JP2003298190A - 半導体レーザ素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子およびその製造方法Info
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- JP2003298190A JP2003298190A JP2002099988A JP2002099988A JP2003298190A JP 2003298190 A JP2003298190 A JP 2003298190A JP 2002099988 A JP2002099988 A JP 2002099988A JP 2002099988 A JP2002099988 A JP 2002099988A JP 2003298190 A JP2003298190 A JP 2003298190A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造プロ
セスの増加を最小限に抑えつつ、その信頼性および歩留
まりを向上させる。 【解決手段】 リッジ状の導波路１１の両側には空間領
域を挟んでストライプ状にパターニングされたリッジ保
護層１０が設けられている。リッジ保護層１０は、ノン
ドープＩｎＰあるいはＦｅドープＩｎＰなどの高抵抗半
導体材料で構成されている。このリッジ保護層１０の上
面の高さは、導波路１１の上面の高さよりも低いので、
素子作製工程でリッジ状の導波路１１を傷つけることが
無くなり、結晶カケなどが大幅に低減される。
セスの増加を最小限に抑えつつ、その信頼性および歩留
まりを向上させる。 【解決手段】 リッジ状の導波路１１の両側には空間領
域を挟んでストライプ状にパターニングされたリッジ保
護層１０が設けられている。リッジ保護層１０は、ノン
ドープＩｎＰあるいはＦｅドープＩｎＰなどの高抵抗半
導体材料で構成されている。このリッジ保護層１０の上
面の高さは、導波路１１の上面の高さよりも低いので、
素子作製工程でリッジ状の導波路１１を傷つけることが
無くなり、結晶カケなどが大幅に低減される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
およびその製造技術に関し、特に、光通信データリンク
用の光源として用いるリッジ導波路構造の半導体レーザ
素子に適用して有効な技術に関する。
およびその製造技術に関し、特に、光通信データリンク
用の光源として用いるリッジ導波路構造の半導体レーザ
素子に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体レーザにおいては、電流
注入の高効率化とレーザ光の横モード制御を目的とし
て、第２のクラッド層中にリッジ状の導波路構造を形成
する。この種のリッジ導波路型半導体レーザは、その素
子構造の違いから、リッジ導波路構造を形成した後、そ
の両脇を伝導性が異なる半導体層で埋め込む第１の素子
構造と、リッジ導波路構造を形成した後、その両脇を半
導体層で埋め込まない第２の素子構造とに大別される。
また、上記第２の素子構造の改良技術として、Kubota e
t al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol39, pp2297 (2000) に
記載されているように、リッジ導波路部の両脇を有機物
材料等で埋め込んで保護する構造が知られている。
注入の高効率化とレーザ光の横モード制御を目的とし
て、第２のクラッド層中にリッジ状の導波路構造を形成
する。この種のリッジ導波路型半導体レーザは、その素
子構造の違いから、リッジ導波路構造を形成した後、そ
の両脇を伝導性が異なる半導体層で埋め込む第１の素子
構造と、リッジ導波路構造を形成した後、その両脇を半
導体層で埋め込まない第２の素子構造とに大別される。
また、上記第２の素子構造の改良技術として、Kubota e
t al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol39, pp2297 (2000) に
記載されているように、リッジ導波路部の両脇を有機物
材料等で埋め込んで保護する構造が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述したリッジ導波路
型半導体レーザのうち、リッジ導波路構造の両脇を伝導
性が異なる半導体層で埋め込む第１の素子構造は、レー
ザ光の横モード制御性が向上する反面、少なくとも２回
以上の結晶成長工程を必要とする。さらに、素子の製造
工程が増えるため、製造コストが増加するという欠点が
ある。
型半導体レーザのうち、リッジ導波路構造の両脇を伝導
性が異なる半導体層で埋め込む第１の素子構造は、レー
ザ光の横モード制御性が向上する反面、少なくとも２回
以上の結晶成長工程を必要とする。さらに、素子の製造
工程が増えるため、製造コストが増加するという欠点が
ある。
【０００４】一方、リッジ導波路構造の両脇を半導体層
で埋め込まない第２の素子構造は、結晶成長工程が１回
で済むために、製造工程が簡略化されるといった利点を
有する。しかしながら、本素子構造の場合、製造プロセ
スおよび組み立て工程において、リッジ導波路が空間的
に露出しているために、角部の結晶が欠け易い。その結
果、素子の基本特性および信頼性が劣化し、歩留りが著
しく低下するといった問題を抱えている。また、その対
策としてリッジ導波路部の両脇を有機物材料などで埋め
込んで保護する前記改良構造は、製造工程が増えてしま
うという問題が生じる。
で埋め込まない第２の素子構造は、結晶成長工程が１回
で済むために、製造工程が簡略化されるといった利点を
有する。しかしながら、本素子構造の場合、製造プロセ
スおよび組み立て工程において、リッジ導波路が空間的
に露出しているために、角部の結晶が欠け易い。その結
果、素子の基本特性および信頼性が劣化し、歩留りが著
しく低下するといった問題を抱えている。また、その対
策としてリッジ導波路部の両脇を有機物材料などで埋め
込んで保護する前記改良構造は、製造工程が増えてしま
うという問題が生じる。
【０００５】本発明の目的は、リッジ導波路型半導体レ
ーザ素子の製造工程の増加を最小限に抑えつつ、その信
頼性および歩留まりを向上させることのできる技術を提
供することにある。
ーザ素子の製造工程の増加を最小限に抑えつつ、その信
頼性および歩留まりを向上させることのできる技術を提
供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００８】本発明によるリッジ導波路型半導体レーザ
素子は、半導体基板上に少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と
を有すると共に、リッジ状の導波路構造を備えており、
前記導波路構造の上面は、前記導波路構造の両側の空間
領域を挟んで前記導波路構造の両側に形成された保護層
の上面よりも低くなっているものである。
素子は、半導体基板上に少なくとも第１導電型の第１ク
ラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と
を有すると共に、リッジ状の導波路構造を備えており、
前記導波路構造の上面は、前記導波路構造の両側の空間
領域を挟んで前記導波路構造の両側に形成された保護層
の上面よりも低くなっているものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の機能を有する部材には同
一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１０】（実施の形態１）本実施の形態は、発振波
長１．３μｍ帯のリッジ導波路型半導体レーザ素子に適
用したものであり、その製造方法を工程順に説明すれば
次の通りである。
長１．３μｍ帯のリッジ導波路型半導体レーザ素子に適
用したものであり、その製造方法を工程順に説明すれば
次の通りである。
【００１１】まず、図１に示すように、ｎ型ＩｎＰ（イ
ンジウムリン）からなる半導体基板１を用意し、周知の
有機金属気相成長法を用いて、その上部に膜厚２００ｎ
ｍのｎ型ＩｎＰからなるバッファ層２、膜厚５００ｎｍ
のｎ型ＩｎＰからなるクラッド層３、膜厚３０ｎｍのｎ
型ＩｎＡｌＡｓ（インジウムアルミニウムヒ素）層４、
膜厚５ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ（インジウムガリウムア
ルミニウムヒ素）井戸層と膜厚８ｎｍのＩｎＧａＡｌＡ
ｓ障壁層とからなるＩｎＧａＡｌＡｓ系歪多重量子井戸
構造活性層５、膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓ層６、
膜厚１６００ｎｍのｐ型ＩｎＰからなるクラッド層７、
膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ（インジウムガリウ
ムヒ素リン）からなるヘテロ障壁低減層８、膜厚２００
ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウムヒ素）か
らなるコンタクト層９および膜厚７００ｎｍのノンドー
プＩｎＰからなるリッジ保護層１０を順次成長させる。
ンジウムリン）からなる半導体基板１を用意し、周知の
有機金属気相成長法を用いて、その上部に膜厚２００ｎ
ｍのｎ型ＩｎＰからなるバッファ層２、膜厚５００ｎｍ
のｎ型ＩｎＰからなるクラッド層３、膜厚３０ｎｍのｎ
型ＩｎＡｌＡｓ（インジウムアルミニウムヒ素）層４、
膜厚５ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ（インジウムガリウムア
ルミニウムヒ素）井戸層と膜厚８ｎｍのＩｎＧａＡｌＡ
ｓ障壁層とからなるＩｎＧａＡｌＡｓ系歪多重量子井戸
構造活性層５、膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＡｌＡｓ層６、
膜厚１６００ｎｍのｐ型ＩｎＰからなるクラッド層７、
膜厚３０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ（インジウムガリウ
ムヒ素リン）からなるヘテロ障壁低減層８、膜厚２００
ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウムヒ素）か
らなるコンタクト層９および膜厚７００ｎｍのノンドー
プＩｎＰからなるリッジ保護層１０を順次成長させる。
【００１２】なお、ここでは歪多重量子井戸構造活性層
５としてＩｎＧａＡｌＡｓ系材料を使用したが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系材料でも構わない。また、無効電流を抑制す
るためにリッジ保護層をノンドープＩｎＰで構成した
が、他の高抵抗半導体材料、例えばＦｅドープＩｎＰな
どで構成することもできる。
５としてＩｎＧａＡｌＡｓ系材料を使用したが、ＩｎＧ
ａＡｓＰ系材料でも構わない。また、無効電流を抑制す
るためにリッジ保護層をノンドープＩｎＰで構成した
が、他の高抵抗半導体材料、例えばＦｅドープＩｎＰな
どで構成することもできる。
【００１３】次に、図２に示すように、周知のフォトリ
ソグラフィ技術（フォトレジスト膜をマスクにしたエッ
チング技術）を用い、リッジ導波路を形成する領域のリ
ッジ保護層１０を幅２５μｍのストライプ状にパターニ
ングして開口部１７を形成する。このとき、開口部１７
の底部には、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層９
の表面が露出する。
ソグラフィ技術（フォトレジスト膜をマスクにしたエッ
チング技術）を用い、リッジ導波路を形成する領域のリ
ッジ保護層１０を幅２５μｍのストライプ状にパターニ
ングして開口部１７を形成する。このとき、開口部１７
の底部には、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層９
の表面が露出する。
【００１４】次に、図３に示すように、フォトリソグラ
フィ技術を用いて開口部１７の底部をｐ型ＩｎＰからな
るクラッド層７の中途部までエッチングする。これによ
り、開口部１７の中央に、１．３μｍの幅を有するリッ
ジ状のｐ型ＩｎＰからなる導波路１１が形成される。
フィ技術を用いて開口部１７の底部をｐ型ＩｎＰからな
るクラッド層７の中途部までエッチングする。これによ
り、開口部１７の中央に、１．３μｍの幅を有するリッ
ジ状のｐ型ＩｎＰからなる導波路１１が形成される。
【００１５】次に、図４に示すように、ＣＶＤ法で膜厚
３００ｎｍの酸化シリコン膜１２を堆積した後、フォト
レジスト膜をマスクにしたドライエッチングで導波路１
１の上面の一部の酸化シリコン膜１２を除去し、導波路
１１の上面の一部を露出させる。
３００ｎｍの酸化シリコン膜１２を堆積した後、フォト
レジスト膜をマスクにしたドライエッチングで導波路１
１の上面の一部の酸化シリコン膜１２を除去し、導波路
１１の上面の一部を露出させる。
【００１６】次に、図５に示すように、導波路１１に電
気的に接続されるｐ側電極１３と、ｎ型ＩｎＰからなる
半導体基板１に電気的に接続されるｎ側電極１４とを形
成する。ｐ側電極１３は、電子ビーム蒸着法で金属膜を
堆積することによって形成し、ｎ側電極１４は、ｐ側電
極１３を形成した後、半導体基板１の裏面を研磨し、そ
こに電子ビーム蒸着法で金属膜を堆積することによって
形成する。
気的に接続されるｐ側電極１３と、ｎ型ＩｎＰからなる
半導体基板１に電気的に接続されるｎ側電極１４とを形
成する。ｐ側電極１３は、電子ビーム蒸着法で金属膜を
堆積することによって形成し、ｎ側電極１４は、ｐ側電
極１３を形成した後、半導体基板１の裏面を研磨し、そ
こに電子ビーム蒸着法で金属膜を堆積することによって
形成する。
【００１７】その後、半導体基板１を共振器長２５０μ
ｍのバー状に劈開し、この共振器面に多層反射膜１５を
形成した後、幅４００μｍのレーザ素子にチップ化する
ことにより、図６に示すような発振波長１．３μｍ帯の
リッジ導波路型半導体レーザ素子が完成する。
ｍのバー状に劈開し、この共振器面に多層反射膜１５を
形成した後、幅４００μｍのレーザ素子にチップ化する
ことにより、図６に示すような発振波長１．３μｍ帯の
リッジ導波路型半導体レーザ素子が完成する。
【００１８】上記のような素子構造においては、リッジ
保護層１０の膜厚を７００ｎｍとしているので、導波路
１１の上面はリッジ保護層１０の上面よりも高さが低く
なる。これにより、リッジ状の導波路１１が、その両側
のリッジ保護層１０によって保護されるため、素子作製
工程で導波路１１を傷つけることが無くなり、結晶カケ
などを大幅に低減することができる。
保護層１０の膜厚を７００ｎｍとしているので、導波路
１１の上面はリッジ保護層１０の上面よりも高さが低く
なる。これにより、リッジ状の導波路１１が、その両側
のリッジ保護層１０によって保護されるため、素子作製
工程で導波路１１を傷つけることが無くなり、結晶カケ
などを大幅に低減することができる。
【００１９】また、上記した製造方法によれば、半導体
基板１上に複数層の半導体層を連続成長させる際、Ｉｎ
Ｐからなるリッジ保護層１０を一層追加するだけで上記
素子構造を実現できるので、製造工程の増加も最小限で
済む。
基板１上に複数層の半導体層を連続成長させる際、Ｉｎ
Ｐからなるリッジ保護層１０を一層追加するだけで上記
素子構造を実現できるので、製造工程の増加も最小限で
済む。
【００２０】上記半導体レーザ素子に電流注入を行った
結果、しきい値電流１３ｍＡでレーザ発振し、波長１３
０２ｎｍに発振スペクトルが観測された。また、レーザ
素子単体の基本特性および信頼性を含めた総合歩留り
は、リッジ保護層１０を備えていない従来構造のレーザ
素子が３０％であったのに対し、９５％と飛躍的に向上
し、絶大な効果が確認された。
結果、しきい値電流１３ｍＡでレーザ発振し、波長１３
０２ｎｍに発振スペクトルが観測された。また、レーザ
素子単体の基本特性および信頼性を含めた総合歩留り
は、リッジ保護層１０を備えていない従来構造のレーザ
素子が３０％であったのに対し、９５％と飛躍的に向上
し、絶大な効果が確認された。
【００２１】上記レーザ素子を送受信電気光学系部品か
ら構成される光モジュールに搭載し光伝送特性を評価し
た結果、緩和振動周波数１９ＧＨｚ並びに変調信号周波
数１０ＧＨｚにおいて変調時スペクトル線幅２．５ｎｍ
を得た。
ら構成される光モジュールに搭載し光伝送特性を評価し
た結果、緩和振動周波数１９ＧＨｚ並びに変調信号周波
数１０ＧＨｚにおいて変調時スペクトル線幅２．５ｎｍ
を得た。
【００２２】（実施の形態２）本実施の形態は、前記実
施の形態１と同じく発振波長１．３μｍ帯のリッジ導波
路型半導体レーザ素子に適用したものであるが、リッジ
保護層１０の材質および形状が異なっている。また、レ
ーザ素子の幅は４５０μｍ、共振器長は２２０μｍとし
た。
施の形態１と同じく発振波長１．３μｍ帯のリッジ導波
路型半導体レーザ素子に適用したものであるが、リッジ
保護層１０の材質および形状が異なっている。また、レ
ーザ素子の幅は４５０μｍ、共振器長は２２０μｍとし
た。
【００２３】本実施の形態のレーザ素子は、リッジ保護
層１０が膜厚１０００ｎｍのＦｅドープＩｎＰで構成さ
れている。また、前記実施の形態１では、リッジ保護層
１０をストライプ状にパターニングしたが、本実施の形
態では、図７に示すように、パッド状にパターニングす
る。
層１０が膜厚１０００ｎｍのＦｅドープＩｎＰで構成さ
れている。また、前記実施の形態１では、リッジ保護層
１０をストライプ状にパターニングしたが、本実施の形
態では、図７に示すように、パッド状にパターニングす
る。
【００２４】本実施の形態の半導体レーザ素子を製造す
る方法は、前記実施の形態１の製造方法と同じであり、
フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ保護層１０をパ
ターニングする際のマスクパターンのみが異なってい
る。
る方法は、前記実施の形態１の製造方法と同じであり、
フォトリソグラフィ技術を用いてリッジ保護層１０をパ
ターニングする際のマスクパターンのみが異なってい
る。
【００２５】上記のような素子構造においては、リッジ
保護層１０の膜厚を１０００ｎｍとしているので、導波
路１１の上面はリッジ保護層１０の上面よりも高さが低
くなる。これにより、リッジ状の導波路１１が、パッド
形状のリッジ保護層１０によって保護されるため、素子
作製工程で導波路１１を傷つけることが無くなり、結晶
カケなどを大幅に低減することができる。
保護層１０の膜厚を１０００ｎｍとしているので、導波
路１１の上面はリッジ保護層１０の上面よりも高さが低
くなる。これにより、リッジ状の導波路１１が、パッド
形状のリッジ保護層１０によって保護されるため、素子
作製工程で導波路１１を傷つけることが無くなり、結晶
カケなどを大幅に低減することができる。
【００２６】また、上記した製造方法によれば、半導体
基板１上に複数層の半導体層を連続成長させる際、Ｉｎ
Ｐからなるリッジ保護層１０を一層追加するだけで上記
素子構造を実現できるので、製造工程の増加も最小限で
済む。
基板１上に複数層の半導体層を連続成長させる際、Ｉｎ
Ｐからなるリッジ保護層１０を一層追加するだけで上記
素子構造を実現できるので、製造工程の増加も最小限で
済む。
【００２７】上記半導体レーザ素子に電流注入を行った
結果、しきい値電流１１ｍＡでレーザ発振し、波長１３
０５ｎｍに発振スペクトルが観測された。また、レーザ
素子単体の基本特性および信頼性を含めた総合歩留り
は、リッジ保護層１０を備えていない従来構造のレーザ
素子が３０％であったのに対し、９８％と飛躍的に向上
した。
結果、しきい値電流１１ｍＡでレーザ発振し、波長１３
０５ｎｍに発振スペクトルが観測された。また、レーザ
素子単体の基本特性および信頼性を含めた総合歩留り
は、リッジ保護層１０を備えていない従来構造のレーザ
素子が３０％であったのに対し、９８％と飛躍的に向上
した。
【００２８】上記レーザ素子を送受信電気光学系部品か
ら構成される光モジュールに搭載し光伝送特性を評価し
た結果、緩和振動周波数１９ＧＨｚ並びに変調信号周波
数１０ＧＨｚにおいて変調時スペクトル線幅２．５ｎｍ
を得た。
ら構成される光モジュールに搭載し光伝送特性を評価し
た結果、緩和振動周波数１９ＧＨｚ並びに変調信号周波
数１０ＧＨｚにおいて変調時スペクトル線幅２．５ｎｍ
を得た。
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３０】例えば、リッジ保護層１０の形状は、スト
ライプ状（実施の形態１）やパッド状（実施の形態２）
に限定されるものではない。
ライプ状（実施の形態１）やパッド状（実施の形態２）
に限定されるものではない。
【００３１】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００３２】製造工程において発生していたリッジ導波
路部の結晶カケを大幅に低減することができるので、リ
ッジ導波路型半導体レーザ素子の基本特性、信頼性およ
び歩留りが向上する。
路部の結晶カケを大幅に低減することができるので、リ
ッジ導波路型半導体レーザ素子の基本特性、信頼性およ
び歩留りが向上する。
【図１】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態である半導体レーザ素子
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施の形態である半導体レーザ素
子を示す斜視図である。
子を示す斜視図である。
１…半導体基板、２…バッファ層、３…クラッド層、４
…ＩｎＡｌＡｓ層、５…歪多重量子井戸構造活性層、６
…ＩｎＡｌＡｓ層、７…クラッド層、８…ヘテロ障壁低
減層、９…コンタクト層、１０…リッジ保護層、１１…
導波路、１２…酸化シリコン膜、１３…ｐ側電極、１４
…ｎ側電極、１５…多層反射膜、１７…開口部。
…ＩｎＡｌＡｓ層、５…歪多重量子井戸構造活性層、６
…ＩｎＡｌＡｓ層、７…クラッド層、８…ヘテロ障壁低
減層、９…コンタクト層、１０…リッジ保護層、１１…
導波路、１２…酸化シリコン膜、１３…ｐ側電極、１４
…ｎ側電極、１５…多層反射膜、１７…開口部。
フロントページの続き
(72)発明者 可児 義之
神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 日
本オプネクスト株式会社内
(72)発明者 加藤 幸雄
神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 日
本オプネクスト株式会社内
Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA51 AA74 AA83 CA12
CA15 EA28
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも第１導電型の
第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッ
ド層とを有すると共に、リッジ状の導波路構造を備えた
半導体レーザ素子であって、 前記リッジ状の導波路構造の両側に空間領域が設けられ
ており、前記導波路構造の上面は、前記空間領域を介し
て前記導波路構造の両側に形成された保護層の上面より
も低くなっていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記保護層は、ノンドープまたはＦｅが
ドープされた高抵抗の半導体層からなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 前記活性層は、少なくともＩｎ、Ａｌ、
Ｇａ、ＡｓまたはＰのいずれか１種以上の元素を含むこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記半導体基板は、ＩｎＰからなること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 送受信電気光学系部品から構成された光
モジュールに搭載されていることを特徴とする請求項
１、２、３または４記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 （ａ）半導体基板上に少なくとも第１導
電型の第１クラッド層、活性層および第２導電型の第２
クラッド層を含む複数の半導体層を形成した後、前記半
導体層の上部に保護層を形成する工程と、（ｂ）前記保
護層の一部をエッチングすることによって、前記半導体
層の表面が露出する開口部を形成する工程と、（ｃ）前
記開口部の底面に露出した前記半導体層をエッチングす
ることによって、両側に空間領域が設けられたリッジ状
の導波路構造を形成する工程とを少なくとも備え、前記
導波路構造の上面は、前記空間領域を介して前記導波路
構造の両側に形成された保護層の上面よりも低いことを
特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記保護層は、ノンドープまたはＦｅが
ドープされた高抵抗の半導体層からなることを特徴とす
る請求項６記載の半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記保護層は、前記導波路構造の両側に
沿ってストライプ状に延在していることを特徴とする請
求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002099988A JP2003298190A (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
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| JP2003298190A true JP2003298190A (ja) | 2003-10-17 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 2002-04-02 JP JP2002099988A patent/JP2003298190A/ja active Pending
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