JP2008041719A - 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 - Google Patents
中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板処理システム1は、ウエハWにプラズマ処理を施すプロセスモジュール2と、フープ5からウエハWを取り出す大気系搬送装置3と、ウエハWを搬出入する中間搬送室としてのロード・ロックモジュール4とを備える。ロード・ロックモジュール4は、移載アーム70が配置されると共に、移載アーム70のピック74のウエハ載置面の直上に対向して設けられた板状部材90を有するチャンバ71と、該チャンバ71内にガスを供給するガス供給系72と、チャンバ71内を排気するLL/M排気系73とを有する。
【選択図】図1
Description
2 プロセスモジュール
3 大気系搬送装置
4 ロード・ロックモジュール
51 ローダーモジュール
60,72 ガス供給系
70 移載アーム
73 LL/M排気系
74 ピック
90 板状部材
Claims (17)
- 内部が第1の圧力で水分を含む第1の環境にある第1室と内部が第1の圧力よりも低い第2の圧力の第2の環境にある第2室との間に設けられ、当該第1室と当該第2室との間で双方向に基板を搬送し且つ当該基板を支持する支持部を有する搬送装置を備えた中間搬送室において、
該中間搬送室の内部圧力を第1の圧力から第2の圧力へ減圧すべく当該中間搬送室内を排気する排気装置と、
該排気装置による排気の際に、前記基板の少なくとも前記支持部と反対側の主面上における排気のコンダクタンスを制御するコンダクタンス制御装置とを備えることを特徴とする中間搬送室。 - 前記コンダクタンス制御装置は前記基板の主面と対向して設けられた板状部材であることを特徴とする請求項1記載の中間搬送室。
- 前記コンダクタンス制御装置は前記排気装置による排気の際に前記基板の主面上の水分の凝結若しくは凝縮が生じないように当該主面上のコンダクタンスの制御を行うことを特徴とする請求項1又は2記載の中間搬送室。
- 前記排気装置は前記基板の主面上の水分の凝結若しくは凝縮が生じない最大の排気速度で当該中間搬送室内の排気を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室内の水分量を測定する水分量測定装置を備え、
前記排気装置は当該水分量測定装置の測定結果に基づいて当該中間搬送室内の排気を行うことを特徴とする請求項4記載の中間搬送室。 - さらに、前記中間搬送室内の凝結若しくは凝縮した水分を検出する水分検出装置を備え、
前記排気装置は当該水分検出装置の検出結果に基づいて当該中間搬送室内の排気を行うことを特徴とする請求項4又は5記載の中間搬送室。 - さらに、前記中間搬送室内に乾燥したガスを供給する乾燥ガス供給装置を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室内に所定の温度に加熱したガスを供給する加熱ガス供給装置を備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室内に該中間搬送室内を前記第1の圧力よりも高い圧力に昇圧するガスを供給する昇圧ガス供給装置を備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室内に該中間搬送室内に含まれる水分を分解するガスを供給する水分分解ガス供給装置を備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室における前記第1室との連通部において当該第1室内のガスの当該中間搬送室内への侵入を遮断するガスを噴出する遮断ガス噴出手段を備えることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- さらに、前記中間搬送室内及び内壁の少なくとも一部を冷却する冷却手段を備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- 前記第1室内には乾燥したガスが供給されることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の中間搬送室。
- 内部が第1の圧力で水分を含む第1の環境にある第1室と内部が第1の圧力よりも低い第2の圧力の第2の環境にある第2室との間に設けられ、当該第1室と当該第2室との間で双方向に基板を搬送し且つ当該基板を支持する支持部を有する搬送装置を備えた中間搬送室において、
該中間搬送室の内部圧力を第1の圧力から第2の圧力へ減圧すべく当該中間搬送室内を排気する排気装置と、
該排気装置による排気の際に、前記支持部に支持された基板の当該支持部と反対側の主面上において水分の凝結若しくは凝縮が生じないように当該主面上のコンダクタンスを制御すべく当該基板を持ち上げる基板持上装置とを備えることを特徴とする中間搬送室。 - 少なくとも、基板に処理を施す基板処理装置と、前記基板を搬送する基板搬送装置と、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の中間搬送室とを備えることを特徴とする基板処理システム。
- 内部が第1の圧力で水分を含む第1の環境にある第1室と内部が第1の圧力よりも低い第2の圧力の第2の環境にある第2室との間に設けられ、当該第1室と当該第2室との間で双方向に基板を搬送し且つ当該基板を支持する支持部を有する搬送装置を備えた中間搬送室の排気方法において、
該中間搬送室の内部圧力を第1の圧力から第2の圧力へ減圧すべく当該中間搬送室内を排気する排気ステップと、
該排気ステップによる排気の際に、前記基板の少なくとも前記支持部と反対側の主面上における排気のコンダクタンスを制御するコンダクタンス制御ステップとを有することを特徴とする排気方法。 - 内部が第1の圧力で水分を含む第1の環境にある第1室と内部が第1の圧力よりも低い第2の圧力の第2の環境にある第2室との間に設けられ、当該第1室と当該第2室との間で双方向に基板を搬送し且つ当該基板を支持する支持部を有する搬送装置を備えた中間搬送室の排気方法において、
該中間搬送室の内部圧力を第1の圧力から第2の圧力へ減圧すべく当該中間搬送室内を排気する排気ステップと、
該排気ステップによる排気の際に、前記支持部に支持された基板の当該支持部と反対側の主面上において水分の凝結若しくは凝縮が生じないように当該主面上のコンダクタンスを制御すべく当該基板を持ち上げる基板持上ステップとを有することを特徴とする排気方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006210304A JP5037058B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
KR1020070053690A KR20080012131A (ko) | 2006-08-01 | 2007-06-01 | 중간 반송실, 기판 처리 시스템, 및 중간 반송실의 배기방법 |
CNB2007101125979A CN100514557C (zh) | 2006-08-01 | 2007-06-22 | 中间搬送室、基板处理***及该中间搬送室的排气方法 |
US11/831,361 US8113757B2 (en) | 2006-08-01 | 2007-07-31 | Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber |
TW096128005A TWI421126B (zh) | 2006-08-01 | 2007-07-31 | Intermediate handling room and substrate processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006210304A JP5037058B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008041719A true JP2008041719A (ja) | 2008-02-21 |
JP5037058B2 JP5037058B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=39095286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006210304A Expired - Fee Related JP5037058B2 (ja) | 2006-08-01 | 2006-08-01 | 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5037058B2 (ja) |
KR (1) | KR20080012131A (ja) |
CN (1) | CN100514557C (ja) |
TW (1) | TWI421126B (ja) |
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JP7458267B2 (ja) | 2020-08-19 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
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2006
- 2006-08-01 JP JP2006210304A patent/JP5037058B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-01 KR KR1020070053690A patent/KR20080012131A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-06-22 CN CNB2007101125979A patent/CN100514557C/zh not_active Expired - Fee Related
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JP7458267B2 (ja) | 2020-08-19 | 2024-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI421126B (zh) | 2014-01-01 |
KR20080012131A (ko) | 2008-02-11 |
CN100514557C (zh) | 2009-07-15 |
TW200822968A (en) | 2008-06-01 |
CN101127302A (zh) | 2008-02-20 |
JP5037058B2 (ja) | 2012-09-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090617 |
|
A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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