JP2008027980A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008027980A JP2008027980A JP2006195802A JP2006195802A JP2008027980A JP 2008027980 A JP2008027980 A JP 2008027980A JP 2006195802 A JP2006195802 A JP 2006195802A JP 2006195802 A JP2006195802 A JP 2006195802A JP 2008027980 A JP2008027980 A JP 2008027980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solid
- state imaging
- imaging device
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置の1画素分の受光セル100は、入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオード12と、フォトダイオード12が形成されている半導体基板11と、半導体基板11の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜13と、フォトダイオード12の上方かつ絶縁膜13の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜120とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】固体撮像装置の1画素分の受光セル100は、入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオード12と、フォトダイオード12が形成されている半導体基板11と、半導体基板11の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜13と、フォトダイオード12の上方かつ絶縁膜13の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜120とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、感度の高い固体撮像装置などとして、特に、入射光の反射ロスを低減することで高感度化した固体撮像装置に関する。
近年、固体撮像装置は、高解像度化や多画素化に伴い、受光セルが小型化されてきている。その一方で、従来と同レベルの感度特性を満たすことが要求されている。これに対して、シリコン基板よりも屈折率の高い材料で反射防止膜を形成し、入射光の反射ロスを低減した固体撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
図1は、従来における固体撮像装置の断面構造を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図1に示されるように、具体的には、受光セル10は、シリコン基板11、フォトダイオード12、シリコン酸化膜13、ゲート電極14、絶縁膜15、層間絶縁膜16、遮光膜17、絶縁膜18、マイクロレンズ19などを備える。さらに、反射ロスを低減するために、反射防止膜として機能するシリコン窒化膜20を備える。
シリコン窒化膜20は、屈折率が2.0と比較的高い。さらに、標準的に存在している半導体の材料である。また、加工が容易である。
図2(a)、(b)は、従来における固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図2(a)に示されるように、受光セル10は、シリコン基板11の上方に、酸化膜13を介して、ゲート電極14が形成される。ゲート電極14を覆うようにして絶縁膜15が形成される。絶縁膜15が形成された後にシリコン窒化膜20が形成される。シリコン窒化膜20が形成された後に、レジスト21を利用して、パターンが形成される。このとき、フォトダイオード12の上方に、反射防止膜として機能する部分のパターンが形成される。
その後、図2(b)に示されるように、受光セル10は、パターンが形成された後に、エッチングにより、反射防止膜として機能する部分以外のシリコン窒化膜20が除去される。反射防止膜として機能するシリコン窒化膜20の上層に層間絶縁膜16が形成される。層間絶縁膜16の上層に遮光膜17が形成される。フォトダイオード12の上方に位置する遮光膜17の部分に開口部が形成される。遮光膜17を覆うようにして層間絶縁膜18が形成される。層間絶縁膜18の上層にマイクロレンズ19が形成される。このとき、フォトダイオード12の上方にマイクロレンズ19が形成される。
特開平8−148665号公報
しかしながら、さらに、高感度化するにあたって、反射ロスを低減する必要がある。例えば、受光セル10は、マイクロレンズ19を介してフォトダイオード12に入射した光を電気信号に変換する。ただし、遮光膜17に形成された開口部を通過した光の一部が、シリコン基板11とシリコン酸化膜13との界面で反射され、フォトダイオード12に入射しない。結果、感度が低下する。これは、シリコン基板11の屈折率とシリコン酸化膜13の屈折率との差が大きいためである。
すなわち、単位面積あたりの入射光量を増大させるためには、フォトダイオードに入射する入射光の反射ロスを低減することが必要である。
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、反射防止膜としてシリコン窒化膜を用いた場合と比べて、さらに反射ロスを低減した固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係わる固体撮像装置は、(a1)入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオードと、(a2)前記フォトダイオードが形成されている半導体基板と、(a3)前記半導体基板の面のうち、前記入射光が入射する面に形成されている絶縁膜と、(a4)前記フォトダイオードの上方かつ前記絶縁膜の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜とを備えることを特徴とする。
これによって、シリコン窒化膜を利用した場合よりも、さらに反射ロスを低減することができる。また、容易に加工ができる。これは、ポリシリコン膜は、屈折率が約3.0であり、シリコン窒化膜の屈折率よりも高い。さらに、標準的に存在している半導体の材料である。すなわち、反射防止膜の屈折率を増大させ反射を低減させるとともに、金属を含まない材料で形成することによって、パターン加工を容易にすることができる。
なお、本発明は、固体撮像装置として実現されるだけではなく、固体撮像装置を製造する固体撮像装置の製造方法などとして実現されるとしてもよい。
本発明によれば、高屈折率膜による反射を低減することができ、固体撮像装置の高感度化を実現することができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明に係わる第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明に係わる第1の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における固体撮像装置は、下記(a)、(b)に示す特徴を備える。
(a)固体撮像装置は、(a1)入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオードと、(a2)フォトダイオードが形成されている半導体基板と、(a3)半導体基板の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜と、(a4)フォトダイオードの上方かつ絶縁膜の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜とを備える。
(a)固体撮像装置は、(a1)入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオードと、(a2)フォトダイオードが形成されている半導体基板と、(a3)半導体基板の面のうち、入射光が入射する面に形成されている絶縁膜と、(a4)フォトダイオードの上方かつ絶縁膜の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜とを備える。
(b)ポリシリコン膜は、膜厚が15nmから60nmの範囲で形成されている。
以上の点を踏まえて、本実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、従来と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
以上の点を踏まえて、本実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、従来と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図3は、本実施形態における固体撮像装置の断面構造を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図3に示されるように、具体的には、受光セル100は、シリコン基板11、フォトダイオード12、シリコン酸化膜13、ゲート電極14、絶縁膜15、層間絶縁膜16、遮光膜17、絶縁膜18、マイクロレンズ19などを備える。さらに、反射ロスを低減するために、反射防止膜として機能するポリシリコン膜120を備える。
ポリシリコン膜120は、屈折率が約3.0である。さらに、波長λの4分の1の膜厚(以下、λ/4膜厚と呼称する。)でポリシリコン膜120を形成することによって、反射防止膜としての効果をさらに高めることができる。ここで、ポリシリコン膜120は、波長λ=400nmに対しては、屈折率が約5.6である。また、波長λ=700nmに対しては、屈折率が約3.4である。これから、可視光領域400nm〜700nmにおいて、λ/4膜厚は、18nm〜51nmになる。しかし、ポリシリコン膜120の下層のシリコン酸化膜13の膜厚や上層の層間絶縁膜16の膜厚によって最適な膜厚を調整する必要がある。このため、ポリシリコン膜120の膜厚を15nm〜60nmの範囲で形成することが望ましい。
次に、本実施形態における固体撮像装置の製造方法について説明する。
図4は、本実施形態における固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図4は、本実施形態における固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図4(a)に示されるように、受光セル100は、シリコン基板11の上方に、酸化膜13を介して、ゲート電極14が形成される。ゲート電極14を覆うようにして絶縁膜15が形成される。絶縁膜15が形成された後にポリシリコン膜120が形成される。ポリシリコン膜120が形成された後に、レジスト121を利用して、ポリシリコン膜120の上層にパターンが形成される。このとき、フォトダイオード12の上方に、反射防止膜として機能する部分のパターンが形成される。
その後、図4(b)に示されるように、受光セル100は、パターンが形成された後に、エッチングにより、反射防止膜として機能する部分以外のポリシリコン膜120が除去される。反射防止膜として機能するポリシリコン膜120の上層に層間絶縁膜16が形成される。層間絶縁膜16の上層に遮光膜17が形成される。フォトダイオード12の上方に位置する遮光膜17の部分に開口部が形成される。遮光膜17を覆うようにして層間絶縁膜18が形成される。層間絶縁膜18の上層にマイクロレンズ19が形成される。このとき、フォトダイオード12の上方にマイクロレンズ19が形成される。
以上、本実施形態における固体撮像装置によれば、マイクロレンズ19で集光された光が、ポリシリコン膜120を介して、フォトダイオード12に入射する。このとき、シリコン窒化膜よりも屈折率が高いポリシリコン膜120を備えることによって、さらに、シリコン基板11とシリコン酸化膜13との界面で生じる反射を低減することができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明に係わる第2の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明に係わる第2の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における固体撮像装置は、下記(c)〜(e)に示す特徴を備える。
(c)固体撮像装置は、さらに、絶縁膜の上層かつポリシリコン膜と同じ層に形成されているポリシリコン酸化膜を備える。
(c)固体撮像装置は、さらに、絶縁膜の上層かつポリシリコン膜と同じ層に形成されているポリシリコン酸化膜を備える。
(d)固体撮像装置は、さらに、(d1)フォトダイオードの上方に開口部が形成されている遮光膜と、(d2)フォトダイオードで蓄積されている電荷を取り出して転送する電荷転送電極と、(d3)遮光膜と電荷転送電極とを絶縁する少なくとも1層以上の層間絶縁膜とを備え、(d4)少なくとも1層以上の層間絶縁膜のいずれかにポリシリコン酸化膜が形成されている。
(e)ポリシリコン酸化膜は、遮光膜の下層および電荷転送電極の上層のいずれかに形成されている。
以上の点を踏まえて、本実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、第1の実施形態と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図5は、本実施形態における固体撮像装置の断面構造を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図5に示されるように、受光セル200は、受光セル100と比べて、さらに、層間絶縁膜として機能するポリシリコン酸化膜220を備える点が異なる。これによって、ゲート電極14と遮光膜17との間の耐圧を向上させることができる。耐圧が向上する分、ゲート電極14を覆うようにして形成される絶縁膜15と、ポリシリコン酸化膜220の上層に形成される層間絶縁膜16との各膜厚を薄くすることできる。
例えば、ゲート電極14がポリシリコン膜で形成され、絶縁膜15がポリシリコン酸化膜で形成されているとする。さらに、ポリシリコン膜120の膜厚を30nmとする。この場合において、反射防止膜として機能する部分以外の部分を酸化すると、ポリシリコン酸化膜220の膜厚が約60nmになる。これから、絶縁膜15の膜厚を60nm薄くすることができる。さらに、ゲート電極14のポリシリコン酸化膜の膜厚が60nm以下の場合では、絶縁膜15を省略することができる。
例えば、図6に示されるように、絶縁膜15と層間絶縁膜16との少なくとも一方を省略して固体撮像装置を形成することができる。この場合においても、図5に示される固体撮像装置と同じ効果を得ることができる。
次に、本実施形態における固体撮像装置の製造方法について説明する。
図7は、本実施形態における固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図7は、本実施形態における固体撮像装置の製造方法を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図7(a)に示されるように、受光セル200は、ゲート電極14を覆うようにして絶縁膜15が形成された後に、ポリシリコン膜120が形成される。ポリシリコン膜120が形成された後に、シリコン窒化膜221を利用して、ポリシリコン膜120の上層にパターンが形成される。このとき、フォトダイオード12の上方に、反射防止膜として機能する部分のパターンが形成される。
その後、図7(b)に示されるように、受光セル200は、パターンが形成された後に、酸化が実施される。これに伴い、シリコン窒化膜221で覆われていない領域のポリシリコン膜120がポリシリコン酸化膜220になる。
その後、図7(c)に示されるように、リン酸処理でシリコン窒化膜221が除去される。反射防止膜として機能するポリシリコン膜120と層間絶縁層として機能するポリシリコン酸化膜220との上層に層間絶縁膜16が形成される。層間絶縁膜16の上層に遮光膜17が形成される。フォトダイオード12の上方に位置する遮光膜17の部分に開口部が形成される。遮光膜17を覆うようにして層間絶縁膜18が形成される。層間絶縁膜18の上層にマイクロレンズ19が形成される。このとき、フォトダイオード12の上方にマイクロレンズ19が形成される。
以上、本実施形態における固体撮像装置によれば、ゲート電極14と遮光膜17との間に、層間絶縁膜として機能するポリシリコン酸化膜220を備える。これによって、ゲート電極14と遮光膜17との間の耐圧を向上させることができる。耐圧が向上する分、ゲート電極14を覆うようにして形成される絶縁膜15と、ポリシリコン酸化膜220の上層に形成される層間絶縁膜16との各膜厚を薄くすることできる。さらに、絶縁膜15と層間絶縁膜16とのいずれか一方、あるいは両方を省略することができる。
(第3の実施形態)
次に、本発明に係わる第3の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
次に、本発明に係わる第3の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態における固体撮像装置は、下記(f)に示す特徴を備える。
(f)固体撮像装置は、さらに、(f1)ポリシリコン膜の上層に形成されているシリコン窒化膜と、(f2)シリコン窒化膜の上層に形成されているシリコン酸化膜とを備える。
(f)固体撮像装置は、さらに、(f1)ポリシリコン膜の上層に形成されているシリコン窒化膜と、(f2)シリコン窒化膜の上層に形成されているシリコン酸化膜とを備える。
以上の点を踏まえて、本実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図8は、本実施形態における固体撮像装置の断面構造を示す図である。ここでは、固体撮像装置の1画素分の受光セルを一例として説明する。
図8に示されるように、受光セル300は、受光セル200と比べて、ポリシリコン膜120の上層に形成されるシリコン窒化膜221を備える点が異なる。
一般的に、層間絶縁膜16は、シリコン酸化膜で形成される場合が多い。ここで、シリコン酸化膜の屈折率は約1.45である。例えば、層間絶縁膜16がシリコン酸化膜で形成されるとする。この場合において、ポリシリコン膜120の屈折率と層間絶縁膜16の屈折率との差が大きくなる。ポリシリコン膜120と層間絶縁膜16との界面で反射が生じる。そこで、ポリシリコン膜120と層間絶縁膜16との間に、シリコン窒化膜221が形成される。シリコン窒化膜221は屈折率が2.0である。これは、ポリシリコン膜120の屈折率と層間絶縁膜16の屈折率との中間にあたる。これによって、ポリシリコン膜120、シリコン窒化膜221、および層間絶縁膜16の各界面における屈折率の差が小さくなり、ポリシリコン膜120の上方で生じる反射を低減することができる。
なお、図9に示されるように、本実施形態における固体撮像装置においても、第2の実施形態における固体撮像装置のように、絶縁膜15と層間絶縁膜16との少なくとも一方が省略されて形成されるとしてもよい。また、両方が省略されて形成されるとしてもよい。
なお、受光セル300は、第2の実施形態における固体撮像装置の製造方法において、シリコン窒化膜221を除去する工程を省略することによって形成される。このため、ここでは、本実施形態における固体撮像装置の製造方法については、説明を省略する。
以上、本実施形態における固体撮像装置によれば、ポリシリコン膜120の上層にシリコン窒化膜221を備える。これによって、ポリシリコン膜120、シリコン窒化膜221、および層間絶縁膜16の各界面における屈折率の差が小さくなり、ポリシリコン膜120の上方で生じる反射を低減することができる。
本発明は、感度の高い固体撮像装置などとして、特に、入射光の反射ロスを低減することで高感度化した固体撮像装置などとして、利用することができる。
10 受光セル
11 シリコン基板
12 フォトダイオード
13 酸化膜
14 ゲート電極
15 絶縁膜
16 層間絶縁膜
17 遮光膜
18 層間絶縁膜
19 マイクロレンズ
20 シリコン窒化膜
21 レジスト
100 受光セル
120 ポリシリコン膜
121 レジスト
200 受光セル
220 ポリシリコン酸化膜
221 シリコン窒化膜
300 受光セル
11 シリコン基板
12 フォトダイオード
13 酸化膜
14 ゲート電極
15 絶縁膜
16 層間絶縁膜
17 遮光膜
18 層間絶縁膜
19 マイクロレンズ
20 シリコン窒化膜
21 レジスト
100 受光セル
120 ポリシリコン膜
121 レジスト
200 受光セル
220 ポリシリコン酸化膜
221 シリコン窒化膜
300 受光セル
Claims (10)
- 入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードが形成されている半導体基板と、
前記半導体基板の面のうち、前記入射光が入射する面に形成されている絶縁膜と、
前記フォトダイオードの上方かつ前記絶縁膜の上層に反射防止膜として形成されているポリシリコン膜と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記ポリシリコン膜は、膜厚が15nmから60nmの範囲で形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、前記絶縁膜の上層かつ前記ポリシリコン膜と同じ層に形成されているポリシリコン酸化膜
を備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記フォトダイオードの上方に開口部が形成されている遮光膜と、
前記フォトダイオードで蓄積されている電荷を取り出して転送する電荷転送電極と、
前記遮光膜と前記電荷転送電極とを絶縁する少なくとも1層以上の層間絶縁膜と
を備え、
前記少なくとも1層以上の層間絶縁膜のいずれかに前記ポリシリコン酸化膜が形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記ポリシリコン酸化膜は、前記遮光膜の下層および前記電荷転送電極の上層のいずれかに形成されている
ことを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、さらに、
前記ポリシリコン膜の上層に形成されているシリコン窒化膜と、
前記シリコン窒化膜の上層に形成されているシリコン酸化膜と
を備えることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 入射光に応じて電荷を蓄積するフォトダイオードを半導体基板に形成するフォトダイオード形成工程と、
前記半導体基板の面のうち、前記入射光が入射する面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記フォトダイオードの上方かつ前記絶縁膜の上層にポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記ポリシリコン膜形成工程は、
前記絶縁膜の上層にポリシリコン膜を形成する第1の工程と、
前記第1の工程で形成されたポリシリコン膜のうち前記フォトダイオードの上方に位置する領域の上層にシリコン窒化膜を形成する第2の工程と、
前記第1の工程で形成されたポリシリコン膜のうち前記シリコン窒化膜で覆われていない領域を酸化する第3の工程と
を含むことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記ポリシリコン膜形成工程は、さらに、
前記第3の工程で酸化された後に前記第2の工程で形成されたシリコン窒化膜を除去する第4の工程
を含むことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、
前記フォトダイオードで蓄積されている電荷を取り出して転送する電荷転送電極を、前記絶縁膜形成工程で形成された絶縁膜の上層に形成する電荷転送電極形成工程と、
前記電荷転送電極を覆うようにして1層以上の層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記1層以上の層間絶縁膜の上層に、前記フォトダイオードの上方に開口部が形成されている遮光膜を形成する遮光膜形成工程と
を含み、
前記層間絶縁膜形成工程は、前記遮光膜の下層および前記電荷転送電極の上層のいずれかに、前記層間絶縁膜としてポリシリコン酸化膜を形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006195802A JP2008027980A (ja) | 2006-07-18 | 2006-07-18 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006195802A JP2008027980A (ja) | 2006-07-18 | 2006-07-18 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008027980A true JP2008027980A (ja) | 2008-02-07 |
Family
ID=39118338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006195802A Pending JP2008027980A (ja) | 2006-07-18 | 2006-07-18 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008027980A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010128028A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Renesas Electronics Corp | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び反射防止膜を用いた半導体装置 |
JP2019046867A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-07-18 JP JP2006195802A patent/JP2008027980A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010128028A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Renesas Electronics Corp | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び反射防止膜を用いた半導体装置 |
JP2019046867A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7040907B2 (ja) | 2017-08-30 | 2022-03-23 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2022075793A (ja) * | 2017-08-30 | 2022-05-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7348337B2 (ja) | 2017-08-30 | 2023-09-20 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5369441B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP5172819B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3103064B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US7709872B2 (en) | Methods for fabricating image sensor devices | |
TWI399849B (zh) | 固態成像裝置,製造固態成像裝置之方法,及電子設備 | |
KR100598038B1 (ko) | 다층 반사 방지막을 포함하는 고체 촬상 소자 및 그 다층반사 방지막의 제조 방법 | |
WO2010104021A1 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置 | |
JP2009021415A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
EP2413362B1 (en) | Back-illuminated solid-state image pickup device | |
US20170077161A1 (en) | Image pickup device and method for manufacturing image pickup device | |
JP2008182142A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 | |
JP2007150087A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP4964418B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2007095791A (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP5535261B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008027980A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2005340498A (ja) | 固体撮像素子 | |
CN107507773B (zh) | 优化cmos图像传感器晶体管结构的方法 | |
KR20150061964A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
JP2006041026A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP4449298B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
CN110112162B (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
JP2008283070A (ja) | 撮像素子 | |
JP2008028101A (ja) | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 | |
JP2005340475A (ja) | 固体撮像装置 |