JP2008048503A - インバータモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 MOSFET4u,4v,4wが搭載されるリードフレーム32,33,34の面積を、IGBT3u,3v,3wが搭載されるリードフレーム31の面積よりも大きくしている。
【選択図】 図2
Description
図1において、Mは空気調和機のコンプレッサモータとして使用されるブラシレスDCモータ(負荷)で、中性点Cを中心に星形結線された3つの相巻線Lu,Lv,Lwを有する固定子、および永久磁石を有する回転子により構成されている。相巻線Lu,Lv,Lwに電流が流れることにより生じる磁界と永久磁石が作る磁界との相互作用により、回転子が回転する。このブラシレスDCモータMに、本発明のインバータ装置1が接続されている。
Claims (3)
- 上側スイッチング素子にIGBTおよび下側スイッチング素子にMOSFETを用いた直列回路を複数有し、これら直列回路におけるIGBTとMOSFETの相互接続点が負荷に接続されるスイッチング回路を備え、
前記IGBTおよび前記MOSFETが1つのモジュール内に収納され、かつこのモジュール内で前記各MOSFETの放熱面積が、前記IGBTの放熱面積よりも大きいことを特徴とするインバータモジュール。 - 前記各MOSFETと前記各MOSFETはリードフレーム上に載置され、前記各MOSFETが搭載されるリードフレームの面積が、前記各IGBTが搭載されるリードフレームの面積より大きい構成であることを特徴とする請求項1に記載のインバータモジュール。
- 前記各IGBTは単一のリードフレーム上に搭載され、前記各MOSFETはそれぞれが独立したリードフレーム上に搭載されることを特徴とする請求項2に記載のインバータモジュール。
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- 2006-08-11 JP JP2006220107A patent/JP2008048503A/ja active Pending
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