shown) is used to remove the heat-melted resin R from the resin inlet 32 as shown in FIG. It is injected into the cavity 31 and filled.

その後、樹脂Ｒが固化すると、モールド型３０を型開きして加工を終えて一体となったリードフレーム６，７と筐体８とを取り出す。これにより、図２に示したパッケージ部品２が完成する。   Thereafter, when the resin R is solidified, the mold 30 is opened, the processing is finished, and the integrated lead frames 6 and 7 and the housing 8 are taken out. Thereby, the package component 2 shown in FIG. 2 is completed.

以下、前記構成における作用を説明する。
図５に示したモールド工程において、樹脂Ｒを樹脂注入口３２からキャビティー３１内へ注入した際、少なくとも電気的接続領域１２と樹脂誘導溝１４，１５とはモールド型３０と接した状態で閉塞されているが、図６に示すように、樹脂注入時の圧力によってキャビティー３１から漏洩した樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４，１５の局所（一部分）に集中的に達する場合がある。 Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding process shown in FIG. 5, when the resin R is injected into the cavity 31 from the resin injection port 32, at least the electrical connection region 12 and the resin guide grooves 14, 15 are closed while being in contact with the mold 30. However, as shown in FIG. 6, the resin R leaked from the cavity 31 due to the pressure at the time of resin injection may intensively reach the local part (part) of the resin guide grooves 14 and 15.

このような場合、樹脂Ｒは、図６（ａ）に示すように、先ず、外側の樹脂誘導溝１４内に流れ込む。この際、樹脂誘導溝１４の幅が縮小している奥端部１４ａにおいて毛細管現象がより顕著に（強く）起こり、この毛細管現象によって、樹脂Ｒは、樹脂誘導溝１４の円周方向Ａへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝１４内の円周方向Ａにおける広範囲に溜まる。したがって、樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４の局所（一部分）に集中した場合でも、前記のように毛細管現象によって樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４の円周方向Ａへスムーズに拡がるため、樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４を越え難くなり、樹脂Ｒの電気的接続領域１２への侵入を防止することができる。   In such a case, the resin R first flows into the outer resin guide groove 14 as shown in FIG. At this time, the capillary phenomenon occurs more remarkably (strongly) at the back end portion 14a where the width of the resin guide groove 14 is reduced, and the resin R smoothly flows in the circumferential direction A of the resin guide groove 14 by this capillary phenomenon. The resin guide groove 14 accumulates in a wide range in the circumferential direction A. Therefore, even when the resin R is concentrated locally (partially) in the resin guide groove 14, the resin R smoothly spreads in the circumferential direction A of the resin guide groove 14 due to the capillary phenomenon as described above. It becomes difficult to cross the groove 14, and the resin R can be prevented from entering the electrical connection region 12.

また、万一、樹脂Ｒが外側の樹脂誘導溝１４から溢れ出した場合、図６（ｂ）に示すように、樹脂Ｒは、次に、内側の樹脂誘導溝１５内に流れ込み、前記と同様に、樹脂誘導溝１５においても、毛細管現象によって、樹脂誘導溝１５の円周方向Ａへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝１５内の円周方向Ａにおける広範囲に溜まる。これにより、樹脂Ｒが樹脂誘導溝１５を越え難くなり、樹脂Ｒの電気的接続領域１２への侵入をより確実に防止することができる。   In the unlikely event that the resin R overflows from the outer resin guide groove 14, the resin R then flows into the inner resin guide groove 15 as shown in FIG. Further, the resin guide groove 15 is also smoothly guided and expanded in the circumferential direction A of the resin guide groove 15 by the capillary phenomenon, and accumulates in a wide range in the circumferential direction A in the resin guide groove 15. Thereby, it becomes difficult for the resin R to cross the resin guide groove 15 and the penetration of the resin R into the electrical connection region 12 can be more reliably prevented.

尚、図３（ｃ）に示すように、各樹脂誘導溝１４，１５の奥端部１４ａ，１５ａの角度αは９０°以下であるため、各樹脂誘導溝１４，１５の奥端部１４ａ，１５ａにおいて確実かつ十分な毛細管現象が発生する。   As shown in FIG. 3 (c), the angle α of the back end portions 14a, 15a of the resin guide grooves 14, 15 is 90 ° or less, so the back end portions 14a, A reliable and sufficient capillary action occurs at 15a.

上記実施の形態では、各リードフレーム６，７にそれぞれ樹脂誘導溝１４，１５を内外二重に形成しているが、三重以上の複数形成してもよいし、或いは、単数（すなわち一重）形成してもよい。
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。 In the above embodiment, the resin guide grooves 14 and 15 are formed in the inner and outer doubles in the lead frames 6 and 7, respectively, but a plurality of triple or more may be formed, or a single (ie, single) is formed. May be.
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment will be described.

パッケージ部品２の製造方法において、パンチ工程の前に、リードフレーム６，７に鍍金（メッキ）を施す鍍金工程を実施する。尚、鍍金の種類としては、例えば、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｆｅ／Ｎｉ合金、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ−Ａｇ、Ｃｕ−Ａｇ等であり、これらはボンダビリティーに優れている。   In the manufacturing method of the package component 2, a plating process for plating the lead frames 6 and 7 is performed before the punching process. Examples of the plating include Cu or Cu alloy, Fe / Ni alloy, Ni—Au, Ni—Pd, Ni—Pd—Au, Ag, Ni—Ag, Cu—Ag, and the like. Excellent in ability.

これによると、鍍金により、リードフレーム６，７の腐食を防止することができる。また、鍍金工程後にパンチ工程を実施するため、パンチ工程において各樹脂誘導溝１４，１５の表面の鍍金が剥がれて金属素材が露出し、各樹脂誘導溝１４，１５の表面に金属酸化膜が形成される。金属酸化膜と樹脂Ｒとの濡れ性は良好であるため、モールド工程において、各樹脂誘導溝１４，１５と樹脂Ｒとの毛細管現象が良好に保たれ、樹脂Ｒは毛細管現象によって樹脂誘導溝１４，１５の円周方向Ａへスムーズに誘導されて拡がる。
（実施の形態３）
次に、実施の形態３について説明する。 According to this, corrosion of the lead frames 6 and 7 can be prevented by plating. Further, since the punching process is performed after the plating process, the plating on the surface of each resin guiding groove 14 and 15 is peeled off in the punching process to expose the metal material, and a metal oxide film is formed on the surface of each resin guiding groove 14 and 15. Is done. Since the wettability between the metal oxide film and the resin R is good, the capillary phenomenon between the resin guiding grooves 14 and 15 and the resin R is kept good in the molding process, and the resin R is caused by the capillary phenomenon. , 15 are smoothly guided in the circumferential direction A and spread.
(Embodiment 3)
Next, Embodiment 3 will be described.

図７に示すように、樹脂誘導溝３５は、リードフレーム６，７の一主面に開口する開口部３６を有しており、断面形状が四角形状の溝本体部３５ａと、断面形状がＶ形状である樹脂誘導部３５ｂとで構成されている。溝本体部３５ａは樹脂誘導溝３５の開口部３６側に面して形成されている。また、樹脂誘導部３５ｂは、樹脂誘導溝３５の奥端部３５ｃ側に形成されて、全周にわたり溝本体部３５ａの底部に連通している。尚、樹脂誘導部３５ｂ（樹脂誘導溝３５の奥端部３５ｃ）の角度αは９０°以下である。また、溝本体部３５ａの幅Ｗａは樹脂誘導部３５ｂの幅Ｗｂよりも大きい。   As shown in FIG. 7, the resin guide groove 35 has an opening 36 opened on one main surface of the lead frames 6, 7, a groove main body portion 35 a having a square cross section, and a cross section having a V shape. It is comprised with the resin guide part 35b which is a shape. The groove main body 35 a is formed facing the opening 36 side of the resin guide groove 35. Moreover, the resin guide part 35b is formed in the back end part 35c side of the resin guide groove 35, and is connected to the bottom part of the groove main-body part 35a over the perimeter. The angle α of the resin guiding portion 35b (the back end portion 35c of the resin guiding groove 35) is 90 ° or less. Further, the width Wa of the groove main body portion 35a is larger than the width Wb of the resin guiding portion 35b.

以下、上記構成における作用を説明する。
前記モールド工程において、キャビティー３１から漏洩した樹脂Ｒが樹脂誘導溝３５の局所（一部分）に集中的に達して樹脂誘導溝３５内に流れ込んだ際、溝本体部３５ａよりも樹脂誘導部３５ｂにおいて毛細管現象がより顕著に（強く）起こるため、樹脂Ｒは、樹脂誘導部３５ｂにおける毛細管現象によって、樹脂誘導溝３５の円周方向Ａへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝３５内の円周方向Ａにおける広範囲に溜まる。この際、溝本体部３５ａは断面形状が四角形状であるため、前記実施の形態１（図３参照）の樹脂誘導溝１４又は樹脂誘導溝１５よりも多量の樹脂Ｒを樹脂誘導溝３５内に溜めることが可能になる。これによって、樹脂Ｒの電気的接続領域１２への侵入をより確実に防止することができる。 Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding step, when the resin R leaked from the cavity 31 intensively reaches a part (part) of the resin guide groove 35 and flows into the resin guide groove 35, the resin R is more in the resin guide part 35b than the groove main body part 35a. Since the capillary phenomenon occurs more remarkably (strongly), the resin R is smoothly guided and spreads in the circumferential direction A of the resin guide groove 35 by the capillary phenomenon in the resin guide portion 35b, and the circumference in the resin guide groove 35 is increased. Accumulate in a wide range in direction A. At this time, since the cross-sectional shape of the groove main body portion 35a is a square shape, a larger amount of the resin R than the resin guide groove 14 or the resin guide groove 15 of the first embodiment (see FIG. 3) is put in the resin guide groove 35. It becomes possible to accumulate. This can more reliably prevent the resin R from entering the electrical connection region 12.

前記実施の形態３では、各リードフレーム６，７にそれぞれ樹脂誘導溝３５を単数（すなわち一重）形成しているが、前記実施の形態１（図３参照）と同様に、樹脂誘導溝３５を内外二重以上の複数形成してもよい。
（実施の形態４）
次に、実施の形態４について説明する。 In the third embodiment, each of the lead frames 6 and 7 has a single resin guide groove 35 (ie, a single), but the resin guide groove 35 is formed in the same manner as in the first embodiment (see FIG. 3). A plurality of inner and outer doubles or more may be formed.
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment will be described.

図８に示すように、各リードフレーム６，７にそれぞれ樹脂誘導溝１４が形成されている。図８（ｄ）に示すように、樹脂誘導溝１４は、断面形状がＶ形状であり、リードフレーム６，７の一主面に開口する開口部１７を有している。また、図８（ａ）に示すように、樹脂誘導溝１４の円周方向Ａにおける複数箇所には樹脂溜め部３９が形成されている。図８（ｂ）（ｃ）に示すように、これら樹脂溜め部３９は、断面形状が凹形状をしており、樹脂誘導溝１４の外側方に位置し、樹脂誘導溝１４に連通している。   As shown in FIG. 8, resin guide grooves 14 are formed in the lead frames 6 and 7, respectively. As shown in FIG. 8D, the resin guide groove 14 has a V-shaped cross section and has an opening 17 that opens on one main surface of the lead frames 6, 7. As shown in FIG. 8A, resin reservoirs 39 are formed at a plurality of locations in the circumferential direction A of the resin guide groove 14. As shown in FIGS. 8B and 8C, these resin reservoirs 39 have a concave cross-sectional shape, are located on the outer side of the resin guide groove 14, and communicate with the resin guide groove 14. .

以下、上記構成における作用を説明する。
前記モールド工程において、キャビティー３１から漏洩した樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４の局所（一部分）に集中的に達して樹脂誘導溝１４内に流れ込んだ際、樹脂Ｒは、毛細管現象によって、樹脂誘導溝１４の円周方向Ａへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝１４内の円周方向Ａにおける広範囲に溜まる。さらに、樹脂誘導溝１４内の樹脂Ｒが樹脂溜め部３９に流れ込むことにより、樹脂Ｒが樹脂誘導溝１４内から溢れ出るのを防止することができ、これによって、樹脂Ｒの電気的接続領域１２への侵入をより確実に防止することができる。 Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding process, when the resin R leaked from the cavity 31 intensively reaches a part (part) of the resin guide groove 14 and flows into the resin guide groove 14, the resin R becomes resin guide groove by capillary action. 14 is smoothly guided in the circumferential direction A and spreads, and accumulates in a wide range in the circumferential direction A in the resin guiding groove 14. Further, the resin R in the resin guide groove 14 flows into the resin reservoir 39, so that the resin R can be prevented from overflowing from the resin guide groove 14, and thereby the electrical connection region 12 of the resin R can be prevented. It is possible to prevent the intrusion into the device more reliably.

前記実施の形態４では、樹脂溜め部３９を樹脂誘導溝１４の外側方に形成しているが、反対側の内側方に形成してもよい。
前記実施の形態４では、各リードフレーム６，７にそれぞれ樹脂誘導溝１４を単数（すなわち一重）形成しているが、前記実施の形態１（図３参照）と同様に、内外二重に樹脂誘導溝１４，１５を形成してもよいし、或いは、内外三重以上形成してもよい。この場合、樹脂溜め部３９を最外側の樹脂誘導溝１４の外側方と最内側の樹脂誘導溝１５の内側方とに形成してもよい。 In the fourth embodiment, the resin reservoir 39 is formed on the outer side of the resin guide groove 14, but may be formed on the inner side of the opposite side.
In the fourth embodiment, a single resin guide groove 14 is formed in each lead frame 6 and 7 (that is, a single layer). However, as in the first embodiment (see FIG. 3), the resin is doubled inside and outside. The guide grooves 14 and 15 may be formed, or the inner and outer triple layers may be formed. In this case, the resin reservoir 39 may be formed on the outer side of the outermost resin guide groove 14 and on the inner side of the innermost resin guide groove 15.

リードフレームを樹脂でモールドして一体成形する際に、電気的接続領域への樹脂バリの侵入を防止するのに有用であり、特に光半導体装置に適している。   When the lead frame is molded with resin and is integrally formed, it is useful for preventing the entry of resin burrs into the electrical connection region, and is particularly suitable for an optical semiconductor device.

本発明の実施の形態１における光半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図を示す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure of the optical semiconductor device in Embodiment 1 of this invention, (a) is a top view, (b) shows the XX arrow view in (a). 同、光半導体装置のパッケージ部品の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図を示す。It is a figure of the package components of an optical semiconductor device, (a) is a top view, (b) shows the XX arrow view in (a). 同、光半導体装置のパッケージ部品のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図、（ｃ）は樹脂誘導溝の拡大断面図を示す。FIG. 6 is a view of a lead frame of a package component of an optical semiconductor device, where (a) is a plan view, (b) is a view taken along line XX in (a), and (c) is an enlarged cross-sectional view of a resin guide groove. Show. 同、光半導体装置のパッケージ部品の製造方法のパンチ工程を示す図である。It is a figure which shows the punch process of the manufacturing method of the package components of an optical semiconductor device equally. 同、光半導体装置のパッケージ部品の製造方法のモールド工程を示す図である。It is a figure which shows the molding process of the manufacturing method of the package components of an optical semiconductor device equally. 同、光半導体装置のリードフレームの樹脂誘導溝の一部分の平面図であり、（ａ）は外側の樹脂誘導溝に樹脂が流れ込んだ状態を示し、（ｂ）は内外両側の樹脂誘導溝に樹脂が流れ込んだ状態を示す。FIG. 4 is a plan view of a part of the resin guide groove of the lead frame of the optical semiconductor device, where (a) shows a state in which the resin flows into the outer resin guide groove, and (b) shows a resin in the resin guide groove on both the inner and outer sides. Indicates a state where the 本発明の実施の形態３における光半導体装置のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図、（ｃ）は樹脂誘導溝の拡大断面図を示す。It is a figure of the lead frame of the optical semiconductor device in Embodiment 3 of this invention, (a) is a top view, (b) is a XX arrow line view in (a), (c) is an expansion of the resin guide groove | channel. A cross-sectional view is shown. 本発明の実施の形態４における光半導体装置のリードフレームの図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図、（ｃ）は樹脂溜め部が形成されている箇所における樹脂誘導溝の拡大断面図、（ｄ）は樹脂溜め部が形成されていない箇所における樹脂誘導溝の拡大断面図を示す。It is a figure of the lead frame of the optical semiconductor device in Embodiment 4 of this invention, (a) is a top view, (b) is a XX arrow view in (a), (c) is a resin reservoir part formed. The expanded sectional view of the resin guide groove in the part currently done, (d) shows the expanded sectional view of the resin guide groove in the part where the resin reservoir part is not formed. 従来の半導体装置の図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図、（ｃ）は溝の拡大断面図を示す。It is a figure of the conventional semiconductor device, (a) is a top view, (b) is a XX arrow line view in (a), (c) shows the expanded sectional view of a groove | channel.

符号の説明Explanation of symbols

１ 光半導体装置（半導体装置）
２ パッケージ部品
３ 光半導体素子（半導体素子）
６，７ リードフレーム
８ 筐体
９ 収容部
１２ 電気的接続領域
１４，１５ 樹脂誘導溝
１４ａ，１５ａ 奥端部
１７ 開口部
１９ 接続部材
２５ 固定金型
２６ 可動金型
２７ パンチ
３０ モールド型
３１ キャビティー
３２ 樹脂注入口
３５ 樹脂誘導溝
３５ａ 溝本体部
３５ｂ 樹脂誘導部
３５ｃ 奥端部
３６ 開口部
３９ 樹脂溜め部
α 樹脂誘導溝の奥端部の角度
Ｒ 樹脂
Ｗａ 溝本体部の幅
Ｗｂ 樹脂誘導部の幅 1 Optical semiconductor device (semiconductor device)
2 Package parts 3 Optical semiconductor element (semiconductor element)
6, 7 Lead frame 8 Housing 9 Housing portion 12 Electrical connection region 14, 15 Resin guiding groove 14a, 15a Back end portion 17 Opening portion 19 Connection member 25 Fixed die 26 Movable die 27 Punch 30 Mold die 31 Cavity 32 Resin injection port 35 Resin guide groove 35a Groove main body part 35b Resin guide part 35c Deep end part 36 Opening part 39 Resin reservoir part α Angle of deep end part of resin guide groove R Resin Wa Width of groove main part Wb Resin guide part width

Claims (10)

接続部材が接続されるか又は半導体素子が搭載される電気的接続領域を有するリードフレームであって、
リードフレームの一主面に、電気的接続領域を囲む樹脂誘導溝が形成され、
樹脂誘導溝はリードフレームの一主面に開口する開口部を有し、
樹脂誘導溝の幅が樹脂誘導溝の開口部から樹脂誘導溝の奥端に向かうほど縮小し、
樹脂誘導溝の奥端が尖っていることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an electrical connection region to which a connection member is connected or a semiconductor element is mounted,
A resin guide groove surrounding the electrical connection region is formed on one main surface of the lead frame,
The resin guide groove has an opening that opens on one main surface of the lead frame,
The width of the resin guide groove decreases from the opening of the resin guide groove toward the back end of the resin guide groove,
A lead frame characterized in that the back end of the resin guide groove is sharp. 樹脂誘導溝は断面形状がＶ形状であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 The lead frame according to claim 1, wherein the resin guide groove has a V-shaped cross section. 樹脂誘導溝は、断面形状が四角形状の溝本体部と、断面形状がＶ形状である樹脂誘導部とで構成され、
溝本体部は樹脂誘導溝の開口部側に形成され、
樹脂誘導部は、樹脂誘導溝の奥端部側に形成されて、全周にわたり溝本体部に連通しており、
溝本体部の幅が樹脂誘導部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 The resin guide groove is composed of a groove main body portion having a square cross-sectional shape and a resin guide portion having a V-shaped cross section.
The groove body is formed on the opening side of the resin guide groove,
The resin guide part is formed on the back end side of the resin guide groove and communicates with the groove body part over the entire circumference.
The lead frame according to claim 1, wherein the width of the groove main body is larger than the width of the resin guiding portion. 樹脂誘導溝の奥端部の角度が９０°以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。 The lead frame according to any one of claims 1 to 3, wherein an angle of a rear end portion of the resin guide groove is 90 ° or less. 樹脂誘導溝の内側方又は外側方に樹脂溜め部が形成され、
前記樹脂溜め部が樹脂誘導溝に連通していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレーム。 A resin reservoir is formed inside or outside the resin guide groove,
The lead frame according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin reservoir portion communicates with a resin guide groove. 複数の樹脂誘導溝が同心状に配設されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のリードフレーム。 The lead frame according to any one of claims 1 to 5, wherein the plurality of resin guide grooves are disposed concentrically. 前記請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のリードフレームを備えたパッケージ部品であって、
リードフレームに樹脂製の筐体が装着され、
筐体は開口した中空状の収容部を有し、
リードフレームは収容部の底面上に配置され、
電気的接続領域と樹脂誘導溝とが収容部内に露出していることを特徴とするパッケージ部品。 A package component comprising the lead frame according to any one of claims 1 to 6,
A resin casing is attached to the lead frame,
The housing has an open hollow housing portion,
The lead frame is arranged on the bottom surface of the housing part,
A package component, wherein the electrical connection region and the resin guide groove are exposed in the housing portion. 前記請求項７に記載のパッケージ部品を備えた半導体装置であって、
複数のリードフレームに筐体が装着され、
いずれかのリードフレームの電気的接続領域に半導体素子が搭載され、
半導体素子と別のリードフレームの電気的接続領域とが接続部材を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising the package component according to claim 7,
A housing is attached to multiple lead frames,
A semiconductor element is mounted on the electrical connection region of any lead frame,
A semiconductor device, wherein a semiconductor element and an electrical connection region of another lead frame are electrically connected through a connection member. 前記請求項７に記載のパッケージ部品の製造方法であって、
固定金型と樹脂誘導溝形成用のパンチを有する可動金型との間にリードフレームをセットし、可動金型を可動させてリードフレームの一主面をパンチで押圧して樹脂誘導溝を形成するパンチ工程と、
筐体の形状に合致するキャビティーが設けられたモールド型にリードフレームを狭持し、加熱熔融状態の樹脂を樹脂注入口からキャビティー内へ注入して充填するモールド工程とを有することを特徴とするパッケージ部品の製造方法。 A method of manufacturing a package component according to claim 7,
A lead frame is set between the fixed mold and a movable mold having a punch for forming a resin guide groove, and the movable mold is moved to press one main surface of the lead frame with a punch to form a resin guide groove. Punching process,
And a mold process in which a lead frame is sandwiched between mold molds provided with cavities that match the shape of the casing, and a resin in a heated and melted state is injected into the cavity from the resin injection port and filled. A method for manufacturing a package component. パンチ工程の前に、リードフレームに鍍金を施す鍍金工程を有することを特徴とする請求項９に記載のパッケージ部品の製造方法。 10. The method of manufacturing a package component according to claim 9, further comprising a plating step of plating the lead frame before the punching step.
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